Транзистор КТ898А1 — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Инструкция проверки тестером

Тестеры различаются по видам моделей:

1. Существуют приборы, в которых конструкцией предусмотрены устройства, позволяющие измерить коэффициент усиления микротранзисторов малой мощности.
2. Обычные тестеры позволяют осуществить проверку в режиме омметра.
3. Цифровой тестер измеряет транзистор в режиме проверки диодов.

В любом из случаев существует стандартная инструкция:

1. Прежде, чем начать проверку, необходимо снять заряд с затвора. Это делается так – буквально на несколько секунд заряд необходимо замкнуть с истоком.
2. В случае, когда проверяется маломощный полевой транзистор, то перед тем, как взять его в руки, обязательно нужно снять статический заряд со своих рук. Это можно сделать, взявшись рукой за что-нибудь металлическое, имеющее заземление.
3. При проверке стандартным тестером, необходимо в первую очередь определить сопротивление между стоком и истоком. В обоих направлениях оно не должно иметь особого различия. Величина сопротивления при исправном транзисторе будет небольшой.
4. Следующий шаг – измерение сопротивления перехода, сначала прямое, затем обратное. Для этого необходимо подключить щупы тестера к затвору и стоку, а затем к затвору и истоку. Если сопротивление в обоих направлениях имеет разную величину, триодное устройство исправно.

Подробный обзор транзистора КТ898А

Основные характеристики транзистора КТ898А:

• Тип корпуса: металлопластиковый;
• Максимальное значение коллекторного тока: 1.5 А;
• Максимальное значение обратного напряжения коллектор-эмиттер: 80 В;
• Максимальная мощность потери: 0.4 Вт;
• Типовой коэффициент усиления по току: 30-100;
• Рабочая температура: от -55 до +150 °C.

Транзистор КТ898А обладает плоским металлизированным корпусом, что позволяет улучшить теплоотвод и повысить надежность работы устройства. Корпус выполнен из специального металлопластика, обеспечивающего эффективную защиту от механических повреждений и воздействия окружающей среды.

Цоколевка транзистора КТ898А соответствует стандартной международной маркировке для маломощных транзисторов: коллектор подключается к выводу 1, база – к выводу 2, эмиттер – к выводу 3. Для удобства использования и монтажа транзистора предусмотрены особые маркировки выводов на корпусе.

Транзистор КТ898А отличается высокой надежностью и стабильностью параметров, что позволяет его успешно применять в различных электронных устройствах, включая радиоприемники, усилители и источники питания. Благодаря своим характеристикам, данный транзистор является популярным выбором для радиолюбителей и профессиональных разработчиков.

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус	Маркировка
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92	—
GS8050T	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	45	TO-92	—
GSTSS8050	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
MPS8050	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92	—
S8050A/B/C/D/G	0,625	40	25	6	0,8/0,5	150	100/150	9	85…300	TO-92	—
S8050T	0,625	40	25	6	0,5	150	150	—	85	TO-92	—
SPS8050	0,625	15	12	6,5	1,5	150	260	5	200	TO-92	—
SS8050/C/D/G	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85…400	TO-92	—
SS8050T	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
STS8050	0,625	30	25	6	0,8	150	120	19	85	TO-92	—
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L	0,2	40	25	5	1,5	150	100	15	120…400	SOT-323	Y1
S8050W	0,25	40	25	6	0,8	150	100	9	85	SOT-323	Y1
SS8050W	0,2	40	25	5	1,5	150	100	—	120	SOT-323	Y1
GSTSS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	100	—	100	SOT-23	1HA
MMSS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120…350	SOT-23	Y1
MPS8050S	0,35	40	25	6	1,5	150	190	—	85	SOT-23	—
MPS8050SC	0,35	40	25	5	1,2	150	150	—	85…300	SOT-23	—
MS8050-H/L	0,2	40	25	6	0,8	150	150	—	80…300	SOT-23	Y11
S8050	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	—
S8050M-/B/C/D	0,45	40	25	6	0,8	150	100	9	85…300	SOT-23	HY3B/C/D
SS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	150	—	120	SOT-23	KEY
KST8050D	0,25	50	50	6	1,2	150	100	—	100…320	SOT-23	Y1C, Y1D
KST8050M	0,3	40	25	6	0,8	150	150	—	40…400	SOT-23	Y11
KST8050X	0,3	40	20	5	1,5	150	100	20	40…350	SOT-23	Y1+
KST9013	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200…400	SOT-23	J3
KST9013C	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	40…200	SOT-23	J3Y
S8050LT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	J3Y
MMS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	50…350	SOT-23	J3Y
DMBT8050	0,3	40	25	5	0,8	150	100	—	120	SOT-23	J3Y
KST8050S	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	50…400	SOT-23	J3Y
KTD1304S	0,2	25	20	12	0,3	150	50	10	20…800	SOT-23	J3Y
KTD1304	0,2	25	20	12	0,3	150	60	—	20…1000	SOT-23	J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра h_FE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Аналоговый мультиметр

В аналоговом мультиметре результаты измерений наблюдается по движению стрелки (как на часах) по измерительной шкале, на которой подписаны значения: напряжение, ток, сопротивление. На многих (особенно азиатских производителей) мультиметрах шкала реализована не совсем удобно и для того, кто первый раз взял такой прибор в руку, измерение может доставить некоторые проблемы.

Популярность аналоговых мультиметров объясняется их доступностью и ценой (2-3$), а основным недостатком является некоторая погрешность в результатах измерений. Для более точной подстройки в аналоговых мультиметрах имеется специальный построечный резистор, манипулируя которым можно добиться немного большей точности. Тем не менее, в случаях когда желательны более точные измерения, лучшим будет использование цифрового мультиметра.

Проверка работоспособности транзистора.

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.

Характеристики

КТ805АМ сопровождается технической документацией, составленной изготовителем, ее мы приложим в конце статьи. В документации представлена информация о приборе, его маркировка, а также характеристики для конкретных условий.

Максимальные характеристики КТ805АМ:

• Постоянное – до 60В;
• Импульсное – до 160В (если tи меньше либо равно 500 мкс, tФ больше либо равно 15 мс, RБЭ = 10 Ом, при температуре перехода до +100°C) и до 180 В в схемах строчкой телевизионной развёртки при других значениях;
• Предельный постоянной ток коллектора (К) – 5А, импульсный – 8 А;
• Предельная постоянная рассеиваемая мощность К без (или с) отвода тепла – 30 Вт;
• В схеме с общим эмиттером статический коэффициент передачи тока больше либо равен 15;
• Обратный ток К – больше либо равен 25 мА;
• Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером – больше либо равно 20 МГц;
• Шумовой коэффициент – до 2,5 дБ.

Кроме максимальных разрешённых значений в datasheet к транзистору приведены электрические значения. В описании каждый параметр указан в определённом режиме измерения, что отображено в столбцах. Представленные показатели действительны, если температура среды вокруг прибора не вырастет более +25°C.

Электрические характеристики транзистора КТ805АМ (при Т = +25 оC)
Параметры	Параметры тестирования	Обозн.	min	max	Ед. изм
К-т передачи тока при работе в схеме с ОЭ	Uкэ = 10 В, Iк = 2 А,Т = +25 ОС	h21Э	15
Uкэ = 10 В, Iк = 2 А,Т = -60 ОС	h21Э	5
Обратный эмиттерный ток	UБЭ = 160 В	IЭБO		100	мА
Напряжение насыщения К – Э	IК = 5 А, IБ = 0,5 А	UКЭ нас		2,5	В
Напряжение насыщения Б – Э	IК = 5 А, IБ = 0,5 А	UБЭ нас		1,5	В
Обратный кратковременный ток К – Э	RБЭ = 10 Ом, Uкэ = 160 ВТ = +25 ОС	IКЭO и		60	мА
Коэффициент передачи тока на высокой частоте	f = 10 МГц, Uкэ = 10 В,Iк = 1 А	IЭБO	2		мА

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC815

. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: NEC Сфера применения: Medium Power, High Voltage Популярность: 13955 Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 1 В.

Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора I_C) от входного напряжения (управления) база-эмиттер U_BE.

Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер U_CE = 1 В.

Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и эмиттер-база U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 10.

Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора f_T при возрастании коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В.

Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) C_ob от приложенного напряжения коллектор-база U_CB при непроводящей коллекторной цепи I_E = 0.

Частота процесса измерения составляет 1 МГц.

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Технические характеристики

Семейство кремниевых биполярных транзисторов КТ819, в зависимости от модификации, могут иметь следующие предельные эксплуатационные характеристики:

• напряжение между: коллектором и базой от 25 до 60 В; коллектором и эмиттером (при R_БЭ ≤ 100 Ом) от 40 до 100 В; базой и эмиттером – 5 В;
• постоянный ток на коллекторе от 10 до 15 А; проходящий через базу – 3 А;
• импульсный ток (при t_и ≤ 10 мс, Q ≥ 100): коллектора от 15 до 20 А; базы– 5 А;
• максимальная рассеиваемая мощность (при Т_К ≤ 25 oC) с теплоотводом от 60 до 100 Вт и без него от 1,5 до 3 Вт;
• температура p-n перехода от +125 до +150 oC;
• диапазон рабочих температур от -45 до +150 oC;

Основные параметры представлены в документации от производителя. Значения приводятся с учетом температуры окружающей среды не более +25 oC. Рассмотрим их подробнее, в зависимости от классификации устройств.

В связи с тем, что транзистор устарел, современные производители указывают в его техописании только минимальный набор параметров. Более подробную информацию по серии можно найти в старой версии даташит. Там данные приведены вместе с графиками передаточных характеристик, зависимостями статического коэффициента усиления от тока эмиттера и др.

Маркировка

Изучая параметры КТ819, стоит знать и другую маркировку этой серии транзисторов. Выполняя условия отраслевого стандарта ОСТ 11.336.919-81 различные отечественные производители обозначали его так — 2Т819. Первые символы «2T» указывают на кремневые биполярные транзисторы. В старых технических описаниях данные об этих устройствах приводят вместе с рассматриваемыми в этой статье.

Транзистор КТ829 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ829

Цоколевка транзистора КТ829(Т-М)

Описание

Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах.  Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.

Параметры транзистора КТ829

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ829А		BD267B, TIP122, BD901, BDW23C *2, BDW73C, BDW63C *2, 2SD1128 *2, 2SD1740 *2, BD267A *2
КТ829Б		BD267A, BD263, TIP121,  BD899A, BD899, BDW23B *2, BDW73B *2, BD267 *2
КТ829В		BD331, TIP120, BD897A, BD897, BDW23A, ТIР120 *2
КТ829Г		BD665, BD675, BD895A, BD895, BDW23, BDW73,  BDW63 *2, BD695 *1
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ829А	—	60*	Вт
КТ829Б	—	60*
КТ829В	—	60*

КТ829Г
—
60*
КТ829АТ
—
50

КТ829АП
—
50

КТ829АМ
—
60

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f_гр, f*_h31б, f**_h31э, f***_max
КТ829А
—
≥4
МГц

КТ829Б

—
≥4

КТ829В
—
≥4

КТ829Г
—
≥4

КТ829АТ
—
≥4

КТ829АП
—
≥4

КТ829АМ
—
≥4

Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
U_{КБО проб.,} U*_{КЭR проб.,} U**_{КЭО проб.}

КТ829А
1к
100*
В

КТ829Б
1к
80*

КТ829В
1к
60*

КТ829Г
1к
45*

КТ829АТ
—
100

КТ829АП
—
160

КТ829АМ
—
240

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора

U_{ЭБО проб.,} 
КТ829А
—5
В

КТ829Б
—5

КТ829В
—5

КТ829Г
—5

КТ829АТ
—5

КТ829АП
—
5

КТ829АМ
—
5

Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_{K max,} I*_{К , и max}
КТ829А
—
8(12*)
А

КТ829Б
—
8(12*)

КТ829В
—
8(12*)

КТ829Г
—
8(12*)

КТ829АТ
—
5

КТ829АП
—
5

КТ829АМ
—
8

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

I_КБО, I*_КЭR, I**_КЭO
КТ829А
100 В
≤1.5*
мА
КТ829Б
80 В
≤1.5*

КТ829В
60 В
≤1.5*

КТ829Г
60 В
≤1.5*

КТ829АТ
—
—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ

—
—

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h_21э,  h*_21Э
КТ829А
3 В; 3 А
≥750*

КТ829Б
3 В; 3 А
≥750*

КТ829В
3 В; 3 А
≥750*

КТ829Г
3 В; 3 А
≥750*

КТ829АТ
—

≥1000

КТ829АП
—
≥700

КТ829АМ
—
400…3000

Емкость коллекторного перехода
c_к,  с*_12э
КТ829А
—
≤120
пФ

КТ829Б
—
≤120

КТ829В
—
≤120

КТ829Г
—
≤120

КТ829АТ
—

—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ
—
—

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
 r_{КЭ нас},  r*_{БЭ нас, К}**_у.р.
КТ829А
—
≤0.57
Ом, дБ

КТ829Б
—
≤0.57

КТ829В
—
≤0.57

КТ829Г
—
≤0.57

КТ829АТ

—
≤0.3

КТ829АП
—
≤0.25

КТ829АМ
—
≤0.66

Коэффициент шума транзистора
К_ш, r*_b, P**_вых
КТ829А
—
—
Дб, Ом, Вт

КТ829Б
—
—

КТ829В
—
—

КТ829Г
—
—

КТ829АТ
—
—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ
—
—

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τ_к, t*_рас,  t**_выкл,  t***_пк(нс)
КТ829А
——
пс

КТ829Б
——

КТ829В
——

КТ829Г
——

КТ829АТ
——

КТ829АП
——

КТ829АМ
——

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Входные характеристики	Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб	Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса	Область максимальных режимов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Схема включения

Сама по себе LM7812 представляет собой схему стабилизации напряжения и подключения к ней устройство обычно осуществляется только для этого. По сути, кроме неё для выполнения этой функции больше ничего не требуется. Начинающие радиолюбители применяют её в своих разработках без дополнительной обвязки и она в них работает, но это не совсем правильное решение.

Желательно следовать рекомендациям производителей, которые приводят схему включения 7812 с использованием двух конденсаторов на 25 В и более. Их необходимо паять как можно ближе к контактам, для более устойчивой работы микросхемы. При этом на входе необходима емкость больше, чем на выходе. Несоблюдении этого правила приводит к нестабильности выходного напряжения при резком изменении в нагрузке. Кроме того, такая емкостная обвязка выполняет защитные функции от самовозбуждения.

В паспорте заявлено, что на выходе допускается вообще не устанавливать сглаживающий конденсатор. Это возможно благодаря тому, что роль силового регулирующего элемента внутри серии 78xx выполняет эмиттерный повторитель на транзисторе Дарлингтона. Но как показывает практика, небольшую емкость все же ставят для лучшего подавления выходных высокочастотных пульсаций.

Пример работы подобной схемы можно посмотреть в небольшом видеоролике.