Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009 .
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Можно попробовать заменить транзистор MJE13009 транзистором 2SC2335;
транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257; транзистором BUL74A; транзистором BUW72; транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257;
Основные характеристики и параметры транзисторов
Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.
Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).
В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?
ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.
Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.
По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.
По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).
По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).
По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!
По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).
По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).
Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.
Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».
УСИЛИТЕЛЬ ДЛЯ САБВУФЕРА ПО СХЕМЕ ЛАНЗАРА
Ну что сказать про один из самых повторяемых схем усилителя мощности, – схема Ланзар была разработана еще в 70-х годах прошлого столетия. На современной высокоточной элементарной базе, ланзар стал звучать еще лучше. По идее, схема отлично подходит и для широкополосной акустики, искажения при половине громкости всего 0,04% – полноценный Hi-Fi.
Выходной каскад усилителя построен на паре 2SA1943 и 2SC5200, все каскады собраны на максимально близких по параметрам комплиментарных парах, усилитель построен полностью по симметричной основе. Номинальная выходная мощность усилителя составляет 230-280 ватт, но можно снять гораздо больше, повышая входное напряжение питания.
Номиналы ограничительных резисторов дифференциальных каскадов подбирается исходя от входного напряжения. Ниже приведена таблица.
Питание ±70 В – 3,3 кОм…3,9 кОм Питание ±60 В – 2,7 кОм…3,3 кОм Питание ±50 В – 2,2 кОм…2,7 кОм Питание ±40 В – 1,5 кОм…2,2 кОм Питание ±30 В – 1,0 кОм…1,5 кОм
Эти резисторы подбираются с мощностью 1-2 ватт, в ходе работы на них может наблюдаться тепловыделение.
Регулирующий транзистор заменил на отечественный КТ815, на тот момент другого не было под рукой. Он предназначен для регулировки тока покоя выходных каскадов, в ходе работы не перегревается, но укреплен на общий теплоотвод с транзисторами выходного каскада.
Первый запуск схемы желательно сделать от сетевого блока питания, последовательно сетевой обмотке трансформатора подключите накальную лампу на 100-150 ватт, если будут проблемы, то спалите минимум деталей. А вообще, схема Ланзара не критична к монтажу и компонентам, я пробовал даже с широким разбросом используемых компонентов, с использованием отечественных радиодеталей – схема показывает высокие параметры даже в этом случая. Принципиальная схема Ланзара имеет две основные версии – на биполярных транзисторах и с применением полевых ключей в предпоследнем каскаде, в моем случае первая версия.
Второй предвыходной каскад работает в чистом классе “А“, поэтому в ходе работы транзисторы перегреваются. Транзисторы этого каскада обязательно устанавливают на теплоотвод, желательно общий, не забудьте про изоляции – слюдяные пластины и изолирующие шайбы для шурупов.
Правильно собранная схема заводится без всяких проблем. Первый запуск делаем с ЗАКОРОЧЕННЫМ НА ЗЕМЛЮ ВХОДОМ, т.е. вход усилителя стыкуем с средней точкой с блока питания. Если после запуска ничего не взорвалось, то можно отсоединять вход от земли. Дальше подключаем нагрузку – динамик и включаем усилитель. Для того, чтобы убедиться в работоспособности усилителя, достаточно дотронуться до оголенного входного провода. Если в головке появляется своеобразный рев – то усилитель работает! Дальше можно укрепить все силовые части на теплоотводы и подать на вход усилителя звуковой сигнал. После 15-20 минут работы на 30-50% от максимальной громкости нужно настроить ток покоя. На фотографии все детально показано, в качестве индикатора напряжение желательно использовать цифровой мультиметр.
Замер выходной мощности усилителя
Как выставить ток покоя
Электрические характеристики
| Обозначение | Параметр | Условия измерения | Мин. | Тип. | Макс. | Ед.изм. |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVCBO | Напряжение пробоя коллектор-база | IC= -100 µA, IE=0 | -50 | V | ||
| BVCEO | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | IC= -10mA, IB=0 | -50 | V | ||
| BVEBO | Напряжение пробоя эмиттер-база | IE= -10 µA, IC=0 | -5 | V | ||
| ICBO | Ток отсечки коллектора | VCB= -50V, IE=0 | -0.1 | µA | ||
| IEBO | Ток отсечки эмиттера | VEB= -5V, IC=0 | -0.1 | µA | ||
| hFE1 hFE2 | Коэффициент усиления по постоянному току | VCE= -6V, IC= -2mA VCE= -6V, IC= -150mA | 70 25 | 400 | ||
| VCE (sat) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC= -100mA, IB= -10mA | -0.1 | -0.3 | V | |
| VBE (sat) | Напряжение насыщения база-эмиттер | IC= -100mA, IB= -10mA | -1.1 | V | ||
| fT | Частотная эффективность | VCE= -10V, IC=-1mA | 80 | MHz | ||
| Cob | Выходное сопротивление | VCB= -10V, IE=0, f=1MHz | 4 | 7 | pF | |
| NF | Уровень шумов | VCE= -6V, IC= -0.1mA f=100Hz, RG=10kΩ | 0.5 | 6 | dB |
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре воздуха 25°C.
Что такое симистор и как он выглядит — кратко
Словосочетание «симметричный триодный тиристор» на английский язык переводится как symmetrical triode thyristor. Его же именуют triode for alternationg current (триод для переменного тока). Или сокращенно — triac (триак).
Все эти названия общеприняты, они встречаются в технической литературе. Вы можете столкнуться с любым из них.
Показываю фотографиями наиболее типичные конструкции корпусов, с которыми выпускаются эти полупроводниковые приборы.
На фото любого из них хорошо видно три контактных вывода. Они совместно с устройством корпуса изготавливаются под мощность номинальной нагрузки, которую должны передавать и коммутировать в режиме ключа.
Что такое ключ в электронике и электрике — образное пояснение
Сравним его работу с устройством входной двери, закрытой на замок.
Человек без ключа не сможет через нее пройти: замок надежно закрыт. Владелец квартиры и его доверенные люди имеют ключ, открывают дверь, свободно проникают в помещение.
Точно так же работают ключи в электрике, пропуская нагрузку. Только они управляются по команде и бывают трех типов:
- Механическими.
- Электромеханическими.
- Электронными.
Электрический ток совершает работу, например, освещает помещение. А ключ позволяет человеку управлять этим процессом за счет использования определенных технологий. Они разрешают коммутировать силовые контакты и даже выполнять дополнительные действия.
Таблица: как работает электрический ключ
| Функции | Вид ключа | ||
| Механический | Электромеханический | Электронный | |
| Как работает | Силовые контакты выключателя, переключателя, кнопки коммутируются кинематической схемой за счет манипуляций оператором | Силовые контакты переключает электромагнит под действием управляющего сигнала. | Силовые контакты коммутирует электронная схема под действием управляющего сигнала. |
| Управляющий сигнал | Ручное действие | Срабатывание электромагнита происходит под воздействием определенного электрического параметра нормируемой величины (уставки). Это может быть ток, напряжение, частота, мощность, фаза… | Биполярный транзистор коммутируется входным управляющим напряжением. Полевой транзистор — электрическим полем, посему он так и называется. Тиристор и симистор работают от тока, протекающего через управляющий электрод. |
| Основное преимущество | Относительная простота механизма | Возможность дистанционных коммутаций за счет изменения различных электрических сигналов | Кроме дистанционных переключений схемы есть регулировка выходного тока, что позволяет собирать различные регуляторы. Как пример, изменять мощность нагрузки, выставлять обороты вращения электродвигателя. |
Основным недостатком механических и электромагнитных ключей является переключение силовых контактов, вынужденно разрывающих цепь нагрузки.
При этом возникает электрическая дуга, выжигающая поверхность контактирующих металлов.
Она же может стать причиной пожара или взрыва горючих сред.
На предприятиях энергетики введена обязательная процедура: ежегодный внутренний осмотр всех реле, контакторов и пускателей с чисткой поверхностей контактов и прожимом контактных соединений.
Электронные ключи работают без дуги. Они имеют уменьшенные габариты, удачно вписываются внутри корпусов электроприборов.
Применение
В основном, транзистор КТ826А используется в усилителях мощности низкой частоты, таких как аудиоусилители или электронные системы коммуникации. Он обладает высокой мощностью и низким уровнем шума, что делает его прекрасным выбором для усиления звуковых сигналов.
Кроме того, КТ826А может использоваться в системах контроля и регулирования, где требуется усиление слабых сигналов и точная регулировка их уровня. Такие системы могут включать в себя аппаратуру для измерения, автоматического регулирования или сигнализации.
Транзистор КТ826А также может быть использован в электронных нагрузочных устройствах, которые используются для моделирования электрических цепей. Он позволяет анализировать и проверять работу различных электрических схем без необходимости подключения реальных компонентов или источников питания.
Из-за своих преимущественных характеристик, КТ826А также может быть использован в системах автоматизации и управления, например, в робототехнике, промышленных автоматах или системах умного дома.
КТ826А широко распространен и доступен на рынке электронных компонентов, что делает его популярным выбором для различных проектов и приложений.
Аналоги
Таблица содержит перечень элементов, предлагаемых для замены. Отбор производился по параметрам транзистора, – заголовкам столбцов таблицы. Исполнение – корпус ТО-92, структура – PNP.
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| КТА1266 | 50 | 0,15 | 0,625 | 70 | 80 |
| Импортное производство | |||||
| 2SA1015 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 80 |
| 2SB560 | 80 | 0,7 | 0,75 | 60 | 50 |
| KSA1015 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 80 |
| KSA708C | 60 | 0,7 | 0,8 | 40 | 30 |
| KSA709C | 150 | 0.7 | 0,8 | 70 | 50 |
| KSA733C | 50 | 0,15 | 0,25 | 50 | 40 |
| KTA1267 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 80 |
| KTA1279 | 300 | 0,5 | 0,625 | 40 | 50 |
| 2SA1137 | 80 | 0,1 | 0,3 | 100 | 90 |
| 2SA1136, | 80 | 0,1 | 0,3 | 100 | 90 |
| 2SA970, | 120 | 0,1 | 0,3 | 200 | 100 |
Примечание: характеристики параметров транзитора взяты из даташип производителя.
Транзистор КТ 826
Одной из главных особенностей транзистора КТ 826 является его высокая коммутационная способность, благодаря которой он может эффективно работать с большими токами и напряжениями. Это отличает его от других транзисторов и делает его предпочтительным для применения в мощных устройствах и схемах.
Технические характеристики транзистора КТ 826 включают максимальное значение коллекторного тока, максимальное значение коллекторного напряжения, коэффициент усиления по току, падение напряжения между базой и эмиттером и другие параметры
Знание этих характеристик важно при проектировании схем, чтобы гарантировать правильную работу транзистора и его соответствие требуемым спецификациям
Транзистор КТ 826 также может быть использован в различных схемах и приложениях. Например, его можно использовать в усилительных устройствах, преобразователях, стабилизаторах напряжения, импульсных источниках питания. Благодаря своим характеристикам и надежности, он является популярным выбором для радиолюбителей и инженеров по электронике.
В целом, транзистор КТ 826 — это важный компонент электронных схем и устройств, который обладает высокими техническими характеристиками и может быть использован в различных приложениях. От граммофонов и телевизоров до компьютеров и мобильных устройств, он играет роль в функционировании множества современной техники.
Технические параметры
Основные параметры транзистора КТ826А:
- Максимальная коллекторная-базовая напряжение (Uкб): 60 В;
- Максимальная коллекторно-эмиттерная напряжение (Uкэ): 30 В;
- Максимальный континуальный коллекторный ток (Iк): 20 А;
- Максимальный пиковый коллекторный ток (Iкп): 40 А;
- Максимальная мощность потери в кристалле (Pк): 175 Вт;
- Тепловое сопротивление от кристалла до корпуса (Rthjc): 0,33 °C/Вт.
Также важно отметить некоторые дополнительные характеристики:
- Максимальная рабочая частота (fmax): 30 МГц;
- Усиление по току (hfe): 10-20;
- Температурный диапазон работы: -65…+200 °C;
- Корпус: металлокерамический;
- Масса: не более 15 г.
Технические параметры транзистора КТ826А обеспечивают его широкое применение в различных радиолюбительских и профессиональных устройствах.
Справочный листок по транзисторам 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ:
Электрические
параметры:
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при UКБ = 10 В, IЭ = 10 мА: |
||
| 2Т602А, 2Т602АМ, КТ602АМ | 20…80 | |
| 2Т602Б, 2Т602БМ | 50…200 | |
| КТ602БМ, не менее | 50 | |
| при Т = -60 С | 2Т602А, 2Т602АМ | 5…80 |
| при Т = -45 С | КТ602АМ | |
| при Т = -60 С | 2Т602Б, 2Т602БМ | 12…200 |
| при Т = +125 С | 2Т602А, 2Т602АМ | 50…500 |
| при Т = +85 С | КТ602АМ | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ при UКЭ = 10 В, IК = 25 мА, не менее: |
||
| 150 МГц | ||
| Граничное напряжение при IЭ = 50 мА, не менее: |
||
| 70 В | ||
| Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, при IК = 50 мА, IБ = 5 мА, не более: |
||
| 3 В | ||
| Напряжение насыщения база — эмиттер, при IК = 50 мА, IБ = 5 мА, не более: |
||
| 3 В | ||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при UКБ = 10 В, IК = 10 мА, f = 2 МГц, не более: |
||
| 300 пс | ||
| Ёмкость коллекторного перехода при UКБ0 = 50 В, не более: |
||
| 4 пФ | ||
| Ёмкость эмиттерного перехода при UКБ0 = 0 В, не более: |
||
| 25 пФ | ||
| Обратный ток коллектора при UКБ0 = 120 В, не более: |
||
| 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ | 10 мкА | |
| КТ602АМ, КТ602БМ | 70 мкА | |
| Обратный ток коллектор — эмиттер при UКЭ = 100 В, RБЭ = 10 кОм, не более: |
||
| 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ | 10 мкА | |
| КТ602АМ, КТ602БМ | 100 мкА | |
| Обратный ток эмиттера при UЭБ0 = 5 В, не более: |
||
| 50 мкА |
Предельные
эксплуатационные данные:
| Постоянное напряжение коллектор — база: |
||
| при Тп. = +100 С | 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ |
120 В |
| при Тп. = +150 С | 60 В | |
| при Тп. = +70 С | КТ602АМ, КТ602БМ: | 120 В |
| при Тп. = +120 С | 60 В | |
| Импульсное напряжение коллектор — база: |
||
| при Тп. = +100 С | 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ |
160 В |
| при Тп. = +150 С | 80 В | |
| при Тп. = +70 С | КТ602АМ, КТ602БМ | 160 В |
| Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при RБЭ = 1 кОм: |
||
| при Тп. = +100 С | 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ: |
100 В |
| при Тп. = +150 С | 50 В | |
| при Тп. = +70 С | КТ602АМ, КТ602БМ | 100 В |
| при Тп. = +120 С | 50 В | |
| Постоянное напряжение эмиттер — база: |
||
| 5 В | ||
| Постоянный ток коллектора: |
||
| 75 мА | ||
| Импульсный ток коллектора при tимп. <= 1 мкс |
||
| 500 мА | ||
| Постоянный ток эмиттера: |
||
| 80 мА | ||
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода: |
||
| при Т <= +25 С | 0,85 Вт | |
| при Т = +125 С | 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ | 0,16 Вт |
| при Т = +85 С | КТ602АМ, КТ602БМ | 0,2 Вт |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: |
||
| при Т <= +25 С | 2,8 Вт | |
| при Т = +125 С | 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ | 0,56 Вт |
| при Т = +85 С | КТ602АМ, КТ602БМ | 0,65 Вт |
| Тепловое сопротивление: |
||
| переход — корпус: | 45 С/Вт | |
| переход — окружающая среда: | 150 С/Вт | |
| Температура p-n перехода: |
||
| 2Т602А, 2Т602АМ, 2Т602Б, 2Т602БМ | +150 C | |
| КТ602АМ, КТ602БМ | +120 C | |
| Температура окружающей среды: |
||
| -60…+125 С | ||
| Изгиб выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса с радиусом изгиба не менее 1,5 мм для 2Т602А, 2Т602Б. Для 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ допус кается одноразовый изгиб при тех же условиях. Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 5 мм от корпуса при температуре не выше +260 С, в течение не более 10 с для 2Т602А, 2Т602Б, не более 3 с для 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ. |
Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru