В каких режимах функционирует полевой транзистор
Режим отсечки
Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.
Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:
Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?
Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.
Режим активной работы irfz44n
Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).
Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.
В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.
Режим насыщения irfz44n
Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.
Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.
Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.
Проверка КТ815
Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.
Во-первых, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром, так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.
Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.
Затем нужно проверить обратное падение напряжение. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.
3DD13007_B8 Datasheet (PDF)
1.1. 3dd13007 b8d.pdf Size:154K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 B8D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13007 B8D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管，该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 7 A 产品采用平面工艺， 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 80 W 终端结构和少
1.2. 3dd13007 h8d.pdf Size:155K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 H8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 H8D 是硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管，该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 9 A 产品采用平面工艺， 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 90 终端结构和
1.3. 3dd13007 b8.pdf Size:155K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 B8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 B8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和
1.4. 3dd13007 z7.pdf Size:151K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Z7 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13007 Z7 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 结构和少
1.5. 3dd13007 x1.pdf Size:153K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 X1 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 X1 是硅NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和
1.6. 3dd13007 y8.pdf Size:153K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Y8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 Y8 是硅NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管， VCEO 340 V 该产品 ● 高温特性好 IC 7 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和
1.7. 3dd13007 z8.pdf Size:154K _crhj
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Z8 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13007 Z8 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管， 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺， 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 75 W 结构和少
Полевые SMD транзисторы
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
А это пример n-p-n и p-n-n биполярных транзисторов (sot-23, sot-323) с типовым расположением выводов:
Усилитель на КТ315
Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.
На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).
Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.
Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.
Отечественное производство
Транзисторы, близкие по параметрам к серии 13003 (MJE13003).
| Тип | PC, Вт | UCB, В | UCE, В | UBE, В | IC, А | UCE(sat), В | Tj , °С | fT , МГц | hFE | ton / ts / tf, мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJE13003 | 40 | 700 | 400 | 9 | 2 | 0,6 | 150 | 4 | 5…40 | — / 3,5 / 1 | TO-126 |
| КТ8170А | 40 | 700 | 400 | 9 | 2,25 | 3 | 150 | 4 | 5…40 | 1,1 / 4 / 0,7 | TO-126 |
| КТ859А | 40 | 800 | 800 | 10 | 3 | 1,5 | 150 | ˃ 3,3 | ˃ 10 | 0,35 / 3,3 / 0,35 | TO-220AB |
| КТ841А/В | 50 | 600/800 | 350 | 5 | 10 | 1,5 | 150 | 10 | 12…45 | 0,08 / 0,8 / 0,2 | TO-3 |
| КТ8118А | 50 | 900 | 800 | — | 3 | ˂ 2,0 | 150 | ˃ 15 | 10…40 | — | TO-220 |
| КТ8120А | 60 | 600 | 450 | 5 | 8 | 1 | 150 | 20 | ˃ 10 | — / 2 / 0,2 | TO-220 |
| КТ840А/Б/В | 60 | 900/750/800 | 400/350/375 | 5 | 6 | 0,6 | 150 | 8…15 | 10…60 | 0,2 / 3,5 / 0,6 | TO-3 |
| КТ868А/Б | 70 | 900/750 | 400/375 | 5 | 6 | 1,5 | 150 | ˃ 8 | 10…100 | — | TO-3PML |
Зарубежное производство
Аналоги транзистора E13003 (MJE13003).
