Содержание драгметаллов в транзисторе П203Э
Драгметаллы, такие как золото, палладий и серебро, применяются для создания контактных площадок внутри транзистора П203Э. Они обладают высокой электропроводностью и химической стойкостью, что позволяет обеспечить надежное и стабильное соединение между различными элементами транзистора.
Содержание драгметаллов в транзисторе П203Э может варьироваться в зависимости от конкретной модели и производителя. Обычно используется 0,5-1% золота, 2-3% палладия и 10-15% серебра. Это позволяет достичь оптимальной производительности и долговечности устройства.
Важно отметить, что использование драгметаллов в конструкции транзистора П203Э является необходимым для его надежной работы и предотвращения возможных проблем, связанных с окислением и коррозией контактных площадок. Благодаря этому, транзистор П203Э обеспечивает стабильную передачу сигнала, низкий уровень сопротивления и минимальные потери энергии
Содержание драгметаллов в транзисторе П203Э
Драгметалл
Содержание, %
Золото
0,5-1
Палладий
2-3
Серебро
10-15
Применение транзистора П203Э
Транзистор П203Э, благодаря своим особенностям и характеристикам, нашел свое применение в различных областях. Он широко используется в радиоэлектронике, телекоммуникациях, силовой электронике и других сферах промышленности.
В радиоэлектронике транзистор П203Э применяется в качестве ключевого элемента для усиления или перемножения радиочастотных сигналов. Благодаря своей надежности и стабильности работы, он позволяет достичь высокого качества передачи информации.
В телекоммуникациях транзистор П203Э используется для усиления сигналов, передаваемых по фиксированным или беспроводным каналам связи. Он обеспечивает стабильность и надежность передачи данных, а также позволяет улучшить качество связи на большие расстояния.
В силовой электронике транзистор П203Э применяется в схемах управления электрическим током. Он может использоваться в инверторах, преобразователях частоты, источниках питания и других устройствах. Транзистор П203Э обладает высокой коммутационной способностью и позволяет эффективно управлять энергией.
Транзистор П203Э является важным элементом в различных системах электроники и автоматики. Он может применяться в системах контроля и управления, а также в медицинском оборудовании, автомобильной промышленности и других отраслях промышленности.
Транзистор П203Э
Транзистор П203Э содержит следующие драгоценные металлы: золото, серебро и платину. Золото используется для создания тонких контактов на активных элементах транзистора, таких как затвор, сток и исток. Серебро используется для проводников на подложке. Платина является основным материалом для контактов на подложке.
Драгоценные металлы играют важную роль в работе транзистора П203Э. Золотые контакты обеспечивают низкое сопротивление и хорошую электрическую проводимость. Серебряные проводники обладают высокой электропроводностью и отличной стабильностью во время эксплуатации. Платиновые контакты обеспечивают стабильную работу и долговечность транзистора в условиях высоких температур и нагрузок.
Характеристики биполярного транзистора.
Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач.
И первая на очереди – входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:
I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const
В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):
Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.
Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора – выходной! Выходная характеристика – это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:
Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения – изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .
Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:
Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.
Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано
Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно – при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta, несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:
I_к = \beta I_б
Двигаемся дальше!
На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.
В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу – навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.
Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора!
И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.
Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:
Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды! Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.
Преимущества использования транзистора П203Э
- Высокая надежность. Транзистор П203Э изготавливается по передовым технологиям и проходит строгий контроль качества, что обеспечивает его надежную работу и долгий срок службы.
- Широкий диапазон рабочих температур. П203Э способен работать в широком диапазоне температур, что делает его применимым в самых различных климатических условиях.
- Низкое потребление энергии. Транзистор П203Э имеет низкое потребление энергии, что позволяет использовать его в энергоэффективных устройствах с ограниченным источником питания.
- Высокая мощность и скорость работы. Благодаря особенностям структуры и материала, транзистор П203Э обладает высокой мощностью и скоростью работы, что позволяет использовать его в высокочастотной электронике.
- Простота в использовании. Транзистор П203Э имеет простую конструкцию и легко подключается к другим элементам электрической схемы, что упрощает его использование.
Все эти преимущества делают транзистор П203Э незаменимым элементом в различных устройствах, от телекоммуникаций и электроники до автомотивной и промышленной техники.
Состав транзистора П203Э
Основными составляющими транзистора П203Э являются:
- База: это полупроводниковый материал (обычно кремний или германий), который обеспечивает электронный контроль тока в транзисторе.
- Эмиттер: это электрод, от которого ток выходит из транзистора.
- Коллектор: это электрод, к которому ток возвращается после прохождения через транзистор.
Кроме того, транзистор П203Э содержит в себе некоторые драгоценные металлы, такие как:
- Золото: используется для создания контактов и обеспечения стабильного электрического соединения.
- Серебро: также используется для создания контактов и обеспечения надежной передачи сигнала.
- Платина: применяется в качестве защитного слоя на поверхности транзистора для предотвращения коррозии и повреждений.
Эти драгоценные металлы играют важную роль в работе транзистора П203Э, обеспечивая надежность и стабильность его функционирования.
Аналоги транзистора П203Э
Наиболее распространенными аналогами П203Э являются:
- П213Э: этот транзистор имеет аналогичные параметры и характеристики, что и П203Э, и может быть использован во многих приложениях.
- П223Э: данный транзистор также имеет схожие параметры и характеристики с П203Э и может использоваться в различных электронных устройствах.
- П243Э: аналогично, этот транзистор является функциональным аналогом П203Э и может быть успешно применен в различных цепях.
Важно отметить, что эти аналоги должны быть проверены и протестированы перед использованием в конкретном приложении, так как они могут иметь некоторые отличия в работе или характеристиках от П203Э
Кроме того, для каждого конкретного применения может потребоваться пристальное внимание к дополнительным требованиям и спецификациям
Роль драгметаллов в транзисторе П203Э
Основными драгметаллами, использованными в транзисторе П203Э, являются золото (Au) и платина (Pt). Золото присутствует в виде тонкой проводящей покрытия на контактных элементах транзистора, обеспечивая надежный контакт и стабильную работу устройства.
Платина, в свою очередь, используется в качестве катализатора при проведении различных химических реакций в процессе создания транзистора. Она способствует формированию тонкого оксидного слоя на поверхности полупроводниковых элементов, что повышает их надежность и прочность.
Кроме того, драгметаллы также придают транзистору П203Э повышенную стойкость к воздействию агрессивных окружающих сред, таких как влага, кислоты, щелочи и др. За счет своей химической инертности, они защищают элементы транзистора от коррозии и повреждений, продлевая его срок службы.
Таким образом, драгметаллы в транзисторе П203Э не только обеспечивают его надежную и стабильную работу, но и способствуют улучшению его характеристик и защите от внешних воздействий. Без них транзистор был бы менее эффективным и более уязвимым к различным негативным факторам.
Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ315 при приемке и поставке
| Наименование параметра (режим измерения) единицы измерения | Буквенное обозначение | Норма параметра | Температура, °С | |
| не менее | не более | |||
| Граничное напряжение (IC=10 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж, КТ315Н КТ315В, КТ315Д, КТ315И КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р | U(CEO) | 15 30 25 | – | 25 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IC=20 мA, IB=2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И | UCEsat | – | 0,4 0,6 0,5 0,9 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IC=70 мA, IB=3,5 мА), В КТ315Н | UCEsat | – | 0,4 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер (IC=20 мА, IB=2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТЗ I5P КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И | UBEsat | – | 1,0 1,1 0,9 1,35 | |
| Обратный ток коллектора (UCB=10 В), мкА КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е,КТ315Ж, КГ315И | ICBO | – | 0,5 0,6 | 25, -60 |
| Обратный ток коллектора (UCB=10 В), мкА КТ3I5A КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е | ICBO | – | 10 15 | 100 |
| Обратный ток эмиттера (UEB=5 В) мкА КТ315А – КГ315Е, КТ315Ж, ХТ315Н КТ315И КТ315Р | IEBO | – | 30 50 3 | 25 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер, (RBE=10 кОм UCE=25 В), мА, KT3I5A (RBE=10 кОм UCE=20 В), мА, КТ315Б, КТ315Н (RBE=10 кОм UCE=40 В), мА КТ315В (RBE=10 кОм UCE=35 В), мА, КТ315Г (RBE=10 кОм UCE=40 В), мА, КТ315Д (RBE=10 кОм UCE=35 В), мА, КТ315Е (RBE=10 кОм UCE=35 В), мА, КТ315Р | ICER | – | 0,6 0,6 0,6 0,6 1,0 1,0 0,005 | |
| Обратный ток коллектор-эмиттер (RBE=10 кОм UCE=35 В), мА, КТ315Р | ICER | – | 0,01 | 100 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер (UCE=20 В), мА, КТ315Ж (UCE=60 В), мА, КТ315И | ICES | – | 0,01 0,1 | 25, -60 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер (UCE=20 В), мА, KT3I5Ж (UCE=60 В), мА, KT3I5И | ICES | – | 0,1 0,2 | 100 |
| Статический коэффициент передачи тока (UCB = 10 В, IE= 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р | h21E | 30 50 20 30 30 150 | 120 350 90 250 – 350 | 25 |
| Статический коэффициент передачи тока (UCB = 10 В, IE= 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р | h21E | 30 50 20 30 30 150 | 250 700 250 400 – 700 | 100 |
| Статический коэффициент передачи тока (UCB = 10 В, IE= 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р | h21E | 5 15 5 5 5 70 | 120 350 90 250 – 350 | -60 |
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (UCB = 10 В, IE= 5 мА, f = 100 МГц) | |h21E| | 2,5 | – | 25 |
| Емкость коллекторного перехода (UCB = 10 В, f = 10 МГц), пФ | CC | – | 7 | 25 |
Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог
|
|
|
|
.
Справочный листок по транзисторам КТ201А…Д, 2Т201А…Д, КТ201АМ…ДМ:
Электрические
параметры:
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при UКБ = 1 В, IК = 5 мА: |
||
| при Т = +25 С | 2Т201А, КТ201А, КТ201АМ | 20…60 |
| 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д, КТ201Б, КТ201В, КТ201Д, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ДМ |
30…90 | |
| 2Т201Г, КТ201Г, КТ201ГМ | 70…210 | |
| при Т = -60 С | 2Т201А | 10…60 |
| 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д | 15…90 | |
| 2Т201Г | 35…210 | |
| при Т = +125 С | 2Т201А | 20…120 |
| 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д | 30…180 | |
| 2Т201Г | 70…400 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ при UКБ = 5 В, IЭ = 10 мА, не менее: |
||
| КТ201(А…Д), КТ201(АМ…ДМ) | 10 МГц | |
| 2Т201(А…Д) (типовое значение) | 40 МГц | |
| Коэффициент шума при UКБ = 1 В, IЭ = 0,2 мА, f = 1 кГц: |
||
| 2Т201Д, не более | 15 дБ | |
| типовое значение | 6 дБ | |
| КТ201Д, КТ201ДМ, не более | 15 дБ | |
| Обратный ток коллектора, не более: |
||
| при UКБ = 20 В и Т = +25 С | 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
0,5 мкА |
| при UКБ = 20 В и Т = +125 С | 2Т201А, 2Т201Б | 10 мкА |
| при UКБ = 10 В и Т = +25 С | 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
0,5 мкА |
| при UКБ = 10 В и Т = +125 С | 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д | 10 мкА |
| Обратный ток эмиттера при Т = +25 С, не более |
||
| при UЭБ = 20 В | 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
3 мкА |
| при UЭБ = 10 В | 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
3 мкА |
| Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала, при холостом ходе, при при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, f = 1 кГц, не более: |
||
| 2 мкСм | ||
| типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д |
0,5 мкСм | |
| Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала в схеме ОБ, при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, f = 1 кГц, не более: |
||
| 3*10-3 | ||
| типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д |
3*10-4 | |
| Емкость коллекторного перехода при UКБ = 5 В, не более: |
||
| 20 пФ | ||
| типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д |
9 пФ | |
| Индуктивность выводов эмиттера и базы при L =3мм |
||
| 6 нГн |
Предельные
эксплуатационные данные:
| Постоянное напряжение коллектор — база: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
20 В | |
| 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
10 В | |
| Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при RБЭ <= 2 кОм: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
20 В | |
| 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
10 В | |
| Постоянное напряжение эмиттер — база: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
20 В | |
| 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
20 В | |
| Постоянный ток коллектора: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д | 20 мА | |
| КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
30 мА | |
| Импульсный ток коллектора при Q => 10: |
||
| при tимп. <= 10 мс. | 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д | 100 мА |
| при tимп. <= 100 мкс. | КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
100 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: |
||
| при Т = -60С…+75С, P => 6650 Па | 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д * При изменении температуры окр. среды от +75 до +125С, Pк,макс. уменьшается линейно. |
150 мВт |
| при Т = -60С…+75С, P => 665 Па | 100 мВт | |
| при Т = +125С | 60 мВт | |
| при Т = -60С…+90С | КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д * При изменении температуры окр. среды от +90 до +125С, Pк,макс. уменьшается линейно. |
150 мВт |
| при Т = +125С | 60 мВт | |
| при Т = -45С…+85С | КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
150 мВт |
| Тепловое сопротивление переход-среда |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д | 556С/Вт | |
| Температура p-n перехода |
||
| КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д | +150С | |
| Температура окружающей среды: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д |
-60С…+125С | |
| КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
-45С…+85С |
Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru