Datasheet on semiconductor 2n5551g

Недорогие аналоги транзистора 2n5551

В случае, если вам требуется недорогой аналог транзистора 2n5551, есть несколько вариантов, которые можно рассмотреть:

Цены на аналоги могут варьироваться в зависимости от поставщика и региона. Рекомендуется сравнить предложения разных продавцов для получения наилучшей цены.

Важно отметить, что при замене транзистора необходимо учитывать его характеристики, такие как максимальное рабочее напряжение и максимальный ток коллектора. Необходимо убедиться, что выбранный аналог обладает аналогичными или более высокими параметрами

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Виды записи

Производители транзисторов применяют два основных типа шифрования – это цветовая и кодовая маркировки. Однако ни один, ни другой не имеют единых стандартов. Каждый завод, производящий полупроводниковые приборы (транзисторы, диоды, стабилитроны и т. д.), принимает свои кодовые и цветовые обозначения. Можно встретить транзисторы одной группы и типа, изготовленные разными заводами, и маркированы они будут по-разному. Или наоборот: элементы будут различными, а обозначения на них – идентичными. В таких случаях различать их можно только по дополнительным признакам. Например, по длине выводов эмиттера и коллектора либо по окраске противоположной (или торцевой) поверхности. Маркировка полевых транзисторов ничем не отличается от меток на других приборах. Такая же ситуация и с полупроводниковыми элементами зарубежного производства: каждым заводом-изготовителем применяются свои типы обозначений.

Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.

У транзисторов,разработанных до 1964
года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно,
транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала
модернизацию.

Второй элемент обозначения — одно, двух или
трехзначное число, которое определяет порядковый
номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала,
значениям допустимой рассеиваемой мощности и
граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и
СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии.
Например: МП42 — транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки — 42
П401 — транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки — 1.

Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года.
Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных
полупроводниковых приборов, в частности — полевых транзисторов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй элемент — буква Т, означает биполярный
транзистор, буква П — транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты.
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные
и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения —
определяют порядковый номер разработки.
Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор,
маломощный, высокочастотный,подкласс А.
С 1978 года были введены изменения,
первые два символа обозначающие материал
и подкласс транзистора остались преждними.
Изменения коснулись обозначения функциональных
возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2- транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов.
Для обозначения порядкового номера разработки
используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака).
Для дополнительной классификации используют
буквы русского алфавита, от А до Я.
Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента — обозначения модификаций бескорпусных транзисторов:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя.
2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе.
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя.
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе.
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения,
маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
В общем, — без хорошего каталога не разберешься.

2N5551: Характеристики транзистора, аналоги, цоколевка

Транзистор 2N5551, по техническим характеристикам, может использоваться в переключающих схемах, например, в телефонии, а также в усилителях общего назначения.

Цоколевка

Чаще всего производители изготавливают 2N5551 в корпусе ТО-92, но иногда его также можно найти в упаковке SOT-23 (маркируется как «G1») или SOT-89 (маркируется как «1G6»). Если расположить транзистор в упаковке ТО-92 так, чтобы смотреть прямо на маркировку, а выводы были внизу, то ножки расположатся в следующем порядке, слева направо: эмиттер, база, коллектор. Внешний вид 2N5551, цоколевка, геометрические размеры и расположение ножек представлены на рисунке.

Технические характеристики

В первую очередь рассмотрим максимально допустимые технические характеристики. Работа транзистора при значениях, больших предельно допустимых, приведёт к выходу устройства из строя. Именно на эти параметры нужно обращать при разработке своих конструкций и выборе устройства для замены. Все измерения были проведены при стандартной температуре +25°С.

Для 2N5551 эти характеристики равны:

• напряжение К-Б: V_CBO = 180 В;
• напряжение К-Э: V_CEO = 160 В;
• напряжение Э-Б: V_EBO = 6 В;
• ток коллектора I_C = 600 мА;
• мощность, рассеиваемая на коллекторе
• в корпусе ТО-92: Р_С = 625 мВт;
• в корпусе SOT-23: Р_С = 350 мВт.
• коэффициент снижения мощности при повышении температуры
• в корпусе ТО-92: 5 мВт/°С;
• в корпусе SOT-23: 2,8 мВт/°С.
• тепловое сопротивление кристалл-корпус 83,3 °С/Вт;
• тепловое сопротивление кристалл-воздух
• в корпусе ТО-92: 200 °С/Вт;
• в корпусе SOT-23: 357 °С/Вт.
• температура кристалла: T_j = 150°С;
• диапазон температур хранения: Tstg = -55 … 150°С.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических величин. Именно от них зависят возможности транзисторов. Также, как и для максимальных, они измеряются при температуре +25°С.

