Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | hFE | Временные параметры | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KSC2335 | 40 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | — | 10…80 | ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс | TO-220 |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6 | 150 | 8 | 10…60 | ton ˂ 0,2 мкс tstg ˂ 3,5 мкс tf ˂ 0,6 мкс | TO-3 |
| КТ841А | 50 | 600 | 400 | 5 | 10 | 150 | 10 | 10 | ton = 0,08 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,5 мкс | TO-3 |
| 2Т842А | 50 | 300 | 300 | 5 | 5 | 150 | 20 | 15 | ton = 0,12 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,13 мкс | TO-3 |
| КТ847А | 125 | 650 | — | 8 | 15 | 150 | ˃ 15 | ˃ 8 | tstg = 3,0 мкс tf = 1,5 мкс | TO-3 |
| КТ858А | 60 | 400 | 400 | 6 | 7 | 150 | — | ˃ 10 | tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 0,75 мкс | TO-220 |
| 2Т862 | 50 | 600 | 400 | 5 | 10 | 150 | 20 | 12…50 | ton ˂ 0,4 мкс tstg ˂ 1,0 мкс tf ˂ 0,25 мкс | TO-3 |
| КТ812А | 50 | 400 | 400 | 7 | 8 | 150 | ˃ 3 | — | tf = 0,2…1,3 мкс | TO-3 |
| КТ8126А1 | 80 | 700 | 400 | 9 | 8 | 150 | ˃ 4 | 8…40 | ton = 1,6 мкс tstg = 3,0 мкс tf = 0,7 мкс | TO-220 |
| КТ8164А | 75 | 700 | 400 | 9 | 4 | 150 | ˃ 4 | 10…60 | ton = 0,8 мкс tstg = 0,9 мкс tf = 4,0 мкс | TO-220 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KSC2335 | 40 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | 10…80 | TO-220 |
| KSC2334 | 40 | 150 | 100 | 7 | 7 | 150 | 20…240 | TO-220C |
| 2SC2502 | 50 | 500 | 400 | 7 | 8 | 150 | ˃ 15 | TO-220 |
| TT2194 | 50 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | 20 | TO-220 |
| WBP3308 | 45 | 900 | 500 | 7 | 7 | 150 | 20 | TO-220 |
| 2SC3038 | 40 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | 50 | TO-220 |
| 2SC3039 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 150 | 30 | TO-220 |
| 2SC3170 | 40 | 500 | — | — | 7 | 150 | 25 | TO-220 |
| 2SC3626 | 40 | — | 400 | — | 8 | — | 55 | TO-220 |
| 2SC4055 | 60 | 600 | 450 | 7 | 8 | 180 | 100 | TO-220 |
| 2SC4106 M/N | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 175 | 60 | TO-220 |
| 2SC4107 M/N | 60 | 500 | 400 | 7 | 10 | 150 | 20/60 | TO-220 |
| 2SC4274 | 40 | 500 | 400 | — | 10 | 150 | 40 | TO-220 |
| 2SC4458 L | 40 | 900 | 500 | 9 | 8 | 150 | 25 | TO-220F |
| 2SC4559 | 40 | 500 | 400 | — | 7 | 175 | 150 | TO-220 |
| 2SD1162 | 40 | 500 | — | 10 | 10 | 150 | 400 | TO-220 |
| 2SD1349 | 50 | 500 | — | — | 7 | 150 | 150 | TO-220 |
| 2SD1533 | 45 | 500 | — | — | 7 | 150 | 800 | TO-220 |
| 2SD1710A | 50 | 900 | 500 | 9 | 8 | 150 | 25 | TO-220 |
| 3DK3039 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 175 | 25 | TO-220, TO-276AB |
| MJ10012T | 65 | 600 | 400 | — | 15 | 200 | 200 | TO-220 |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.
Реле времени
TL431 нашел свое применение не только как источник опорного напряжения, а и во многих других применениях. Например благодаря тому что входной ток TL431 составляет 2-4мкА, то на основе этой микросхемы можно построить реле времени: при размыкании контакта S1 C1 начинает медленно заряжаться через R1, а когда напряжение на входе TL431 достигнет 2,5 В выходной транзистор DA1 откроется и через светодиод оптопары PC817 начнет протекать ток, соответственно откроется и фототранзистор и замкнет внешнюю цепь.
В этой схеме резистор R2 ограничивает ток через оптрон и стабилизатор (например 680 Ом), R3 нужен чтобы предупредить зажигание светодиода от тока собственных нужд TL431 (например 2 кОм).
Где и как мы можем использовать ?
Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.
