Транзистор bc327: характеристики, аналоги, цоколевка,

BC547BP Datasheet (PDF)

8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

8.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

8.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

8.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Простейший усилитель на биполярном транзисторе

Рассмотрим детальнее принцип усиления сигнала в электрической плоскости на примере схемы.
Заранее оговорюсь, что такая схема не совсем правильная. Никто не подключает источник постоянного
напряжения напрямую к источнику переменного. Но в данном случае, так будет проще и нагляднее для
понимания самого механизма усиления с помощью биполярного транзистора. Так же, сама техника расчетов
в приведенном ниже примере носит несколько упрощенный характер.

1.Описание основных элементов цепи

Итак, допустим в нашем распоряжении транзистор с коэффициентом усиления 200 (β = 200).
Со стороны коллектора подключим относительно мощный источник питания в 20V,
за счет энергии которого будет происходить усиление. Со стороны базы транзистора
подсоединим слабый источник питания в 2V. К нему последовательно подсоединим источник переменного
напряжения в форме синуса, с амплитудой колебаний в 0.1V. Это будет сигнал, который нужно усилить.
Резистор Rb возле базы необходим для того, чтобы ограничить ток, идущий от источника сигнала,
обычно обладающего слабой мощностью.

2. Расчет входного тока базы I_b

Теперь посчитаем ток базы I_b. Поскольку мы имеем дело с переменным напряжением,
нужно посчитать два значения тока – при максимальном напряжении (V_max) и минимальном (V_min).
Назовем эти значения тока соответственно — I_bmax и I_bmin.

Также, для того чтобы посчитать ток базы, необходимо знать напряжение база-эмиттер V_BE. Между базой и эмиттером располагается
один PN-переход. Получается, что ток базы «встречает» на своем пути полупроводниковый диод. Напряжение,
при котором полупроводниковый диод начинает проводить — около 0.6V. Не будем вдаваться в подробности
вольт-амперных характеристик диода, и для простоты расчетов возьмем приближенную модель,
согласно которой напряжение на проводящем ток диоде всегда 0.6V. Значит, напряжение между
базой и эмиттером V_BE = 0.6V. А поскольку эмиттер подключен к земле (V_E = 0),
то напряжение от базы до земли тоже 0.6V (V_B = 0.6V).

Посчитаем I_bmax и I_bmin с помощью закона Ома:

2. Расчет выходного тока коллектора I_С

Теперь, зная коэффициент усиления (β = 200),
можно с легкостью посчитать максимальное и
минимальное значения тока коллектора ( I_cmax и I_cmin).

3. Расчет выходного напряжения V_out

Осталось посчитать напряжение на выходе нашего усилителя V_out.
В данной цепи — это напряжение на коллекторе V_C.

Через резистор Rc течет ток коллектора, который мы уже посчитали. Осталось подставить значения:

4. Анализ результатов

Как видно из результатов, V_Cmax получился меньше чем V_Cmin. Это произошло из-за того,
что напряжение на резисторе V_Rc отнимается от напряжения питания VCC. Однако в большинстве
случаев это не имеет значения, поскольку нас интересует переменная составляющая сигнала – амплитуда,
которая увеличилась c 0.1V до 1V. Частота и синусоидальная форма сигнала не изменились. Конечно же,
соотношение V_out/V_in в десять раз — далеко на самый лучший показатель для усилителя,
однако для иллюстрации процесса усиления вполне подойдет.

Итак, подытожим принцип работы усилителя на биполярном транзисторе.
Через базу течет ток I_b, несущий в себе постоянную и переменную составляющие.
Постоянная составляющая нужна для того чтобы PN-переход между базой и эмиттером начал проводить – «открылся».
Переменная составляющая – это, собственно, сам сигнал (полезная информация).
Сила тока коллектор-эмиттер внутри транзистора – это результат умножения тока базы на коэффициент усиления β.
В свою очередь, напряжение на резисторе Rc над коллектором – результат умножения усиленного тока коллектора на значение резистора.

Таким образом, на вывод Vout поступает сигнал с увеличенной амплитудой колебаний,
но с сохранившейся формой и частотой

Важно подчеркнуть, что энергию для усиления транзистор
берет у источника питания VCC. Если напряжения питания будет недостаточно,
транзистор не сможет полноценно работать, и выходной сигнал может получится с искажениями.

Таблица предельных значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозначение	Параметр	Величина	Ед.изм.
U_{кб max}	Напряжение коллектор-база	20…50	В
U_{кэ max}	Напряжение коллектоp-эмиттеp (R_бэ=10кОм)	20…50	В
U_{эб max}	Напряжение эмиттер-база	5	В
I_{к max}	Постоянный ток коллектора	200	мА
I_{к имп max}	Импульсный ток коллектора (tu 500)	250	мА
P_{к max}	Рассеиваемая мощность коллектора	250	мВт
T_j	Температура перехода	125	°C

Как собрать корпус SOT23 собственноручно

Приготовьте 3 куска монтажного провода подходящей длины, желательно, МГТФ. Из них получатся выводы корпуса.

Для защиты сделайте небольшую зачистку на пару миллиметров со стороны, которая припаивается к корпусу.

Замкните концы кусочков провода на участке, который впаивают в плату и зафиксируйте, чтобы уравнять потенциалы.

С помощью тонкого пинцета сделайте из пластика корпус, и зажмите его так:

Наденьте на паяльник так называемое игольчатое жало, оно, как правило, есть в паяльных станциях.

Установите на станции минимальную температуру, чтобы паять только припой. Ее можно определить только экспериментально.

Возьмите кусок провода в одну руку, паяльник — в другую. Можно паять стандартным припоем из свинца. Ни в коем случае нельзя перегревать контакты корпуса, а контакты паяльника — распаяйте и подпаяйте провода для выводов. Они должны быть уложены в виду пучка.

Припаивайте провода в определенном порядке, начиная с истока, и заканчивая затвором.

Не прикасайтесь к корпусу руками, трогать можно только паяльник и провода. При необходимости поправьте с помощью пинцета положение корпуса.

Готово! Вы не просто собрали корпус, а теперь он выводной. Его можно использовать, как все остальные транзисторы МОП.

Аналоги

Аналоги для любой серии КТ3102 нужно подбирать в зависимости от конкретного устройства, потому что они имеют разные буквенные индексы и отличаются по параметрам. Поэтому, возможную замену приведём в виде таблицы, в которой слева будет расположено наименование одного из транзисторов, а в правой его прототип.

Транзистор	Аналог
КТ3102	BC174, BC182
КТ3102А	2SC945, BC107AP, BC182A, BC237, BC547A, BC548A, BC550A, КТ6111А
КТ3102АМ	BC547A
КТ3102Б	BCY79, BC547C, 2N5210, 2SC945G, BC182B, BC107BP, BC546B, BC550B, BC237B, КТ6111Б, BC183B, BC183C, BC337, BC547B, 2SC1815, 2N2483
КТ3102БМ	BC547B
КТ3102В	2N3711, 2SC458, 2SC828, BC108, BC548, BC549, КТ373В
КТ3102ВМ	BC548B
КТ3102Г	2SC538, BC547C, BC548C,
КТ3102Д	2N2484, 2N4124, 2N5209, 2SC945, BC109, BC521, BC549A, BC549B, MPS6515

Технические характеристики

Теперь рассмотрим технические характеристики транзисторов серии КТ3102. Начнём с максимально допустимых, как критически важных. Они измерялись при стандартной температуре 25°С:

разность потенциалов К-Б:
КТ3102А, КТ3102Б – 50 В;
КТ3102В, КТ3102Д – 30 В
разность потенциалов К-Э:
КТ3102А, КТ3102Б – 50 В;
КТ3102В, КТ3102Д – 30 В
разность потенциалов Э-Б – 5 В;
ток через коллектор – 100 мА;
кратковременный ток через коллектор (время импульса не более 40 мкс) – 200 мА;
мощность – 250 мВт;
т-ра при которой транзистор может нормально функционировать от -40 до +85 °С.

После предельных ознакомимся также с электрическими параметрами. Они важны, так как от них зависят возможности КТ3102. Измерялись при той же стандартной температуре, а остальные условия тестирования приведены в отдельном столбце таблицы.

Электрические характеристики транзистора КТ3102 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы тестирования	Тр-р	min	typ	max	Ед. изм
Статический к-т усиления в схеме ОЭ	U_КБ = 5 В, I_Э = 2 мА, Т = +25°С	КТ3102А	100		250
КТ3102Б, В, Д	200		500
U_КБ = 5 В, I_Э = 2 мА, Т = -40°С	КТ3102А	25		250
КТ3102Б, В, Д	50		500
U_КБ = 5 В, I_Э = 2мА, Т = +85°С	КТ3102А	100
КТ3102Б, В, Д	200
Граничная частота	U_КБ = 5 В, I_Э = 10 мА	ВСЕ	300			МГц
К-т шума	U_КБ = 5 В, I_Э = 0,2 мА F = 1кГц, R_Г= 2кОм	КТ3102А, Б, В		5	10	дБ
КТ3102Д		2,5	4
Граничная разность потенциалов	I_Б = 0 В, I_Э = 10 мА	КТ3102А, Б	30			В
КТ3102В, Д	20
Обратный ток К-Э	U_КЭ = 50 В	КТ3102А, Б	0,1			мкА
U_КЭ = 30 В	КТ3102В, Д	0,05
Обратный ток через К	Т = +25°С	КТ3102А, Б	0,1			мкА
Т = -40°С	0,05
Т = +85°С	5
Т = +25°С	КТ3102В, Д	0,05
Т = -40°С	0,015
Т = +85°С	5
Обратный ток через Э	U_ЭБ = 5 В	ВСЕ			10	мкА
Ёмкость на коллекторе	U_КБ = 5 В	ВСЕ			6	пФ