180

В
Напряжение Э — Б(пробой)
I_E= 10 мкA, I_C= 0
V_(BR)EBO
6

В

Ток К – Б (направление обратное)
V_CВ = 120 В, I_Е = 0
I_CВO

50
нА

Т_а = 100 °С

50
мкА

Ток Э –Б (направление обратное)
V_EB = 4 В, I_C = 0
I_EBO

50
нА

Коэффициент усиления
V_CE=5 В,I_C= 1 мA
h_FE
80
250

V_CE=5 В,I_C= 10 мA
80

V_CE=5 В,I_C= 50 мA
30

Разность потенциалов насыщения коллектор-эмиттер

I_C=10 мA, I_B=1 мA
V _CE(sat)

0,15
В

I_C=50 мA, I_B=5 мA
0,2

Разность потенциалов насыщения база-эмиттер
I_C=10 мA, I_B=1 мA
V _ВE(sat)

1
В

I_C=50 мA, I_B=5 мA
1

Граничная частота к-та передачи тока
V_CE=10В, I_C= 10мA, f=100 МГц
f_T
100
300
МГц

Выходная коллекторная ёмкость
V_CВ= 10 В, I_Е= 0мA, f = 1МГц
C_ob

6
пФ

Аналоги

Транзистор 2N5551 имеет полные аналоги среди зарубежных:

• 2N5550;

• NTE194.

Существует также российские устройство с похожими параметрами КТ6117А. Комплементарная пара – 2N5401.

Производители

Крупнейшими производителями 2N5551 являются следующие устройства (datasheet скачать кликнув по названию):

• Daya Electric Group;
• Unisonic Technologies;
• KEC(Korea Electronics);
• Bruckewell Technology;
• AUK corp;
• Inchange Semiconductor Company;
• First Silicon;
• SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
• Jiangsu Changjiang Electronics Technology.

В отечественных магазинах можно найти продукцию таких компаний:

• Multicomp;
• Dc Components;
• Fairchild Semiconductor;
• ON Semiconductor;
• Diotec Semiconductor.

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N5551.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N5551 .Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.Можно попробовать заменить транзистор 2N5551транзистором 2N5175;
транзистором 2N5550;
транзистором BFQ22;
транзистором ECG194;

транзистором LBC546B;
транзистором BC445;
транзистором BC537-16;
транзистором BC449-5;
транзистором BC449-18;
транзистором BC449A;
транзистором BC537-10;
транзистором BC447B;
транзистором BC447A;
транзистором BC447-5;

Принцип работы стабилитрона

Рассмотрим принцип работы стабилитрона на примере схемы его включения и вольт-амперной характеристике. Для выполнения своей основной функции стабилитрон VD соединяется последовательно с резистором Rб и вместе они подключаются к источнику входного нестабилизированного напряжения Uвх. Уже стабилизированное выходное напряжение Uвых снимается только с выводов 2, 3 VD. Поэтому нагрузка Rн подключается к соответствующим точкам 2 и 3. Как видно из схемы, VD и Rб образуют делитель напряжения. Только сопротивление стабилитрон имеет не постоянно значение и называется динамическим, поскольку зависит от величины электрического тока, протекающего через полупроводниковый прибор.

Величина напряжения Uвх, подаваемого на стабилитрон с резисторов должна быть выше на минимум на пару вольт выходного напряжения Uвых, в противном случае полупроводниковый прибор VD не откроется и не сможет выполнять свою основную функцию.

Допустим, в какой-то произвольный момент времени на выходах 1 и 3 значение Uвх начало возрастать. В схеме начнут протекать следующие процессы. С ростом напряжения согласно закону Ома начнет возрастать ток, назовем его входным током Iвх. С увеличением ток возрастет падение напряжения на резисторе Rб, а на VD она останется неизменным (это будет пояснено далее на характеристике), поэтому и Uвых останется на прежнем уровне. Следовательно, прирост входного напряжения упадет или погасится на резисторе Rб. Поэтому Rб называют гасящим или балластным.

Теперь, допустим, изменилась нагрузка, например, снизилось сопротивление Rн, соответственно возрастет и ток Iн. В этом случае снизится ток, протекающий стабилитрон Iст, а Iвх останется практически без изменений.