| Тип | PC, Вт | UCB, В | UCE, В | UBE, В | IC, А | UCE(sat), В | Tj , °С | fT , МГц | hFE | ton / ts / tf, мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJE13003 | 40 | 700 | 400 | 9 | 2 | 0,6 | 150 | 4 | 5…40 | — / 3,5 / 1 | TO-126 |
| 3DD1910 | 40 | 700 | 400 | 9 | 2,5 | 1 | 150 | 5 | 15…30 | 1 / 5 / 0,8 | TO-126A |
| 3DD13005A7 | 40 | 800 | 400 | 9 | 3 | 0,6 | 150 | 5 | 15…35 | 1 / 5 / 1 | TO-126F |
| WBR13005D1 | 40 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1 | 150 | 4 | 10…40 | — / 3,6 / 1,6 | TO-126 |
| BTN3A60T3 | 40 | 900 | 700 | 9 | 3 | 0,6 | 150 | 4 | 10…40 | — | TO-126 |
| HLD133D | 35 | 700 | 400 | 9 | 2 | 1 | 150 | — | 5…40 | — / 4 / 0,8 | TO-126 |
| ST13007DFP | 36 | 700 | 400 | 9 | 8 | 3 | 150 | 4 | 8…40 | — / 2,2 / 0,15 | TO-220FP |
| BUL310FP | 36 | 1000 | 500 | 9 | 5 | 1,1 | 150 | — | 10 | — / 1,8 / 0,5 | TO-220FP |
Аналоги транзисторов 13003BR (MJE13003BR) и 13003T (KSE13003T).
| Тип | PC, Вт | UCB, В | UCE, В | UBE, В | IC, А | UCE(sat), В | Tj , °С | fT , МГц | hFE | ton / ts / tf, мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJE13003BR | 30 | 600 | 400 | 9 | 2 | 0,85 | 150 | — | 5…40 | — / 3 / 0,8 | TO-126 |
| BLD123D | 30 | 600 | 400 | 9 | 2 | 0,9 | 150 | — | 5…40 | — / 4 / 0,8 | TO-126 |
| KSE13003T | 30 | 700 | 400 | 9 | 1,5 | 3 | 150 | 4 | 5…40 | 1,1 / 4 / 0,7 | TO-220 |
| FJPE3305 | 30 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1 | 150 | 4 | 8…40 | 0,8 / 4 / 0,9 | TO-220F |
| KSH13005AF | 30 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1 | 150 | 4 | 8…60 | 0,8 / 4 / 0,9 | TO-220F |
| MJE13005AF | 30 | 800 | 400 | 10 | 5 | 1 | 150 | 4 | 8…35 | 0,15 / 5 / 0,8 | TO-220IS |
| MJE13005F | 30 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1 | 150 | 4 | 10…35 | 0,8 / 4 / 0,9 | TO-220IS |
| STD13005F/FC | 30 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1 | 150 | 4 | 8…40 | 0,8 / 4 / 0,9 | TO-220F-3L |
| STL128DFP | 30 | 700 | 400 | — | 4 | 1,5 | 150 | — | 10…32 | — / 0,6 / 0,1 | TO-220FP |
| TS13005CI | 30 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1 | 150 | 4 | 8…40 | 0,7 / 3 / 0,5 | ITO-220 |
| TSC236CI | 30 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1,3 | 150 | — | 8…32 | 0,5 / 3 / 0,5 | ITO-220 |
| BUL128FP | 31 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1,5 | 150 | — | 10…45 | — / 2,9 / 0,4 | TO220FP |
Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.
Технические характеристики
Рассмотрим основные технические параметры транзистора 13002. Они приведены в datasheet в разделах максимальных значений и электрических характеристик. Превышение предельно допустимых величин приводит к выходу устройства из строя.
Максимальные значения параметров для транзистора 13002:
- напряжение К-Э: (VCEO (SUS)) до 300 В;
- напряжение Э-Б: (VEBO) до 9 В;
- ток коллектора: (IC) до 1.5 А; (ICM) до 3 А (пиковый);
- ток базы: (IВ) = 0.75 А; (IВМ) до 1.5 А (пиковый);
- рассеиваемая мощность (РD): до 1.4 Вт (без радиатора); до 40 Вт (с теплоотводом);
- диапазон рабочих температур (TJ,Tstg) от -65 до +150ОС.
Электрические параметры
Электрические характеристики представляют собой перечень номинальных значений параметров, при которых гарантируется стабильная работа полупроводникового устройства. Для транзистора 13002 представлены в таблице ниже. Обычно производитель указывает их с учётом температуры кристалла не более +25ОС. В столбце «режимы измерений» приведены условия тестирования.
Аналоги
Наиболее подходящей заменой для рассматриваемого полупроводникового триода можно назвать более мощный транзистор 13003. Он встречается с символами в начале маркировке: MJE, ST, PHE, KSE, указывающими на производителя. По расположению выводов полностью идентичен. Имеет лучшие технические параметры, но перед его использованием внимательно ознакомьтесь с datasheet.
Наиболее близкими российскими аналогами является: КТ8170Б1, КТ872.
Транзистор КТ815 (n-p-n типа).
КТ815 — кремниевый биполярный n-p-n транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126, либо в корпусе D-PAK для поверхностного монтажа (в наименовании суффикс 9, например, КТ815А9).
Назначение: КТ815 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.
Типы: КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г
Комплементарная пара: КТ814 (pnp транзистор с такими же характеристиками)
Аналог: BD135, BD137, BD139
Цоколевка КТ815: Э-К-Б , смотри рисунок
Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)
Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)
Биполярный транзистор 2SA733P — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA733P
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора:
2SA733P
Datasheet (PDF)
..1. Size:162K semtech 2sa733r 2sa733o 2sa733y 2sa733p 2sa733l.pdf
2SA733 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor 2SC945 is recommended. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Collector 3. Base
8.1. Size:123K fairchild semi 2sa733.pdf
September 20092SA733PNP General Purpose AmplifierFeatures This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68.TO-9211. Emitter 2. Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 VVCEO Collector-Emitter Volta
8.2. Size:69K nec 2sa733.pdf
8.3. Size:259K utc 2sa733.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA733 PNP SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY AMPLIFIER PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA733 is a low frequency amplifier. FEATURES * Collector-emitter voltage: BVCEO=-50V * Collector current up to -150mA * High hFE linearity * Complimentary to 2SC945 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment
8.4. Size:414K secos 2sa733.pdf
2SA733 -60 V, -150mA PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Complementary of the 2SC945 A Collector to base voltage: -60V L33MARKING Top View C B11 2Product Marking Code 2K E2SA733 CS DH JF GCLASSIFICATION OF hFE Product-Rank 2SA73
8.5. Size:1643K blue-rocket-elect 2sa733.pdf
2SA733 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features h FE High hFE and excellent hFE linearity. / Applications Driver stage of AF power amplifier. / Equivalent Circuit
8.6. Size:506K blue-rocket-elect 2sa733m.pdf
2SA733M(BR3CG733M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features h FEHigh hFE and excellent hFE linearity. / Applications Driver stage of AF power amplifier. / Equivalent Circ
8.7. Size:706K china 2sa733lt1.pdf
SEMICONDUCTOR 2SA733LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Collector Current : Ic=150mA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo -60 V Collector-Emitter Voltage Vceo -50 V Emitter-Base Voltage Vebo -5 V PIN: 1 2 3Collector Current Ic -150
8.8. Size:1105K kexin 2sa733.pdf
SMD Type Trans s o sSMD Type TransiisttorrsPNP Transistors2SA733SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesCollector-Base Voltage: VCBO=-60V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector to base voltage VCBO -60 VCollector to emitter voltage VCEO -50 V
8.9. Size:309K galaxy 2sa733.pdf
Product specification Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SA733 FEATURES Pb Excellent h Linearity. FELead-free Power dissipationP =250mW. D High h . FEAPPLICATIONS Designed for use in driver stage of amplifier. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code 2SA733 CS SOT-23 : none is for Lead Free package; G is f
8.10. Size:258K lzg 2sa733k-p-q-r.pdf
2SA733(3CG733) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Driver stage of AF power amplifier. :h /Features: High h and excellent h linearity. FEFE FE /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -150 mA
Другие транзисторы… BC56-10PA
, BC56-16PA
, BC56PA
, BC56PAS
, 2SA608S
, 2SA727
, 2SA733K
, 2SA733LT1
, 2N4401
, 2SA733Q
, 2SA733R
, 2SA830S
, 2SA933AS
, 2SA933ASQ
, 2SA933ASR
, 2SA933ASS
, 2SA950-O
.