Параметры транзистора 2sd438. интернет-справочник основных параметров транзисторов

Схема подключения

В кремниевой структуре транзистора есть 2 p-n перехода. Если отпирающее напряжение не подается, нет проходящего тока, транзистор закрыт. При подаче положительного отпирающего напряжения: на затвор «+»и исток «—», электрическое поле приводит к возникновению n-проводимого канала.

Если подать питание на нагрузку, в индуцированном канале начнется движение стокового тока ID.

От уровня напряжения, подаваемого на затвор, зависит число электронов, притягивающихся в область стока-истока, которая расширяется для движения тока. Это может происходить до того, как график линейной и отсечки переключатся между областями. Далее, в области насыщения увеличение показателя тока прекращается.

12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки

Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит

Рабочий режим (область насыщения) используется для схем усиления. В irfz44n datasheet процедура перехода в данный режим для различных значений V GS может быть показана с помощью графиков стандартных выходных параметров. Увидеть границы области насыщения для mosfet можно на почти горизонтально расположенной к оси напряжения стока-истока линии.

Модификации (версии) транзистора

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	Корпус	Группы по величине hFE. Маркировка.
2SD882	1/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	TO126/C, TO251/252, TO92/NL	Гр. R/Q/P/E
2SD882R/O/Y/GR	1,25/-	40	30	6	3/-	150	≥ 50	—	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/O/Y/GR
2SD882U-P	1,25/36	120	100	6	4/7	150	≥ 3	—	15…260	≤ 0,8	TO126	—
BTD882D3	1/10	50	50	5	3/7	150	90	45	100…820	≤ 0,5	TO126ML	Гр. R/S/T
BTD882ST3	1/10	60	30	6	3/7	150	270	16	150…390	≤ 0,5	TO126	—
BTD882T3	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	150…560	≤ 0,5	TO126	Гр. P/E
CSD882	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/Q/P/E
D882P	1,25/15	40	30	6	3/-	150	≥ 50	—	10…400	≤ 0,8	TO126D	—
FTD882	1,25/-	40	30	6	3/-	150	90	—	60…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/O/Y/GR
HSD882	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…500	≤ 0,5	TO126ML	Гр. Q/P/E
KSD882	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/O/Y/G
KTD882	1,5/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. O/Y/GR
ST2SD882HT	1/10	60	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/Q/P/E
ST2SD882T	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/Q/P/E
ST2SD882U-P	1,25/36	120	100	6	3/7	150	≥ 3	—	15…260	≤ 0,8	TO126	—
TSD882CK	1/10	60	30	6	3/7	150	270	16	150…390	≤ 0,5	TO126	—
2SD882I (BR3DA882L)	1/10	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO251	Гр. R/Q/P/E
BTD882I3	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	150…560	≤ 0,5	TO251	Гр. P/E
D882PC	1,1/10	40	30	6	3/-	150	≥ 50	—	10…400	≤ 0,8	TO251	—
2SD882D (BR3DA882D)	1/10	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO252	Гр. R/Q/P/E
BTD882J3	1/10	40	30	5	3/7	150	90	13	150…560	≤ 0,5	TO252	Гр. P/E
D882M	1,25/-	40	30	5	3/-	150	90	—	60…400	≤ 0,5	TO252-2L	Гр. R/O/Y/GR
FTD882D	-/10	40	30	6	3/-	150	90	—	60…400	≤ 0,5	TO252	Гр. R/O/Y/GR
GSTD882	1,25/10	40	30	5	3/7	150	90	—	30…400	≤ 0,5	TO252	Гр. R/O/Y/GR
STD882D	-/15	40	15	7	5/10	150	150	≤ 50	100…320	≤ 0,4	TO252	—
WTD882	1,25/10	40	30	5	3/7	150	90	—	30…400	≤ 0,5	TO252	Гр. R/O/Y/GR
