Транзистор 2n7002: характеристики, аналоги и маркировка

2SC2078 Datasheet (PDF)

..1. 2sc2078.pdf Size:111K _sanyo

Ordering number:EN462ENPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC207827MHz RF Power Amplifier ApplicationsPackage Dimensionsunit:mm2010C1 : BaseJEDEC : TO-220AB2 : CollectorEIAJ : SC-463 : EmitterSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 80 VCollector-to-Emitter Voltage VCE

..2. 2sc2078.pdf Size:239K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2078 DESCRIPTION Collector-Emitter Voltage- :VCER= 75V(Min) ;RBE=150 Collector Current- :IC=3A APPLICATIONS 27MHz RF Power Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 80 V VCER Collector-Emitter Voltage RBE=15

8.1. 2sc2073a.pdf Size:154K _toshiba

8.2. 2sc2075.pdf Size:152K _toshiba

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

8.3. 2sc2076.pdf Size:57K _no

8.4. 2sc2073.pdf Size:218K _lge

2SC2073(NPN) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Wide safe Operating Area. Complementary to 2SA940 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Paramenter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Voltage 150 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC C

8.5. st2sc2073u.pdf Size:632K _semtech

ST 2SC2073U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor General purpose amplifier and high voltage application Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 160 V Collector Emitter Voltage VCEO 160 V Emitter Base Voltage VEBO 7 V Collector Current IC 1 APeak Collector Current (Single pulse, tp = 300 s) ICP 2 A0.5 Ptot W To

8.6. 2sc2073 3da2073.pdf Size:215K _foshan

2SC2073(3DA2073) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, vertical output applications. :, 2SA940(3CA940) Features: Wide Safe Operating Area, complementary to 2SA940(3CA940). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

8.7. 2sc2073a 3da2073a.pdf Size:221K _foshan

2SC2073A(3DA2073A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, vertical output applications. :, 2SA940A(3CA940A) Features: Wide Safe Operating Area, complementary to 2SA940A(3CA940A). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

8.8. 2sc2073.pdf Size:192K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2073DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = 150V(Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SA940Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Vertical output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

8.9. 2sc2075.pdf Size:192K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2075DESCRIPTIONHigh transition frequencyWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS27MHz Power Amplifier ApplicationsRecommended for output stage applicationof AM 4W transmitterABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collect

Другие транзисторы… 2SC2068
, 2SC2069
, 2SC207
, 2SC2070
, 2SC2071
, 2SC2073
, 2SC2075
, 2SC2076
, A733
, 2SC2078B
, 2SC2078C
, 2SC2078D
, 2SC2078E
, 2SC2079
, 2SC208
, 2SC2080
, 2SC2081
.

Советская «силиконовая долина»

В советское время, в начале 60-х годов, город Зеленоград стал плацдармом для организации в нем Центра микроэлектроники. Советский инженер Щиголь Ф. А. разрабатывает транзистор 2Т312 и его аналог 2Т319, который в последующем стал главным компонентом гибридных цепей. Именно этот человек заложил основу для выпуска в СССР германиевых транзисторов.

В 1964 году на базе Научно-исследовательского института точных технологий создал первую интегральную микросхему IC-Path с 20 элементами на кристалле, выполняющую задачу совокупности транзисторов с резистивными соединениями. В это же время появилась другая технология: были запущены первые плоские транзисторы «Плоскость».

В 1966 году в Пульсарском научно-исследовательском институте начала действовать первая экспериментальная станция по производству плоских интегральных микросхем. В NIIME группа доктора Валиева начала производство линейных резисторов с логическими интегральными схемами.

В 1968 году Исследовательский институт Пульсар произвел первую часть тонкопленочных гибридных ИС с плоскими транзисторами с открытой рамой типов KD910, KD911, KT318, которые предназначены для связи, телевидения, радиовещания.

Линейные транзисторы с цифровыми ИС массового использования (типа 155) были разработаны в Научно-исследовательском институте МЭ. В 1969 году советский физик Алферов Ж. И. открыл миру теорию по управлению электронными и световыми потоками в гетероструктурах на базе арсенид-галлиевой системы.

↑ Техническое задание

Как всегда, считаю, что любительская конструкция, как правило, должна быть простой, дешевой, технологичной, состоять из недефицитных деталей. Кроме того, я давно пришел к выводу, что для подобных целей лучше делать небольшие простые платы без блока питания, без цифрового индикатора, без сложного корпуса. Достаточно предусмотреть зажимы для подключения внешнего лабораторного регулируемого блока питания, индикатора в виде простого цифрового тестера или стрелочного прибора, при необходимости — осциллографа и т. п.

