Транзистор b772 чем заменить есть ли отечественный аналог

B772M Datasheet (PDF)

0.1. b772m.pdf Size:643K _jiangsu

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors TO-252-2L B772M TRANSISTOR (PNP) FEATURES 1. BASE Low Speed Switching 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V

0.2. 2sb772m.pdf Size:341K _blue-rocket-elect

2SB772M(BR3CG772M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features , hFE Low saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE. / Applications ,,

 0.3. 2sb772m 3ca772m.pdf Size:220K _lzg

2SB772M(3CG772M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :,, Purpose: Output stage of audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver. :, h /Features: Low saturation voltage, excellent h linearity FEFEand high h . FE/Absolut

B772P Datasheet PDF — NEC

Part Number	B772P
Description	2SB772
Manufacturers	NEC
Logo
There is a preview and B772P download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total ( 3 pages )

Preview 1 page No Preview Available ! www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com DATA SHEET PNP SILICON POWER TRANSISTOR 2SB772 PNP SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SB772 is PNP silicon transistor suited for the output stage of 3 W audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver. FEATURES • Low saturation voltage VCE(sat) ≤ −0.5 V (IC = −2 A, IB = −0.2 A) • Excellent hFE linearity and high hFE hFE = 60 to 400 (VCE = −2 V, IC = −1 A) • Less cramping space required due to small and thin package and reducing the trouble for attachment to a radiator. No insulator bushing required. PACKAGE DRAWING (Unit: mm) 8.5 MAX. 3.2 ±0.2 2.8 MAX. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Maximum Temperature Storage Temperature Junction Temperature Maximum Power Dissipation −55 to +150°C 150°C Maximum Total Power Dissipation (TA = 25°C) Total Power Dissipation (TC = 25°C) Maximum Voltages and Currents (TA = 25°C) VCBO Collector to Base Voltage VCEO Collector to Emitter Voltage VEBO Emitter to Base Voltage IC(DC) Collector Current (DC) IC(pulse)Note Collector Current (pulse) Note Pulse Test PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2% 1.0 W 10 W −40 V −30 V −5.0 V −3.0 A −7.0 A 12 TYP. 0.55 +0.08 –0.05 0.8 +0.08 –0.05 2.3 TYP. 2.3 TYP. 1.2 TYP. 1: Emitter 2: Collector: connected to mounting plane 3: Base ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C) CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITIONS DC Current Gain hFE1 VCE = −2.0 V, IC = −20 mANote DC Current Gain hFE2 VCE = −2.0 V, IC = −1.0 mANote Gain Bandwidth Product fT VCE = −5.0 V, IC = −0.1 A Output Capacitance Cob VCB = −10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz Collector Cutoff Current ICBO VCB = −30 V, IE = 0 A Emitter Cutoff Current IEBO VEB = −3.0 V, IC = 0 A Collector Saturation Voltage VCE(sat) IC = −2.0 A, IB = −0.2 ANote Base Saturation Voltage VBE(sat) IC = −2.0 A, IB = −0.2 ANote Note Pulse Test: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2% MIN. 30 60 TYP. 220 160 80 55 −0.3 −1.0 MAX. 400 −1.0 −1.0 −0.5 −2.0 UNIT MHz pF µA µA V V CLASSIFICATION OF hFE Rank Range R 60 to 120 Q 100 to 200 P 160 to 320 Remark Test Conditions: VCE = −2.0 V, IC = 1.0 A E 200 to 400 The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that this is the latest version. Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics sales representative for availability and additional information. Document No. D17118EJ2V0DS00 (2nd edition) (Previous No. TC-3569) Date Published March 2004 N CP(K) Printed in Japan DataSheet4 U .com The mark shows major revised points. www.DataSheet4U.com c 2004 www.DataSheet4U.com

Information	Total 3 Pages
Link URL
Product Image and Detail view	1. Silicon Power Transistor — NEC
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Element14	Chip One Stop

Featured Datasheets

Part Number	Description	Manufacturers
B772	The function is MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR.	Unisonic Technologies
B772	The function is PNP (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING).	Samsung semiconductor
B772	The function is Audio Frequency Power Amplifier.	Fairchild Semiconductor
Quick jump to: B772  1N4  2N2  2SA  2SC  74H  ADC  BC  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA

2SA772 Datasheet (PDF)

9.1. 2sa777.pdf Size:46K _panasonic

Transistor2SA777Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SC15095.9 0.2 4.9 0.2FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30Woutput amplifier.0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base vo

9.2. 2sa777 e.pdf Size:50K _panasonic

Transistor2SA777Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SC15095.9 0.2 4.9 0.2FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30Woutput amplifier.0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base vo

 9.3. 2sa778.pdf Size:42K _hitachi

2SA778(K), 2SA778A(K)Silicon PNP EpitaxialApplicationHigh voltage medium speed switchingOutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SA778(K), 2SA778A(K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SA778(K) 2SA778A(K) UnitCollector to base voltage VCBO 150 180 VCollector to emitter voltage VCEO 150 180 VEmitter to base voltage VEBO 5

9.4. 2sa770 2sa771.pdf Size:152K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA770 2SA771 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1985/1986 Low collector saturation voltage APPLICATIONS For general and industrial purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol3 BaseAbs

 9.5. 2sa775.pdf Size:147K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA775 DESCRIPTION With TO-220 package High breakdown voltage APPLICATIONS For TV vertical output amplifier applicatons PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER COND

9.6. 2sa770 2sa771.pdf Size:236K _sanken-ele

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

9.7. 2sa779.pdf Size:181K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA779DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40(Min)@ I = -0.15AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = -35V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as audio amplifiers and drivers utilizingcomplementary or quasi complementa

9.8. 2sa770 2sa771.pdf Size:123K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA770 2SA771 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1985/1986 Low collector saturation voltage APPLICATIONS For general and industrial purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and sy

9.9. 2sa775.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA775DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -100V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose output amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base V

9.10. 2sa770.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA770DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = -60(V)(Min.)(BR)CEOComplement to Type 2SC1985Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

9.11. 2sa771.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA771DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = -80(V)(Min.)(BR)CEOComplement to Type 2SC1986Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

Транзистор B772P: рекомендации по выбору и покупке

1

Надежность и качество: При выборе транзистора B772P рекомендуется обратить внимание на его производителя и качество изготовления. Используйте надежные поставщики, чтобы гарантировать получение товара высокого качества

2. Технические характеристики: Проверьте технические характеристики транзистора B772P, такие как максимальный ток коллектора (IC), максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCE), коэффициент усиления (hFE) и другие параметры, чтобы удостовериться, что они соответствуют вашим требованиям.

3. Цена: Сравните цены у различных поставщиков, чтобы выбрать оптимальное предложение. Однако, не стоит слишком экономить на качестве, так как низкая стоимость часто может быть указанием на несоответствие техническим характеристикам или плохому качеству изделия.

4. Гарантии и возврат товара: Убедитесь, что поставщик предоставляет гарантию на товар и имеет политику возврата, если вы обнаружите какие-либо проблемы с транзистором B772P.

Приобретение транзистора B772P может быть ключевым шагом в вашем проекте. Следуя рекомендациям, вы сможете выбрать правильный транзистор, который обеспечит надежную работу и соответствие вашим требованиям.

HSB772 Datasheet (PDF)

0.1. hsb772.pdf Size:51K _hsmc

Spec. No. : HE6605HI-SINCERITYIssued Date : 1993.05.15Revised Date : 2005.08.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSB772PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSB772 is designed for using in output stage of 1w audio amplifier, voltageregulator, DC-DC converter and relay driver.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperat

0.2. hsb772s.pdf Size:59K _hsmc

Spec. No. : HE6549HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2004.08.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSB772SPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltageregulator, DC-DC converter and driver.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………

Транзистор B772P: цоколевка и подключение

Цоколевка транзистора B772P представлена в виде металлических выводов, расположенных на его корпусе. Каждый вывод имеет свою функцию и подключается к соответствующим элементам электрической схемы.

База (B) – это входной контакт транзистора, через который подается управляющий сигнал. Он является активным элементом управления работы транзистора.

Эмиттер (E) – это выходной контакт транзистора, через который выходит усиленный сигнал или ток. Он является активным элементом усиления работы транзистора.

Коллектор (C) – это второй выходной контакт транзистора, который принимает усиленный сигнал или ток от эмиттера. Он является активным элементом коммутации работы транзистора.

Правильное подключение транзистора B772P очень важно для обеспечения его корректной работы. Для подключения транзистора необходимо учесть его цоколевку и правильно подключить каждый вывод к соответствующим элементам электрической схемы

Таким образом, знание цоколевки и правильное подключение транзистора B772P существенно влияет на его эффективность и надежность в использовании.

B772-Y Datasheet (PDF)

0.1. 2sb772-y.pdf Size:287K _mcc

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

0.2. b772-r b772-y.pdf Size:245K _mcc

B772-RMCCMicro Commercial ComponentsTMB772-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311 B772-YPhone: (818) 701-4933B772-GRFax: (818) 701-4939Features Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon Collector-current 3.0APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating and storage junction temperature range: -55O

 9.1. 2sb772-r.pdf Size:287K _mcc

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

9.2. 2sb772-gr.pdf Size:287K _mcc

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

 9.3. 2sb772-o.pdf Size:287K _mcc

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

9.4. b772-gr b772-o.pdf Size:245K _mcc

B772-RMCCMicro Commercial ComponentsTMB772-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311 B772-YPhone: (818) 701-4933B772-GRFax: (818) 701-4939Features Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon Collector-current 3.0APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating and storage junction temperature range: -55O

 9.5. 2sb772-s.pdf Size:174K _fci

9.6. 2sb772-126.pdf Size:891K _kexin

DIP Type TransistorsPNP Transistors2SB772TO-126Unit:mm8.00 0.30 3.25 0.20 Features PNP transistor High current output up to 3A Low Saturation Voltage3.20 0.10 Complement to 2SD882(1.00) (0.50)0.75 0.101.75 0.201.60 0.100.75 0.101 2 3#1+0.102.28TYP 2.28TYP 0.50 0.05 1. Base2. Collector3. Emitte

Транзистор B772P: особенности и применение

Применение транзистора B772P разнообразно. Он может использоваться в усилителях, генераторах, ключевых схемах, схемах инверторов и много чем еще

Важно отметить, что B772P имеет высокую мощность, что делает его идеальным для систем, требующих усиления слабого сигнала

Особенности транзистора B772P:

1. Высокая мощность: B772P может обрабатывать до нескольких ватт мощности, что позволяет ему использоваться в различных сложных схемах.
2. Высокое усиление: этот транзистор обладает высоким коэффициентом усиления, что позволяет усиливать слабые сигналы до достаточно сильных, чтобы использовать их в других схемах.
3. Высокая надежность: B772P известен своей долговечностью и надежностью, что делает его популярным выбором для различных электронных устройств.

Кроме того, транзистор B772P имеет удобную цоколевку, что упрощает его монтаж и подключение к другим элементам схемы.

В итоге, транзистор B772P является важным компонентом в многих электронных схемах. Его особенности, высокая мощность и усиление делают его идеальным выбором для широкого спектра приложений в электронике и радиоэлектронике.

Электрические параметры

Характеристика
Обозначение
Параметры при измерениях
Значения Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В ٭
UCEO(SUS)
IC = 10 мА, IB = 0 А.
400 Ток коллектора выключения, мА ٭
Ta = 25°C
ICEO
UCEO = номинальное значение, UBE(OFF) = 1,5 В
1 Tc = 25°C
5 Ток эмиттера выключения, мА ٭
IEBO
UEB = 9,0 В, IC = 0
1 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭
UCE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
0,5 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1 IC = 1,2 А, IB = 0,4 А
3 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1 Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭
UBE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
1 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1,2 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1,1 Статический коэффициент усиления по току ٭
hFE (1)
UCE = 5,0 В, IC = 0,4 А
14….57 hFE (2)
UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А
5…30 Выходная емкость коллектора, pF
Cob
UCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц
21 Частота среза, МГц
fT
UCE = 10 В, IC = 0,1 А
10 Временные параметры транзистора при работе на резистивную нагрузку Время задержки, мкс
td
См

схему измерения временных параметров: UCC = 125 В, IC = 1 А, IB1 = IB2 = 0,2 А, tp = 25 мкс, скважность импульсов ≤ 1%
0,05 Время нарастания импульса тока, мкс
tr
0,5 Время сохранения импульса, мкс
ts
2 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,4 Временные параметры транзистора при работе на индуктивную нагрузку с ограничениями напряжений Время сохранения импульса, мкс
ts
IC = 1 А, UCLAMP = 300 В, IB1 = 0,2 А, UBE(OFF) = 5 В, Tc = 100°C.
1,7 Коммутационный промежуток, мкс
tc
0,29 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,15. ٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%. ٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное

٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a=25°C, если не указано иное.

H772 Datasheet (PDF)

0.1. h772.pdf Size:817K _shantou-huashan

P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H772 APPLICATIONS Audio Frequency Power Amplifier , Switching Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126ML TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature 150 PCCollect

0.2. ch772gp.pdf Size:102K _chenmko

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCH772GPSMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3 AmpereAPPLICATION* Power driver and Dc to DC convertor .FEATURE* Small flat package. (DPAK)DPAK* Low saturation voltage VCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=-2A) * High speed switching time: tstg= 1.0uSec (typ.)* PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate)..094 (2.38).086 (2.19)* High s

 0.3. ksh772.pdf Size:224K _semihow

KSH772KSH772 SEMIHOW REV.A2,Mar 2008KSH7722KSH772Audio Frequency Power AmplifierAudio Frequency Power Amplifier- Low Speed Switching- Complement to KSH8823 AmperesPNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted1 WattsTO-126CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collector3. BaseCollector-Base Voltage VCBO