Даташит b647 pdf ( datasheet )

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, общего назначения и для переключающих схем.

Российское производство.

Модель	PC	fT	UCBO	UEBO	IC	hFE	Корпус
2N3904	0,625	300	60	6	0,2	От 30 до 300	ТО-92
КТ375 А/Б	0,2	≥ 250	60/30	5	0,1	100/280	То-92
КТ3117 А/Б	0,5	≥ 200	60/75	4	0,4	300	То-92 и КТ1-7
КТ6137 А	0,625	300	60	6	0,2	300	ТО-92
КТ3102 А/Б	0,25	≥ 150	50	5	0,1	200/500
КТ660 А/Б	0,5	≥ 200	50/30	5	0,8	450

Зарубежное производство.

Все представленные транзисторы выполненны в корпусе ТО-92.

Модель	PC	fT	UCBO	UEBO	IC	Tj	hFE
2N3904	0,625	300	60	6	0,2	150	300
2SC2474	0,6	٭	60	6	0,2	150	150
2SC2475	0,6		60	6	0,6	200
2SC2477	0,6		60	6	0,6	150
2SC6136	0,5		600	8	0,7	100
2SD1388	0,7	200	60	6	1	250
2SD1490	0,75	80	70	6	1	4000
2SD1642	0,7		100	6	2	40
2SD1698	0,75		100	8	0,8	10000
2SD1701	0,75		1700	8	0,8	10000
2SD1853	0,7		80	6	1,5	2000
3DG3904	0,625	300	60	6	0,2	100
BTN3904A3	0,625	300	60	6	0,2	100
C266	0,825		60	10	2	175	45
ECG123AP	0,5	300	75	6	0,8	200
ECG2341	0,8	300	80		1	150	2000
H2N3904	0,625	300	60	6	0,2	100
HEPS0015	0,31	300	60		0,6	135	200
HEPS0025	0,35	300	60		0,6	150	100
HSE424	0,31	400	60			80
KN3903	0,625	300	60	6	0,2	50
KN3904	0,625	300	60	6	0,2	100
KN4401	0,35	250	60	6	0,6	100
KSC1072	0,8		60	8	0,7	40
KSP8097	0,625		60	6	0,2	250
KTC3245	0,625		400	6	0,3	50
NTE46	0,625		100	12	0,5	10000
P2N2222A	0,625	300	75	6	0,6	100

٭ — пустые ячейки таблицы – информация отсутствует.

Примечание: параметры аналогов взяты из даташип производителя.

Важные характеристики для выбора аналога

При замене транзистора B647 на аналог необходимо учитывать несколько важных характеристик:

1. Тип полупроводникового материала. Транзисторы могут быть изготовлены из разных полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. При выборе аналога необходимо учитывать тип материала, чтобы обеспечить совместимость с другими компонентами системы.

2. Максимальное рабочее напряжение. Важным параметром является максимальное рабочее напряжение, которое способен выдерживать транзистор. Если заменяемый B647 транзистор работал с высоким напряжением, необходимо выбрать аналог с аналогичными характеристиками.

3. Максимальный ток коллектора. Ток коллектора указывает на максимальное значение тока, которое может протекать через коллектор. При выборе аналога необходимо учитывать максимальный ток, чтобы избежать перегрузки нового транзистора.

4. Коэффициент усиления. Коэффициент усиления указывает на способность транзистора усиливать входные сигналы. При замене B647 на аналог необходимо выбрать транзистор с подобным коэффициентом усиления, чтобы сохранить работы системы.

5. Физический размер

Обратите внимание на физические размеры аналогового транзистора. Он должен соответствовать физическим размерам заменяемого B647 транзистора, чтобы правильно установить его в системе

Правильный выбор аналога транзистора обеспечит правильную работу системы и избежание проблем совместимости. При замене не забудьте соблюдать все рекомендации и требования производителей.

Электрические характеристики

Идеализированные характеристики биполярного транзистора.

Ic / Vbe характеристика биполярного транзистора.

На рисунке напротив показана форма характеристики I _c / V _ce . Есть два основных направления:

• зона насыщения: для напряжений V _ce <1  В  ; в этой зоне I _c зависит как от V _{ce, так} и от I _b (напряжение V _ce sat обычно составляет от 0,2  В до Uj (Uj = 0,7  В ));
• линейная зона: ток коллектора практически не зависит от V _ce , он зависит только от I _b .

Когда транзистор работает в линейной зоне, его можно рассматривать как усилитель тока: выходной ток Ic пропорционален входному току I b . Отношение I c / I b , называемое коэффициентом усиления транзистора по току , является одной из основных характеристик последнего; обычно обозначается греческой буквой β. Β изображенного транзистора равно 100

Важно учитывать тот факт, что для данного транзистора β изменяется в зависимости от температуры. Кроме того, β транзисторов одного типа демонстрируют большую дисперсию. Это заставляет конструкторы указывать классы усиления

Если мы возьмем, например, широко используемый транзистор, такой как BC107, коэффициент усиления по току варьируется от 110 до 460. Затем производитель тестирует транзисторы после изготовления и добавляет букву после числа, чтобы указать класс усиления A, B, VS .. .

Это заставляет конструкторы указывать классы усиления. Если мы возьмем, например, широко используемый транзистор, такой как BC107, коэффициент усиления по току варьируется от 110 до 460. Затем производитель тестирует транзисторы после изготовления и добавляет букву после числа, чтобы указать класс усиления A, B, VS .. .

Рисунок I _c / V _be показывает, что для транзистора, работающего в зоне насыщения, напряжение V _be меняется очень мало. Ниже V _be = 0,65  В транзистор не проводит ток. Когда это значение превышено, называемое пороговым напряжением, ток коллектора увеличивается экспоненциально. Таким образом, показано, что ток коллектора Ic равен , где I _s соответствует току насыщения перехода база-эмиттер и раннему напряжению.
япротивзнак равноβяs1+VпротивеVEВexp⁡(VбеVтчас){\ displaystyle I_ {c} = \ beta \, I_ {s} \, \ left \, \ exp \ left ({ \ frac {V_ {be}} {V_ {th}}} \ right)}VEВ{\ displaystyle V_ {EA}}

На практике V _be обычно составляет от 0,65  В (для I _c в несколько мА) до 1  В (для силовых транзисторов с большим I _c , например 1  А ).

Помимо коэффициента усиления по току, для определения работы транзистора используются некоторые другие электрические характеристики:

• его переходная частота , характерная для его рабочей скорости (доступное произведение диапазона усиления); чем больше транзистор может достичь высокой крутизны при низкой емкости, тем выше частота перехода; Благодаря техническому прогрессу сегодня мы достигаем десятков гигагерц. Биполярные транзисторы в этом отношении превосходят полевые транзисторы.FТ{\ displaystyle F_ {T}}FТ{\ displaystyle F_ {T}}
• его раннее напряжение , тем более что транзистор ведет себя как идеальный источник тока; Сопротивление эмиттер-коллектор соответствует соотношению между начальным напряжением и током коллектора.VEВ{\ displaystyle V_ {EA}}
• его крутизна (напряжение-коэффициент усиления по току или наклон активного компонента), непосредственно связан с током коллектора (в первом приближении, она равна где есть тепловое напряжение ). Конечно, поскольку каждый транзистор предназначен для правильной работы в определенном диапазоне тока, нет необходимости увеличивать ток сверх определенного предела для увеличения усиления.грамммзнак равнояпротивVтчас{\ displaystyle g_ {m} = I_ {c} / V_ {th}} Vтчасзнак равноkТq{\ Displaystyle V_ {th} = kT / q}

CZT5401 Datasheet (PDF)

0.1. czt5401e.pdf Size:534K _central

CZT5401Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5401E is a PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage.MARKING: FULL PART NUMBERFEATURES: High Collector Breakdown Voltage 250VSOT-223 CASESOT-223

0.2. czt5401.pdf Size:614K _secos

CZT5401PNP Transistor Elektronische BauelementeEpitaxial Planar TransistorRoHS Compliant ProductSOT-223Description The CZT5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages.REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. C 2.90 3.10 J 2.30 REF. 5 4 0 1D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 Date CodeE 0 10 2 6.30 6.70 I 0.60 0.80 3 3.3

 0.3. czt5401.pdf Size:313K _kexin

SMD Type TransistorsPNP TransistorsCZT5401 (KZT5401)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 High Voltage High Voltage Amplifier Application1 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO -160 Coll

DMMT5401 Datasheet (PDF)

0.1. dmmt5401.pdf Size:111K _diodes

DMMT5401 MATCHED PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-26 Complementary NPN Type Available (DMMT5551) E1 E2 C2Dim Min Max Typ Ideal for Low Power Amplification and Switching A 0.35 0.50 0.38 Intrinsically Matched PNP Pair (Note 1) B CB 1.50 1.70 1.60 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)

0.2. dmmt5401.pdf Size:1336K _kexin

SMD Type TransistorsPNP TransistorsDMMT5401 (KMMT5401)( )SOT-23-6 Unit:mm+0.10.4 -0.1 Features5 46 Epitaxial Planar Die Construction Complementary NPN Type Available (DMMT5551) Ideal for Medium Power Amplification and Switching Intrinsically Matched PNP Pair (Note 1)2 31 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)+0.020.15 -0.02+0.0

 9.1. dmmt5551 dmmt5551s.pdf Size:114K _diodes

DMMT5551/DMMT5551S MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-26 Complementary PNP Type Available (DMMT5401) Dim Min Max Typ Ideal for Low Power Amplification and Switching A 0.35 0.50 0.38 Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) B CB 1.50 1.70 1.60 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)

9.2. dmmt5551.pdf Size:1286K _kexin

SMD Type TransistorsNPN TransistorsDMMT5551 (KMMT5551)( )SOT-23-6 Unit:mm0.4+0.1 Features -0.1 Epitaxial Planar Die Construction6 5 4 Complementary PNP Type Available (DMMT5401) Ideal for Low Power Amplification and Switching Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)2 31 Lead Free/RoHS Compliant

2SB647 Datasheet PDF — Renesas Technology

Part Number	2SB647
Description	Silicon PNP Epitaxial
Manufacturers	Renesas Technology
Logo
There is a preview and 2SB647 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 8 Pages

Preview 1 page No Preview Available ! To all our customers Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp. The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (flash memory, SRAMs etc.) Accordingly, although Hitachi, Hitachi, Ltd., Hitachi Semiconductors, and other Hitachi brand names are mentioned in the document, these names have in fact all been changed to Renesas Technology Corp. Thank you for your understanding. Except for our corporate trademark, logo and corporate statement, no changes whatsoever have been made to the contents of the document, and these changes do not constitute any alteration to the contents of the document itself. Renesas Technology Home Page: http://www.renesas.com www.DataSheet4U.com Renesas Technology Corp. Customer Support Dept. April 1, 2003

Maximum Collector Dissipation Curve 1.2 0.8 0.4 0 50 100 150 Ambient Tmperature Ta (°C) –500 –200 –100 Typical Transfer Characteristics VCE = –5 V Pulse –50 –20 –10 –5 –2 –1 0 –0.2 –0.4 –0.6 –0.8 –1.0 Base to Emitter Voltage VBE (V) 2SB647, 2SB647A Typical Output Characteristics –1.0 –120 –100 –0.8 –80 –60 –0.6 –4–030–20 –0.4 –10–5–2 –0.2 PC = 0.9 W –1 –0.5mA IB = 0 0 –2 –4 –6 –8 –10 Collector to Emitter Voltage VCE (V) DC Current Transfer Ratio vs. Collector Current 600 VCE = –5 V Pulse 500 400 300 Ta = 75°C 25 200 –25 100 –1 –3 –10 –30 –100 –300 –1,000 Collector Current IC (mA) Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 2SB647 electronic component.

Information	Total 8 Pages
Link URL
Product Image and Detail view	1. 120V, 1A, Silicon PNP Transistor
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Datasheet Download — Unisonic Technologies

Номер произв	2N5401
Описание	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
Производители	Unisonic Technologies
логотип
1Page No Preview Available ! UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2N5401 PNP SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR 1 FEATURES * Collector-emitter voltage: VCEO = -150V * High current gain SOT-89 1 TO-92 *Pb-free plating product number:2N5401L ORDERING INFORMATION Order Number Normal Lead Free Plating 2N5401-x-AB3-R 2N5401L-x-AB3-R 2N5401-x-T92-B 2N5401L-x-T92-B 2N5401-x-T92-K 2N5401L-x-T92-K Package Pin Assignment 123 SOT-89 BCE www.DataSheet4U.com TO-92 EBC TO-92 EBC Packing Tape Reel Tape Box Bulk 2N5401L-x-AB3-R (1)Packing Type (2)Package Type (3)Rank (4)Lead Plating (1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel (2) AB3: SOT-89, T92: TO-92 (3) x: refer to Classification of hFE (4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn www.unisonic.com.tw Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd 1 of 4 QW-R201-001,D No Preview Available ! 2N5401 PNP SILICON TRANSISTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°C , unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Collector-Base Voltage VCBO -160 V Collector-Emitter Voltage VCEO -150 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -600 mA Collector Dissipation TO-92 625 mW SOT-89 PC 500 mW Junction Temperature TJ +150 Storage Temperature TSTG -55 ~ +150 Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified) PARAMETER Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current DC Current Gain(Note) Collector-Emitter Saturation Voltage SYMBOL BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO hFE1 hFE2 hFE3 VCE(SAT) Base-Emitter Saturation Voltage VBE(SAT) Current Gain Bandwidth Product fT Output Capacitance Cob Noise Figure NF Note: Pulse test: PW<300µs, Duty Cycle<2% TEST CONDITIONS Ic = -100µA, IE = 0 Ic = -1mA, IB = 0 IE = -10µA, Ic = 0 VCB = -120V, IE = 0 VEB = -3V, Ic = 0 VCE = -5V, Ic = -1mA VCE = -5V, Ic = -10mA VCE = -5V, Ic = -50mA Ic = -10mA, IB = -1mA Ic = -50mA, IB = -5mA Ic = -10mA, IB = -1mA Ic = -50mA, IB = -5mA VCE = -10V, Ic = -10mA f = 100MHz VCB = -10V, IE = 0, f = 1MHz Ic = -0.25mA, VCE = -5V Rs = 1kΩ, f = 10Hz ~ 15.7kHz CLASSIFICATION OF hFE RANK RANGE A 80-170 B 150-240 MIN TYP MAX UNIT -160 V -150 V -6 V -50 nA -50 nA 80 80 400 80 -0.2 V -0.5 -1 -1 V 100 400 MHz 6.0 pF 8 dB C 200-400 UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD www.unisonic.com.tw 2 of 4 QW-R201-001,D No Preview Available ! 2N5401 TYPICAL CHARACTERISTICS Capacitance vs. Collector- Base Voltage 20 16 f= 1M H z 12 IE=0 8 4 -10 — 101 -102 Collector-Base Voltage (V) Collector Current vs. Base-Emitter Voltage -103 -102 VCE =-5 V -101 -10 0 -0.2 -0.4 -0 .6 -0 .8 -1.0 Base-Emitter V oltage (V) Current Gain-B andwidth Product vs. Collector Current 103 V CE=- 10V 102 101 10 -10-1 -10-101 -10 2 -10 3 Collector Current, Ic(mA) UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD www.unisonic.com.tw PNP SILICON TRANSISTOR DC Current Gain vs. Collector Current 103 V CE=-5V 102 10 1 10 -10 -1 -10 -101 -102 -103 Collector Current , Ic (mA) Saturation Voltage vs. Collector Current -10 1 I C= 10* IB -10 VBE(SAT) -10 -1 VCE (SAT) -10 -2 — 10-1 -10 -101 -102 -103 Collector Current , Ic (mA) 3 of 4 QW-R201-001,D
Всего страниц	4 Pages
Скачать PDF

Как выбрать подходящий аналог для замены транзистора B647?

Замена транзистора B647 может потребоваться в случае его повреждения или недоступности

Подбор подходящего аналога имеет важное значение для обеспечения нормальной работы устройства, поэтому следует учесть несколько ключевых факторов

1. Характеристики транзистора: Перед выбором аналога необходимо изучить характеристики транзистора B647, включая его максимальное рабочее напряжение и ток, коэффициент усиления, мощность и положение выводов. Имея подобные данные, у вас будет возможность сузить круг аналогов и выбрать более подходящую замену.

2. Каталоги производителей: Обратитесь к каталогам производителей электронных компонентов, таких как Texas Instruments, ON Semiconductor, Fairchild Semiconductor и других. Используйте фильтры по параметрам, чтобы найти аналоги транзистора B647 с похожими характеристиками.

3. Опыт пользователей и форумы: Просмотрите специализированные форумы и ресурсы, где люди обсуждают замену электронных компонентов. Это может помочь найти рекомендации от опытных пользователей или специалистов, которые уже сталкивались с аналогичными ситуациями.

4. Консультация специалистов: Если вы не уверены в выборе аналога или не можете найти подходящую замену самостоятельно, обратитесь к специалисту или инженеру, работающему в области электроники. Они смогут помочь вам правильно подобрать аналог транзистора B647, исходя из спецификаций вашего устройства.

Важно помнить, что замена транзистора B647 аналогом может потребовать некоторых изменений в схеме или настройке устройства. Рекомендуется тщательно проверить совместимость аналога с вашим устройством и провести необходимые доработки или настройки, чтобы гарантировать его правильную работу

Проверка и настройка после замены

После замены B647 транзистора необходимо выполнить проверку и настройку, чтобы убедиться в правильной работе и исправности устройства. Вот несколько основных шагов, которые следует выполнить после замены:

1. Подключите устройство к источнику питания и включите его. Убедитесь, что нет никаких вспышек или взрывов, которые могли бы указывать на проблемы с подключением или неисправностью других компонентов.

2. Проверьте работу устройства, с которым связан заменяемый транзистор. Убедитесь, что все функции и режимы работы работают должным образом. Если возникают проблемы, внимательно просмотрите схему и инструкции по настройке устройства.

3. Измерьте напряжение на выводах замененного транзистора с помощью мультиметра. Убедитесь, что напряжение соответствует спецификациям и не превышает допустимых значений. Если вы обнаружите какие-либо аномалии или несоответствия, перепроверьте подключение и приведите его в соответствие с требованиями схемы.

4. Проверьте температуру замененного транзистора. Если транзистор нагревается слишком сильно или не так, как ожидалось, это может указывать на проблемы с охлаждением или неправильную подборку компонентов. Проверьте систему охлаждения и убедитесь, что она работает эффективно. Если требуется, примите меры для улучшения охлаждения или замены транзистора на другую модель с меньшими тепловыми потерями.

5. Проведите тесты на надежность и долговечность устройства после его работы в течение некоторого времени. Убедитесь, что все параметры и функции устройства остаются стабильными и не ухудшаются с течением времени. Если возникают какие-либо проблемы или отклонения, попытайтесь их выяснить и исправить в соответствии с требованиями производителя.

6. И, наконец, не забудьте протестировать устройство в реальных условиях или смотреть его работу на реальных образцах, если такая возможность есть. Это поможет убедиться, что устройство работает правильно и ожидаемым образом в реальной эксплуатации.

Проверка и настройка после замены B647 транзистора очень важны для обеспечения исправной работы устройства и предотвращения дополнительных проблем или повреждений. Следуйте указанным выше шагам и обратитесь к производителю или специалисту, если возникнут какие-либо вопросы или проблемы.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока от 15 и выше.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер – 60 в, импульсное – 160 в – у КТ805А, КТ805АМ. 135 в – у КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ – не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – 5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ – не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – 5 в.

Максимальный ток коллектора. – 5 А.

Обратный импульсный ток коллектора при сопротивлении база-эмиттер 10Ом и температуре окружающей среды от +25 до +100 по Цельсию, у транзисторов КТ805А, КТ805АМ – – не более 60 мА, при напряжении колектор-эмиттер 160в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – – не более 70 мА, при напряжении колектор-эмиттер 135в.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более – 100 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора(с теплоотводом). – 30 Вт.

Граничная частота передачи тока – 20 МГц.

Транзисторы КТ805 и качер Бровина.

Качер Бровина – черезвычайно популярное устройство, представляющее из себя фактически, настольный трансформатор Тесла – источник высокого напряжения. Схема самого генератора предельно проста – он очень напоминает обычный блокинг-генератор на одном транзисторе, хотя как утверждают многие, им вовсе не является.

В качере(как в общем-то и в блокинг-генераторе) теоретически, можно использовать любые транзисторы и радиолампы. Однако, практически очень неплохо себя зарекомендовали именно транзисторы КТ805, в частости – КТ805АМ.

В самостоятельной сборке качера самый серьезный момент – намотка вторичной обмотки(L2). Как правило она содержит в себе от 800 до 1200 витков. Намотка производится виток, к витку проводом диаметром 0,1 – 0,25 мм на диэлектрическое основание, например – пластиковую трубку. Соответствено, габариты полученного трансформатора (длина) напрямую зависят от толщины используемого провода. Диаметр каркаса при этом некритичен – может быть от 15мм, но при его увеличении эффективность качера должна возрастать (как и ток потребления).

После намотки витки покрываются лаком(ЦАПОН). К неподключенному концу катушки можно подсоединить иглу – это даст возможность наблюдать «стример» – коронообразное свечение, которое возникнет на ее кончике, во время работы устройства. Можно обойтись и без иглы – стример точно так же будет появляться на конце намоточного провода, без затей отогнутого к верху.

Вторичная обмотка представляет из себя бескаркасный четырехвитковой соленоид намотаный проводом диаметром(не сечением!) от 1,5 до 3 мм. Длина этой катушки может составлять от 7-8 до 25-30 см, а диаметр зависит от расстояния между ее витками и поверхностью катушки L2. Оно должно составлять 1 – 2 см. Направление витков обеих катушек должно совпадать обязательно.

Резисторы R1 и R2 можно взять любого типа с мощностью рассеивания не менее 0,5 Вт. Конденсатор C1 так же любого типа от 0,1 до 0,5 мФ на напряжение от 160 в. При работе от нестабилизированного источника питания необходимо подсоединить параллельно C1 еще один, сглаживающий конденсатор 1000 – 2000 мФ на 50 в. Транзистор обязательно устанавливается на радиатор – чем больше, тем лучше.

Источник питания для качера должен быть рассчитан на работу при токе до 3 А (с запасом), с напряжением от 12 вольт, а желательно – выше. Будет гораздо удобнее, если он будет регулируемым по напряжению. Например, в собранном мной образце качера, при диаметре вторичной катушки 3 см (длина – 22см), а первичной – 6см (длина – 10 см) стример возникал при напряжении питания 11 в, а наиболее красочно проявлялся при 30 в. Причем, обычные эффекты, вроде зажигания светодиодных и газоразрядных ламп на расстоянии, возникали уже с начиная с уровня напряжения – 8 в.

В качестве источника питания был использован обычный ЛАТР + диодный мост + сглаживающий электролитический конденсатор 2000 мФ на 50 в. Больше 30 вольт я не давал, ток при этом не превышал значения в 1 А, что более чем приемлимо для таких транзисторов как КТ805, при наличии приличного радиатора.

При попытке заменить(из чистого интереса) КТ805 на более брутальный КТ8102, обнаружилось что режимы работы устройства значительно поменялись. Заметно упал рабочий ток. Он составил всего – от 100 до 250 мА. Но стример стал загораться только при достижения предела напряжения 24 в, при напряжении 60 в выглядя гораздо менее эффектно, нежели с КТ805 при 30.

2n5401 transistor brief description

2n5401 is a PNP BJT transistor capable to handle high voltages, most of the applications based on 2n5401 are general purpose switching and amplifier circuits.

The collector to base voltage is -160V, collector to emitter voltage is -150V, and emitter to base voltage is -5v, this is the reason why 2n5401 is called the high voltage transistor.

The maximum collector current of 2n5401 is -600mA, the current value shows that 2n5401 is a moderate level transistor, which is capable of general-purpose applications.

The current gain range of 2n5401 is 60 to 240hFE, the magnifying level of this transistor is good.

The power dissipation of 2n5401 is 625mW, the dissipation value shows it is a low power transistor, so we can use it at any general-purpose application.

The noise figure range of 2n5401 is 8dB, the maximum noise value shows that 2n5401 has better noise at amplifier circuit applications.

The transition frequency value at 2n5401 is 400MHz, the frequency value shows the capability of this transistor at switching and amplifier circuits.

The junction temperature value at 2n5401 is -55 to +150°C, so the transistor had a good range of heat capacity.

Equivalent for 2n5401 transistor

The transistors such as 2SA1319, 2SA1625, KTA1275, 2SC2909, and 2SA709 are the perfect equivalent for the 2n5401 PNP transistor type.

Each of the transistors on this list had identical pinout details but different electrical specifications, so at the replacement process you need to check voltage and current value before exchanging.

NPN complementary transistor for 2n5401

2n5551 is the NPN complementary component for the 2n5401 transistor, the 2n5551 transistor had similar electrical and physical characteristics to 2n5401.

Как провести проверку аналога для замены B647 транзистора?

При замене транзистора B647 можно использовать аналог, но перед этим необходимо проверить, что выбранный аналог соответствует требуемым параметрам и характеристикам. Для проведения этой проверки следуйте следующим шагам:

1. Определите требуемые параметры: Перед тем как искать аналог, определите требуемые параметры, которым должен соответствовать заменяемый транзистор. Это могут быть напряжение коллектора, ток коллектора, коэффициент усиления, частотные характеристики и другие.
2. Подберите подходящий аналог: Используйте специализированные электронные ресурсы, каталоги или программы для подбора аналога. Введите требуемые параметры в поисковую систему и получите список подходящих аналогов.
3. Проверьте документацию: Проверьте документацию выбранных аналогов и убедитесь, что они соответствуют требуемым параметрам и характеристикам. Изучите листы данных, сравните их с информацией о заменяемом транзисторе B647.
4. Учтите особенности монтажа: Помимо электрических характеристик, учтите также физические параметры аналога, такие как форма корпуса, количество выводов и расположение выводов. Убедитесь, что аналог легко подойдет для монтажа в вашей схеме.
5. Испытания и проверка: Если вы выбрали аналог, купите одну или несколько деталей для проведения испытаний. Поместите аналог в схему и проверьте его работоспособность. Убедитесь, что он выполняет свои функции и не вызывает проблем с другими компонентами в схеме.

При проведении проверки аналога для замены B647 транзистора не забывайте о том, что подбор аналога с определенными характеристиками может потребовать дополнительное время и исследование. Тщательно проверяйте рекомендации производителя, особенности вашей схемы и требования вашего проекта.