Устройство IRF3205
Устройство и работа данного транзистора не имеет никаких отличий от устройств и работ других n-канальных МОП-транзисторов.
12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки
Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит
При подаче положительного напряжения между контактом затвора и истока между подложкой и контактом затвора образуется поперечное электрическое поле. Это поле притягивает отрицательно заряженные электроны к поверхностному слою диэлектрика. В результате такого заряда, в этом слое образуется некая область проводимости — так называемый “канал”.
Стоит заметить, что заряд накапливается, в своего рода, электрическом конденсаторе, состоящем из электрода затвора и подложки с диэлектриком. В этом конденсаторе обкладки — металлический вывод затвора и область подложки, а изоляторы — диэлектрики, состоящие из оксида кремния. Именно исходя из характеристик этого конденсатора и складывается параметр емкости затвора транзистора.
Основные технические характеристики TL431:
- напряжение анод-катод: 2,5…36 вольт;
- ток анод-катод: 1…100 мА (если нужна стабильная работа, то не стоит допускать ток менее 5мА);
Точность опорного источника напряжения TL431 зависит от 6-той буквы в обозначении:
- без буквы — 2%;
- буква A — 1%;
- буква B — 0,5%.
Видно, что TL431 может работать в широком диапазоне напряжений, но вот токовые способности не так велики всего 100 мА, да и мощность рассеиваемая такими корпусами не превышает сотен мили Ватт. Для получения более серьезных токов интегральный стабилитрон стоит использовать как источник опорного напряжения, регулирующую функцию доверив мощным транзисторам.
Распиновка
Bc547 впервые появился на рынке радиоэлектронных компонентов в апреле 1966 года, благодаря компаниям Philips (Голландия) и Mullard (Великобритания). Это совместная доработка популярного в то время bc107. Он был идентичный по своим техническим характеристикам, но выпускался в отличии от металлического bc107 в пластиковом герметичном корпусе ТО-92. В настоящее время является действующей заменой для более старых BC107 или BC147, которые включены во множество разработок компаний Mullard и Philips.
Цоколевка корпуса ТО-92 (или ТО-226AA) у bc547 имеет три гибких вывода для дырочного монтажа. Если смотреть на скошенную часть спереди, то назначение этих выводов слева направо: коллектор, база, эмиттер. На рисунке показан базовый внешний вид устройства, который будет немного отличаться в зависимости от конкретной марки, однако характеристики и назначения выводов остаются идентичными.
Характеристики
Приведем основные предельно допустимые характеристики транзистора ВС557 при температуре окружающей среды 25 о С:
- Максимальное напряжение коллектор-база Uкбmax = — 50 В;
- Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэmax = -45 В;
- Наибольшее возможное напряжение эмиттер-база Uэбmax = -5 В;
- Максимальный постоянный ток коллектора Iкmax = -100 А;
- Наибольший допустимый ток коллектора Iк пик = -200 А;
- Рассеиваемая мощность коллектора (максимальная) Ркmax = 0,5 Вт;
- Температура хранения (рабочая) Tstg = -65 … 150 о С;
- Максимальная температура перехода Tj = 150 о С.
В следующей таблице написаны основные электрические значения устройства.
В документации производителя присутствует такой параметр как «тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда»
Данное число показывает, насколько градусов увеличится температура кристалла, при увеличении рассеиваемой мощности.
Все транзисторы ВС557 по статическому коэффициенту передачи тока (hfe) делятся на три группы А, В и С.
- Для ВС557А – hfe = от 110 до 200;
- Для ВС557В – hfe = от 200 до 450;
- Для ВС557С – hfe = от 420 до 800;
На следующем рисунке приведен график зависимости коэффициента усиления транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером hfe от тока коллектора.
На графике по оси абсцисс отложены значения тока коллектора в логарифмическом масштабе. По оси ординат отложены значения hfe.
Подключение IRF3205
Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:
Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.
Подключение к микроконтроллеру
Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:
- Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
- Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
- Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF
Предельно допустимые значения
В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.
| Обозначение | Параметр | Значение | |
|---|---|---|---|
| VCBO | Напряжение коллектор-база, В | BC546 | 80 |
| (UCB max) | BC547/550 | 50 | |
| BC548/549 | 30 | ||
| VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер, В | BC546 | 65 |
| (UCE max) | BC547/550 | 45 | |
| BC548/549 | 30 | ||
| VEBO (UEB max) | Напряжение эмиттер-база (обратное), В | BC546/547 | 6 |
| BC548-550 | 5 | ||
| IC (ICmax) | Ток коллектора, А | 0,1 | |
| PC (PC max) | Рассеиваемая мощность, Вт | 0,5 | |
| Tj (tjmax) | Температура кристалла, °С | 150 | |
| Tstg | Температура хранения, °С | -65…+150 |
BC560C Datasheet (PDF)
0.1. Size:349K onsemi bc556abu bc556ata bc556bta bc556btf bc556btfr bc557ata bc557bta bc557btf bc558bta bc559bta bc559cta bc560cta.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
9.1. Size:107K motorola bc559 bc560.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC559/DLow Noise TransistorsPNP SiliconBC559, B, CBC560CCOLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating S
9.2. Size:43K fairchild semi bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf
BC556/557/558/559/560Switching and Amplifier High Voltage: BC556, VCEO= -65V Low Noise: BC559, BC560 Complement to BC546 … BC 550TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC556 -80 V: BC557/560 -50 V: BC558/559 -30 V
9.3. Size:298K cdil bc559 bc560.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC559, B, CBC560, B, CTO-92Plastic PackageLow Noise TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL BC559 BC560 UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 30 45 VVCBOCollector Base Voltage 30 50 VVEBOEmit
9.4. Size:28K kec bc559 bc560.pdf
SEMICONDUCTOR BC559/560TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORLOW NOISE APPLICATION. B CFEATUREFor Complementary with NPN Type BC549/550.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKG B 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 )C 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27BC559 -30G 0.85VCBOCollector-Base Voltage VH 0.45BC560 -50 _H J 14.00 + 0.50K
Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания и преобразователей.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя: Vceo = 800 В.
- Изолированный корпус.
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 900 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 7 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 3,0/5,0 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 25 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 0,15 А | 15 | — | — | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 1,2 A, Ib = 0,24 А | — | — | 1,0 | В |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 1,0 | А |
| Tr/Tf | Время нарастания/спада | — | — | 0,5 | 0,7/0,5 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Высказывания: Если что-либо не работает, стукните это хорошенько, если оно сломалось — ничего, все равно нужно было выбрасывать. Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремнийСтруктура полупроводникового перехода: npn |
| Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
| 25000 | 900 | 800 | 7 | 3000 | +150 | 200000 | 15 |
Bosch pke611d17e варочная панель как подключить провода
Производитель: UTCСфера применения: Популярность: 3246Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SC5353
| Общий вид транзистора 2SC5353. | Цоколевка транзистора 2SC5353. |
Обозначение контактов: Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер. Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Дата создания страницы: 2016-02-03 08:45:50.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.
Биполярный транзистор 2SC5353 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5353
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO220NIS
2SC5353 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:
«>
Электрические параметры
В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.
Обратный ток коллектора – обратный ток коллекторногоперехода при свободном (не подключенном никуда) эмиттере. Его наличие приводит к нагреву транзистора. С увеличением температуры быстро растет.
Коэффициент усиления по току – отношение величин коллекторного и базового токов при активном режиме. Его величина определяет способность транзистора к усилению сигналов.
Напряжения насыщения – величина напряжений на p-n переходах транзистора, который находится в состоянии насыщения, то есть оба перехода смещены в прямом направлении (открыты). Такое состояние прибора используется в ключевых схемах.
Граничная частота – частота сигнала, при которой hFE транзистора падает до 1. Обычно приемлемой для работы считается частота 0,1 fT.
Выходная и входная емкости – эквивалентные емкости, являющиеся суммой емкостей Скб и Сбэ. Их величина существенна при работе с сигналами высокой частоты и в переключателях.
Коэффициент шума – отношение полной мощности шумов на выходе к ее части, вызываемой тепловыми шумами генератора шума. Параметр играет роль в случае необходимости усиления слабых сигналов. RG – выходное сопротивление источника сигнала.
| Обозначение | Параметр | Условия измерений | Значение | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Тип. | Макс. | ||||
| ICBO | Обратный ток коллектора, nA | VCB =30В, IE =0 | 15 | |||
| hFE (h21) | Коэффициент усиления | VCE =5В, IC =2мА | 110 | 800 | ||
| VCE(sat) (UBEsat) | Напряжение насыщения к-э, мВ | IC=10 мA, IB =0,5мA | 90 | 250 | ||
| IC=100 мA, IB =5мA | 200 | 600 | ||||
| VBE(sat) (UBEsat) | Напряжение насыщения б-э, мВ | IC =10 мA, IB =0,5мA | 700 | |||
| IC =100 мA, IB =5мA | 900 | |||||
| VBE (UBE) | Напряжение б-э (прямое), В | VCE =5 В, IC =2 мA | 580 | 660 | 700 | |
| VCE =5 В, IC =10 мA | 720 | |||||
| fT | Граничная частота, МГц | VCE =5В, IC =10мA, f=100 MГц | 300 | |||
| Cob | Выходная емкость, пФ | VCB =10В, IE =0, f= 1MГц | 3,5 | 6 | ||
| Cib | Входная емкость, пФ | VEB =0,5В, IС =0, f= 1MГц | 9 | |||
| NF (F) | Коэффициент шума, дБ | ВС546-548 | VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 1кГц, Δf=200Гц | 2 | 10 | |
| ВС549, 550 | 1,2 | 4 | ||||
| ВС549 | VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 30-15000 Гц | 1,4 | 4 | |||
| ВС550 | 1,4 | 3 |
Примечания:
- Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения указаны для тех же условий.
- В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.
Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.
Т ранзисторы BC556 – BC560 – кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры – p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно – цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц;
Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.
Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.
Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.
Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A – от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B – от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C – от 420 до 800.
Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА – 0,9в.
Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 – BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.
BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.
Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.
В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.
Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +
В корзину
PNP транзистор общего применения
ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE
Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800
Общие ∙ Производитель Semtech
Простое зарядное устройство для литиевого аккумулятора.
Главное отличие зарядного устройства от блока питания – четкое ограничение зарядного тока. Следующая схема имеет два режима ограничения:
- по току;
- по напряжению;
Пока напряжение на выходе меньше 4,2 В ограничивается выходной ток, при достижении напряжением величины 4,2 В начинает ограничиватся напряжение и ток заряда снижается.
На следующей схеме ограничение тока осуществляют транзисторы VT1, VT2 и резисторы R1-R3. Резистор R1 выполняет функцию шунта, когда напряжение на нем превышает 0,6 В (порог открывания VT1), транзистор VT1 открывается и закрывает транзистор VT2. Из-за этого падает напряжение на базе VT3 он начинает закрываться и следовательно снижается выходное напряжение, а это ведет к снижению выходного тока. Таким образом работает обратная связь по току и его стабилизация. Когда напряжение подбирается к уровню 4,2 В в работу начинает вступать DA1 и ограничивать напряжение на выходе зарядного устройства.
А теперь список номиналов компонентов схемы:
- DA1 – TL431C;
- R1 – 2,2 Ом;
- R2 – 470 Ом;
- R3 – 100 кОм;
- R4 – 15 кОм;
- R5 – 22 кОм;
- R6 – 680 Ом (нужен для подстройки выходного напряжения);
- VT1, VT2 – BC857B;
- VT3 – BCP68-25;
- VT4 – BSS138.
Маркировка IRF3205
В маркировке данного транзистора первые две буквы (IR) означают первого производителя — International Rectifier. Сейчас этот транзистор выпускается многими компаниями, но именно с этой началась история этого компонента.
Помимо оригинальной версии, на данный момент существует еще и бессвинцовая версия, которая помечается постфиксом “Z” — (IRF3205Z), но раньше обозначение выглядело по-другому, а именно — “PbF”, что расшифровывается как Plumbum Free.
А также существуют версии в других корпусах: IRF3205ZL — TO262 (припаивание стока-радиатора к плате для охлаждения) и IRF3205ZS — D2Pak (для поверхностного монтажа).
TO262 и D2Pak, который иначе называется TO263, отличаются тем, что первый предназначен для монтажа в отверстия на плате, после чего загибается и припаивается радиатором к ней же. TO263, в свою очередь, не требует отверстий и обладает короткими выводами, что позволяет использовать его при поверхностном монтаже на небольших платах.
компенсационный стабилизатор напряжения
Принцип компенсационного стабилизатора на TL431 такой же как и на обычном стабилитроне: разность напряжений между входом и выходом компенсирует мощный биполярный транзистор. Но точность стабилизации получается выше, за счет того что обратная связь берется с выхода стабилизатора. Резистор R1 нужно рассчитывать на минимальный ток 5 мА, R2 и R3 рассчитываются, также как для параметрического стабилизатора.
Чтобы стабилизировать токи на уровне единиц и десятков Ампер одним транзистором в компенсационном стабилизаторе не обойтись, нужен промежуточный усилительный каскад. Оба транзистора работают по схеме с эмиттерного повторителя, т.е. происходит усиление тока, а напряжение не усиливается.
На рисунке представлена реальная схема компенсационного стабилизатора на TL431, в ней появились новые компоненты: резистор R2 ограничивающий ток базы VT1 (например 330 Ом), резистор R3 – компенсирующий обратный ток коллектора VT2 (что особенно актуально при нагреве VT2) (например 4,7 кОм) и конденсатор C1 – повышающий устойчивость работы стабилизатора на высоких частотах (например 0,01 мкФ).