Такие приборы быстро делаются и переделываются, а главное — они работают и приносят пользу. Если же задумать многофункциональный самодостаточный прибор в отдельном красивом корпусе, он обычно так и останется в прожектах. Кроме того, если прибор сделан, вдруг оказывается, что надо добавить еще одну функцию, например, капацитовизор, а места на передней панели уже нет и дизигн надо портить… Поэтому я считаю, что неказистые любительские узкофункциональные изделия имеют право на жизнь.

Итак, задумана проверка кремниевых транзисторов в режиме — ток 200 мА, напряжение К-Э = 2 В. Оперативно можно изменять ток в диапазоне примерно 150…300 мА, напряжение К-Э до 5…7 В. Можно проверять (чуть изменив настройки) составные транзисторы с двумя последовательными P-N переходами.

Тумблером можно изменить ток, например, в 10 раз. Это позволит проверять и маломощные транзисторы при токе 15…30 мА (заменой одного резистора можно установить любой разумный ток). Важным считаю удобство подключения любых транзисторов. Для транзисторов КТ814-819 на плате стоят панельки, для мощных транзисторов в корпусах типа ТО-247, ТО-3Р, есть зажимы. В них устанавливают провода с «крокодилами», которые позволяют подключать транзисторы в корпусе ТО-3, любые транзисторы с гнутыми паяными выводами и т. д.

Изменение напряжения К-Э осуществляется внешним источником питания, цель – проверка идентичности режимов при большем напряжении и значительном нагреве транзисторов. При 5 В и 200 мА получаем предельную мощность для КТ814 без теплоотвода — 1 Вт. Для бОльших корпусов без теплоотводов тепловая мощность обычно = 2 Вт.

Легко заметить, что усиление транзистора зависит в некоторых пределах как от напряжения, так и от температуры, поэтому определение абсолютного значения усиления транзистора с помощью микропроцессора с точностью до седьмого знака, не имеет смысла. По этой причине выбрано простейшее схемное решение, которое дает достаточную для практики точность и позволяет обойтись без ОУ, МК и нескольких источников питания. Для измерения тока базы годится любой цифровой тестер, например, М-832.

CZT5401 Datasheet (PDF)

0.1. czt5401e.pdf Size:534K _central

CZT5401Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5401E is a PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage.MARKING: FULL PART NUMBERFEATURES: High Collector Breakdown Voltage 250VSOT-223 CASESOT-223

0.2. czt5401.pdf Size:614K _secos

CZT5401PNP Transistor Elektronische BauelementeEpitaxial Planar TransistorRoHS Compliant ProductSOT-223Description The CZT5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages.REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. C 2.90 3.10 J 2.30 REF. 5 4 0 1D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 Date CodeE 0 10 2 6.30 6.70 I 0.60 0.80 3 3.3

0.3. czt5401.pdf Size:313K _kexin

SMD Type TransistorsPNP TransistorsCZT5401 (KZT5401)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 High Voltage High Voltage Amplifier Application1 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO -160 Coll

DMMT5401 Datasheet (PDF)

0.1. dmmt5401.pdf Size:111K _diodes

DMMT5401 MATCHED PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-26 Complementary NPN Type Available (DMMT5551) E1 E2 C2Dim Min Max Typ Ideal for Low Power Amplification and Switching A 0.35 0.50 0.38 Intrinsically Matched PNP Pair (Note 1) B CB 1.50 1.70 1.60 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)

0.2. dmmt5401.pdf Size:1336K _kexin

SMD Type TransistorsPNP TransistorsDMMT5401 (KMMT5401)( )SOT-23-6 Unit:mm+0.10.4 -0.1 Features5 46 Epitaxial Planar Die Construction Complementary NPN Type Available (DMMT5551) Ideal for Medium Power Amplification and Switching Intrinsically Matched PNP Pair (Note 1)2 31 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)+0.020.15 -0.02+0.0

9.1. dmmt5551 dmmt5551s.pdf Size:114K _diodes

DMMT5551/DMMT5551S MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-26 Complementary PNP Type Available (DMMT5401) Dim Min Max Typ Ideal for Low Power Amplification and Switching A 0.35 0.50 0.38 Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) B CB 1.50 1.70 1.60 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)

9.2. dmmt5551.pdf Size:1286K _kexin

SMD Type TransistorsNPN TransistorsDMMT5551 (KMMT5551)( )SOT-23-6 Unit:mm0.4+0.1 Features -0.1 Epitaxial Planar Die Construction6 5 4 Complementary PNP Type Available (DMMT5401) Ideal for Low Power Amplification and Switching Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)2 31 Lead Free/RoHS Compliant

Технические характеристики 2n5401

Самыми важными, для транзистора, считаются предельно допустимые характеристики. Именно их производители приводят первыми в своей технической документации. Измерение параметров, как максимальных, так и электрических, происходит при температуре +25°С. Вот они:

напряжение К – Б U_{кб max}(V_CBO) = -160 В;
напряжение К – Э U_{кэ max}(V_CЕO) = -150 В;
напряжение Э – Б U_{эб max}(V_ЕBO) = -5 В;
ток через коллектор I_{к max} (I_C) = 600 мА;
максимальная рассеиваемая мощность без теплоотвода:
- для корпуса ТО-92 P_{к max} (P_D) = 0,625 Вт;
- для корпуса SOT-89 P_{к max} (P_D) = 0,5 Вт
- для корпуса SOT-23 P_{к max} (P_D) = 0,35 Вт.

максимальная рассеиваемая мощность с теплоотводом (корпус ТО-92) P_{к max} (P_D) = 1,5 Вт;
температура рабочая и хранения T_stg = -50 … +150°С;
предельная температура кристалла Т_j = 150°С.

Следующими по важности характеристиками являются электрические. От них также зависят функциональные возможности транзистора. При их измерении важную роль играют значения внешних параметров

В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения»

При их измерении важную роль играют значения внешних параметров. В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N5401 (при Т = +25°C)
Параметры	Обозн.	Условия измерения	min	max	Ед. изм
Напряжение пробоя К –Э	U_{кэ(проб.)}	I_К=-1,0мA, I_Б=0	-150		В
Напряжение пробоя К – Б	U_{кб(проб.)}	I_К=-100мкA, I_Э=0	-160		В
Напряжение пробоя Э – Б	U_{эб(проб.)}	I_Э=-10мкA, I_К=0	-5		В
Обратный ток коллектора	I_кбо	U_кб=-120В, I_Э=0		-50	нА
U_кб=-120В, I_Э=0, Т_А=100°С		-50	мкА
Обратный ток эмиттера	I_эбо	U_эб= — 3 В, I_К=0		-50	нА
Статический к-т передачи тока	h_21э	I_К=-1 мA, U_кэ=-5В	50	240
I_К=-10мA, U_кэ=-5В	60
I_К=-50мA, U_кэ=-5В	50
Напряжение насыщения К — Э	U_{кэ(нас.)}	I_К=-10мA, I_Б=-1мA		-0,2	В
I_К=-50мA, I_Б=-5мA		-0,5
Напряжение насыщения Б — Э	U_{бэ(нас.)}	I_К=-10мA, I_Б=-1мA		-1	В
I_К=-50мA, I_Б=-5мA		-1
Граничная частота к-та передачи тока	f_гр	U_кэ=-10B,I_К=-10мA	100	300	МГц
Ёмкость коллекторного перехода	C_к	U_кб= -10В, I_Э= 0, f= 1мГц		6	пФ
К-т шума	К_ш	I_К=-250мкA, U_кэ=-5В, R_S =1.0 кОм, f =10 Гц … 15.7 кГц		8	дБ

Зависимость коэффициента усиления по току от тока коллектора

График отображает зависимость коэффициента усиления транзистора по току (h_fe) от тока коллектора (I_c). Большую наглядность добавляет наложение нескольких кривых на один рисунок. На их положение влияют дополнительные параметры:

Т_j – рабочая температура (градусы Цельсия);
I_c – ток коллектора (mA).

Хорошо видно, что все зависимости объединены в три пары. Положение линии в паре определяет дискретное изменение значения напряжения коллектор-эмиттер: 1,0/-5,0 V. Пары на рисунке располагаются в зависимости от изменения рабочей температуры, с шагом: -55, 25 и 125 градусов Цельсия. Анализируя взаимное расположение кривых и их форму на графике, можно сделать следующие выводы:

активный радиокомпонент находится в рабочем состоянии в диапазоне температур, не менее чем от -55 до 125 градусов Цельсия;
нагревание корпуса транзистора увеличивает его коэффициент усиления, причем эта зависимость (h_fe от Т_j) имеет нелинейную форму.

В целом, видно, что транзистор обладает усилительными свойствами во всем диапазоне изменений коллекторного тока, от 0 до 100mA. Зависимость имеет плавно изменяющуюся форму, с явно видимыми спадами в районе малых токов и при приближении к максимальному значению, -100mA. Уменьшение коэффициента усиления имеет сложное физическое обоснование и объясняется структурными изменениями режимов работы полупроводниковых переходов транзистора.

Транзистор 2n5401 может применяться как активный усилительный элемент для качественного усиления электрических сигналов или переключатель для дискретного снятия/подачи напряжения.

Транзистор 2N3904: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

2N3904 – это биполярный NPN высокочастотный транзистор общего применения. Предназначен для применения в импульсных и переключающих устройствах.

