Транзистор мп39 цоколевка. транзисторы мп39, мп40, мп41, мп42. обозначение транзистора мп41 на схемах

Характеристики транзистора МП41

Структураp-n-p
15* (10к) В
20 (150*) мА
0.15 Вт
30…60 (5 В; 1 мА)
Обратный ток коллектора
>1* МГц
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
Обратный ток коллектора — мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц

Цоколевка транзистора МП42

Транзисторы МП39 и МП42: что это такое и для чего используются

Транзисторы МП39 и МП42 имеют схожие параметры и технические характеристики. Они обладают большой стремительностью отклика и высокой частотой переключения, что позволяет их использовать в высокочастотных устройствах и радиоэлектронике. Эти транзисторы также отличаются низким уровнем шума.

Главное применение транзисторов МП39 и МП42 связано с усилением и переключением электрических сигналов в различных устройствах. Они могут использоваться в радиоприемниках, телевизорах, радиоаппаратуре и других электронных устройствах. Кроме того, эти транзисторы могут применяться для усиления и переключения маломощных сигналов.

Также стоит отметить, что транзисторы МП39 и МП42 являются продукцией отечественной электроники, разработанной в СССР. Они хорошо зарекомендовали себя благодаря своей высокой надежности, долговечности и техническим характеристикам.

Есть ли драгметаллы в реле?

Все эти радиодетали имеют паспорт, в котором, кроме прочих сведений, отображен их состав и дата выпуска изделия. Имеют они и обязательную маркировку. О наличии драгоценных металлов говорит цвет контакта в радиодетали. Наиболее перспективны в этом плане реле следующих серий:

РЭС;
ТРП;
РП;
РТН;
РКМ;
ТРМ.

Переключатели и кнопки могут содержать драгметаллы, иногда в немалом количестве. Переключатели, произведенные до 1986 года, имеют кольцо контактов, сделанное из палладия, золота и их сплавов.

В некоторых видах радио и генераторных ламп находится немало палладия, платины, золота и особенно серебра. Есть просто уникальные радиодетали.

Марка	Золото, кг	Серебро, кг	Платина, кг
ГМИ-19Б (1000 шт.)	16	1,5	—
ГИ-42Б П3 (1000 шт.)	—	86	1,5

На данный момент в России прекращён выпуск многих радиоламп и уменьшен ассортимент генераторных ламп. Так что найти такое их количество будет сложно.

Извлекать драгметаллы из радиодеталей самостоятельно хлопотно и небезопасно. Лучше сдать их специалистам, имеющим необходимое оборудование. Аффинаж требует применения вредных для здоровья химических веществ, специальной лабораторной техники и определенных знаний химии.

Характеристики транзистора МП41

Структураp-n-p
15* (10к) В
20 (150*) мА
0.15 Вт
30…60 (5 В; 1 мА)
Обратный ток коллектора
>1* МГц
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
Обратный ток коллектора — мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц

Цоколевка транзистора МП42

Транзисторы германиевые плоскостные: МП42, МП42А, МП42Б

Соответствуют ГОСТ 5.343-70

Чертёж транзистора МП42, МП42А, МП42Б

Масса не более 2,5 гр.Характеристика транзистора МП42. Тип p-n-p.

Электрические параметры МП42 при tamb=+20+-5 градусов.

Электрические параметры МП42

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации.

Отрицательное напряжение коллектор-эмиттер, коллектор-база *, в ___________ не более 15Ток коллектора в режиме переключения или в импульсном режиме **, ма ________не более 150Среднее значение тока эмиттера за 1 сек, ма ________________________________не более 30Мощность, рассеиваемая транзистором, мвт _________________________________не болеепри температуре окружающей среды +45 градусов по Цельсию 200при температуре окружающей среды +70 градусов по Цельсию 75

При повышении температуры от +45 до +70 градусов допустимая мощность снижается по линейному закону.

Условия хранения приборов.

1.Складские условия:— температура окружающего воздуха от +5 до +35 градусов— относительная влажность до 85%— отсутствие в воздухе кислотных и других агрессивных примесей.2. Полевые условия:— температура окружающего воздуха может меняться в пределах от -40 до +40 градусов по Цельсию— относительная влажность до 98% при температуре +30 градусов.

Гарантии.

Предприятие-изготовитель гарантирует срок службы транзисторов 12 000 часов.Срок хранения 6 лет.Гарантийный срок исчисления с момента отгрузки приборов.

Указания и рекомендации по эксплуатации.

1.Рекомендуется эксплуатировать транзисторы в диапазоне температур от -30 до +40 градусов при мощности рассеивания не более 0,7 Pmax.

припой

Микропереключатель МП42Б: особенности и недостатки

Особенности Микропереключателя МП42Б:

Низкая масса и компактный размер делают его удобным для установки в различных устройствах и системах.
Высокая надежность и долговечность позволяют использовать МП42Б в условиях повышенных нагрузок и эксплуатационных нагрузок.
Низкое энергопотребление и эффективное использование энергии помогают сэкономить ресурсы и позволяют улучшить энергоэффективность устройства.
Простота установки и настройки облегчают работу и обслуживание МП42Б.
Высокая точность и стабильность при передаче сигнала делают его незаменимым в многих приложениях, где требуется высокое качество воспроизводимого сигнала.

Недостатки Микропереключателя МП42Б:

Ограниченное число переключений – МП42Б может выдерживать ограниченное количество циклов переключений до поломки.
Возможность износа контактов – со временем контакты МП42Б могут изнашиваться, что приводит к снижению качества контакта и возникновению сбоев в работе.
Чувствительность к внешним воздействиям – МП42Б может быть чувствителен к вибрации, ударам, агрессивной среде и другим неблагоприятным факторам, что может привести к неисправности или повреждению устройства.

Необходимо учитывать как положительные, так и отрицательные свойства Микропереключателя МП42Б при выборе альтернативных решений или замене данного устройства в своем проекте или системе.

Наладка

Усилитель, собранный из проверенных деталей и транзисторов, обычно сразу начинает работать. Подключив источник питания (12 в), резисторами R3, R8, R12, R18 устанавливают рекомендуемый режим. Затем через разделительный конденсатор С3, который предварительно отключается от коллектора транзистора Т2, подают на вход усилителя напряжение от звукового генератора (0,2 в, частота 1000 гц).

Цепь обратной связи в точке «б» необходимо разорвать. Контроль формы выходного напряжения наблюдают с помощью осциллографа, подключенного параллельно громкоговорителю. Если на стыках полуволн наблюдаются большие «ступеньки», нужно уточнить значение резистора R19.

Оно подбирается по минимальным искажениям, которые при включении цепи обратной связи почти полностью исчезают. Налаживание других каскадов никакими особенностями не отличается. В тех случаях, когда от усилителя требуется чувствительность порядка 250 мв, первые два каскада на транзисторах Т1, Т2 из схемы можно исключить.

Низкочастотные. Германиевые сплавные транзисторы р
— n — р
МП39Б, МП40А, МП41А применяются для работы в схемах усиления НЧ и выпускаются в металлическом корпусе (рис. 56, а — в) со стеклянными изоляторами и гибкими выводами, массой 2,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +70 °С. Электрические параметры приведены в табл. 109.

Кремниевые транзисторы р-n-р
МП 114, МП 115, МП116 выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 57), массой 1,7 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +100°С. Электрические параметры приведены в табл. 110.

Рис. 56. Цоколевка и габаритные размеры транзисторов МП39В, МП40А, МП41А (а) и их входные (6) и выходные (в) характеристики в схеме с общей базой

Рис. 57. Цоколевка и габаритные размеры транзисторов МП114 — МП116

Таблица 109

Обратный ток коллектора, мкА, при U К б= — 5 В и температуре, °С:

20 …………… 15

70 …………… 300

Обратный ток эмиттера, мкА, при U Эб = — 5 В 30

Наибольший постоянный ток коллектора, мА 20

Емкость коллектора, пФ, при U K6 =5
В и

f=500 кГц………….. 60

Наибольший импульсный ток коллектора,

мА, при I ЭСр

Выходная проводимость, мкСм, при I э =1 мА,

U„ б =5 В и f=1 кГц………. 3,3

Сопротивление базы, Ом, при I э =1 мА,

U кб =5 В и f=500 кГц……… 220

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при температуре, °С:

55 …………… 150

70……………. 75

Отрицательное напряжение U э в, В…. 5

Таблица 110

Обратный ток коллектора, мА, при U к = — 30 В и температуре 20 и 100 °С соответственно… 10 и 400

Обратный ток эмиттера, мкА, при U эб = — 10 В и температуре 20 и 100 °С соответственно. . . — 10 и 200

Входное сопротивление, Ом, в схеме с ОБ при LU= — 50 В, I э =1 мА, f=1 кГц……. 300

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при 70°С…………….. 150

Среднечастотные. Транзисторы р-n-р
КТ203 (А, Б, В) применяются для усиления и генерирования колебаний в диапазоне до 5 МГц, для работы в схемах переключения и стабилизации и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 58), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +125°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 111.

Рис. 58. Цоколевка и габаритные размеры транзисторов КТ203А — В

Таблица 111

Обратный ток коллектора, мкА, при наибольшем обратном напряжении и температуре 25 и 125 °С соответственно……………1 и 15

Обратный ток эмиттера, мкА, при U э 6 = — 30 В. 10

Емкость коллекторного перехода, пФ, при U К б=5 В и f=10 МГц…………. 10

Ток коллектора, мА: постоянный………….. 10

импульсный…………. . 50.

Среднее значение тока эмиттера в импульсном режиме, мА…………….. 10

Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре до 70 °С……… V . . 150

* Для транзисторов КТ203А — К.Т203В напряжение u k q
соответст-венно равно 50, 30 в 15 В,

Высокочастотные
. Конверсионные транзисторы р-n-р
ГТ321

(А — Е) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 59, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60 °С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 112.

Характеристики транзистора МП41

Структураp-n-p
15* (10к) В
20 (150*) мА
0.15 Вт
30…60 (5 В; 1 мА)
Обратный ток коллектора
>1* МГц
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
Обратный ток коллектора — мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц

Цоколевка транзистора МП42

Модификации и группы транзисторов TIP42C

Модель	P_C, T_C=25°C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Корпус
TIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
TO-220AB
TO-220C
TIP42C	25	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220IS
TIP42CG/L	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
300	15…75	TO-263
TIP42CG/L	22	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220F
TIP42CG/L	20	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-252
STTIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
HTIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
TIP42E	65	180	140	5	6	150	3	300	15…75	TO-220C
TIP42F	65	200	160	5	6	150	3	300	15…75	TO-220C
TIP42P	100	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-3P

Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.

Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента h_FE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону h_FE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:

— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:

TIP42C R – диапазон h_FE от 15 до 28;
TIP42C O – диапазон h_FE от 24 до 44;
TIP42C Y – диапазон h_FE от 42 до 75.

— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по h_FE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:

TIP42CG(L) – A — диапазон h_FE от 15 до 30;
TIP42CG(L) – B — диапазон h_FE от 28 до 48;
TIP42CG(L) – C — диапазон h_FE от 45 до 75.

Характеристики транзистора МП41

Структураp-n-p
15* (10к) В
20 (150*) мА
0.15 Вт
30…60 (5 В; 1 мА)
Обратный ток коллектора
>1* МГц
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
Обратный ток коллектора — мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц

Цоколевка транзистора МП42

Характеристики транзистора МП41

Структураp-n-p
15* (10к) В
20 (150*) мА
0.15 Вт
30…60 (5 В; 1 мА)
Обратный ток коллектора
>1* МГц
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
Обратный ток коллектора — мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц

Цоколевка транзистора МП42

Фототранзистор своими руками из МП 42

Решил изготовить самостоятельно из советского транзистора МП42.

Изучаем материальную базу.Фототранзистор — это полупроводниковый прибор преобразующий оптическое излучение в электрический сигнал и одновременно усиливает его. Коллекторный ток у транзистора зависит от интенсивности излучения. Коллекторный ток тем больше, чем интенсивнее свет попадает на базовую зону фототранзистора.

Два режима работы фототранзистора:Режим с плавающей базой. Работает только вывод эмиттера и вывод коллектора.Режим транзисторный с источником смещения базовой цепи. Работают все три вывода плюс резистор на базовом выводе.Ошибки при изготовлении фототранзистора из мп42.

Ни в коем случае не спиливать крышку сверху! Это приведёт к неминуемому сдвигу кристаллодержателя и порче кристалла или обрыву подводящих проводников. Приведет к 100% облому в изготовлении фототранзистора. Даже если спилите удачно свет не будет попадать на базовую зону кристалла!

Не отрезайте базовый вывод фототранзистора, так как есть схемы которые используют именно этот вывод.Ни чем не заполняйте окно фототранзистора. Произойдет термическая порча кристалла.

Приступим к производству фототранзистора. Как и все транзисторы МП 42 имеет три вывода: База-Коллектор-Эмиттер.Если транзистор перевернуть верх ногами и базой поставить к себе, то налево Эмиттер, на право Коллектор.

Получайте на почту подборку новых самоделок. Никакого спама, только полезные идеи!

*Заполняя форму вы соглашаетесь на обработку персональных данных

Устройство и принцип действия

Транзистор — электронный полупроводник, состоящий из 3 электродов, одним из которых является управляющий. Транзистор биполярного типа отличается от полярного наличием 2 типов носителей заряда (отрицательного и положительного).

Отрицательные заряды представляют собой электроны, которые высвобождаются из внешней оболочки кристаллической решетки. Положительный тип заряда, или дырки, образуются на месте высвобожденного электрона.

Устройство биполярного транзистора (БТ) достаточно простое, несмотря на его универсальность. Он состоит из 3 слоев проводникового типа: эмиттера (Э), базы (Б) и коллектора (К).

Эмиттер (от латинского «выпускать») — тип полупроводникового перехода, основной функцией которого является инжекция зарядов в базу. Коллектор (от латинского «собиратель») служит для получения зарядов эмиттера. База является управляющим электродом.

Слои эмиттерный и коллекторный почти одинаковые, однако отличаются степенью добавления примесей для улучшения характеристик ПП. Добавление примесей называется легированием. Для коллекторного слоя (КС) легирование выражено слабо для повышения коллекторного напряжения (Uк). Эмиттерный полупроводниковый слой легируется сильно для того, чтобы повысить обратное допустимое U пробоя и улучшить инжекцию носителей в базовый слой (увеличивается коэффициент передачи по току — Kт). Слой базы легируется слабо для обеспечения большего сопротивления (R).

Переход между базой и эмиттером меньший по площади, чем К-Б. Благодаря разнице в площадях и происходит улучшение Кт. При работе ПП переход К-Б включается со смещением обратного типа для выделения основной доли количества теплоты Q, которое рассеивается и обеспечивает лучшее охлаждение кристалла.

Быстродействие БТ зависит от толщины базового слоя (БС). Эта зависимость является величиной, изменяющейся по обратно пропорциональному соотношению. При меньшей толщине — большее быстродействие. Эта зависимость связана с временем пролета носителей заряда. Однако при этом снижается Uк.

Между эмиттером и К протекает сильный ток, называемый током К (Iк). Между Э и Б протекает ток маленькой величины — ток Б (Iб), который используется для управления. При изменении Iб произойдет изменение Iк.

У транзистора два p-n перехода: Э-Б и К-Б. При активном режиме Э-Б подключается со смещением прямого типа, а подключение К-Б происходит с обратным смещением. Так как переход Э-Б находится в открытом состоянии, то отрицательные заряды (электроны) перетекают в Б. После этого происходит их частичная рекомбинация с дырками. Однако большая часть электронов достигает К-Б из-за малой легитивности и толщины Б.

В БС электроны являются неосновными носителями заряда, и электромагнитное поле помогает им преодолеть переход К-Б. При увеличении Iб произойдет расширение открытия Э-Б и между Э и К пробежит больше электронов. При этом произойдет существенное усиление сигнала низкой амплитуды, т. к. Iк больше, чем Iб.

Смотрите это видео на YouTube

Для того чтобы проще понять физический смысл работы транзистора биполярного типа, нужно ассоциировать его с наглядным примером. Нужно предположить, что насос для закачки воды является источником питания, водопроводный кран — транзистором, вода — Iк, степень поворота ручки крана — Iб. Для увеличения напора нужно немного повернуть кран — совершить управляющее действие. Исходя из примера можно сделать вывод о простом принципе работы ПП.

Однако при существенном увеличении U на переходе К-Б может произойти ударная ионизация, следствием которой является лавинное размножение заряда. При комбинации с тоннельным эффектом этот процесс дает электрический, а с увеличением времени и тепловой пробой, что выводит ПП из строя. Иногда тепловой пробой наступает без электрического в результате существенного увеличения тока через выход коллектора.

Кроме того, при изменении U на К-Б и Э-Б меняется толщина этих слоев, если Б тонкая, то происходит эффект смыкания (его еще называют проколом Б), при котором происходит соединение переходов К-Б и Э-Б. В результате этого явления ПП перестает выполнять свои функции.

Детали и монтаж

Монтаж усилителя производится на гетинаксовой панели толщиной 1 — 1,5 мм. Размеры платы в значительной степени зависят от области применения усилителя. Транзисторы П213Б для обеспечения хорошего теплоотвода снабжены радиаторами с общей охлаждающей поверхностью не менее 100 см2.

Питание усилителя может производиться от батареи напряжением 12 в, собранной из элементов типа «Сатурн», или от батарей для карманного фонаря. Питание усилителя от сети переменного тока осуществляется с помощью выпрямителя, собранного по мостовой схеме на четырех диодах Д1-Д4 с емкостным фильтром через стабилизатор напряжения (рис. 2).

Как было указано выше, при работе усилителя потребляемый им ток изменяется в довольно широких пределах. Резкие колебания тока неизбежно вызовут изменение величины питающего напряжения, что может привести к нежелательным связям в усилителе и искажениям сигнала. Для предотвращения подобных явлений предусмотрена стабилизация выпрямленного напряжения.

В состав стабилизатора входят транзисторы Т7, Т2 и стабилитрон Д5. Данный стабилизатор при изменении тока нагрузки от 5 до 400 ма обеспечивает стабильное напряжение 12 в, причем амплитуда пульсаций не превышает 5 мв. Стабилизация питающего напряжения происходит за счет перепада напряжения на транзисторе Т2.

Этот перепад зависит от смещения на базе транзистора Т2, которое, в свою очередь, зависит от величины опорного напряжения на резисторе R2 и напряжения на нагрузке (Rнагр).

Транзистор Т2 монтируют на радиаторе. Выпрямитель размещается в ящике размером 60Х90Х130 мм, который изготавливается из листовой стали толщиной 1 мм.

Силовой трансформатор выполнен на сердечнике Ш12, толщина набора 25 мм. Обмотка I (на 127 в) содержит 2650 витков провода ПЭЛ 0,15, обмотка II (на 220 в) — 2190 витков ПЭЛ 0,12, обмотка III — 420 витков ПЭЛ 0,55.

Детали и монтаж

Наладка

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42
— германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры p-n-p. Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса — около 2 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Существуют следующие зарубежные аналоги: МП39 —
2N1413
МП40 — 2N104
МП41 возможный аналог — 2N44A МП42 возможный аналог — 2SB288

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока

у транзисторов МП39 редко превышает 12
, у МП39Б находится в пределах от 20
до 60
. У транзисторов МП40, МП40А — от 20
до 40
. У транзисторов МП41 — от 30
до 60
, МП41А — от 50
до 100
. у транзисторов МП42 — от 20
до 35
, МП42А — от 30
до 50
, МП42Б — от 45
до 100
.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер.

У транзисторов МП39, МП40 — 15
в. У транзисторов МП40А — 30
в. У транзистора МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15
в.

Предельная частота коэффициента передачи тока

(fh21э)транзистора для схем с общим эмиттером: До 0,5
МГц у транзисторов МП39, МП39А. До 1
МГц у транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б. До 1,5
МГц у транзисторов МП42А. До 2
МГц у транзисторов МП42.

Максимальный ток коллектора.

— 20
мА постоянный, 150
мА — пульсирующий.

Обратный ток коллектора

при напряжении коллектор-база 5в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 15
мкА.

Обратный ток эмиттера

при напряжении эмиттер-база 5в и температуре окружающей среды до +25 по Цельсию не более — 30
мкА.

Емкость коллекторого перехода

при напряжении колектор-база 5в на частоте 1МГц — не более 60
пФ.

Коэффициент собственного шума

— у МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5в и эмиттерном токе 0,5мА на частоте 1КГц — не более 12
дб.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У МП39, МП40, МП41 — 150
мВт. У МП42 — 200
мВт.

Когда-то, транзисторами этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструктора для начинающих. МП39-МП42 при своих, довольно крупных габаритах, длинных гибких выводах и простой распиновкe(цоколевке) идеально подходили для этого. Кроме того, довольно большой обратный ток, позволял им работать в схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Т.е. — простейший усилитель собирался действительно, на одном транзисторе
, без резисторов. Это позволяло значительно упростить схемы на начальных этапах конструирования.

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления h_FE от коллекторной нагрузки I_C при различных температурах п/п структуры и величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 2 В.

Рис. 2. Характеристики области насыщения транзистора: зависимости коллекторного напряжения U_CE от управляющего тока базы I_B при различных нагрузках I_C.

Характеристики сняты при температуре п/п структуры T_j = 25°C.

Рис. 3. Характеристики включенного состояния транзистора:

зависимость напряжения насыщения U_CE(sat) коллектор-эмиттер от тока нагрузки I_C;
зависимость напряжения насыщения U_BE(sat)от тока нагрузки I_C (Обе характеристики сняты при соотношении тока коллектора к току базы как 10:1);
зависимость управляющего напряжения U_BE база-эмиттер от тока нагрузки I_C при коллекторном напряжении U_CE = 4 В.

Рис. 4. Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки I_C:

Ɵ_UC – для коллекторного напряжения насыщения U_CE(sat);
Ɵ_UB – напряжения базы U_BE.

Каждая характеристика снята для двух диапазонов температур и коэффициента усиления по току I_C/I_B не превышающем ¼ от значения h_FE по постоянному току.

Рис. 5. Характеристики области выключения транзистора:

зависимости сняты при различных значениях температуры п/п структуры и значении коллекторного напряжения U_CE = 30 В;
область разделена осью U_BE = 0 на две половины – отрицательных напряжений базы (помечено на графике REVERSE) и область положительных напряжений базы (помечено на графике FORWARD). По этой оси отсчитываются значения тока выключения коллектора I_CES.

Рис. 6. Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры. Зависимость снята для двух шкал по мощности:

шкала (помечена на графике T_A) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры среды;
шкала (помечена на графике T_C) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры контакта коллектора и охладителя.

Рис. 7. Характеристики включения транзистора.

Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания t_r импульса, передаваемого транзистором, от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при величине напряжения питания U_CC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) T_C = 25°C и отношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 10.

Рис. 8. Характеристики выключения транзистора.

Зависимость времени рассасывания заряда t_s в п/п структуре и времени спадания t_f импульса от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при величине напряжения питания U_CC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) T_C = 25°C, отношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 10 и равенстве токов I_B₁ = I_B₂.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора. Ограничена несколькими основными линиями.

Производитель выделяет три причины выхода транзистора из строя (выделены отдельными надписями на поле характеристик):

сплошная ограничивающая линия -повреждение в результате вторичного пробоя п/п структуры при превышении предельного напряжения U_CEO коллектор-эмиттер (напряжения отмечены на горизонтальной оси для нескольких типов транзисторов);
штрихпунктирная ограничивающая линия –
U_CE повреждение в результате расплавления внутренних контактных соединений в конструкции транзистора;
пунктирная ограничивающая линия – повреждение в результате перегрева п/п структуры выше предельной температуры T_j = 150 °C.

Характеристики сняты для нагружения транзистора одиночными импульсами коллекторного тока длительностью 0,5 мс, 1,0 мс, 5 мс и при постоянном токе (при температуре контакта коллектора с охладителем корпуса T_C = 25°C).

Характеристики транзистора МП41

Транзисторы МП39 и МП42: что это такое и для чего используются

Есть ли драгметаллы в реле?

Характеристики транзистора МП41

Транзисторы германиевые плоскостные: МП42, МП42А, МП42Б

Микропереключатель МП42Б: особенности и недостатки

Наладка

Характеристики транзистора МП41

Модификации и группы транзисторов TIP42C

Характеристики транзистора МП41

Характеристики транзистора МП41

Фототранзистор своими руками из МП 42

Устройство и принцип действия

Детали и монтаж

Детали и монтаж

Наладка

Графические данные

Похожие записи:

Похожие записи: