Электронные схемы
Одним из основных применений транзистора BC517 является управление низковольтными нагрузками. Он может использоваться в схемах, где требуется управлять нагрузкой с током до 1 А и напряжением до 60 В. Транзистор обладает высокой коммутационной способностью, что позволяет ему быстро и эффективно управлять нагрузкой в различных устройствах.
Транзистор BC517 также может использоваться в схемах с импульсными источниками питания. Благодаря своим характеристикам, он не только позволяет эффективно регулировать напряжение питания, но и обеспечивает стабильный и надежный поток энергии. Это делает его идеальным компонентом для использования в источниках питания различных электронных устройств.
В схемах аудиоусилителей транзистор BC517 также находит свое применение. Он может использоваться для усиления звуковых сигналов и обеспечения их четкого и качественного воспроизведения. Благодаря низким искажениям и высокой линейности, транзистор обеспечивает отличное качество звука, что делает его незаменимым компонентом в аудиоусилительных схемах.
Транзистор BC517 также находит применение в схемах управления и регулирования электронных устройств и систем. Благодаря высокой надежности и стабильности работы, он может использоваться для управления различными параметрами электронных схем, такими как яркость светодиодов, скорость вращения моторов и другие.
В заключение, транзистор BC517 является важным компонентом электронных схем и находит широкое применение в различных областях электроники. Благодаря своим высоким техническим характеристикам и надежности работы, он обеспечивает эффективное управление нагрузками, стабильное питание электронных устройств и качественное воспроизведение звука. Поэтому транзистор BC517 является незаменимым компонентом в различных электронных схемах.
Касная схема[ | ]
Касный усилитель на биполярных n-p-n транзисторах.
Основная статья: Касный усилитель
Составной транзистор, выполненный по так называемой касной схеме, характеризуется тем, что транзистор T1
включен по схеме с общим эмиттером, а транзисторT2 — по схеме с общей базой. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства, высокое выходное сопротивление и больший линейный диапазон, то есть меньше искажает передаваемый сигнал. Так как потенциал коллектора входного транзистора практически не изменяется, это существенно подавляет нежелательное влияние эффекта Миллера и расширяет рабочий диапазон по частоте.
Импульсные стабилизаторы
Использование простых конструкций на транзисторах имеет недостаток – на ключевом элементе выделяется большая мощность рассеивания, которая тем больше, чем больше разница между входным и выходным параметром.
Главное отличие импульсных устройств – в том, что транзисторы работают в ключевом режиме, управляя накоплением и отдачей энергии реактивными элементами. Энергия, запасенная дросселем или конденсатором, позволяет не только стабилизировать напряжение, но и повышать его или инвертировать полярность.
Собранные на дискретных элементах импульсные преобразователи сложны в конструировании и регулировке. Сейчас выпускаются схемы, выполненные в виде интегральных микросхем, которым требуется импульсный ключ только для увеличения мощности. Устройства практически не требуют регулировки и обладают высокой надежностью.
Микросхема импульсных устройств
Типовые схемы составных транзисторов
Вашему вниманию подборка материалов:
Практика проектирования электронных схем Искусство разработки устройств. Элементная база. Типовые схемы. Примеры готовых устройств. Подробные описания. Онлайн расчет. Возможность задать вопрос авторам
На рисунке изображены две основные схемы составных транзисторов. Обе схемы можно считать эквивалентными npn транзистору с большим коэффициентом передачи тока. Первая схема называется ‘Составной транзистор Дарлингтона
‘, вторая — ‘Составной транзистор Шиклаи ‘
Резистор между базой и эмиттером второго транзистора используется в качестве источника тока. Действительно, падение напряжения между базой и эмиттером транзистора мало зависит от тока и является практически неизменным. [Ток через резистор
] = [Напряжение на резисторе ] / [Сопротивление резистора ]. Таким образом, через этот резистор течет ток практически постоянной силы.
Сопротивление данного резистора рассчитывается исходя из выбора рабочей точки транзисторов, входящих в составной. Рабочая точка выбирается исходя из соображений линейности, рассеиваемой мощности и ряда других. Обсуждение этих соображений находится за рамками этой статьи.
Выберем рабочую точку транзисторов, определимся с желаемыми силами токов коллекторов транзисторов. Тогда [Сопротивление резистора
] = [Напряжение насыщения база — эмиттер второго транзистора при токе базы Iб ] / ([Iб ] — [Ток коллектора второго транзистора в выбранной рабочей точке ] / [Коэффициент передачи тока второго транзистора ]).
Для первой схемы [Iб
] = [Ток коллектора первого транзистора в выбранной рабочей точке ] * (1 + 1/[Коэффициент передачи тока первого транзистора ])
Для второй схемы [Iб
] = [Ток коллектора первого транзистора в выбранной рабочей точке ]
Последовательное включение транзисторов
Во время работы силового транзистора на его переходе коллектор – эмиттер падает напряжение, представляющее собой разность входного и выходного напряжений. В отдельных случаях эта разность может превышать максимально допустимое напряжений коллектор – эмиттер транзистора, имеющегося в распоряжении. В этом случае необходимо использовать последовательное соединение нескольких транзисторов.
Схема последовательного включения транзисторов
Эквивалентный транзистор будет иметь следующие параметры:
UCEmax(общ) = UCEmax(VT1) + UCEmax(VT2)
Для симметрирования напряжений, которые будут падать на переходе коллектор – эмиттер транзисторов вводят симметрирующие резисторы R1 и R2 сопротивление, которых можно определить по формуле
R1 = R2 < UCEmax/2IB,
где IB – ток базы составного регулирующего транзистора.
Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 с буквами A, B, C.
Т ранзисторы BC546 — BC550 — кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно — цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 500 мВт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — У транзисторов BC546 65в. У транзисторов BC547, BC550 45в. У транзисторов BC548, BC549 30в.
Максимальное напряжение коллектор — база — У транзисторов BC546 80в. У транзисторов BC547, BC550 50в. У транзисторов BC548, BC549 30в.
Максимальное напряжение эмиттер — база — У транзисторов BC546, BC547 6в. У транзисторов BC548, BC549, BC550 5в.
Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC546A, BC547A, BC548A, BC549A, BC550A — от 110 до 220. У транзисторов BC546B, BC547B, BC548B, BC549B, BC550B — от 200 до 450. У транзисторов BC546C, BC547C, BC548C, BC549C, BC550C — от 420 до 800.
Максимальный постоянный ток коллектора — 100 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА — не выше 0,6в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА — 0,9в.
Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 в западном мире столь же популярны, как были популярны в Советском Союзе в свое время — КТ315. Сравнивать напрямую эти транзисторы было бы совершенно некорректно, более поздняя западная разработка конечно, намного совершенней.
BC547, BC548 иногда(в малосигнальных каскадах УЗЧ) можно заменить КТ3102А, Б, Г( и почти всегда — наоборот). BC549 меняется на КТ3102Д, Е. Нужно учитывать что КТ3102 имеют более низкую мощность рассеиваемую коллектором и уступают по предельной частоте передачи тока.
BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример — популярная схема переговорного устройства(уоки — токи) на 27мГц.
Схема состоит из двух компонентов — LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием — передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.
В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 — VT5) и два комплементарных BC557(VT3 — VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 — его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.
Конденсаторы C1 — C11 слюдяные, C12 — C13 — оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 — 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 — 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка — пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 — 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
BC517 Datasheet (PDF)
..1. Size:49K philips bc517 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC517NPN Darlington transistor1999 Apr 23Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 23Philips Semiconductors Product specificationNPN Darlington transistor BC517FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V)1 emitter Very high DC current gain (min. 30000).2
..2. Size:43K philips bc517.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC517NPN Darlington transistor1999 Apr 23Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 23Philips Semiconductors Product specificationNPN Darlington transistor BC517FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V)1 emitter Very high DC current gain (min. 30000).2
..3. Size:27K fairchild semi bc517.pdf
January 2005BC517NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0A. Sourced from process 05.TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVCBO Collector-Base Voltage 40 VVEBO Emi
..4. Size:35K kec bc517.pdf
SEMICONDUCTOR BC517TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR.B CN DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKMAXIMUM RATING (Ta=25 ) G B 4.80 MAXC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBOCollector-Base Voltage 40 VG 0.85H 0.45VCEOCollector-Emitter Voltage 30 V_H J 14.00 + 0.50K 0.55 MAXF FVE
0.1. Size:206K motorola bc517rev.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC517/DDarlington TransistorsNPN SiliconBC517COLLECTOR 1BASE2EMITTER 3123MAXIMUM RATINGSCASE 29 04, STYLE 17R
0.2. Size:45K hsmc hbc517.pdf
Spec. No. : HA200217HI-SINCERITYIssued Date : 2002.09.01Revised Date : 2005.02.04MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBC517NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionGeneral Purpose High Darlington TransistorTO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ……………………………………………………………………………….
0.3. Size:263K cystek bc517a3.pdf
Spec. No. : C214A3-A Issued Date : 2007.06.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC517A3Description The BC517A3 is a darlington amplifier transistor Pb-free package Symbol Outline BC517A3 TO-92 C B E BBase CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter S
Схема на составном транзисторе
Параметрический стабилизатор напряжения на транзисторе ограничивает ток нагрузки не только за счет допустимого тока ключевого элемента. Задолго до наступления момента предельного режима стабилизация ухудшается, поскольку ограничивается статическим коэффициентом передачи ключевого транзистора.
Увеличить ток нагрузки можно, применяя составные элементы, включенные по схеме Дарлингтона. В таком включении общий коэффициент передачи равняется произведениям коэффициентов обоих транзисторов. Мощные усилительные транзисторы Дарлингтона часто выпускаются в едином корпусе, не требуя дополнительных соединений.