Параметры транзистора 2N3904

Напряжение коллектор-база Uкбо (max): 60В
Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40В
Напряжение эмиттер-база Uэбо (max): 6В
Допустимый ток коллектора Iк (max): 0,2А
Статический коэффициент передачи тока h21э: 100…300
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.: 250МГц
Рассеиваемая мощность: 0,625Вт
Корпус: TO-92

Комплементарная пара транзистора 2N3904 — 2N3906 (PNP)

Цоколевка транзистора 2N3904

2N3904 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, слева направо — эмиттер, базf и коллектор.

Аналог 2N3904

зарубежные аналоги 2N3904: 2N4401, 2SC1008, 2SC1210, 2SC1211, 2SC815, BC537, BC538, KN2222A, KN3904, KSC1008, KSC815, KSP05, KSP06, KSP2222A, KSP8098, KSP8099, KTN2222A, MPS2222A, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS8098, MPS8099, MPSA05, MPSA06, MPSW01A, MPSW05, MPSW06, NTE123AP, P2N2222A, P2N2222AG, PN100, PN2219A, PN2222A, PN3569, PN4033, ZTX450.

отечественные аналоги 2N3904: КТ3117Б, КТ375А, КТ6137А

SMD версия 2N3904: 2SC1623 (SOT-23), 2SC2712 (SOT-23), 2SC4116 (SOT-323), 2SC4738 (SOT-23), FJX3904 (SOT-323), FJX945 (SOT-323), FMMT3904 (SOT-23), KN3904S (SOT-23), KSC1623 (SOT-23), KST3904 (SOT-23), KTC3875 (SOT-23), KTC3875S (SOT-23), MMBT3904 (SOT-23), MMBT3904L (SOT-23), MMBT3904LT1 (SOT-23), MMBT3904LT1G (SOT-23), MMBT3904LT3 (SOT-23), MMBT3904LT3G (SOT-23), MMBT3904T (SOT-523F), MMBT3904TT1 (SOT-416), MMBT3904TT1G (SOT-416), MMBT3904WT1 (SOT-323), MMBT3904WT1G (SOT-323), MMST3904 (SOT-323), PMBS3904 (SOT-23), PMBT3904 (SOT-23), PMST3904 (SOT-323), PZT3904 (SOT-223), TMBT3904 (SOT-23).

2n5401 vs mpsa92

The table below is to compare the electrical specifications of each 2n5401 and mpsa92 transistor.

Characteristics	2n5401	Mpsa92
Collector to base voltage (V_CB)	-160V	-300V
Collector to emitter voltage (V_CE)	-150V	-300V
Emitter to base voltage (V_EB)	-5V	-5V
Collector current (I_C)	-600mA	-500mA
Power dissipation	625mW	625mW
Junction temperature (T_J)	-55 to +150°C	-55 to 150°C
Transition frequency (F_T)	400MHZ	50MHZ
Noise (N)	8dB	–
Gain (h_FE)	60 to 240hFE	25 to 40hFE
Package	TO-92	TO-92

The voltage value of both transistors is different,

For, 2n5401 (VCB = -160V) and (VCE = -150V), but at mpsa92, it is (VCB = -300V) and (VCE= -300V).

The peak collector current and DC current gain value of each transistor is different,

For, 2n5401 peak (I_C= -600mA) and for mpsa92 it is (I_C= -500mA)
For, 2n5401 DC gain current value is (60 to 240hFE) and for mpsa92, it is (25 to 40hFE).

2n5401 graphical characteristics

DC current gain vs collector current

The figure shows the DC current gain vs collector current curve, we can see the current gain is dipping when the collector current increases to a maximum limit.

collector current vs base-emitter voltage

The figure shows the collector current vs base-emitter voltage curve, we can see an increase in collector current with the slightest change in base-emitter voltage.

Applications of 2n5401 transistor

The 2n5401 is a PNP transistor type mostly used for high voltage applications, but the 2n5401 transistor is also the best option for amplifier circuits.

General-purpose switching and amplifier applications
Telephony applications
High voltage applications
Multi-stage amplifier circuits
Power supply applications

Related Datasheets

Номер в каталоге	Описание	Производители
2N540	Trans GP BJT NPN 80V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-66 Sleeve	New Jersey Semiconductor
2N5400	Amplifier Transistor	ON Semiconductor
2N5400	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	Samsung semiconductor
2N5400	PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose/ high voltage amplifier applications	Semtech Corporation

Номер в каталоге	Описание	Производители
6MBP200RA-060	Intelligent Power Module	Fuji Electric
ADF41020	18 GHz Microwave PLL Synthesizer	Analog Devices
AN-SY6280	Low Loss Power Distribution Switch	Silergy

DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск