Области применения транзистора 2SC2625
1. Радиопередатчики: Транзистор 2SC2625 широко используется в радиопередатчиках, включая FM и AM передатчики. Благодаря своим высоким характеристикам по мощности и частоте, он обеспечивает стабильную и качественную передачу сигнала.
2. Усилители: В усилителях, как низкой, так и высокой частоты, транзистор 2SC2625 является незаменимым компонентом. Он может быть использован в системах звукового усиления, радиоусилителях и других аудио- и видеоустройствах.
3. Радиосвязь: Транзистор 2SC2625 применяется в системах радиосвязи, таких как рации, базовые станции и антенны. Он обеспечивает стабильную и эффективную передачу и прием сигналов.
4. Телевизионные устройства: Благодаря своим характеристикам, транзистор 2SC2625 может быть использован в телевизионных устройствах, включая телевизоры, видеомагнитофоны и другие аудио- и видеоустройства.
5. Промышленная автоматизация: Транзистор 2SC2625 может быть применен в промышленных автоматических системах, таких как регуляторы температуры, сигнализации и контроллеры процессов.
В общем, транзистор 2SC2625 является важным компонентом, который находит широкое применение в различных областях электроники и радиоэлектроники благодаря своим высоким техническим характеристикам и надежности.
Технические характеристики транзистора 2SC2625 + в чем его применение на нашем сайте
- Тип: PNP
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 30 В
- Максимальный ток коллектора: 800 мА
- Максимальная мощность потери: 900 мВт
- Максимальная рабочая частота: 100 МГц
- Корпус: TO-92
Транзистор 2SC2625 можно эффективно использовать в различных электронных схемах, включая усилители, радиопередатчики, коммутационные устройства и другие приложения. Он обладает высокой мощностью и частотными характеристиками, что делает его идеальным для работы в усилительных и передающих схемах. Благодаря своему компактному корпусу TO-92, транзистор 2SC2625 легко монтируется на печатные платы и может быть использован в различных типах оборудования.
На нашем сайте мы предлагаем транзистор 2SC2625 по выгодной цене, а также обеспечиваем доставку по всей стране. Наш ассортимент включает широкий выбор электронных компонентов, включая транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы и другие. Мы сотрудничаем с проверенными поставщиками и гарантируем качество нашей продукции. Если у вас возникли вопросы или вам нужна помощь в выборе компонентов, наши опытные специалисты всегда готовы помочь вам. Заказывайте транзистор 2SC2625 и другие электронные компоненты прямо сейчас на нашем сайте!
Контроллер скорости двигателя постоянного тока с использованием силового транзистора 2SC2625
10 месяцев назад 22 декабря 2020 г.
5076 просмотров
Что такое регулятор скорости двигателя постоянного тока?
Для управления скоростью и направлением двигателей переменного/постоянного тока можно использовать самые разные методы. Контроллер скорости двигателя постоянного тока позволяет инженерам и техническим специалистам контролировать скорость и направление приводов переменного/постоянного тока в таких отраслях, как текстильная, механическая и электрическая, для ряда различных производственных процессов. В сегодняшнем уроке мы разработаем регулятор скорости двигателя постоянного тока с использованием силового транзистора 2SC2625.
Основой этой схемы является силовой транзистор 2SC2625. 2SC2625 — высоковольтный быстродействующий переключающий транзистор. Это NPN-транзистор в ТО-39.упаковка, обеспечивающая максимальное напряжение коллектор-база 450 В и рассеиваемый ток коллектора 80 Вт, поэтому используйте соответствующий радиатор во время работы транзистора.
JLCPCB — передовая компания по производству и производству прототипов печатных плат в Китае, предоставляющая нам лучший сервис, который мы когда-либо получали (качество, цена, сервис и время).
2$ Прототип печатной платы
Необходимое оборудование
Для сборки этого проекта вам потребуются следующие детали:
| S. № | Компонент | Значение | Кол-во |
|---|---|---|---|
| 1) | 60000 об/мин | 1 | |
| 2) | Силовой транзистор | 2SC2625 | 1 |
| 3) | Пластиковые лопасти вентилятора | – | 1 |
| 4) | Потенциометр 9 0034 | 10 кОм | 1 |
| 5) | Паяльник | 45 Вт – 65 Вт | 1 |
| 6) | Паяльная проволока с флюсом | 1 | |
| 7) | Аккумулятор постоянного тока | 3,7 В | 1 |
 |
Перемычки | – | По необходимости |
Двигатель постоянного тока
Полезные шаги
1) Припаяйте базу и коллектор транзистора 2SC2625 к скользящему и неподвижному концам потенциометра 10К соответственно.
2) После этого припаяйте клеммы +ve и -ve батареи постоянного тока 3,7 В к базовой клемме транзистора и фиксированному концу потенциометра 10K соответственно.
3) Припаяйте плюсовую клемму двигателя постоянного тока без сердечника к эмиттеру транзистора. После этого припаяйте клемму «-ve» двигателя постоянного тока к фиксированному концу потенциометра 10K и клемме «-ve» соединения батареи постоянного тока.
4) Присоедините лопасти вентилятора к валу двигателя постоянного тока. Проверьте цепь, медленно увеличивая сопротивление потенциометра на 10 кОм, поворачивая ручку. RPM фанатов будет увеличиваться по мере того, как вы увеличиваете стоимость банка в 10 000 долларов.
Объяснение работы
Схема работает следующим образом. Предустановленный потенциометр 10K устанавливает управляющий сигнал на базе силового транзистора 2SC2625. При повороте ручки предустановленного потенциометра сопротивление потенциометра увеличивается, что приводит к увеличению управляющего сигнала на базе силового транзистора.
2SC2625 Datasheet (PDF)
..1. Size:129K mospec 2sc2625.pdf
AAA
..2. Size:174K cn sptech 2sc2625.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC2625DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
..3. Size:216K inchange semiconductor 2sc2625.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2625DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
0.1. Size:238K nell 2sc2625b.pdf
RoHS 2SC2625B RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSilicon NPN triple diffusion planar transistor(High voltage switching transistor)10A/400V/80W15.60.44.80.29.62.00.13.20,1TO-3P(B)23FEATURES+0.2+0.20.651.05-0.1-0.1 High-speed switching High collector to base voltage VCBO5.450.1 5.450.11.4 Satisfactory linearity of foward cur
0.2. Size:1281K cn sps 2sc2625t4tl.pdf
2SC2625T4TLSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 450 V
8.1. Size:101K fuji 2sc2626.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. — P.O. Box 702708 — Dallas, TX 75370 — 972-733-1700 — www.fujisemiconductor.com
8.2. Size:24K hitachi 2sc2620.pdf
2SC2620Silicon NPN Epitaxial PlanarApplicationVHF amplifier, Local oscillatorOutlineMPAK311. Emitter2. Base23. Collector2SC2620Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 30 VCollector to emitter voltage VCEO 20 VEmitter to base voltage VEBO 4VCollector current IC 20 mACollector power dissipation PC 100 mWJ
8.3. Size:337K kexin 2sc2620.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2620SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=20mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=20V+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO 30 Collect
8.4. Size:231K foshan 2sc2621 3da2621.pdf
2SC2621(3DA2621) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Color TV chroma output applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 300 V CBO V 300 V CEO V 6.5 V EBO I 200 mA C I 700 mA CP P (Ta=25) 1.2 W CP (Tc=25) 10 W CT 150
8.5. Size:213K inchange semiconductor 2sc2626.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2626DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXI
8.6. Size:213K inchange semiconductor 2sc2624.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2624DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXI
Общая информация о транзисторе 2SC2625
Этот транзистор был разработан для работы в широком диапазоне радиочастотных схем и имеет высокую коллекционную помехозащищенность, что позволяет использовать его в высококачественных устройствах.
2SC2625 обладает высоким коэффициентом усиления (граничное значение достигает 300), что делает его подходящим выбором для приложений, требующих усиления слабых сигналов. Большой динамический диапазон, широкая полоса пропускания и низкий уровень шума делают его идеальным для усиления аудио- и видеосигналов.
2SC2625 также отличается высоким коэффициентом надежности и стабильностью работы в широком диапазоне рабочих температур (-55°C до +150°C). Это позволяет использовать его во многих различных приложениях, включая радио- и телекоммуникационное оборудование, аудиоусилители, усилители видеосигналов и другие электронные устройства.
Важно отметить, что перед использованием транзистора 2SC2625 рекомендуется ознакомиться с его полными техническими характеристиками и ограничениями, указанными в документации производителя. Это поможет правильно подобрать условия эксплуатации и достичь оптимальной производительности устройства
Описание транзистора 2sc2625
Транзистор 2sc2625 относится к семейству эпитаксиальных планарных КОП (кремниевый p-n-переход), предназначенных для работы в аналоговых и импульсных усилителях высокой частоты.
2sc2625 имеет следующие ключевые характеристики:
Тема опроса: отношение к искусственному интеллекту
Я полностью поддерживаю использование искусственного интеллекта во всех сферах жизни. 37.92%
Я считаю, что искусственный интеллект может быть опасным и должен использоваться только под строгим контролем. 36.81%
Я нейтрален/нейтральна к искусственному интеллекту, так как не имею личного опыта взаимодействия с ним. 18.9%
Я не знаю, что такое искусственный интеллект. 6.37%
Проголосовало: 2339
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальная коллектор-эмиттерная напряжение | 50 В |
| Максимальный коллекторный ток | 150 мА |
| Максимальная мощность потери | 100 мВт |
| Коэффициент передачи тока h_FE | 100 — 300 |
| Максимальная рабочая частота | 500 МГц |
Транзистор 2sc2625 часто применяется в радиолюбительских устройствах, радиостанциях, сигнальных усилителях, передатчиках и других электронных устройствах, где требуется усиление высокочастотного сигнала.
2sc2625 обеспечивает надежное и стабильное усиление сигнала на высоких частотах, имеет низкое входное сопротивление и хорошую линейность. Благодаря своим характеристикам, он является популярным компонентом в электронном производстве.
Структура и принцип работы
Ток коллектора: 4 А
Напряжение коллектор-эмиттер: 120 В
Мощность коллектора: 20 Вт
Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
Структура транзистора состоит из трех слоев – эмиттера, базы и коллектора. При подаче тока на базу, происходит усиление сигнала и формирование выходного сигнала на коллекторе. Этот процесс основан на эффекте инжекции носителей заряда (электронов или дырок) из одной области полупроводника в другую.
Транзистор 2SC2625 широко применяется в различных электронных устройствах, таких как радиоприемники, усилители сигнала, блоки питания и другие. Его надежность и эффективность делают его востребованным компонентом в различных сферах электроники и устройств связи.
Форм-фактор и внешний вид
Внешний вид 2SC2625 представлен в таблице ниже:
| Номер контакта | Назначение |
|---|---|
| 1 | Коллектор |
| 2 | База |
| 3 | Эмиттер |
Транзистор имеет пластиковый корпус и небольшие габариты, что делает его удобным для установки на печатные платы. Корпус обеспечивает защиту от повреждений и обеспечивает надежное электрическое соединение.
Форм-фактор и внешний вид 2SC2625 значительно упрощают его установку и подключение в различных электронных устройствах.
Описание транзистора 2sc2625
Данный транзистор обладает высокой мощностью и эффективностью, что делает его идеальным для использования в усилителях мощности и других приборах, где требуется работа с большими энергетическими значениями. Он также может быть использован в системах автоматизации и управления, так как обладает высокой скоростью переключения.
Структура данного транзистора состоит из трех слоев полупроводникового материала — эмиттера, базы и коллектора. Он работает на принципе усиления электрического тока и обеспечивает стабильное и надежное функционирование устройств, в которых он применяется.
Важными параметрами данного транзистора являются его максимальные рабочие характеристики. Максимальное значение коллекторного тока составляет 15 ампер, а максимальное значение напряжения коллектора и эмиттера — 120 вольт. Эти значения указывают на возможность использования транзистора в различных условиях и с различными нагрузками.
Электрические параметры транзистора 2sc2625 также играют важную роль при его применении. Он имеет высокий коэффициент усиления тока и низкое сопротивление перехода для минимальных потерь в энергии. Параметры такие как ток коллектора открытого p-n перехода и входная емкость транзистора также важны при расчете и проектировании схем.
Температурные параметры транзистора 2sc2625 определяют его работоспособность в широком диапазоне температур. Он способен работать в условиях от -55 до +150 градусов Цельсия, что позволяет использовать его в различных климатических условиях.
Структура и принцип работы
Принцип работы данного транзистора основан на контроле тока, который протекает через базу, и его усилении для создания потока тока от коллектора к эмиттеру. Когда напряжение применяется к базе, это позволяет току протекать от эмиттера к коллектору, так как встроенный pn-переход открывается. Существует также промежуточная зона, называемая режимом насыщения, где транзистор находится в полностью открытом состоянии и пропускает максимально возможный ток.
Структура транзистора 2SC2625 обеспечивает высокую эффективность работы и хорошую стабильность, что делает его полезным во многих различных электронных приборах и схемах.
Форм-фактор и внешний вид
2sc2625 выполнен в корпусе TO-3, который имеет металлическое оформление
Корпус обеспечивает хорошую теплоотводность, что важно для работы транзистора в условиях повышенной нагрузки и высоких температур
На корпусе транзистора присутствует маркировка, которая содержит информацию о производителе, модели и характеристиках. Маркировка помогает идентифицировать компонент и правильно использовать его в электрических схемах.
Особенности использования транзистора 2SC2625
Транзистор 2SC2625 представляет собой полупроводниковое устройство, которое может быть использовано в различных электронных схемах и приложениях. Подобные полевые эффектные транзисторы (ПЭТ) обладают рядом особенностей, которые следует учитывать при их применении.
Одной из главных особенностей транзистора 2SC2625 является его высокая скорость переключения. Благодаря этому он может использоваться в быстродействующих электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, а также системы коммутации с высокой рабочей частотой.
Транзистор 2SC2625 имеет низкое входное сопротивление, что позволяет использовать его в усилительных схемах с малой потерей сигнала. Благодаря этому он может быть использован в радиоприемниках, телевизорах и других аналоговых устройствах.
Кроме того, данный транзистор обладает высоким коэффициентом усиления и низким уровнем шума, что делает его идеальным выбором для применения во многих усилительных схемах.
Транзистор 2SC2625 довольно надежен и стабилен в работе, что позволяет использовать его в условиях повышенной температуры окружающей среды. Благодаря его высокой теплопроводности и способности к самоохлаждению, он может работать длительное время без перегрева.
Использование транзистора 2SC2625 требует соблюдения некоторых рекомендаций
Например, важно предусмотреть надлежащее охлаждение при работе с большими токами, чтобы избежать повреждения транзистора или снижения его эффективности. Также следует учитывать электрические параметры и характеристики проектной схемы для оптимального использования данного транзистора
| Технические характеристики | Значение |
|---|---|
| Максимальное смещение коллектора | 120 В |
| Максимальный ток коллектора | 5 А |
| Максимальная мощность | 30 Вт |
| Максимальная рабочая частота | 500 МГц |
В заключение, транзистор 2SC2625 — это надежное и многофункциональное устройство, которое может быть использовано в различных электронных схемах и приложениях. При правильном использовании и учете его особенностей, он может обеспечить высокое качество и надежность работы электронного устройства.
Биполярный транзистор 2SC2625 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC2625
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора:
2SC2625
Datasheet (PDF)
..1. Size:129K mospec 2sc2625.pdf
AAA
..2. Size:174K cn sptech 2sc2625.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC2625DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
..3. Size:216K inchange semiconductor 2sc2625.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC2625DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
0.1. Size:238K nell 2sc2625b.pdf
RoHS 2SC2625B RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSilicon NPN triple diffusion planar transistor(High voltage switching transistor)10A/400V/80W15.60.44.80.29.62.00.13.20,1TO-3P(B)23FEATURES+0.2+0.20.651.05-0.1-0.1 High-speed switching High collector to base voltage VCBO5.450.1 5.450.11.4 Satisfactory linearity of foward cur
0.2. Size:1281K cn sps 2sc2625t4tl.pdf
2SC2625T4TLSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 450 V
8.1. Size:101K fuji 2sc2626.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. — P.O. Box 702708 — Dallas, TX 75370 — 972-733-1700 — www.fujisemiconductor.com
8.2. Size:24K hitachi 2sc2620.pdf
2SC2620Silicon NPN Epitaxial PlanarApplicationVHF amplifier, Local oscillatorOutlineMPAK311. Emitter2. Base23. Collector2SC2620Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 30 VCollector to emitter voltage VCEO 20 VEmitter to base voltage VEBO 4VCollector current IC 20 mACollector power dissipation PC 100 mWJ
8.3. Size:337K kexin 2sc2620.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2620SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=20mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=20V+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO 30 Collect
8.4. Size:231K foshan 2sc2621 3da2621.pdf
2SC2621(3DA2621) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Color TV chroma output applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 300 V CBO V 300 V CEO V 6.5 V EBO I 200 mA C I 700 mA CP P (Ta=25) 1.2 W CP (Tc=25) 10 W CT 150
8.5. Size:213K inchange semiconductor 2sc2626.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2626DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXI
8.6. Size:213K inchange semiconductor 2sc2624.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2624DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXI
Другие транзисторы… 2SC262
, 2SC2620
, 2SC2621
, 2SC2621C
, 2SC2621D
, 2SC2621E
, 2SC2623
, 2SC2624
, BD135
, 2SC2626
, 2SC2627
, 2SC2628
, 2SC2629
, 2SC263
, 2SC2630
, 2SC2631
, 2SC2632
.
Физические характеристики транзистора 2SC2625
- Тип корпуса: TO-92
- Максимальное коллекторное напряжение (VCBO): 45 В
- Максимальное коллекторное напряжение (VCEO): 35 В
- Максимальное эмиттерное напряжение (VEBO): 6 В
- Максимальный коллекторный ток (IC): 0.1 А
- Максимальный ток базы (IB): 0.05 А
- Мощность коллектор-эмиттер (PC): 0.3 Вт
- Рабочая температура: -55°C до +150°C
Транзистор 2SC2625 является надежным и эффективным компонентом, который может использоваться в различных приложениях, таких как усилители мощности, радиоприемники и передатчики, а также в других устройствах, где требуется усиление или переключение сигнала.