What is 2sd2061?

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

H2N7002 Datasheet (PDF)

0.1. h2n7002k.pdf Size:136K _hsmc

Spec. No. : MOS200803 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.03.13 Revised Date :2010,03,04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N7002K N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage ……………………………………………………………………………………………

0.2. h2n7002ksn.pdf Size:156K _hsmc

Spec. No. : MOS200809 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.18 Revised Date :2010.04.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2N7002KSN Pin Assignment & Symbol 33-Lead Plastic SOT-323 H2N7002KSN Package Code: SN Pin 1: Gate 2: Source 3: DrainN-CHANNEL TRANSISTOR 21Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drai

 0.3. h2n7002sn.pdf Size:114K _hsmc

Spec. No. : MOS200605HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N7002SN Pin Assignment & SymbolH2N7002SN33-Lead Plastic SOT-323Package Code: SNN-Channel MOSFET (60V, 0.2A)Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain21DDescriptionGN-channel enhancement-mode MOS transistor.SAbsolute Maximum RatingsDrain-Source Vol

0.4. h2n7002.pdf Size:129K _hsmc

Spec. No. : MOS200503 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.04.01 Revised Date : 2009.10.09 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N7002 N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage ………………………………………………………………………………………………….

2N7002P Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002pt.pdf Size:306K _philips

2N7002PT60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 2 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET

0.2. 2n7002p.pdf Size:311K _philips

2N7002P60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFETRev. 02 29 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits AEC-Q101 qualified Trench MOSFET technology Logic-level compat

 0.3. 2n7002pw.pdf Size:148K _philips

2N7002PW60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFETRev. 02 29 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits AEC-Q101 qualified Trench MOSFET technology Logic-level co

0.4. 2n7002ps.pdf Size:354K _philips

2N7002PS60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSF

2N7002-7 Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002-7-f 2n7002-7.pdf Size:127K _diodes

2N7002 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = 25C Low Input Capacitance 60V 7.5 @ VGS = 5V 210mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Dev

7.1. 2n7002-03.pdf Size:276K _philips

2N7002N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 03 27 July 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:2N7002 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package.3.

7.2. 2n7002-3.pdf Size:936K _kexin

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET2N7002SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.1Features3High density cell design for low RDS(ON)Voltage controlled small signal switchRugged and reliable1 2High saturation current capability+0.02+0.10.15 -0.020.95-0.1+0.11.9-0.21.Base1 GATE2.Emitter2 SOURCE3.collector3 DRAINAbsolute Maximum Ratings

 7.3. 2n7002-g.pdf Size:106K _comchip

MOSFET2N7002-G (N-Channel)RoHS DeviceFeaturesSOT-23 Power dissipation : 0.35W0.119(3.00)0.110(2.80)DEquivalent Circuit0.056(1.40)0.047(1.20)DG S0.083(2.10)G : Gate 0.066(1.70)0.006(0.15)S : Source 0.002(0.05)GD : Drain0.044(1.10)0.103(2.60)0.035(0.90)0.086(2.20)S0.006(0.15)max0.020(0.50)Maximum Ratings (at TA=25C)0.013(0.35)Symbol 0.00

Транзисторы Дарлингтона медленные!

Для схемы Дарлингтона характерно определенное явление, которое очень затрудняет работу на высоких частотах. Его переключение, а особенно выключение, занимает много времени (для электроники).

Давайте еще раз посмотрим на принципиальную схему. При включении питания потенциал базы T1 повышается (например, микроконтроллером), тем самым вводя в нее ток. Этот транзистор очень быстро переходит из состояния засорения в активный, в котором он усиливает этот ток и подает его на базу T2, которая также очень эффективно включается. Все происходит довольно быстро.

Предположим, что этот транзистор используется для включения мощного приемника, например двигателя, который требует его сильного насыщения.

Примерная схема подключения двух биполярных транзисторов в схему Дарлингтона

Теперь выключаем транзистор Дарлингтона. Потенциал базы T1 подтягивается резистором к земле. Носители заряда, накопившиеся в этой базе, должны оттекать от нее через этот резистор. Поскольку T1 был «по-настоящему» насыщен, таких носителей там было довольно много.

В течение этого времени, T2 все еще был проводящим, хотя он больше не должен таковым быть. Предположим, что носители вышли из базы T1, вопрос: куда должны уйти носители с базы T2? Единственный выход — это база, но к ней подключен только забитый транзистор… Нам остается только ждать, пока эти носители самопроизвольно «рассеются» и транзистор окончательно перестанет проводить.

Это явление демонстрируют следующие иллюстрации (текущие значения, конечно, не отражают реальные — они служат только для иллюстрации шкалы и самого факта прохождения тока; RL и значок двигателя символизируют какой-то элемент, который питается от транзистора, например двигатель).

Оба транзистора непроводящие	Течение тока через базу, активирует оба транзистора

В выключенном состоянии ситуация следующая:

Заряд, накопленный после отключения тока	Захваченный заряд медленно рассеивается

Таким образом, на отключение транзистора Дарлингтона влияют два события:

• снятие с насыщения и засорения Т1,
• ожидание, пока транзистор Т2 перестанет проводить.

Первую проблему можно как-то решить, используя, например, соответствующие схемы для ускорения переключения транзисторов. Однако с последним есть проблема, потому что по носителям должен быть обеспечен поток от базы к эмиттеру.

Электроника придумала способ частично решить эту проблему. Этот метод предполагает добавление резистора между базой и эмиттером Т2. Благодаря этому, носители заряда находят выход из базы. Одним из недостатков является снижение коэффициента усиления по току, поскольку этот резистор «крадет» ток у эмиттера T1.

Такие модифицированные транзисторы Дарлингтона коммерчески доступны как одиночные, так и в виде интегральных схем с большим количеством компонентов внутри. Хорошим примером является популярная микросхема ULN2003, в состав которой входит аж 7 таких систем.

Популярная микросхема ULN2003

В состав этой микросхемы также входят резисторы, ограничивающие базовый ток T1 (2,7 кОм) и ускоряющие выключение T1. Использование таких интегральных блоков удобно тем, что экономит место на плате, вход этой схемы подключается напрямую к выходу микроконтроллера.

Внутренняя схема ULN2003

Виды транзисторов

По принципу действия и строению различают полупроводниковые триоды:

• полевые;
• биполярные;
• комбинированные.

Эти транзисторы выполняют одинаковые функции, однако существуют различия в принципе их работы.

Полевые

Данный вид триодов ещё называют униполярным, из-за электрических свойств – у них протекает ток только одной полярности. По строению и типу управления эти устройства подразделяются на 3 вида:

1. Транзисторы с управляющим p-n переходом (рис. 6).
2. С изолированным затвором (бывают со встроенным либо с индуцированным каналом).
3. МДП, со структурой: металл-диэлектрик-проводник.

Отличительная черта изолированного затвора – наличие диэлектрика между ним и каналом.

Детали очень чувствительны к статическому электричеству.

Схемы полевых триодов показано на рисунке 5.

Рис. 5. Полевые транзисторыРис. 6. Фото реального полевого триода

Обратите внимание на название электродов: сток, исток и затвор. Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора

Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п.

Биполярные

Об этом виде транзисторов много сказано в подразделе «Базовый принцип работы». Отметим лишь, что название «Биполярный» устройство получило из-за способности пропускать заряды противоположных знаков через один канал. Их особенностью является низкое выходное сопротивление.

Транзисторы усиливают сигналы, работают как коммутационные устройства. В цепь коллектора можно включать достаточно мощную нагрузку. Благодаря большому току коллектора можно понизить сопротивление нагрузки.

Более детально о строении и принципе работы рассмотрим ниже.

Комбинированные

С целью достижения определённых электрических параметров от применения одного дискретного элемента разработчики транзисторов изобретают комбинированные конструкции. Среди них можно выделить:

• биполярные транзисторы с внедрёнными и их схему резисторами;
• комбинации из двух триодов (одинаковых или разных структур) в одном корпусе;
• лямбда-диоды – сочетание двух полевых триодов, образующих участок с отрицательным сопротивлением;
• конструкции, в которых полевой триод с изолированным затвором управляет биполярным триодом (применяются для управления электромоторами).

Комбинированные транзисторы – это, по сути, элементарная микросхема в одном корпусе.

Это интересно: Как подключить электроплиту к 220 Вольт — кратко и понятно

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

SOT-23

-20 В		P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
	P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
-30 В		P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23
	P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23

PQFN 2×2 мм, 3×3 мм

-20 В		P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2
-30 В
	P-Channel, -30V, 10A, 15 mOhm, PQFN33
	P-Channel, -30V, 8.5A, 37 mOhm, PQFN2x2

SO-8 и TSOP-6

-30 В	IRFTS9342TRPBF	P-Channel, -30V, 6A, 39 mOhm, TSOP-6
	P-Channel, -30V, 5.4A, 59 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 7.5A, 19 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 9A, 17.5 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 10A, 12 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 15A, 7.2 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 16A, 6.6 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 21A, 4.6 mOhm, SO-8

PQFN 5×6мм

-30 В

P-Channel, -30V, 23A, 4.6 mOhm, PQFN5X6

2N7002KW Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002kw.pdf Size:286K _fairchild_semi

May 20112N7002KWN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeatures Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Pb Free/RoHS Compliant ESD HBM=1000V as per JESD22 A114 and ESD CDM=1500V as per JESD22 C101DSSOT-323GMarking : 7KWAb

0.2. s2n7002kw.pdf Size:536K _secos

S2N7002KW 115mA, 60V N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323FEATURES Low on-resistance Fast switching Speed AL Low-voltage drive 33 Easily designed drive circuits Top View C B11 2 ESD protected:1500V 2K EDH JF GMillimeter MillimeterREF. REF.

 0.3. 2n7002kw.pdf Size:527K _secos

0.4. 2n7002kw.pdf Size:1922K _jiangsu

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS2N7002KW N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 2.5 3 1. GATE2. SOURCE123. DRAINFEATURE APPLICATION High density cell design for Low RDS(on) Voltage controlled sm