Распиновка
Цоколевка КТ815 содержит информацию о том, на каком из трёх выводов находится эмиттер, коллектор и база. Наиболее распространён он в корпусе ТО-126 ( отечественное называние КТ-27). Если взять такой компонент контактами вниз и маркировкой к себе, то ножка слева – это Э, посредине – К, справа – Б. Кроме этого можно встретить данное устройство в корпусе КТ-89 (согласно международному стандарту DPAK). Расположение выводов показано на рисунке ниже.
На изображении также представлен вариант маркировки. Первая буква указывает на группу, например на КТ815А будет нанесено обозначение 5А. Последующие символы говорят о дате выпуска.
Транзисторы П213 и КТ815 — маркировка и цоколевка.
Транзисторы
КТ815
Транзисторы КТ815 — кремниевые, мощные,
низкочастотные, структуры — n-p-n.Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.Масса — около 1 г.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может
быть двух типов.
Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и
некодированная — в две.
Первый знак в кодированной маркировке КТ815 цифра 5, второй знак — буква, означающая класс.
Два следующих знака, означают месяц и год выпуска.
В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке.
На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ815.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В от 30. У транзисторов КТ815Г — от 20.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ815А
— 25 в. У транзисторов КТ815Б
— 45 в. У транзисторов КТ815В
— 60 в. У транзисторов КТ815Г
— 80 в.
Максимальный ток коллектора — 1,5 А постоянный, 3 А — импульсный.
Рассеиваемая мощность коллектора.
— 10 Вт на радиаторе, 1 Вт — без.
Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 40 в — 50 мкА
Сопротивление базы.
При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 5 мА, на частоте 800 кГц
— не более 800 Ом.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — не более
0,6 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — не более
1,2 в.
Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц и
напряжении коллектор-база 5в — 60 пФ.
Граничная частота передачи тока — 3 МГц.
Транзисторы — купить… или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы?В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные
запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день.
Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки
— можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги.
Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте.
Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101,
Рига 103, Урал Авто-2.
Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204-
стерео и т. д.
На главную страницу В начало
Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Основные технические параметры транзистора КТ815
| Прибор | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
| при T = 25°C | |||||||||||||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКЭ, В | IК, А | UКЭ нас, В | IКБ0, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | ||
| КТ815 А | 1,5 | 3 | 25 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 40 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 | ||||
| КТ815 Б | 1,5 | 3 | 40 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 40 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 | ||||
| КТ815 В | 1,5 | 3 | 60 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 40 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 | ||||
| КТ815 Г | 1,5 | 3 | 80 | 5 | 10 | 25 | 125 | 100 | 30 | 2 | 0,15 | 0,6 | 0,05 | 3 | 60 | 75 | 10 |
Справочный листок по транзисторам КТ501А…М:
Электрические
параметры:
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: |
||
| при UКЭ = 1 В, IК = 30 мА |
КТ501А, КТ501Г, КТ501Ж, КТ501Л | 20…60 |
| КТ501Б, КТ501Д, КТ501И, КТ501М | 40…120 | |
| КТ501В, КТ501Е, КТ501К | 80…240 | |
| при UКЭ = 1 В, IК, имп. = 0,5 мА |
не менее | 6 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при UКЭ = 5 В, IК = 10 мА: |
||
| не менее | 5 МГц | |
| Коэффициент шума при UКБ = 3 В, IК = 0,2 мА, RГ = 3 кОм, f = 1 кГц |
||
| не более | 4 дБ | |
| типовое значение | 2 дБ | |
| Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более: |
||
| при IК = 0,3 А, IБ = 0,06 А |
0,4 В | |
| при IК = 0,5 А, IБ = 0,1 А |
0,7 В | |
| Напряжение насыщения база — эмиттер при IК = 0,3 А, IБ = 0,06 А: |
||
| не более | 1, 5 В | |
| Обратный ток коллектор — эмиттер, при UКЭ R = UКЭ R, макс., RБЭ = 10 кОм: |
||
| не более | 1 мкА | |
| Обратный ток эмиттера при UБЭ = UБЭ, макс.: |
||
| не более | 1 мкА | |
| Емкость коллекторного перехода при UКБ = 10 В, f = 500 кГц: |
||
| не более | 50 пФ | |
| Емкость эмиттерного перехода при UБЭ = 0,5 В, f = 500 кГц: |
||
| не более | 100 пФ |
Предельные
эксплуатационные данные:
| Постоянные напряжения напряжение коллектор — база и коллектор — эмиттер: |
||
| при RБЭ <= 10 кОм, Т = +25…+125 С: |
КТ501А, КТ501Б, КТ501В | 15 В |
| КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е | 30 В | |
| КТ501Ж, КТ501И, КТ501К | 45 В | |
| КТ501Л, КТ501М | 60 В | |
| Постоянное напряжение база — эмиттер: |
||
| при Т = -60…+125 С: | КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е |
10 В |
| при Т = +25…+125 С: | КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М | 20 В |
| Постоянный ток коллектора: |
||
| 0,3 А | ||
| Импульсный ток коллектора: |
||
| 0,5 А | ||
| Постоянный ток базы: | ||
| 0,1 А | ||
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при T <= -60…+35С: |
||
| 0,35 Вт | ||
| Температура p-n перехода: |
||
| +150 С | ||
| Температура окружающей среды: |
||
| -60…+125 С | ||
| При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт присоединяется первым и отключается последним. Расстояние от места сгиба до корпуса транзистора не менее 3 мм с радиусом закругления 1,5…2 мм. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора. |
Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru
Параметры транзистора КТ817
Hantek 2000 – осциллограф 3 в 1
Портативный USB осциллограф, 2 канала, 40 МГц….
| Uкбо | — max напряжение коллектор-база |
| Uкбои | — max напряжение (импульсное) коллектор-база |
| Uкэо | — max напряжение коллектор-эмиттер |
| Uкэои | — max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер |
| Iкmax | — max постоянный ток коллектора |
| Iкmax и | — max импульсный ток коллектора |
| Pкmax | — max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора |
| Pкmax т | — max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором |
| h21э | — коэффициент усиления в схеме с ОЭ |
| Iкбо | — ток коллектора (обратный) |
| fгр | — граничная частота h21э в схеме с ОЭ |
| Uкэн | — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер |
ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г
DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9
Пример маркировки транзистора:
Специфика КТ817
• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C
• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816
Скачать datasheet КТ817 (unknown, скачано: 2 760)
Блок питания 0…30 В / 3A
Набор для сборки регулируемого блока питания…
Характеристики популярных аналогов
Наименование производителя: KT972A
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Наименование производителя: WW263
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO220
Наименование производителя: U2T833
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Аналоги (замена) для U2T833
Наименование производителя: U2T832
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Наименование производителя: U2T823
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Наименование производителя: U2T6O1
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO66
Наименование производителя: U2T605
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO66
Наименование производителя: TTD1415B
- Маркировка: D1415B
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
- Корпус транзистора: TO220SIS
