Описание и применение транзистора BD243C
BD243C имеет следующие технические характеристики:
- Максимальное постоянное напряжение коллектора: 100 В
- Максимальное постоянное напряжение эмиттера: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 6 А
- Максимальная мощность потерь: 65 Вт
- Коэффициент усиления постоянного тока (hFE): 25-100
Эти характеристики делают транзистор BD243C идеальным для использования в схемах усилителей мощности, ключевых и коммутаторных устройств, источников питания, стабилизаторов напряжения и других электронных устройств, где требуется большая мощность и высокая точность усиления.
BD243C также обладает высокой надежностью и долгим сроком службы, что делает его популярным выбором для проектировщиков и инженеров в различных областях прикладной электроники.
BD243C Datasheet (PDF)
..1. Size:140K motorola bd243b bd244b bd243c bd244c.pdf
Order this documentMOTOROLAby BD243B/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNBD243BComplementary Silicon PlasticBD243C*Power TransistorsPNP. . . designed for use in general purpose amplif
..2. Size:341K st bd243c bd244c.pdf
BD243CBD244CComplementary power transistors .Features Complementary NPN-PNP devicesApplications Power linear and switching321DescriptionTO-220The device is manufactured in Planar technology with Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance Figure 1. Internal schematic diagramcoupled with very low saturation vo
..3. Size:38K fairchild semi bd243 bd243a bd243b bd243c.pdf
BD243/A/B/CMedium Power Linear and Switching Applications Complement to BD244, BD244A, BD244B and BD244C respectivelyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage: BD243 45 V: BD243A 60 V: BD243B 80 V: BD243C 100 V VCEO Collector-
..4. Size:233K onsemi bd243b bd243c bd244b bd244c.pdf
BD243B, BD243C (NPN),BD244B, BD244C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power TransistorsThese devices are designed for use in general purpose amplifier andswitching applications. www.onsemi.comFeatures6 AMPERE High Current Gain Bandwidth ProductPOWER TRANSISTORS These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*COMPLEMENTARY SILICON80-100 VOLTSMAXIMUM RATINGS65 W
..5. Size:212K inchange semiconductor bd243 bd243a bd243b bd243c.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD243/A/B/CDESCRIPTIONDC Current Gain -h =30(Min)@ I = 0.3AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 45V(Min)- BD243; 60V(Min)- BD243ACEO(SUS)80V(Min)- BD243B; 100V(Min)- BD243CComplement to Type BD244/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in gener
0.1. Size:137K onsemi bd243cg.pdf
BD243B, BD243C (NPN)BD244B, BD244C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power TransistorsThese devices are designed for use in general purpose amplifier andswitching applications. http://onsemi.comFeatures6 AMPERE Collector — Emitter Saturation Voltage -POWER TRANSISTORSVCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 AdcCOMPLEMENTARY SILICON Collector Emitter Sustaining Voltage —
9.1. Size:71K cdil bd243 a b c bd244.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-220 Plastic Package BD243, BD243A, BD243B, BD243CBD244, BD244A, BD244B, BD244CBD243, 243A, 243B, 243C NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSBD244, 244A, 244B, 244C PNP PLASTIC POWER TRANSISTORSGeneral Purpose Amplifier and Switching ApplicationsPIN CONFIGURATION41. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER
9.2. Size:86K power-innovations bd243.pdf
BD243, BD243A, BD243B, BD243CNPN SILICON POWER TRANSISTORSCopyright 1997, Power Innovations Limited, UK JUNE 1973 — REVISED MARCH 1997 Designed for Complementary Use with the BD244 SeriesTO-220 PACKAGE(TOP VIEW) 65 W at 25C Case Temperature 6 A Continuous Collector CurrentB 1C 2 10 A Peak Collector CurrentE 3 Customer-Specified Selections AvailablePin 2 is in el
9.3. Size:202K inchange semiconductor bd243 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BD243/A/B/C DESCRIPTION DC Current Gain -hFE =30(Min)@ IC= 0.3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BD243; 60V(Min)- BD243A 80V(Min)- BD243B; 100V(Min)- BD243C Complement to Type BD244/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and
Электрические параметры и предельные значения допустимых режимов работы транзистора ГТ308А.
|
Обозначение |
||
|
H21э |
Uкб=-1 В; Iэ=10 qокр=25 °С qокр=70 °С qокр= -60 °С |
20…75 20…200 ³ 15 |
|
H21э |
Uкб=-5 В; Iэ=5 f=20 МГц |
³ 4.5 |
|
Ikб0, МкА |
-60 °С £qокр £ 25 °С Uкб= -5 В; Uкб= -15 В; qокр=70 °С; Uкб= — 10 В; |
£ 2 £ 5 £ 90 |
|
Iэб0, МкА |
Uбэ= -2 В Uбэ= -3 В Uкб= -5 В; Iэ=5 f=20 МГц; |
£ 50 £1000 ³4.5 |
|
Кш,дБ |
Uкб= -5 В; Iэ=5 f=1.6 МГц; |
— |
|
Uкэ0.н, В |
Iк=50 мА; Iб= 3 мА |
— 1.5 |
|
Uбэ.н,В |
Iк=10 мА; Iб=1 |
— 0.5 |
|
Uкб0. Max,В |
qокр £ 45 °С |
-20 |
|
Ск,пФ |
Uкб= -5 В; f=5 МГц; |
£ 8 |
|
Сэ,пФ |
Uэб= -1 В; f=5 МГц; |
£ 25 |
|
tрас.мкc |
Iк=50 мА; Iб=4 tи= 5 мкс; f=1..10 МГц; |
£ 1 |
|
tк, пс |
Uкб= -5 В; Iэ=5 мА; f=5 |
400 |
*KURSOVOY PROEKT PO OKPRTU*
* SHPAK gr.940103*
R1 2 3 22K
R2 2 0 22K
R3 3 4 3K
R4 5 0 2K
R5 5 7 2K
R6 3 6 510
R7 8 10 1K
R8 9 0 270
R9 3 10 62K
R10 10 0 20K
R11 3 11 310
R12 12 0 170
R13 13 0 22K
.param k=1
.step param k list
0.8 2 5
C1 1 2 5.0UF
C2 6 0 10UF
C3 7 8 5.0UF
C4 8 9 {K*160PF}
C5 9 10 {K*160PF}
*C6 3 O 10UF
C7 11 13 10UF
Q1 4 2 5 KT315a
Q2 7 4 6 KT361a
Q3 11 10 12 KT315a
.model KT315a NPN
.model KT361a PNP
VS 3 0 DC 12V
VIN 1 0 AC 0.01
.AC DEC 50 1khz
500MEGHZ
.DC VS 0.5 20.5 5
.Tran 0.5us 4us
.Four 84KHZ v(13)
.PROBE
.PRINT AC V(13)
.END
BJT MODEL
PARAMETERS
KT315a KT361a
NPN PNP
IS
100.000000E-18 100.000000E-18
BF
100 100
NF 1
1
BR
1 1
NR
1 1
SMALL SIGNAL
BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C
NODE
VOLTAGE NODE
VOLTAGE
(1)
0.0000
(2)
5.9318
(3) 12.0000
(4)
10.1990
(5)
5.1700
(6)
10.9910
(7)
9.0879
(8)
1.9415
(9)
0.0000
(10)
1.9415
(11) 9.9800
(12)
1.1188
(13 )
0.0000
HARMONIC
FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO
(HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1
8.400E+04 9.788E-10 1.000E+00 -1.522E+02 0.000E+00
2
1.680E+05 5.114E-10 5.225E-01 1.452E+02 2.974E+02
3
2.520E+05 3.349E-11 3.422E-02 7.207E+01 2.243E+02
4
3.360E+05 2.251E-10 2.300E-01 -1.576E+02 -5.391E+00
5 4.200E+05
2.044E-10 2.088E-01 1.381E+02 2.903E+02
6
5.040E+05 3.083E-11 3.150E-02 5.564E+01 2.079E+02
7
5.880E+05 1.164E-10 1.190E-01 -1.604E+02 -8.126E+00
8
6.720E+05 1.236E-10 1.263E-01 1.320E+02 2.842E+02
9
7.560E+05 2.746E-11 2.805E-02 4.143E+01 1.937E+02
HARMONIC
FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO
(HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1
8.400E+04 9.539E-10 1.000E+00 -1.545E+02 0.000E+00
2
1.680E+05 5.184E-10 5.435E-01 1.395E+02 2.939E+02
3
2.520E+05 7.710E-11 8.082E-02 4.980E+01 2.043E+02
4
3.360E+05 1.862E-10 1.952E-01 -1.568E+02 -2.275E+00
5
4.200E+05 1.839E-10 1.928E-01 1.294E+02 2.839E+02
6
5.040E+05 5.561E-11 5.830E-02 2.306E+01 1.775E+02
7
5.880E+05 9.593E-11 1.006E-01 -1.493E+02 5.203E+00
8 6.720E+05
1.003E-10 1.052E-01 1.266E+02 2.811E+02
9
7.560E+05 4.096E-11 4.295E-02 5.142E+00 1.596E+02
HARMONIC
FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO
(HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1
8.400E+04 8.378E-10 1.000E+00 -1.573E+02 0.000E+00
2
1.680E+05 4.557E-10 5.439E-01 1.307E+02 2.880E+02
3
2.520E+05 1.170E-10 1.396E-01 1.536E+01 1.727E+02
4
3.360E+05 1.705E-10 2.035E-01 -1.402E+02 1.710E+01
5
4.200E+05 1.384E-10 1.652E-01 1.326E+02 2.899E+02
6
5.040E+05 6.087E-11 7.265E-02 -1.418E+01 1.431E+02
7
5.880E+05 1.138E-10 1.359E-01 -1.355E+02 2.186E+01
8
6.720E+05 8.210E-11 9.799E-02 1.407E+02 2.981E+02
9 7.560E+05 3.747E-11
4.472E-02 -3.237E+01 1.249E+02
1. ОПИСАНИЕ СХЕМЫ:
Принципиальная схема проектируемого устройства
предстваляет собой трехкаскадный усилитель выполненный на кремниевых
высокочастотных транзисторах малой мощности. 2 каскада на транзисторах типа
КТ315А, а один на транзисторе типа КТ361А, которые включены по каскадной схеме.
Маркировка
Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.
Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.
Graphical characteristics curves of BD243 transistor
DC current gain characteristics of the BD243 transistor
The figure shows the DC current gain characteristics of the BD243 transistor, and the graph plots with DC current gain vs collector current.
At fixed voltage, temperature, and switching values, the DC gain value increases from a higher value and becomes constant for some time then dips at the end.
maximum safe operating area characteristics of the BD243 transistor
The figure shows the maximum safe operating area characteristics of the BD243 transistor, the graph plots with collector current, collector-to-emitter voltage, and switching speed.
Основные технические характеристики
Кроме выходного напряжения, для стабилизатора важен ток, который он может обеспечить под нагрузкой.
| Тип микросхемы | Номинальный ток, А |
|---|---|
| К(Р)142ЕН1(2) | 0,15 |
| К142ЕН5А, 142ЕН5А | 3 |
| КР142ЕН5А | 2 |
| К142ЕН5Б, 142ЕН5Б | 3 |
| КР142ЕН5А | 2 |
| К142ЕН5В, 142ЕН5В, КР142ЕН5В | 2 |
| К142ЕН5Г, 142ЕН5Г, КР142ЕН5Г | 2 |
| К142ЕН8А, 142ЕН8А, КР142ЕН8А | 1,5 |
| К142ЕН8Б, 142ЕН8Б, КР142ЕН8Б | 1,5 |
| К142ЕН8В, 142ЕН8В, КР142ЕН8В | 1,5 |
| КР142ЕН8Г | 1 |
| КР142ЕН8Д | 1 |
| КР142ЕН8Е | 1 |
| КР142ЕН8Ж | 1,5 |
| КР142ЕН8И | 1 |
| К142ЕН9А, 142ЕН9А | 1,5 |
| К142ЕН9Б, 142ЕН9Б | 1,5 |
| К142ЕН9В, 142ЕН9В | 1,5 |
| КР142ЕН18 | 1,5 |
| КР142ЕН12 | 1,5 |
Этих данных достаточно для предварительного решения о возможности применения того или иного стабилизатора. Если нужны дополнительные характеристики, их можно найти в справочниках или в интернете.
Краткое описание транзистора BD243C
BD243C обладает хорошими рабочими характеристиками, такими как высокое значение hFE (коэффициента усиления тока) в диапазоне от 40 до 160 и низкое значение VCE (напряжения коллектор-эмиттер) в пределах 20 вольт. Он также обеспечивает низкую паразитную емкость для более точного усиления и переключения сигналов.
BD243C может использоваться в разнообразных приложениях, включая усилители звука, блоки питания, схемы стабилизации напряжения, контроллеры переключения и другие
Важно отметить, что для работы с транзистором BD243C требуется правильное подключение и установка радиатора для отвода тепла, чтобы обеспечить надежную и стабильную работу устройства
BD243C — надежный и функциональный транзистор, который является популярным выбором среди электронных инженеров и энтузиастов благодаря своим характеристикам и простоте в использовании.
Транзистор кт502, характеристики, маркировка, аналоги, цоколевка
Транзисторы КТ502 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.
№1 — Эмиттер
№2 — База
№3 — Коллектор
Маркировка КТ502
КТ503А — сбоку светложелтая точка, сверху темнокрасная точка
КТ503Б — сбоку светложелтая точка, сверху желтая точка
КТ503В — сбоку светложелтая точка, сверху темнозеленая точка
КТ503Г — сбоку светложелтая точка, сверху голубая точка
КТ503Д — сбоку светложелтая точка, сверху синяя точка
КТ503Е — сбоку светложелтая точка, сверху белая точка
Предельные параметры КТ502
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 150 мА
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мА
Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при ТП = 25° C:
- КТ502А — 25 В
- КТ502Б — 25 В
- КТ502В — 40 В
- КТ502Г — 40 В
- КТ502Д — 60 В
- КТ502Е — 80 В
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UКБ0 max) при ТП = 25° C:
- КТ502А — 40 В
- КТ502Б — 40 В
- КТ502В — 60 В
- КТ502Г — 60 В
- КТ502Д — 80 В
- КТ502Е — 90 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при ТП = 25° C:
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 В
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PК max) при Т = 25° C:
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мВт
Максимально допустимая температура перехода (Tп max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 125 ° C
Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е —
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
85 ° C
Электрические характеристики транзисторов КТ502 при ТП = 25oС
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при (UКЭ) 5 В, (IЭ) 10 мА:
- КТ502А — 40 — 120
- КТ502Б — 80 — 240
- КТ502В — 40 — 120
- КТ502Г — 80 — 240
- КТ502Д — 40 — 120
- КТ502Е — 40 — 120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 0,6 В
Обратный ток коллектоpа (IКБ0)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 1 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 МГц
if ( rtbW >= 960 ){ var rtbBlockID = «R-A-744188-3»; }
else { var rtbBlockID = «R-A-744188-5»; }
window.yaContextCb.push(()=>{Ya.Context.AdvManager.render({renderTo: «yandex_rtb_4»,blockId: rtbBlockID,pageNumber: 4,onError: (data) => { var g = document.createElement(«ins»);
g.className = «adsbygoogle»;
g.style.display = «inline»;
if (rtbW >= 960){
g.style.width = «580px»;
g.style.height = «400px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}else{
g.style.width = «300px»;
g.style.height = «600px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}
g.setAttribute(«data-ad-client», «ca-pub-1812626643144578»);
g.setAttribute(«data-alternate-ad-url», stroke2);
document.getElementById(«yandex_rtb_4»).appendChild(g);
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({}); }})});
window.addEventListener(«load», () => {
var ins = document.getElementById(«yandex_rtb_4»);
if (ins.clientHeight == «0») {
ins.innerHTML = stroke3;
}
}, true);
Емкость коллекторного перехода (CК)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 20 пФ
Емкость эмиттерного перехода (CЭ)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 15 пФ
Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 214 ° C/Вт
Опубликовано 16.03.2020
Графические данные
Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 2 В.
Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения UCE(sat) коллектор-эмиттер от коллекторной нагрузки ICпри двух разных соотношениях тока коллектора и тока базы IC/IB.
Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) и напряжения включения база-эмиттер UBE(ON) от коллекторной нагрузки IC.
Рис. 4. Ограничение рассеиваемой мощности PC транзистора при увеличении температуры корпуса TC.
Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.
Область безопасной работы ограничивается предельным током коллекторной нагрузки в импульсном режиме IC MAX (Pulsed) и режиме постоянного тока IC MAX (Continuous), предельным напряжением коллектор-эмиттер UCE MAX = 80 В и максимальной мощностью рассеивания. Кривые мощности рассеивания сняты для однократных неповторяющихся импульсов тока длительностью 100 мкс и 1 мс и постоянного тока (помечено на графике как «DC»).