Транзистор КТ837В — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Содержание драгметаллов

Транзистор КТ803А(2T803А) содержит драгоценные металлы. В современных справочниках обычно приводится следующая информация: содержание золота — 0,02982гр., серебра — 0,154042гр. Вместе с тем, в различных даташит советских времен могут встречается и другие данные, очень близкие к указанным.

В основном ценятся изделия выпущенные по декабрь 1989 г. После этой даты встречается бракованные экземпляры или с пониженным содержанием драгметаллов. Поэтому, перед покупкой такого лома для аффинажа, они просят надпиливать шляпки у устройств, чтобы было видно золотистую подложку. На фотографии ниже продемонстрировано, как это обычно делают.

КТ819 — применение

Сразу стоит упомянуть, что КТ819 имеет комплементарную пару — транзистор КТ818 с p-n-p структурой. Параметры КТ818 аналогичны параметрам КТ819 с совпадающими буквами. И вот в паре с КТ818, КТ819 часто применялся в оконечных каскадах звуковоспроизводящей аппаратуры. Также благодаря своей дешевизне нашел применение в ключевых и линейных стабилизаторах постоянного напряжения. КТ819 имеет серьезные минусы:

1. низкий коэффициент усиления по току (от 12 до 20 в зависимости от подтипа), и это требует серьезной раскачки на предварительном каскаде;

1. плохая повторяемость параметров от экземпляра к экземпляру, из-за этого чтобы подобрать две пары транзисторов по коэффициенту усиления может потребоваться перебрать целое ведро КТ819

Так что если потребуется отремонтировать отечественный усилитель, то лучше сразу покупать импортные аналоги. Например вместо КТ819 и КТ818 в корпусе КТ-9, поставить зарубежную пару в корпусе TO-3: MJ15001 и MJ15002 или MJ15003 и MJ15004.

В принципе аналогов много и в интернете много информации на этот счет, только вот не факт, что конкретно в этом усилителе замена подойдет. Поэтому перед заменой необходимо свериться с документацией производителя, транзистор которого собираетесь устанавливать так как от производителя к производителю у одного и того же типа транзистора могут отличатся параметры.

Вот ещё аналоги:

• КТ818ГМ — 2N2955
• КТ819ГМ — 2N3055
• 2Т819А — 2N5068

8 thoughts on “ КТ819 параметры ”

Не считаю, что низкий коэффициент передачи тока, данных транзисторов, являлся серьезным минусом, при использовании в выходных каскадах УМЗЧ. Скорее наоборот, особенно в экономичном режиме усиления АБ, когда часть работы выходного каскада брал на себя предварительный. К тому-же, многокаскадность позволяет использовать разнообразные цепи коррекции АЧХ. А для любых биполярных транзисторов, в таком применении, без этого никак не обойтись. А для простых, но мощных УНЧ (мегафонных, сиренных…), да, не очень подходят. Только для схематично-сложных Hi-Fi. Разброс КПТ, при его изначальной малости, тоже довольно мал, так что подобрать пару несложно, не путайте с 825-ми и 827-ми. По настоящему хороши 2Т818ГМ, 2Т819ГМ и их аналоги 2N2955, 2N3055.

Много «дохлых» попадается среди непользованных 818/819, с утечкой, звонящихся между коллектором и эмиттером.

Для пары КТ819 и КТ818 небольшие начальные утечки тока почти норма, и при их прямой замене на зарубежные аналоги, придется провести тщательную перенастройку всех предыдущих каскадов, включенных в обратную связь по току. Паразитная проводимость обязательно учитывается при проектировании схем, и даже в некоторых случаях предотвращает самовозбуждение. И если речь идет о замене транзистора в высококлассном многокаскадном УМЗЧ, то лучше будет после этого сделать настройку с помощью осциллографа и генератора низкой частоты.

Транзисторы с утечкой в выходном каскаде — ни ток покоя, ни ноль на выходе уже не выставишь без плясок с бубном.

Помню времена , когда за пару 818-819 нужно было отвалить чуть-ли не ползарплаты инженера.Зато усилители радовали. Сегодня вытеснила интегральная электроника — дискретную. Но для тренировки ума и рук — очень полезная деталь. Я, кстати, просто как ленивый радиолюбитель рассуждаю.