2SD882B (B3DA882BR)	2/25	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO220	Гр. R/Q/P/E
2SD882L	1/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	TO92L	Гр.Q/P/E
BTD882SA3	0,75/-	60	50	5	3/7	150	90	13	150…560	≤ 0,5	TO92	Гр.P/E
HD882S	0,75/-	40	30	5	3/-	150	80	55	100…490	≤ 0,5	TO92	Гр.P/E
HSD882	0,75/-	40	30	6	3/7	150	90	45	300…500	≤ 0,5	TO92	Гр.Q/P/E
D882S	0,625/-	40	30	6	3/7	150	≥ 50	—	60…400	≤ 0,5	TO92	Гр. R/O/Y/GR
GSTS882	0,625/-	40	30	6	3/-	150	≥ 50	—	60…400	≤ 0,5	TO92	Гр. R/O/Y/GR
2SD882A	0,5/-	70	60	6	3/-	150	≥ 50	—	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/Q/P/E Марк. 882AR, 882AQ, 882AP, 882AE.
2SD882GP	1,5/-	40	30	5	3/3	150	100	55	30…500	≤ 0,5	SOT89	Гр. Q/P/E Марк. Q82, P82, E82.
2SD882S	0,5/-	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	SOT89, SOT223	Гр. Q/P/E
2SD882T (BR3DA882T)0,5	0,5	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/Q/P/E Марк. H82R, H82Q, H82P, H82E.
BD882R/O/Y/GR	0,5	40	30	6	3/-	150	≥ 50	—	60…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/O/Y/GR Марк. D882
BTD882AM3	0,6	80	50	5	3/7	150	90	45	100…820	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/S/T Марк. CF
D882H	0,5	70	70	6	3/-	150	≥ 50	—	60…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/O/Y/GR Марк. D882H
DXTD882	1,5/-	40	30	5	3/-	150	90	45	30…500	≤ 0,5	SOT89	Гр. Q/P/E
FTD882F	0,5	40	30	6	3/-	150	≥ 50	—	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/O/Y/GR
GSTM882	0,5	40	30	6	3/-	150	50	—	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/O/Y/GR Марк. D882
KXC1502	0,5	40	20	5	1,5/-	150	≥100	≤ 20	40…320	≤ 0,5	SOT89	Марк. D882
L2SD882Q/P	0,5	40	30	6	3/-	150	≥ 50	—	30…320	≤ 0,5	SOT89	Гр. Q/P/E Марк. 82Q, 82P
ST23D882U	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/Q/P/E
TSD882S	0,75/-	60	50	5	3/7	150	90	45	100…500	≤ 0,5	SOT89, TO92	—
ZX5T150	0,5/-	70	60	6	3/-	150	≥ 50	—	30…300	≤ 0,5	SOT89	Марк. D882
2SD882N (BR3DA882N)	1/10	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	SOT223	Гр. R/Q/P/E Марк. D882BN
2SD882ZGP	1,5/-	40	30	5	3/3	150	100	55	30…500	≤ 0,5	SOT223	Гр. Q/P/E Марк. Q82, P82, E82.
D882SS	0,35/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	SOT23	Гр. Q/P/E Марк. D82 L/G

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE.

Характеристика снята при нескольких значениях тока базы (управления) I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при коллекторном напряжении U_CE = 2 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и база-эмиттер U_BE(sat) транзистора от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики получены для соотношения токов I_C/I_B = 10.

Рис. 4. Изменение граничной частоты усиления (частоты среза) f_T при изменении нагрузки I_C.

При снятии характеристики напряжение коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 5. Зависимость емкости коллекторного перехода транзистора C_ob от приложенного обратного напряжения коллектор-база U_CB.

Характеристика снята при частоте процесса f = 1 МГц и при отсутствии тока эмиттера I_E = 0.

Рис. 6. Снижение токовой нагрузки транзистора (в процентах) от максимальной при возрастании температуры среды T_a.

S/b LIMITED – снижение по условию предотвращения вторичного пробоя.

DISSIPATION LIMITED – снижение по условию общего перегрева п/п структуры.

Рис. 7. Снижение предельной мощности рассеивания P_C при нарастании температуры среды T_a.

Рис. 6. Область безопасной работы транзистора.

Характеристика получена в режиме подачи одиночного неповторяющегося импульса тока I_C MAX (PULSED) разных длительностей: 100 мкс, 1 мс, 10 мс; при постоянном токе I_C MAX (CONTINUOUS) и при его снижении (DC OPERATION).

Температура корпуса транзистора во всех режимах ограничивалась на уровне T_c = 25°C.

При увеличении температуры следует линейно снижать значения ограничивающих токов и напряжений (надпись на поле рисунка).

Характеристики КТ815

Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815

Наименование	U КБ, В	U КЭ, В	I K , мА	Р К, Вт	h21 э	I КБ, мА	f, МГц	U КЭ, В.
КТ815А	40	30	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3
КТ815Б	50	45	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3
КТ815В	70	65	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3
КТ815Г	100	85	1500(3000)	1(10)	30-275	≤50	≥ 3

Обозначения из таблицы читаются следующим образом:

Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:

• Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
• Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.

Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.

Производители

DataSheet транзистора TIP122 можно посмотреть от следующих производителей: Motorola Inc, STMicroelectronics, KEC(Korea Electronics), Unisonic Technologies, Diotec Semiconductor, TRANSYS Electronics Limited, TAITRON Components Incorporated, Dc Components, SemiHow Co. Ltd, ON Semiconductor, Micro Commercial Components, Tiger Electronic Co. Ltd, Bourns Electronic Solutions, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Власть теряет все свое очарование, если ею не злоупотреблять. Поль Валери Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122. Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор TIP122 транзистором 2SD633; транзистором 2SD970; транзистором ECG261; транзистором TIP121; транзистором TIP120; транзистором RCA122; транзистором TIP622; транзистором TIP121; транзистором 2SC1883; транзистором 2SD1196; транзистором 2SD686; транзистором 2SD970; транзистором 2SD460; транзистором 2SD1414; дата записи: 2017-08-14 04:00:51 дата записи: 2017-10-09 13:23:17 дата записи: 2019-05-18 11:56:53 Добавить аналог транзистора TIP122. Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора TIP122? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника: Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

  Декоративная штукатурка для внутренней отделки под камень

Как проверить транзистор Дарлингтона

Самый простой способ проверки составного транзистора заключается в следующем:

• Эмиттер подсоединяется к «минусу» источника питания;
• Коллектор подсоединяется к одному из выводов лампочки, второй её вывод перенаправляется на «плюс» источника питания;
• Посредством резистора к базе передаётся плюсовое напряжение, лампочка светится;
• Посредством резистора к базе передаётся минусовое напряжение, лампочка не светится.

Если всё получилось так, как описано, то транзистор исправен.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на , буду рад если вы найдете на моем еще что-нибудь полезное.

просмотров

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC815

. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: NEC Сфера применения: Medium Power, High Voltage Популярность: 13955 Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Цоколевка широко распространенных транзисторов

Цоколевка широко распространенных транзисторов и цветовая и кодовая маркировка транзисторов.

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

В цветовой и кодовой маркировке транзисторов нет единых стандартов. Каждый завод, который производит транзисторы, принимает свои цветовые и кодовые обозначения. Вы можете встретить транзисторы одного типа и группы, которые изготовлены разными заводами и маркируются по-разному, или разные транзисторы, которые марки­руются одинаково. В этом случае их можно отличить только по некоторым до­полнительным признакам, таким как длина выводов коллектора и эмиттера или окраска торцевой (противоположной выводам) поверхности транзистора.

Табл. 8.13. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26.

Цветовая маркировка транзисторов осуществляется двумя точками. Тип транзи­стора обозначается на боковой поверхности, а маркировка группы на торцевой (рис. 8.2).

Кодовая маркировка наносится на боковую поверх­ность транзистора (рис. 8.2). Тип транзистора обозначается кодовым знаком (табл. 8.13), а группа — соответствующей буквой. Дата изготовления в соответствии с ГОСТ 26486-82 кодируется двумя буквами или буквой и цифрой (табл. 8.14). Первая буква обознача­ет год выпуска, а следующая за ней цифра или буква — месяц. Кодированное обозначение даты изготовления применяется не только для транзисторов, но и для других радиоэлементов. На рис. 8.3 приведены примеры кодовой и цветовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-26.

Транзисторы в корпусе КТ-27 могут маркироваться или буквенно — цифровым кодом (табл. 8.16 и рнс. 8.4) или ко­дом, состоящим из геометриче­ских фигур (рис. 8.4).

Транзисторы в корпусе КТ-27 дополнительно маркиру­ются окрашиванием торца кор­пуса, противоположного выводам: КТ814 — серо — бежевый;

КТ815 — серый нлн снренево — фиолетовый;

КТ816 — розово — красный;

КТ817 — серо — зелёный;

Транзисторы КТ814Б, КТ815Б, КТ816Б и КТ817Б иногда маркируются только окрашиванием торцевой поверхности без нанесения буквенно — цифрового кода.

Примеры маркировки транзисторов в корпусе КТ-13 приведены на рис. 8.6. Буква группы у транзисторов КТ315 наносится сбоку поверхности, а КТ361 — посередине.

Тип транзисторов КПЗОЗ и КП307 в корпусе КТ-1-12 маркируются соот­ветственно цифрами 3 и 7, группа — соответствующей буквой. Транзисторы КП327А маркируются одной белой точкой, а КП327Б — двумя (рис. 8.3).

Достоинства и недостатки составных транзисторов

Мощность и сложность транзистора Дарлингтона может регулироваться через увеличение количества включённых в него биполярных транзисторов. Существует также , который включает в себя биполярный и , используется в сфере высоковольтной электроники.

Главным достоинством составных транзисторов считается их способность давать большой коэффициент усиления по току. Дело в том, что, если коэффициент усиления у каждого из двух транзисторов будет по 60, то при их совместной работе в составном транзисторе общий коэффициент усиления будет равен произведению коэффициентов входящих в его состав транзисторов (в данном случае — 3600). Как результат — для открытия транзистора Дарлингтона потребуется довольно небольшой ток базы.

Недостатком составного транзистора считается их низкая скорость работы, что делает их пригодными для использования только в схемах работающих на низких частотах. Зачастую составные транзисторы фигурируют как компонент выходных каскадов мощных низкочастотных усилителей.

Наличие искажений в различных классах НЧ-усилителей

Рабочая область транзисторного усилителя класса «А» характеризуется достаточно небольшими нелинейными искажениями. Если входящий сигнал выбрасывает импульсы с более высоким напряжением, это приводит к тому, что транзисторы насыщаются. В выходном сигнале возле каждой гармоники начинают появляться более высокие (до 10 или 11). Из-за этого появляется металлический звук, характерный только для транзисторных усилителей.

При нестабильном питании выходной сигнал будет по амплитуде моделироваться возле частоты сети. Звук станет в левой части частотной характеристики более жестким. Но чем лучше стабилизация питания усилителя, тем сложнее становится конструкция всего устройства. УНЧ, работающие в классе «А», имеют относительно небольшой КПД – менее 20 %. Причина заключается в том, что транзистор постоянно открыт и ток через него протекает постоянно.

Примеры использования

Вариантов применения транзистора TIP122 и его схем включения достаточно много, их просто невозможно уместить в одну статью. Поэтому рассмотрим только некоторые схемы с его участием. Первая — усилитель звуковой частоты на 12 Вт, вторая — автоматический регулятор скорости вращения вентилятора.

Усилитель низкой частоты

Данный усилитель сделан на микросхеме операционном усилителе TL081 и двух выходных транзисторах TIP122 и TIP127. При нагрузке 8 Ом рассматриваемый усилитель способен обеспечить выходную мощность 12 Вт. Напряжение питания данного прибора должно находиться в пределах от 12 до 18 вольт.

Автоматический регулятор скорости вращения вентилятора

Рассматриваемый регулятор скорости вращения вентилятора можно использовать для предотвращения перегрева различной бытовой аппаратуры, например, компьютера. Его устанавливают в корпус охлаждаемого им устройства. Данная схема позволяет автоматически регулировать скорость вращения вентилятора, в зависимости от температуры воздуха.

Температурный датчик LM335 ориентирован на работу при -40 до +1000 градусов цельсия. Напряжение на нем будет увеличиваться на 10 мВ вместе с ростом вокруг окружающей температуры. Напряжение с него подается на неинвертирующий вход операционного усилителя LM741. Со стабилитрона 1N4733 на инвертирующий вход микросхемы, через потенциометр, подается опорное напряжение 5.1 В.

В данной схеме потенциометр предназначен для регулирования порога срабатывания вентилятора. Транзистор находится в выходном каскаде усилителя и предназначен для непосредственного управления вентилятором.

Преимущества полевых транзисторов

Первый плюс устройства — управление посредством электрополя, а не тока. Это делает схему проще и уменьшает мощность, которая затрачивается на управление.

Второй — в присутствии не только основных, но и второстепенных носителей электрического тока. Это дает прибору время рассасывания, и оно задерживает выключение устройства.

Третий — повышенная температурная устойчивость. Когда на транзистор подается напряжение, его температура возрастает, по закону Ома увеличивается и сопротивление. А значит, уменьшается и сила тока.

С биполярными транзисторами все сложнее, там при возрастании температуры увеличивается и число ампер. А значит, такие транзисторы не термоустойчивы. Есть вероятность опасного разогрева внутри них, который приводит к поломке. А термоустойчивость полевиков увеличивает нагрузочную способность при параллельной схеме соединения устройств.

D882 transistor package

The device package used at the D882 transistor in TO-126 is the general-purpose medium power device mainly used in common circuit applications.

The TO-126 package is a rectangular-shaped covering made with epoxy and plastic material for heat resistance, the back portion of the package is coated with metal, and also a hole in the middle for attaching a heat sink.

D882 transistor electrical specification description

In this section, we try to explain the electrical specifications of the D882 transistor, this explanation is really helpful for the replacement process.

Voltage specs

The terminal voltage specs of the D882 transistor are collector to base voltage is 60V, collector to emitter voltage is 30V, and emitter to base voltage is 5V, the voltage value shows, that this is a medium power transistor device.

The collector to emitter saturation voltage is 0.4V to 1.1V, it is the voltage value lesser than the base voltage.

The overall voltage specifications of the D882/ 2SD882 transistor show that they had applications in voltage regulator and power supply circuits.

Current specs

The base current value is 1A and the collector current value is 3A, both these current values of the D882 transistor shows that it is a medium load carrying component.

The pulsed collector current is 6A, it is the current value at the specific condition of the transistor.

Overall current specifications of the D882 transistor show that it is a perfect component for load switching and driver applications.

Dissipation specs

The power dissipation of the D882 transistor is 12.5W, the dissipation capability will mainly depend on the device package.

Current gain specs

The current gain value of the D882 transistor is 30 to 300hFE, the DC current gain values indicate the amplification capacity of the transistor.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, усилительные, линейные. Разработаны для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах, преобразователях напряжения.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	Корпус
2SD882	1/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤0,5	TO126
2Т903А/Б	30	60	60	4	3	150	≥ 120	180	15…180	≤ 2,0	КТЮ-3-20
2Т/КТ908А	50	140	100	5	10	150	≥ 50	—	8…60	≤ 1,5	КТЮ-3-20
КТ908Б	50	140	60	5	10	150	≥ 30	—	≥ 20	≤ 1,0	КТЮ-3-20
КТ921А/Б	12,5	65	65	4	3,5	150	—	50	45	≤ 1,8	ТО-60
КТ925В/Г	25	36	36	3,5	3,3	150	450	60	80	—	КТ-17
КТ932А/Б/В	20	80/60/40	80/60/40	4,5	2	150	≥ 40	≤ 300	40…120	≤ 1,5	ТО-3
КТ961А/Б/В/Г	12,5	160/80/60/40	160/80/60/40	5	1,5	150	≥ 50	—	20…500	≤ 0,5	ТО126
КТ972А/Б/В/Г	8	60/45/60/60	60/45/60/60	5	2	150	≥ 200	—	≥ 750	≤ 1,5	ТО126

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCB	UEB	IC/ICM	TJ	fT	Cob	hFE	UCE(sat)	Корпус	Маркировка на корпусе
2SD882	1/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	TO126	—
2SC4342	1,3/12	150	100	8	3/5	150	—	—	1000…20000	≤ 1,5	TO126	—
2SC5694	1,2/10	60	50	6	7/10	150	330	28	150…300	≤ 0,26	TO126ML	—
2SD1506	1,2/10	60	50	5	3/4,5	150	90	40	56…390	≤ 1,0	TO126	—
2SD1694	1,3/20	60	60	7	3/5	150	250	50	500…3200	≤ 0,4	TO126	—
2SD1899L	2/10	60	60	7	3/-	150	100	35	25…400	≤ 0,8	TO126	—
BTC1510T3	1/10	150	150	5	10/15	150	—	—	≥ 100	≤ 3,0	TO126	—
BTD2150AD3	1/10	50	50	5	3/7	150	90	45	100…820	≤ 0,5	TO126	—
CSD1506P/Q/R	1,2/10	60	50	5	3/4,5	150	90	40	56…390	≤ 1,0	TO126	—
KSD1693	— /15	80	60	8	3/-	150	—	—	4000	—	TO126	—
2N5154-220M	— /10	100	80	5	5/10	200	560	≤ 250	25…200	≤ 1,5	TO252
2N5154SM	-/10	100	80	6	2/10	200	≥ 70	≤ 250	35…200	≤ 1,5	TO252
2SCR573D	-/10	50	50	6	3/6	150	320	20	180…450	≤ 0,35	TO252	CR573
2SCR573DA08	-/10	50	50	6	3/6	150	320	20	180…450	≤ 0,35	TO252	CR573
NSS1C301E	-/12,5	140	100	6	3/-	150	120	30	120	—	TO252	1C31E
NSS1C300ET4G	-/12,5	140	100	6	3/6	150	100	60	50…360	≤ 0,4	TO252	1C30EG
STC503D	-/10	80	65	5	3/6	150	250	15	300…500	0,4	TO252	STC503
2SD1899-Z	1/10	90	60	7	3/-	150	120	30	50…400	≤ 0,25	TO251	—
SZD2150A3	-/10	100	60	—	6/-	150	210	—	120	—	TO251	—
BTD2150A3	0,75/-	80	50	6	3/7	150	90	13	150…820	≤ 0,25	TO92	D2150
2DC4672	0,9/-	60	50	6	3/6	150	180	17	45…270	≤ 0,35	SOT89	4672
2SCR533PFRA	0,5/-	50	50	6	3/6	150	320	13	180…450	≤ 0,35	SOT89	NM
2SD2098Q/R/S	0,5/-	50	20	6	5/10	150	150	30	120…390	≤ 1,0	SOT89	—
FJC1963	0,5/-	50	30	6	3/-	150	—	—	120…560	≤ 0,45	SOT89	BB
PBSS4330X	0,55/-	50	30	6	3/5	150	≥100	≤ 30	180…700	≤ 0,3	SOT89	٭1R
PBSS4350X	0,55/-	50	50	5	3/5	150	≥100	≤ 25	100…700	≤ 0,37	SOT89	S43
ST2SC4541U	0,5/-	80	50	6	3/-	150	100	20	40…400	≤ 0,5	SOT89	—
ST2SD1760U	1,0/-	60	45	5	3/4,5	150	90	40	82…390	≤ 1,0	SOT89	—
STC4350F	0,5/-	60	50	6	3/6	150	210	18	40…240	≤ 0,35	SOT89	HW8
STC503F	0,5/-	80	65	5	3/6	150	250	15	300…500	≤ 0,4	SOT89	C503
TSD2150A	0,6/-	80	50	6	3/6	150	90	45	150…400	≤ 0,25	SOT89	—
WTM1624	0,5	60	50	6	3/6	150	150	25	100…560	≤ 0,5	SOT89	—

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы