Introduction to d882

Особенности

• Транзистор D882P обладает высокой надежностью и долговечностью, что позволяет использовать его в различных электронных устройствах.
• Этот транзистор имеет низкое входное сопротивление, что обеспечивает эффективное управление током.
• Одна из особенностей D882P заключается в его маленьком размере, что делает его удобным для использования в компактных системах и устройствах.
• Транзистор обладает высоким коэффициентом усиления, что позволяет использовать его в усилительных схемах.
• D882P обладает высокой коммутационной скоростью, что является важным параметром при работе с высокочастотными сигналами.
• Этот транзистор обладает низким уровнем шума, что позволяет использовать его в чувствительных электронных устройствах.
• Одним из преимуществ D882P является его низкое потребление энергии, что позволяет достичь экономии в электронных устройствах.
• Транзистор обладает высоким сопротивлением к коротким замыканиям и перегрузкам, что гарантирует безопасную работу устройств.

Важно отметить, что особенности и параметры транзистора D882P могут зависеть от конкретных модификаций и производителей

Технические характеристики

Характеристики D882, приведённые в технической документации, могут встречаться с небольшими отличиями, в зависимости от того, у какого производителя взята информация. Поэтому далее приводим значения от компании Shenzhen Electronics, так как транзистор этой фирмы часто можно встретить в отечественных магазинах. Предельно допустимые значения, измеренные при температуре окружающего воздуха +25ОС:

• напряжение коллектор-база предельно допустимое V_CBO (U_{кб max}) = 40 В;
• напряжение коллектор-эмиттер максимальное V_CEO (U_{кэ max}) = 30 В;
• напряжение эмиттер-база предельно возможное V_EBO (U_{эб max}) = 6 В;
• наибольший постоянный ток через коллектор I_C (I_{к max}) = 3 А;
• предельная мощность, рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_{к max}) = 1,25 Вт;
• Диапазон температур хранения T_stg = -55 … 150 оС;
• Максимальная температура кристалла T_J = 150 оС;

Далее производитель Shenzhen Electronics приводит электрические характеристики.

Транзисторы D882 могут иметь различные коэффициенты передачи тока и по этому свойству классифицируются следующим образом: меньше всего коэффициент у приборов с буквой R – от 60 до 120, с буквой – О чуть больше (100 — 200),  если в наименовании Y, то значение 160 — 320 и устройства с обозначением GR  имеют усиление от 200 до 400.

Приведём график зависимости Pt (рассеиваемая мощность) от T (окружающая температура). Для проведения тестирования использовался радиатор из алюминия толщиной 10 мм. По горизонтальной оси здесь отложена мощность, а по вертикальной температура.

Из графика видно, что когда температура становится выше +25ОС, мощность  уменьшается и при +150ОС становиться равной 0. Кроме этого из рисунка понятно, что чем больше площадь радиатора, тем большую мощность можно рассеять.

При тепловых расчётах может также понадобиться зависимость температурного сопротивления от длительности импульса. Измерение проводилось при таких условиях: напряжении коллектор-эмиттер 10 вольт, ток коллектора 1 ампер. При этом погрешность не более 0,001. Горизонтальная шкала, на которую нанесена длительность импульса, представлена в логарифмическом масштабе.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, усилительные, линейные. Разработаны для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах, преобразователях напряжения.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	Корпус
2SD882	1/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤0,5	TO126
2Т903А/Б	30	60	60	4	3	150	≥ 120	180	15…180	≤ 2,0	КТЮ-3-20
2Т/КТ908А	50	140	100	5	10	150	≥ 50	—	8…60	≤ 1,5	КТЮ-3-20
КТ908Б	50	140	60	5	10	150	≥ 30	—	≥ 20	≤ 1,0	КТЮ-3-20
КТ921А/Б	12,5	65	65	4	3,5	150	—	50	45	≤ 1,8	ТО-60
КТ925В/Г	25	36	36	3,5	3,3	150	450	60	80	—	КТ-17
КТ932А/Б/В	20	80/60/40	80/60/40	4,5	2	150	≥ 40	≤ 300	40…120	≤ 1,5	ТО-3
КТ961А/Б/В/Г	12,5	160/80/60/40	160/80/60/40	5	1,5	150	≥ 50	—	20…500	≤ 0,5	ТО126
КТ972А/Б/В/Г	8	60/45/60/60	60/45/60/60	5	2	150	≥ 200	—	≥ 750	≤ 1,5	ТО126

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCB	UEB	IC/ICM	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	Корпус	Маркировка на корпусе
2SD882	1/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	TO126	—
2SC4342	1,3/12	150	100	8	3/5	150	—	—	1000…20000	≤ 1,5	TO126	—
2SC5694	1,2/10	60	50	6	7/10	150	330	28	150…300	≤ 0,26	TO126ML	—
2SD1506	1,2/10	60	50	5	3/4,5	150	90	40	56…390	≤ 1,0	TO126	—
2SD1694	1,3/20	60	60	7	3/5	150	250	50	500…3200	≤ 0,4	TO126	—
2SD1899L	2/10	60	60	7	3/-	150	100	35	25…400	≤ 0,8	TO126	—
BTC1510T3	1/10	150	150	5	10/15	150	—	—	≥ 100	≤ 3,0	TO126	—
BTD2150AD3	1/10	50	50	5	3/7	150	90	45	100…820	≤ 0,5	TO126	—
CSD1506P/Q/R	1,2/10	60	50	5	3/4,5	150	90	40	56…390	≤ 1,0	TO126	—
KSD1693	— /15	80	60	8	3/-	150	—	—	4000	—	TO126	—
2N5154-220M	— /10	100	80	5	5/10	200	560	≤ 250	25…200	≤ 1,5	TO252
2N5154SM	-/10	100	80	6	2/10	200	≥ 70	≤ 250	35…200	≤ 1,5	TO252
2SCR573D	-/10	50	50	6	3/6	150	320	20	180…450	≤ 0,35	TO252	CR573
2SCR573DA08	-/10	50	50	6	3/6	150	320	20	180…450	≤ 0,35	TO252	CR573
NSS1C301E	-/12,5	140	100	6	3/-	150	120	30	120	—	TO252	1C31E
NSS1C300ET4G	-/12,5	140	100	6	3/6	150	100	60	50…360	≤ 0,4	TO252	1C30EG
STC503D	-/10	80	65	5	3/6	150	250	15	300…500	0,4	TO252	STC503
2SD1899-Z	1/10	90	60	7	3/-	150	120	30	50…400	≤ 0,25	TO251	—
SZD2150A3	-/10	100	60	—	6/-	150	210	—	120	—	TO251	—
BTD2150A3	0,75/-	80	50	6	3/7	150	90	13	150…820	≤ 0,25	TO92	D2150
2DC4672	0,9/-	60	50	6	3/6	150	180	17	45…270	≤ 0,35	SOT89	4672
2SCR533PFRA	0,5/-	50	50	6	3/6	150	320	13	180…450	≤ 0,35	SOT89	NM
2SD2098Q/R/S	0,5/-	50	20	6	5/10	150	150	30	120…390	≤ 1,0	SOT89	—
FJC1963	0,5/-	50	30	6	3/-	150	—	—	120…560	≤ 0,45	SOT89	BB
PBSS4330X	0,55/-	50	30	6	3/5	150	≥100	≤ 30	180…700	≤ 0,3	SOT89	٭1R
PBSS4350X	0,55/-	50	50	5	3/5	150	≥100	≤ 25	100…700	≤ 0,37	SOT89	S43
ST2SC4541U	0,5/-	80	50	6	3/-	150	100	20	40…400	≤ 0,5	SOT89	—
ST2SD1760U	1,0/-	60	45	5	3/4,5	150	90	40	82…390	≤ 1,0	SOT89	—
STC4350F	0,5/-	60	50	6	3/6	150	210	18	40…240	≤ 0,35	SOT89	HW8
STC503F	0,5/-	80	65	5	3/6	150	250	15	300…500	≤ 0,4	SOT89	C503
TSD2150A	0,6/-	80	50	6	3/6	150	90	45	150…400	≤ 0,25	SOT89	—
WTM1624	0,5	60	50	6	3/6	150	150	25	100…560	≤ 0,5	SOT89	—

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.

Защита от помех DC

Раздельное питание

Один из лучших способов защититься от помех по питанию – питать силовую и логическую части от отдельных источников питания: хороший малошумящий источник питания на микроконтроллер и модули/сенсоры, и отдельный на силовую часть. В автономных устройствах иногда ставят отдельный аккумулятор на питание логики, и отдельный мощный – на силовую часть, потому что стабильность и надёжность работы очень важна.

Искрогасящие цепи DC

При размыкании контактов в цепи питания индуктивной нагрузки происходит так называемый индуктивный выброс, который резко подбрасывает напряжение в цепи вплоть до того, что между контактами реле или выключателя может проскочить электрическая дуга (искра). В дуге нет ничего хорошего – она выжигает частички металла контактов, из за чего они изнашиваются и со временем приходят в негодность. Также такой скачок в цепи провоцирует электромагнитный выброс, который может навести в электронном устройстве сильные помехи и привести к сбоям или даже поломке! Самое опасное, что индуктивной нагрузкой может являться сам провод: вы наверняка видели, как искрит обычный выключатель света в комнате. Лампочка – не индуктивная нагрузка, но идущий к ней провод имеет индуктивность. Для защиты от выбросов ЭДС самоиндукции в цепи постоянного тока используют обыкновенный диод, установленный встречно-параллельно нагрузке и максимально близко к ней. Диод просто закоротит на себя выброс, и все дела:

Где VD – защитный диод, U1 – выключатель (транзистор, реле), а R и L схематично олицетворяют индуктивную нагрузку. Диод нужно ОБЯЗАТЕЛЬНО ставить при управлении индуктивной нагрузкой (электромотор, соленоид, клапан, электромагнит, катушка реле) при помощи транзистора, то есть вот так:

При управлении ШИМ сигналом рекомендуется ставить быстродействующие диоды (например серии 1N49xx) или диоды Шоттки (например серии 1N58xx), максимальный ток диода должен быть больше или равен максимальному току нагрузки.

Фильтры

Если силовая часть питается от одного источника с микроконтроллером, то помехи по питанию неизбежны. Простейший способ защитить МК от таких помех – конденсаторы по питанию как можно ближе к МК: электролит 6.3V 470 uF (мкФ) и керамический на 0.1-1 мкФ, они сгладят короткие просадки напряжения. Кстати, электролит с низким ESR справится с такой задачей максимально качественно.

Ещё лучше с фильтрацией помех справится LC фильтр, состоящий из индуктивности и конденсатора. Индуктивность нужно брать с номиналом в районе 100-300 мкГн и с током насыщения больше, чем ток нагрузки после фильтра. Конденсатор – электролит с ёмкостью 100-1000 uF в зависимости опять же от тока потребления нагрузки после фильтра. Подключается вот так, чем ближе к нагрузке – тем лучше:

Подробнее о расчёте фильтров можно почитать здесь.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE.

Характеристика снята при нескольких значениях тока базы (управления) I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при коллекторном напряжении U_CE = 2 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и база-эмиттер U_BE(sat) транзистора от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики получены для соотношения токов I_C/I_B = 10.

Рис. 4. Изменение граничной частоты усиления (частоты среза) f_T при изменении нагрузки I_C.

При снятии характеристики напряжение коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 5. Зависимость емкости коллекторного перехода транзистора C_ob от приложенного обратного напряжения коллектор-база U_CB.

Характеристика снята при частоте процесса f = 1 МГц и при отсутствии тока эмиттера I_E = 0.

Рис. 6. Снижение токовой нагрузки транзистора (в процентах) от максимальной при возрастании температуры среды T_a.

S/b LIMITED – снижение по условию предотвращения вторичного пробоя.

DISSIPATION LIMITED – снижение по условию общего перегрева п/п структуры.

Рис. 7. Снижение предельной мощности рассеивания P_C при нарастании температуры среды T_a.

Рис. 6. Область безопасной работы транзистора.

Характеристика получена в режиме подачи одиночного неповторяющегося импульса тока I_C MAX (PULSED) разных длительностей: 100 мкс, 1 мс, 10 мс; при постоянном токе I_C MAX (CONTINUOUS) и при его снижении (DC OPERATION).

Температура корпуса транзистора во всех режимах ограничивалась на уровне T_c = 25°C.

При увеличении температуры следует линейно снижать значения ограничивающих токов и напряжений (надпись на поле рисунка).

Технические характеристики

D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:

• напряжение между: К-Б — V_CBO (U_{кб max}) до 40 В; К-Е — V_CEO (U_{кэ max}) до 30 В;Э-Б — V_EBO (U_{эб max}) до 6 В;
• коллекторный ток: постоянный I_C (I_{к max}) = 3 А; переменный, при t_P < 5ms — I_CM (I_{ки max}) до 6 А;
• ток базы I_B (I_{Б max}) = 3 А до 1 А;
• мощность рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_{к max}) до 1.25 Вт;
• тепловое сопротивление перехода Rthj-case —  10 ° C/Вт;
• диапазон температур хранения и использования T_stg = -55 … 150 оС;
• температура кристалла T_J до 150 оС.

Электрические параметры

Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 оС.

Коэффициента усиления по току

В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.

Влияние радиатора

Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.

Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.

Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.

Производители

Транзисторы D882 изготавливаются следующими зарубежными фирмами:  SeCoS Halbleitertechnologie, Shenzhen Jingdao Electronic, SHIKE Electronics, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Daya Electric Group, Diode Semiconductor Korea,  SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor, STMicroelectronics, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Shenzhen Electronics, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, Stanson Technology, WILLAS ELECTRONIC CORP,  Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited, Nanjing International Group.

На Российском рынке чаще всего встречаются устройство произведённое компаниями Shenzhen Electronics, STMicroelectronics.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Статические внешние характеристики транзистора (в схеме с ОЭ): зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при разных токах базы I_B управления.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от коллекторной нагрузки I_C. Зависимость снята при величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 2 В.

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и напряжения насыщения база-эмиттер U_BE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 4. Изменение полосы пропускания транзистора f_T при изменении коллекторной нагрузки I_C. Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В и токе базы I_B = 8 мА.

Рис. 5. Зависимость выходной емкости (коллекторного перехода) C_C от напряжения коллектор-база U_CB. Характеристика снималась при частоте f = 1 МГц и токе эмиттера I_E = 0.

Рис. 6. Характеристика ограничения рассеиваемой транзистором мощности P_C при различных температурах корпуса транзистора T_C.

Рис. 6. Характеристика ограничения (в %) коллекторного тока I_C при изменении температуры корпуса T_C и при двух различных условиях:

• нижняя характеристика (Dissipation limited) при ограничении мощности рассеивания;
• верхняя характеристика (S/b limited) — ограничение предельного тока транзистора для предотвращения вторичного пробоя п/п структуры локально в местах повышенной плотности тока.

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора.

Предельный коллекторный ток в импульсном режиме I_{C(max) Pulse} и предельный постоянный ток I_{C(max) DC} ограничивают предельную токовую нагрузку транзистора, исключая прогорание структуры.

Предельное напряжение коллектор-эмиттер U_CE ограничивает нагрузку по напряжению, исключая электрический пробой структуры.

Предельная рассеиваемая мощность ограничивает тепловую нагрузку транзистора при параметрах, меньших предельного тока и напряжения. На графиках показаны ограничения по рассеиваемой мощности при импульсном режиме с длительностью импульсов 0,1 мс, 1 мс, 10 мс и в режиме постоянного тока (помечено DC).

Применение транзистора D882P

Транзистор D882P имеет широкий спектр применений и может быть использован в различных электронных устройствах.

Одним из основных применений транзистора D882P является его использование в усилителях мощности. Благодаря высокому коэффициенту усиления и низкому внутреннему сопротивлению, данный транзистор обеспечивает эффективное усиление сигнала.

Транзистор D882P также часто применяется в источниках питания. Благодаря своей способности переключаться быстро, данный транзистор обеспечивает стабильный и надежный вывод энергии.

Другим применением транзистора D882P является его использование в схемах управления. Благодаря своей высокой мощности и надежности, данный транзистор широко применяется в схемах, где требуется управление высокой нагрузкой.

Также стоит отметить, что транзистор D882P может использоваться для управления двигателями и актуаторами. Благодаря своей высокой надежности и высокому коэффициенту усиления, данный транзистор подходит для использования в различных механизмах и устройствах.

В целом, транзистор D882P является универсальным и надежным элементом, который может быть использован в множестве различных электронных устройствах. Благодаря своим характеристикам, данный транзистор обеспечивает эффективное усиление сигнала, стабильное питание и надежное управление высокой нагрузкой.

Модификации (версии) транзистора

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	Корпус	Группы по величине hFE. Маркировка.
2SD882	1/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	TO126/C, TO251/252, TO92/NL	Гр. R/Q/P/E
2SD882R/O/Y/GR	1,25/-	40	30	6	3/-	150	≥ 50	—	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/O/Y/GR
2SD882U-P	1,25/36	120	100	6	4/7	150	≥ 3	—	15…260	≤ 0,8	TO126	—
BTD882D3	1/10	50	50	5	3/7	150	90	45	100…820	≤ 0,5	TO126ML	Гр. R/S/T
BTD882ST3	1/10	60	30	6	3/7	150	270	16	150…390	≤ 0,5	TO126	—
BTD882T3	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	150…560	≤ 0,5	TO126	Гр. P/E
CSD882	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/Q/P/E
D882P	1,25/15	40	30	6	3/-	150	≥ 50	—	10…400	≤ 0,8	TO126D	—
FTD882	1,25/-	40	30	6	3/-	150	90	—	60…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/O/Y/GR
HSD882	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…500	≤ 0,5	TO126ML	Гр. Q/P/E
KSD882	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/O/Y/G
KTD882	1,5/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. O/Y/GR
ST2SD882HT	1/10	60	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/Q/P/E
ST2SD882T	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/Q/P/E
ST2SD882U-P	1,25/36	120	100	6	3/7	150	≥ 3	—	15…260	≤ 0,8	TO126	—
TSD882CK	1/10	60	30	6	3/7	150	270	16	150…390	≤ 0,5	TO126	—
2SD882I (BR3DA882L)	1/10	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO251	Гр. R/Q/P/E
BTD882I3	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	150…560	≤ 0,5	TO251	Гр. P/E
D882PC	1,1/10	40	30	6	3/-	150	≥ 50	—	10…400	≤ 0,8	TO251	—
2SD882D (BR3DA882D)	1/10	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO252	Гр. R/Q/P/E
BTD882J3	1/10	40	30	5	3/7	150	90	13	150…560	≤ 0,5	TO252	Гр. P/E
D882M	1,25/-	40	30	5	3/-	150	90	—	60…400	≤ 0,5	TO252-2L	Гр. R/O/Y/GR
FTD882D	-/10	40	30	6	3/-	150	90	—	60…400	≤ 0,5	TO252	Гр. R/O/Y/GR
GSTD882	1,25/10	40	30	5	3/7	150	90	—	30…400	≤ 0,5	TO252	Гр. R/O/Y/GR
STD882D	-/15	40	15	7	5/10	150	150	≤ 50	100…320	≤ 0,4	TO252	—
WTD882	1,25/10	40	30	5	3/7	150	90	—	30…400	≤ 0,5	TO252	Гр. R/O/Y/GR
2SD882B (B3DA882BR)	2/25	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO220	Гр. R/Q/P/E
2SD882L	1/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	TO92L	Гр.Q/P/E
BTD882SA3	0,75/-	60	50	5	3/7	150	90	13	150…560	≤ 0,5	TO92	Гр.P/E
HD882S	0,75/-	40	30	5	3/-	150	80	55	100…490	≤ 0,5	TO92	Гр.P/E
HSD882	0,75/-	40	30	6	3/7	150	90	45	300…500	≤ 0,5	TO92	Гр.Q/P/E
D882S	0,625/-	40	30	6	3/7	150	≥ 50	—	60…400	≤ 0,5	TO92	Гр. R/O/Y/GR
GSTS882	0,625/-	40	30	6	3/-	150	≥ 50	—	60…400	≤ 0,5	TO92	Гр. R/O/Y/GR
2SD882A	0,5/-	70	60	6	3/-	150	≥ 50	—	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/Q/P/E Марк. 882AR, 882AQ, 882AP, 882AE.
2SD882GP	1,5/-	40	30	5	3/3	150	100	55	30…500	≤ 0,5	SOT89	Гр. Q/P/E Марк. Q82, P82, E82.
2SD882S	0,5/-	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	SOT89, SOT223	Гр. Q/P/E
2SD882T (BR3DA882T)0,5	0,5	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/Q/P/E Марк. H82R, H82Q, H82P, H82E.
BD882R/O/Y/GR	0,5	40	30	6	3/-	150	≥ 50	—	60…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/O/Y/GR Марк. D882
BTD882AM3	0,6	80	50	5	3/7	150	90	45	100…820	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/S/T Марк. CF
D882H	0,5	70	70	6	3/-	150	≥ 50	—	60…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/O/Y/GR Марк. D882H
DXTD882	1,5/-	40	30	5	3/-	150	90	45	30…500	≤ 0,5	SOT89	Гр. Q/P/E
FTD882F	0,5	40	30	6	3/-	150	≥ 50	—	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/O/Y/GR
GSTM882	0,5	40	30	6	3/-	150	50	—	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/O/Y/GR Марк. D882
KXC1502	0,5	40	20	5	1,5/-	150	≥100	≤ 20	40…320	≤ 0,5	SOT89	Марк. D882
L2SD882Q/P	0,5	40	30	6	3/-	150	≥ 50	—	30…320	≤ 0,5	SOT89	Гр. Q/P/E Марк. 82Q, 82P
ST23D882U	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/Q/P/E
TSD882S	0,75/-	60	50	5	3/7	150	90	45	100…500	≤ 0,5	SOT89, TO92	—
ZX5T150	0,5/-	70	60	6	3/-	150	≥ 50	—	30…300	≤ 0,5	SOT89	Марк. D882
2SD882N (BR3DA882N)	1/10	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	SOT223	Гр. R/Q/P/E Марк. D882BN
2SD882ZGP	1,5/-	40	30	5	3/3	150	100	55	30…500	≤ 0,5	SOT223	Гр. Q/P/E Марк. Q82, P82, E82.
D882SS	0,35/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	SOT23	Гр. Q/P/E Марк. D82 L/G

Подробное описание

Основные параметры транзистора D882P:

• Максимальное коллекторное напряжение: 30V
• Максимальный коллекторный ток: 3A
• Максимальная мощность: 2W
• Коэффициент усиления по току (hfe): от 50 до 400
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Транзистор D882P имеет три вывода: эмиттер (E), коллектор (C) и базу (B). Также он обладает высокой скоростью переключения и низкими уровнями шума и искажений.

Этот транзистор является общеиспользуемым и может быть использован во многих электронных устройствах, таких как источники питания, усилители звука и света, контроллеры двигателей, преобразователи постоянного тока и переменного тока и др.

Особенности транзистора D882P включают:

1. Высокая надежность и долговечность
2. Хорошая стабильность параметров в широком температурном диапазоне
3. Низкий уровень утечки тока
4. Высокая ёмкость коллектор-база, обеспечивающая хорошую производительность в схемах с высокой частотой

В целом, транзистор D882P является надежным и широко используемым элементом в электронике. Его характеристики и особенности делают его идеальным компонентом для различных электрических схем и устройств.

Характеристики и особенности транзистора D882P

Основные характеристики транзистора D882P:

• Тип транзистора: NPN
• Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
• Максимальный постоянный коллекторный ток: 3 А
• Максимальная мощность, развиваемая на коллекторе: 1 Вт
• Коэффициент усиления по току (hfe): от 80 до 320
• Максимальная рабочая частота: 3 МГц

Транзистор D882P имеет пластмассовый корпус TO-126, который обеспечивает хорошую теплоотдачу. Он может использоваться в различных электронных схемах, включая усилители, источники питания и коммутационные устройства.

Особенности транзистора D882P:

• Высокий коэффициент усиления тока позволяет эффективно усиливать малые сигналы;
• Мощная конструкция позволяет транзистору работать в режиме коммутации с большими токами и мощностями;
• Низкое внутреннее сопротивление обеспечивает эффективную передачу сигнала от коллектора к эмиттеру;
• Надежный и долговечный, обладает высокой стабильностью работы и малыми температурными дрейфами;
• Доступен и широко используется в электронных компонентах и устройствах.

Транзистор D882P является надежным и универсальным элементом, отличающимся высоким уровнем характеристик и хорошими коммутационными возможностями. Он пользуется популярностью среди электронных разработчиков и радиолюбителей благодаря своей универсальности и доступной цене.

Краткое описание свойств транзистора d882p

Основные параметры и свойства транзистора d882p включают:

• Максимальное значение коллекторного тока (Ic) — до 3 ампер;
• Максимальное значение коллекторно-эмиттерного напряжения (Vce) — до 30 вольт;
• Максимальная мощность (P) — до 1 ватта;
• Температурный диапазон работы — от -55°C до +150°C;
• Усиление по току (hfe) — от 30 до 160;
• Длительность импульсного тока базы (Ib) — до 1 ампер.

Транзистор d882p обладает высоким коэффициентом усиления и низкими уровнями шума, что делает его популярным в электронике. Он также хорошо справляется с коммутацией сигналов и обладает высокой надежностью.

Важно отметить, что для правильной работы транзистора d882p рекомендуется соблюдать технические характеристики, указанные в его документации. Также, перед использованием транзистора d882p в электрической схеме, необходимо учитывать его электрическую совместимость с другими компонентами и проверить его соответствие требованиям проекта

Преимущества использования транзистора D882p

1. Высокая надежность: Транзистор D882p обладает высокой степенью надежности и долговечности, что позволяет ему работать без сбоев в течение продолжительного времени.
2. Высокая эффективность: Благодаря своей конструкции и особенностям работы, транзистор D882p обладает высокой эффективностью, что позволяет использовать его в энергоэффективных системах.
3. Широкий диапазон рабочего напряжения: Транзистор D882p может работать в широком диапазоне рабочего напряжения, что позволяет его использовать в различных электронных устройствах.
4. Низкий уровень шума: Транзистор D882p обладает низким уровнем шума, что позволяет использовать его в устройствах с высокой чувствительностью.
5. Легкость в использовании: Транзистор D882p имеет простую конструкцию и легко подключается к другим элементам схемы, что делает его простым в использовании.

Все эти преимущества делают транзистор D882p незаменимым элементом во многих электронных устройствах, от простых схем до сложных систем. Он обладает надежностью, эффективностью и универсальностью, что позволяет использовать его в самых разных приложениях.