D2395 pdf ( даташит ) - npn transistor

KTC3875 Datasheet (PDF)

..1. ktc3875.pdf Size:590K _secos

KTC3875 0.15A , 60V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES High hFE AL Low noise 33 Complementary to KTA1504 Top ViewC B11 2CLASSIFICATION OF hFE 2K EProduct-Rank KTC3875-O KTC3875-Y KTC3875-GR KTC3875-BL DRange 70~140 120~240 200~400 350~

..2. ktc3875.pdf Size:781K _htsemi

KTC3875TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURES High hFE Low noise 1. BASE Complementary to KTA1504 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 150 mA PC Collector Power Dissip

..3. ktc3875.pdf Size:188K _lge

KTC3875 SOT-23 Transistor(NPN)SOT-231. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR FeaturesHigh hFE: hFE=70-700 Low noise : NF=1dB(Typ),10dB(Max) Complementary to KTA1504 Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVEBO Emitter-Base V

..4. ktc3875.pdf Size:476K _wietron

KTC3875COLLECTORPlastic-Encapsulate Transistors3NPN Silicon 1BASE2SOT-23EMITTER(Ta=25 C)MAXIMUM RATINGSRating Symbol ValueUnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VdcCollector-Base Voltage VCBO60 VdcEmitter-Base Voltage VEBO5.0 VdcCollector Current -Continuous ICmAdc150THERMAL CHARACTERISTICSCharacteristics Symbol ValueUnit(1)Total Device Dissi

..5. ktc3875.pdf Size:235K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 KTC3875 TRANSISTOR (NPN) FEATURES High hFE 1. BASE 2. EMITTER Low noise 3. COLLECTOR Complementary to KTA1504 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVEB

..6. ktc3875.pdf Size:996K _kexin

SMD Type TransistorsNPN TransistorsKTC3875SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features High hFE Low noise1 2+0.1+0.05 Complementary to KTA1504 0.95 -0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO 60 Collector — Emitter Voltage V

0.1. ktc3875-gr-y.pdf Size:785K _mcc

MCCMicro Commercial Components TMKTC3875-Y20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311KTC3875-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features High hFE and Low NoiseEpitaxial Planar Complementary to KTA1504 Lead Free Finish/Rohs Compliant («P»Suffix designates NPN Transistors RoHS Compliant. See ordering information) Ha

0.2. ktc3875s.pdf Size:94K _kec

SEMICONDUCTOR KTC3875STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EL B LFEATURESDIM MILLIMETERSExcellent hFE Linearity_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.).C 1.30 MAX2High hFE : hFE=70 700. 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20Low Noise : NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.).1G 1.90H 0.95

0.3. ktc3875lt1.pdf Size:265K _china

SEMICONDUCTOR KTC3875LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR General purpose application Package:SOT-23 * Complement to KTA1504LT1 * Collector Current :Ic=150mA * low noise:NF=10db(max) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo 60 V Collector-Emitter Voltage

Другие транзисторы… KTC3228
, KTC3229
, KTC3230
, KTC3231
, KTC3265
, KTC3295
, KTC3400
, KTC3467
, , KTC3876
, KTC3878
, KTC3879
, KTC3880
, KTC3881
, KTC3882
, KTC3883
, KTC3911
.

Технические характеристики

Серию КТ825 относят к полупроводниковым триодам с p-n-p-проводимостью. Но на самом деле они представляют собой устройства состоящее из двух таких структур, собранных в едином корпусе по схеме Дарлингтона. В СССР их ещё называли — составными.

Максимальные эксплуатационные значения

КТ825Г является лучшим по параметрам транзистором в своей серии, если не рассматривать его аналог 2Т825. Он имеет наибольшие значения предельно допустимых режимов эксплуатации среди «собратьев». Рассмотрим их поподробнее:

максимальное постоянное напряжение: К-Э — до 90 В; Б-Э – до 5 В;
коллекторный ток: постоянный от 20 А; импульсный до 40 А;
рассеиваемая мощность на коллекторе: до 125 Вт (с радиатором); до 3 Вт (без теплоотвода); у кристалла не более 40 Вт;
температура: p-n-перехода до +150°С; окружающей среды от -40 до +100 °C.

Электрические характеристики

Электрические параметры КТ825Г тоже неплохие, по сравнению с другими серии. Согласно данным из даташит, он имеет лучшие показатели статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (H_21э) от 600 до 25000 и пробивное напряжение К-Э до 90В. Такие величины H_21э обусловлены его составной структурой. Эти и другие характеристики устройства представлены в таблице ниже, исходя из условий его работы указанных в отдельном столбце.

Комплементарная пара

В качестве комплементарной пары во многих технических решениях используется составной КТ827А, имеющий NPN-проводимость.

Советуем Вам проверить информацию о содержании драгоценных металлов в КТ825Г, так как некоторые модели могут иметь ценность даже в нерабочем состоянии, особенно продукция старого образца.

BD241-S Транзисторы — биполярные — одиночные, TRANS NPN 45V 3A, Bourns Inc.

Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на BD241-S. Транзисторы — биполярные — одиночные производства Bourns Inc. доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — биполярные — одиночные BD241-S купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.

Производители

Daya Electric Group; DCCOM (Dc Components); Futurlec; HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor); KEXIN (Guangdong Kexin Industrial); Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.); Micro Electronics; NEC; Rectron Semiconductor; SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH); Stanson Technology; TGS (Tiger Electronic); UTC (Unisonic Technologies); Weitron Technology; Willas Electronic Corp; Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).

Аналоги транзистор C945

Type	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Cc	Hfe	Caps
2DC2412R	Si	NPN	0.3	50	0.15	180	180	SOT23
2SC1623RLT1	Si	NPN	0.3	60	50	7	0.15	150	180	3	180	SOT23
2SC1623SLT1	Si	NPN	0.3	60	50	7	0.15	150	180	3	270	SOT23
2SC2412-R	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
2SC2412-S	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
2SC2412KRLT1	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
2SC2412KSLT1	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
2SC945LT1	Si	NPN	0.23	60	50	5	0.15	150	150	2.2	200	SOT23
2SD1501	Si	NPN	1	70	1	150	250	SOT23
2STR1160	Si	NPN	0.5	60	60	5	1	150	250	SOT23
50C02CH-TL-E	Si	NPN	0.7	60	50	5	0.5	150	500	2.8	300	SOT23
BRY61	Si	PNPN	0.25	70	70	70	0.175	150	1000	SOT23
BSP52T1	Si	NPN	1.5	100	80	5	0.5	150	150	5000	SOT23
BSP52T3	Si	NPN	1.5	100	80	5	0.5	150	150	5000	SOT23
C945	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	130	SOT23
DNLS160	Si	NPN	0.3	60	1	150	200	SOT23
DTD123	Si	Pre-Biased-NPN	0.2	50	0.5	150	200	250	SOT23
ECG2408	Si	NPN	0.2	60	65	0.3	150	300	300	SOT23
FMMT493A	Si	NPN	0.5	60	1	150	500	SOT23
FMMTL619	Si	NPN	0.5	50	1.25	180	300	SOT23
L2SC1623RLT1G	Si	NPN	0.225	60	50	7	0.15	150	250	3	180	SOT23
L2SC1623SLT1G	Si	NPN	0.225	60	50	7	0.15	150	250	3	270	SOT23
L2SC2412KRLT1G	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
L2SC2412KSLT1G	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
MMBT945-H	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	200	SOT23
MMBT945-L	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	130	SOT23
NSS60201LT1G	Si	NPN	0.54	60	4	150	SOT23
ZXTN19100CFF	Si	NPN	1.5	100	4.5	150	200	SOT23F
ZXTN25050DFH	Si	NPN	1.25	50	4	200	240	SOT23
ZXTN25100DFH	Si	NPN	1.25	100	2.5	175	300	SOT23

Достоинства и недостатки

Основной плюс всех ролевиков — высокий уровень входного сопротивления. Сопротивлением выхода называется соотношение силы тока с напряжением затвора-истока.

Суть работы прибора состоит в том, что им управляет электрическое поле, образующееся, когда прикладывается напряжение. Иными словами, полевиками управляет напряжение.

Полевики почти не тратят электричество, что уменьшает потери управления, изменение сигналов, перегруженность по току, исходящему от сигнального источника.

Средние показатели частоты полевиков намного превосходят биполярники. Это вызвано тем, что рассасывание заряда происходит быстрее. Ряд современных биполярников по основным характеристикам не уступают полевикам, за счет использования современных усовершенствованных технологий и сужения базы.

Транзисторы почти бесшумны. Дело в том, что в них практически нет инжекции заряда.

Устройство стабильно работает при температурных перепадах. Оно потребляет невысокую мощность состоянии проводника, что увеличивает КПД.

Основной минус — в том, что у таких транзисторов есть своего рода боязнь статики. То есть, если наэлектризовать руки и притронуться к прибору, он перестанет работать. Это называется результатом управления ключом посредством поля.

Поэтому для работы с транзисторами необходимы перчатки из диэлектрических материалов. Мало того, они должны заземляться с помощью специального браслета, с помощью паяльника с низким напряжением, у которого изолировано жало.

Транзисторные выводы нужно обмотать проволокой. Это приведёт к временному короткому замыканию при монтаже. Для современных приборов это почти безопасно, так как в них входят элементы для защиты, например, стабилитроны. Их задача — сработать при возрастании напряжения.

Бывают случаи, когда радиоэлектроники излишне опасаются, поэтому надевают на голову шапки, изготовленные из фольги. Инструкцию, конечно, нужно соблюдать, но это не говорит о том, что при минимальном отклонении от нее сразу сломается прибор.

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы