C3263 datasheet pdf ( pinout ) - npn transistor

C3263 Datasheet PDF — Sanken electric

Part Number	C3263
Description	NPN Transistor — 2SC3263
Manufacturers	Sanken electric
Logo
There is a preview and C3263 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 1 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

LAPT 2SC3263

Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1294)

Application : Audio and General Purpose

sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg

2SC3263
230
230
5
15
4
130(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C

sElectrical Characteristics

Symbol
Conditions

ICBO

VCB=230V

IEBO

VEB=5V

V(BR)CEO

IC=25mA

hFE VCE=4V, IC=5A

VCE(sat)

IC=5A, IB=0.5A

fT VCE=12V, IE=–2A

COB VCB=10V, f=1MHz

∗hFE Rank O(50 to 100), Y(70 to 140)

sTypical Switching Characteristics (Common Emitter)

VCC

VBB1

VBB2

IB1

IB2 ton

(V)

(Ω)

(A)
(V)
(V)
(mA)
(mA)

(µs)

60 12 5 10 –5 500 –500 0.30typ
(Ta=25°C)
2SC3263

100max

230min

50min∗

2.0max

60typ

250typ

Unit

µA

V
V
MHz
pF

tstg

(µs)

2.40typ

(µs)

0.50typ

External Dimensions MT-100(TO3P)

15.6±0.4

9.6

4.8±0.2

2.0±0.1

a ø3.2±0.1

b
2
3
1.05
+0.2
-0.1
0.65
+0.2
-0.1

5.45±0.1

1.4
BCE
Weight : Approx 6.0g
a. Type No.
b. Lot No.

I C– V CE Characteristics (Typical)

2.0A 1.5A

1.0A
600mA
400mA
10
200mA
100mA
5
50mA

IB=20mA

0 12 34

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

V CE( s a t ) – I B Characteristics (Typical)

I C– V BE Temperature Characteristics (Typical)

(VCE=4V)

15
2 10
1

IC=10A

0 0.5 1.0 1.5 2.0

Base Current IB(A)

01 2

Base-Emittor Voltage VBE(V)

h FE– I C Characteristics (Typical)

200

(VCE=4V)

100
Typ
50

h FE– I C Temperature Characteristics (Typical)

200

(VCE=4V)

125˚C
100
25˚C
–30˚C
50

θ j-a– t Characteristics

3
1
0.5
10
0.02
0.1 0.5 1

Collector Current IC(A)

5 10 15
10
0.02
0.1 0.5 1

Collector Current IC(A)

5 10 15
0.1
1
10 100
Time t(ms)
1000 2000

f T– I E Characteristics (Typical)

(VCE=12V)

100
80
Typ
60
40
20

–0.02
–0.1
–1

Emitter Current IE(A)

–10

Safe Operating Area (Single Pulse)

40
10ms
10
DC
5
1
0.5
Without Heatsink
Natural Cooling
0.1
3
10 100

Collector-Emitter Voltage VCE(V)

300
Pc–Ta Derating
130
100
50
Without Heatsink
3.5

0 25 50 75 100 125
Ambient Temperature Ta(˚C)
150
63
Free Datasheet http://www.datasheetlist.com/

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for C3263 electronic component.

Information	Total 1 Pages
Link URL
Product Image and Detail view	1. 15A, NPN, Equivalent, 2SC3263 Transistor
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания и преобразователей.

Особенности:

Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
Высокое напряжение пробоя: Vceo = 800 В.
Изолированный корпус.

Символы	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс. значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	—	—	—	900	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	800	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	—	—	—	7	В
Ic	Ток коллектора постоянный/импульсный	—	—	—	3,0/5,0	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25 °C	—	—	25	Вт
h_FE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, Ic = 0,15 А	15	—	—	—
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 1,2 A, Ib = 0,24 А	—	—	1,0	В
Ib	Ток базы	—	—	—	1,0	А
Tr/Tf	Время нарастания/спада	—	—	0,5	0,7/0,5	мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Если что-либо не работает, стукните это хорошенько, если оно сломалось — ничего, все равно нужно было выбрасывать.

Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремнийСтруктура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт	Ucb max, В	Uce max, В	Ueb max, В	Ic max, мА	Tj max, °C	Ft max, Гц	Cc tip, пФ	Hfe
25000	900	800	7	3000	+150	200000	15

Bosch pke611d17e варочная панель как подключить провода

Производитель: UTCСфера применения: Популярность: 3246Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 2SC5353

Общий вид транзистора 2SC5353.	Цоколевка транзистора 2SC5353.

Обозначение контактов: Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер. Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-02-03 08:45:50.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Биполярный транзистор 2SC5353 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5353

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO220NIS

2SC5353 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:

«>

2sc2482-y Микрокоммерческие компоненты, 2sc2482-y Лист данных

Ревизия: 1

ВЫКЛ. ХАРАКТЕРИСТИКИ

ПО ХАРАКТЕРИСТИКАМ

МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

КЛАССИФИКАЦИЯ H

Характеристики

Электрические характеристики @ 25

Максимальные рейтинги

•

Генеральный директор

EBO

Початок

Символ

CBO

Коммерческие микрокомпоненты

Символ

FE (1)

(BR) Генеральный директор

(BR) CBO

(BR) EBO

CE (сб)

-P

M C C

СТГ

Генеральный директор

CBO

EBO

Высокое напряжение: Vceo = 300 В

Выходная емкость малого коллектора: Cob = 3.0 пФ (тип.)

Дж

Диапазон

Рейтинг

Напряжение коллектор-эмиттер

Напряжение пробоя коллектор-база

Напряжение эмиттер-база

Ток коллектора

Рассеиваемая мощность коллектора

Рабочая температура перехода

Температура хранения

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

Напряжение пробоя коллектор-база

Напряжение пробоя эмиттер-база

Ток отсечки коллектора

Ток отсечки эмиттера

Коэффициент усиления постоянного тока

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Частота транзистора

f = 30 МГц)

Напряжение насыщения база-эмиттер

Выходная емкость коллектора

(В

= 100 мкА постоянного тока, I

= 3 мА постоянного тока, I

= 100 мкА постоянного тока, I

= 20 мА постоянного тока, В

= 10 мА постоянного тока, I

= 20 мА постоянного тока, В

= 7 В постоянного тока, I

= 240 В постоянного тока, I

= 220 В постоянного тока, I

20В, я

FE (1)

= 0, f = 1 МГц

Параметр

= 0)

Рейтинг

= 0)

= 1 мА пост. Тока)

= 0)

30-90

= 10 В постоянного тока)

= 10 В постоянного тока,

www.mccsemi.com

C Если не указано иное

компоненты

20736 Марилла Стрит Чатсуорт

! »№

$
%! «#

-55 до +150

300

мин.

Рейтинг

—

0,1

0.9

7,0

300

—

90–150

Макс

1,0

—

5,0

150

1,0

1 из 4

Блок

пФ

МГц

Вт

Квартир

мкА постоянного тока

В постоянного тока

—

DIM

кв. м

Дж

Эпитаксиальный кремний

ДЮЙМОВ

МИН

—

2SC2482

2SC2482-O

2SC2482-Y

Транзистор

.050

0,050

. 100

0,039

К-92МОД

123

МАКС

0,030

0,039

.031

0,024

.201

.087

0,024

. 323

. 413

. 161

НПН

РАЗМЕРЫ

МИН

—

ММ

1.27

1,27

2,54

1,00

МАКС

10,50

2SC5353 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba

«>

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Туннельные транзисторы

Одной из главных задач производителей полупроводниковых устройств является проектирование транзисторов, которые можно переключать малыми напряжениями. Решить её способны туннельные транзисторы. Такие устройства управляются с помощью квантового туннельного эффекта. Таким образом, при наложении внешнего напряжения переключение транзистора происходит быстрее, так как электроны с большей вероятностью преодолевают диэлектрический барьер. В результате устройству требуется в несколько раз меньшее напряжение для работы.

Разработкой туннельных транзисторов занимаются ученые из МФТИ и японского университета Тохоку. Они использовали двухслойный графен, чтобы создать устройство, которое работает в 10–100 раз быстрее кремниевых аналогов. По словам инженеров, их технология позволит спроектировать процессоры, которые будут в двадцать раз производительнее современных флагманских моделей.

/ фото PxHere PD

В разное время прототипы туннельных транзисторов реализовывались с использованием различных материалов — помимо графена, ими были нанотрубки и кремний. Однако технология до сих пор не покинула стены лабораторий, и о масштабном производстве устройств на её основе речи не идет.

Транзистор C5353 ничего хорошего не принес и плохого

Новые книги Шпионские штучки: Новое и лучшее схем для радиолюбителей: Шпионские штучки и не только 2-е издание Arduino для изобретателей. Обучение электронике на 10 занимательных проектах Конструируем роботов. Руководство для начинающих Компьютер в лаборатории радиолюбителя Радиоконструктор 3 и 4 Шпионские штучки и защита от них. Сборник 19 книг Занимательная электроника и электротехника для начинающих и не только Arduino для начинающих: самый простой пошаговый самоучитель Радиоконструктор 1 Обновления Подавитель сотовой связи большой мощности. Перед тем как создавать тему на форуме, воспользуйтесь поиском! Пользователь создавший тему, которая уже была, будет немедленно забанен!

C5353 описание

Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги! Модуль датчика стука и цифровой интерфейс 13, светодио дный встроенный светодиод создают простую схему для производства ударных мигалок Если вы выбираете Бесплатная Post Доставка с незарегистрированных, там не будет отслеживания в пункт назначения,Вы должны держать в touch с местном почтовом отделении все время до доставки. Если пакет будет взиматься таможенные пошлины, мы не несем ответственности за любые таможенные пошлины или налоги на импорт.