Ну, те что в железе, действительно, были дороговаты… Правда, у радиоинженера были возможности их просто выписать на складе, сдав взамен сгоревшие, для отчетности ) А те, что пошли попозже и были одеты в пластик, дорого уже не стоили. И не потому, что так уж хуже были по параметрам, а потому, что технология производства гораздо проще и дешевле. Сегодня ситуация не изменилась — один и тот же кристалл одетый в железо стоит на порядок (!) дороже аналогичного в пластике. Это касается и отечественных и зарубежных транзисторов.

Ребята, используйте 2Т819 и никакой 2N3055 вам не понадобится!

Ну. Всё захаили всё советское это не так,это не то,всё гавно -а. забугорное не гавно- это сладость. Как ламповые уселители так и транзисторные. Радиотехника… Бердский радиозавод. и т.д. Что-то все хотели купить 1 класса . и 0 высшего. А кто знает какого параметра была ихняя электроника ?Вы кто-то производил снятия характеристик?Я давно выписываю журнал Радио. И не надо хаить советскую радиопромышленность. Что то сейчас в тренде опять советские ламповые уселители.

Транзисторы КТ608 — драгметаллы, характеристики, аналоги

Описание транзистора КТ608

КТ608 – это высокочастотный кремниевый транзистор с средней мощностью. Изготавливается в металлическом корпусе с изоляторами из стекла типа КТЮ-3-6 с гибкими выводами. Корпус герметичен. Существую серии КТ и 2Т, отличаются тем, то 2Т имеет более широкий диапазон рабочей температуры, указано внизу статьи в разделе характеристик.

Таблица содержания драгметалла в граммах для транзисторов серии КТ608

Транзистор	Золото, гр в 1000 шт	Золото, гр в 1000 шт Н.возвр	Золото, гр в 1 шт
КТ608А	21	17,85	0,021
КТ608А	23,11	19,6435	0,02311
КТ608Б	21	17,85	0,021
КТ608Б	23,1	19,635	0,0231
КТ608Б	23,11	19,6435	0,02311

Таблица веса драгметаллов в транзисторе КТ608 в граммах для 1шт и 1000шт, с учётом нормы возвратаНорма возврата. Стоит учесть, после переработки удаётся извлечь не весь драгметалл указанный в паспорте. По этой причине, приведён расчёт учитывая норму возврата (Н.возвр). Были изучены разные источники и собраны средние данные по возврату. Хоть и бывает такое что извлекается почти 100%, ориентироваться на нормы возврата будет более реалистичным. Скупаются радиоэлементы дешевле цены металла в них на 15-50%.

Важный нюанс. Производить изделия могли в разное время и у разных изготовителей, что может сказаться на базовом значении веса драгметалла, а в последствии и на переработанном. РЭА произведённые в более раннем году, имеют более высокие шансы содержать драгметаллы и чаще в большем количестве чем у последующих версий. Прослеживается для любых радиоэлементов в большинстве случаев. Новые же, по причине развития техпроцесса, иногда вовсе без драгметалла.

Цена предлагаемая скупщиками

Посмотрев на расценки, видно что скупщики принимают реле за 50% – 100% от текущей курсовой стоимости драгметалла. Для того чтобы лучше ориентироваться в цене, желательно свериться с актуальной ценой на мировых торговых биржах.

Исторические цены драгметалла на мировых биржах: Золото за 1 гр – 1600-4500 руб

Цены указаны для высшей пробы

В конкретном случае важно понимать, что чем ниже проба, тем меньше стоимость. А так же в зависимости от того по какой цене согласен покупать скупщик. Примечания относительно цен на драгметаллы

Примечания относительно цен на драгметаллы.

Золото неуклонно росло с 2005 по 2012, с цены 800 до 3800 руб за грамм. С тех пор упало почти в 2 раза и колеблется в диапазоне 2100-2800 руб за грамм с 2013 года. Как можно заметить, в ожидании кризиса 2022 году цена золота снова выросла. После рисковых ситуаций в мире обычно снова возвращается к средней цене.

Надеюсь этим удастся помочь сориентироваться относительно влияния мировых цен на выгодность.

Часто целесообразно такие изделия сдавать на лом после выработки рабочего ресурса, как изделия они стоят иногда существенно дороже.

Стоимость транзистора КТ608 в качестве изделия

Цены в основном распределены от 740 – 150 рублей за штуку. Сильно колеблются в зависимости от характеристик, производителя, года производства, технического состояния, желаний продавца и года выпуска.

• Цены для примера, в среднем, за 1 шт: КТ608А, 1980-90ых – 60-120 руб
• КТ608Б, 1980-90ых – 250-330 руб

Встречаются и такие цены:

КТ608А – 23-85 руб

КТ608Б – 50-120 руб

Характеристики транзисторов КТ608

• Масса: 1.75 гр, до 2 гр по другим данным
• Цоколевка: повернуть ножками к себе, коллектор с виду отличается, если расположить его внизу треугольника, то база будет слева, эмиттер справа.
• Температура эксплуатации: серия КТ -40+85°C
• серия 2Т -60+120°C

Максимальная температура перехода: +120°C

Аналоги

Зарубежные: КТ608А 2SC456, BCR521

КТ608Б CD637, PA6034, 2SD602A, 2SD46, SG107
Срок сохраняемости с момента изготовления, минимальный: 12 лет

КТ837Б, транзистор КТ837

Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТФ предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. Доставка продукции осуществляется всеми современными трaнcпортными компаниями. Стоимость доставки имеет прямую зависимость от сроков доставки быстрее — дороже.

Мы доверяем нашу продукцию:. Для удобства торгующих организаций, занимающихся комплексными поставками работает система: drop shipping, при которой наша компания осуществляет отгрузку сразу на конечного заказчика, без захода на склад покупателя.

Вся продукция поставляемая нашей организацией подлежит поддержке гарантийных обязательств, согласно документации на соответствующие изделие. Гарантийный срок для каждого прибора индивидуален от 12 месяцев. После изучение рекламационных актов, нашими техническими специалистами принимается решение, о полной замене, либо ремонте товара в зависимости от хаpaктера неисправности.

Прошу обратить внимание, что гарантийные обязательства не распростаняются на продукцию, которая была повреждена механическими воздействием. График работы: пн-пт — Каталог О компании Новости Контакты

Авиационное оборудование Газовое оборудование Гидравлическое оборудование Гидравлические фильтры Гидроклапаны Гидронасосы Гидроприводы. Комплектующие Наборы инструментов.

Вентиляторы Кондиционеры. Запopная арматура Прессы Станки Фильтрующее оборудование. Громкоговорители Пульты управления связи Системы промышленной связи Усилители связи Шахтные телефоны. Диоды Микросхемы Стабилизаторы Транзисторы. Воспламенители Выключатели, рубильники, переключатели Источники питания Кабельное оборудование Компрессоры Конденсаторы Контакторы Контроллеры Насосное оборудование Преобразователи Регистраторы Реле Светодиодная арматура Сигнализаторы Сигнальное оборудование Средства оповещения Устройства коммутации Электроды Электромагниты Электроприводы Электротехнические соединители.

Введите ключевые слова для поиска. Транзистор КТФ. Под заказ Количество. Общие хаpaктеристики Доставка и оплата Гарантия Аналоги Биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор КТФ предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения и другой аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Номер технических условий аАО. Условия доставки Доставка продукции осуществляется всеми современными трaнcпортными компаниями. Условия оплаты Наша компания предоставляет гибкие условия оплаты: Оплата после получения и проверки продукции. Покупатель оплачивает по факту поставки в течение оговоренного срока. Детально об условиях оплаты оговаривайте с менеджером. Гарантийные обязательства осуществляются с нашего склада. Транзистор КТА. Под заказ. Транзистор КТБ. Транзистор КТД9. Транзистор КТМ2.

Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2ТА.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные
запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день.
Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки
— можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги.
Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте.
Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например — «Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые
транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70).
в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео,» «Радиотехника У-101 стерео.»

На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Автомобилистам на заметку

Многие автолюбители задумывались над перегоранием ходовых огней на своей машине. Данная микросхема позволяет решить эту проблему с минимальными затратами и набором компонентов, так как она может стабилизировать нестабильное бортовое напряжение до уровня 12 В. Для работы в такую схему рекомендуют добавить два конденсатора на 25 В c емкостью на входе 330 мкФ и выходе 100 мкФ, диод IN4007, и радиатор для отвода тепла. Однако некоторые автомобилисты обходятся без них и вполне довольны результатом.

Описание того как работает схема подключения для ходовых огней можно посмотреть в непродолжительном видеоролике.

Схема включения

Сама по себе LM7812 представляет собой схему стабилизации напряжения и подключения к ней устройство обычно осуществляется только для этого. По сути, кроме неё для выполнения этой функции больше ничего не требуется. Начинающие радиолюбители применяют её в своих разработках без дополнительной обвязки и она в них работает, но это не совсем правильное решение.

Желательно следовать рекомендациям производителей, которые приводят схему включения 7812 с использованием двух конденсаторов на 25 В и более. Их необходимо паять как можно ближе к контактам, для более устойчивой работы микросхемы. При этом на входе необходима емкость больше, чем на выходе. Несоблюдении этого правила приводит к нестабильности выходного напряжения при резком изменении в нагрузке. Кроме того, такая емкостная обвязка выполняет защитные функции от самовозбуждения.

В паспорте заявлено, что на выходе допускается вообще не устанавливать сглаживающий конденсатор. Это возможно благодаря тому, что роль силового регулирующего элемента внутри серии 78xx выполняет эмиттерный повторитель на транзисторе Дарлингтона. Но как показывает практика, небольшую емкость все же ставят для лучшего подавления выходных высокочастотных пульсаций.

Пример работы подобной схемы можно посмотреть в небольшом видеоролике.

Технические характеристики

В первую очередь возможности транзистора зависят от предельно допустимых характеристик. Их превышение во время работы приведет к выходу устройства из строя. Для КТ837 они равны:

• постоянное напряжение К-Б: КТ837А, Б, В, Л, М, Н, 2Т837А, Г – 80 А;
• КТ837Г, Д, Е, П, Р, С, 2Т837Б, Д – 60 В;
• КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф, 2Т837В, Е – 45 В;

постоянное напряжение К-Э (RЭБ = 100 Ом):

• КТ837А, Б, В, Л, М, Н, 2Т837А, Г – 70 А;

КТ837Г, Д, Е, П, Р, С, 2Т837Б, Д – 55 В;
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф, 2Т837В, Е – 40 В;
постоянное напряжение К-Э (RЭБ = ∞ Ом):

• КТ837А, Б, В, Л, М, Н – 60 А;

КТ837Г, Д, Е, П, Р, С – 45 В;
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф – 30 В;
постоянное напряжение Э-Б:

• КТ837А-К, 2Т837А-В – 15 В;

КТ837Л-Ф, 2Т837Г-Е – 5 В;
коллекторный ток:

• КТ837А-Ф – 7,5 А;

2Т837А-Е – 8 А;
ток базы – 1 А;
мощность:

• без теплоотвода – 1 Вт;

с теплоотводом – 30 Вт.

Кроме максимальных на возможности и сферу применения КТ837 влияют также и электрические характеристики. Они измерялись при температуре +25°С. Остальные параметры тестирования, способные повлиять на конечный результат, приведены в следующей таблице в отдельной колонке.

Электрические характеристики транзистора КТ837 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы тестирования	Тр-р	min	max	Ед. изм
Статический к-т усиления в схеме ОЭ	UКБ = 5 В, IЭ = 2 мА	КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т	10	40
КТ837Б, М, Д, Р, И, У	20	80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф	50	150
Обратный ток К-Э	UКЭ = UКЭ макс	ВСЕ	10	мА
Обратный ток К-Б	UКб = UКб макс	ВСЕ	0,15	мА
Обратный ток через Э	UЭБ = 15 В	КТ837А-Г	0,3	мкА
UЭБ = 5 В	КТ837Л-Ф	0,3
Напряжение насыщения К-Э	Iк= 3 A, Iб= 0,37 A	КТ837А-В, Л-Н	2,5	В
Iк= 3 A, Iб= 0,37 A	КТ837Г-Е, П-С	0,9
Iк= 2 A, Iб= 0,3 A	КТ837Ж-К, Т-Ф	0,5
Напряжение насыщения Б-Э	Iк= 2 A, Iб= 0,5 A	ВСЕ	1,5	В

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

• Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
• Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Основные параметры

Транзисторы серии КТ837 подразделяют на 19 типов (от А до Х). У всей линейки одинаковая заявленной рассеиваемая мощность 30 Вт (при использовании теплоотвода) и ток коллектора 7,5 А (у белорусского до 10 А). По остальным параметрам они отличаются между собой, в основном величиной максимального напряжению между выводами и коэффициентом усиления по току (разброс по h_21Э  от 10 до 150).

Ниже представлены все возможные типы транзистора КТ837 и их основные технические характеристики. Значения указаны для температуры окружающей среды не более +25 oС.

Как видно из представленной таблицы параметров, данные устройства не могут похвастаться способностью работать при высоких температурах, характерных для большинства современных аналогов. Так, максимальный нагрев корпуса (Т_К) у них не должен превышать  +100 oС, а перехода (Т_П) +125oС. Граничная частота коэффициента передачи тока (F гр.) иногда больше 1 МГц, в новых партиях может достигать 5 МГц.

Коэффициент h_21Э

К сожалению, разброс значений коэффициента усиления по току h_21Э (он же H_FE в зарубежной литературе) у серии КТ837 очень высокий — это один из главных её минусов. При этом, данный параметр может плавать в разных партиях как в большую, так и в меньшую сторону. Например, у некоторых транзисторов h_21Э по даташит составляет 150_,  а при замерах в реальной жизни — в два, а то и в три раза хуже заявленного и не превышать 50.

Чтобы избежать сюрпризов в работе уже купленного транзистора, необходимо предварительно проверять соответствие значения h21Э с данными из даташит. Это можно сделать обычным мультиметром. Также заранее необходимо определится с его ролью в проекте. Устройства с буквами «В», «E»,  «Н» в конце маркировки, лучше подходят для усиления — они имеют h21Э от 50 до 150 и большой запас по возможному напряжению между выводами коллектор-эммттер

Для коммутационных схем лучше обратить внимание на устройства с меньшим h21Э  и напряжением насыщения

Наиболее универсальными в линейке являются транзисторы КТ837Ф. Как видно из таблицы параметров, они обладают довольно низким напряжением насыщения (U_КЭ.нас. до 0,5 В), небольшим для этого током базы (I_КБO до 0,15 мА)  и высоким  h_21Э (от 50 до 150). Они хорошо подходят как для усиливающих, так и для переключений схем.

Меры безопасности

Для стабильной работы любого полупроводникового устройства необходимо правильно рассчитать его обвязку и добиться соблюдения режимов эксплуатации. Производители обычно рекомендуют отнимать от заявленных в даташит значений параметров 20-30%. Чтобы транзистор меньше грелся дополнительно предусматривают установку его на радиатор.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для рассматриваемого устройства является серия с NPN-структурой КТ805. Её долгие годы производили «без пары» и поэтому не указывали данной информации в технических справочниках. Позже для него начали производить комплементарник — КТ837 PNP-структуры. Очень часто эта парочка встречалась в выходных каскадах УНЧ. В советские годы их применяли в активной акустике вроде «Радиотехник S70», блоках УНЧ-50-8 усилителей «Радиотехника У7101 СТЕРЕО», «Радиотехника У101 СТЕРЕО».

Аналоги

Для транзистора КТ837 довольно сложно найти аналог. В большинстве случаев, при поиске ему альтернативы можно найти рекомендации по замене на уже снятые с производства транзисторы. Поэтому многие радиолюбители предпочитают не заморачиваться и меняют на оригинальный. В российских магазинах радиотоваров найти его не сложно. Тем не менее, для некоторых транзисторов этой серии можно рассмотреть следующие варианты замены:

• КТ837А, КТ837Г – BD244A, TIP42C;
• КТ837Б — BD302, KT818Б;
• КТ837В — КТ835Б, 2SB834;
• КТ837Д — 2N6111;
• КТ837C — 2N6108, 2N6109, BD225;
• КТ837Е — BD277;
• КТ837К — TIP127, КТ8115А;
• КТ837Н — 2N6107, BD223;
• КТ837Ф — 2N6106, BD224;
• КТ837Х — NTE197.

Файл:Радио 1986 г. №04.djvu

Драгоценные металлы в транзисторе КТФ согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов. Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТФ. Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТФ сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте. Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей : найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,. Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака электронами или дырками , поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов в отличие от биполярных.

Применение

На транзисторе КТ838 можно собрать регулируемый источник переменного тока. В данной схеме его включают последовательно с нагрузкой. Преимущество данной схемы, перед тиристорными, заключается в следующем: отсутствие дорогостоящих деталей, синусоидальное напряжение на выходе, простота схемы, отсутствие дефицитных деталей, во время работы не создает помех в электросеть.

Данный регулируемый источник переменного тока можно использовать вместо лабораторного автотрансформатора. С его помощью можно регулировать температуру паяльника, скорость вращения электродвигателя. Данный прибор можно использовать для регулирования напряжения, как при активной, так и при реактивной нагрузке.

При работе в такой схеме транзистор КТ838 выделяет много тепла и поэтому возникает проблема с его отводом.

Диодный мост VD1 обеспечивает протекание прямого тока через транзистор при любом полупериоде переменного напряжения сети. Выпрямленное диодным мостом VD2 напряжение сглаживается электролитическим конденсатором С1. При помощи переменного резистора R2 регулируется ток базы транзистора VТ1, а значит и его сопротивление в цепи переменного тока. Резистор R1 выступает в роли ограничителя тока. Диод VD3 нужен для того, чтобы напряжение отрицательной полярности не попало на базу транзистора. Таким образом, регулируя напряжение на базе, мы управляем сопротивлением транзистора, а значит и током в коллекторной цепи. Изменяя ток коллектора, мы меняем ток нагрузки.

В диодном мосте VD1 используется четыре диода Д223. Для диодного моста VD2 можно использовать диоды КЦ405А. Диод VD3 это Д226Б. Электролитический конденсатор С1 имеет емкость 200 мкФ и рассчитан на напряжение 16 В. Переменный резистор R2 обязательно должен быть проволочным ППБ15 или ППБ16 мощностью не менее 2,5 Вт. Его сопротивление 1 кОм. Трансформатор Т1 рассчитывается на мощность от 12 до 15 Вт. Напряжение на вторичной обмотке трансформатора 6 — 10 В. Транзистор должен быть установлен на радиаторе площадью не менее 250 см2.

Чтобы увеличить мощность регулируемого источника переменного тока, нужно заменить транзистор VТ1 и диоды, используемые в диодном мостике VD1. При замене транзистора КТ838 на КТ856 можно будет подключать нагрузку 150 Вт, при замене на КТ834 — 200 Вт, КТ847 — 250 Вт.

Данный регулируемый источник тока гальванически связан с электрической сетью. Поэтому его корпус должен быть сделан из диэлектрика, а на переменный резистор R2 нужно надеть изолированную ручку.

Также можете скачать DataSheet от компании ООО «Электроника и Связь»

Применение и подключение транзистора КТ837Д

Особенностью транзистора КТ837Д является его высокая рабочая частота до 150 МГц, что позволяет использовать его в быстродействующих устройствах. Кроме того, он обладает низким уровнем шума и малым коэффициентом температурной дрейфа, что способствует сохранению качества сигнала.

Подключение транзистора КТ837Д производится в соответствии с его электрическими характеристиками. Он имеет три вывода: эмиттер (Е), базу (B) и коллектор (К). Правильное подключение позволяет обеспечить правильную работу транзистора и максимальную эффективность схемы.

Для подключения транзистора КТ837Д следует следовать следующим правилам:

1. Подключите эмиттер (Е) транзистора к общей точке схемы или минусу общей нагрузки.

2. Подключите коллектор (К) транзистора к положительной стороне питающего напряжения.

3. Подключите базу (B) транзистора к источнику сигнала или к предварительным элементам усиления сигнала.

Применение транзистора КТ837Д находит место в различных устройствах, включая аудиоусилители, радиопередатчики и приемники, обработку сигналов, а также другие электронные устройства. Он может использоваться как одиночный транзистор, так и в составе более сложных схем.

Транзистор КТ837Д предоставляет возможность создания эффективных электронных устройств с высоким качеством сигнала и надежной работой. Зная его технические характеристики и правила подключения, можно успешно применять его в различных проектах и схемах.

Транзисторные ключи

В основе большинства схем, используемых в вычислительных машинах, устройствах телеуправления, системах автоматического управления и т.п., лежат транзисторные ключи.

Схемах ключа на биполярном транзисторе и ВАХ показаны на рисунке:

Первое состояние «выключено» (транзистор закрыт) определяется точкой А1 на выходных характеристиках транзистора; его называют режимом отсечки. В режиме отсечки ток базы Iб = 0, коллекторный ток Iк1 равен начальному коллекторному току, а коллекторное напряжение Uк = Uк1 ≈ Ек. Режим отсечки реализуется при Uвх = 0 или при отрицательных потенциалах базы. В этом состоянии сопротивление ключа достигает максимального значения: Rmax = , где RT — сопротивление транзистора в закрытом состоянии, более 1 МОм.

Второе состояние «включено» (транзистор открыт) определяется точкой А2 на ВАХ и называется режимом насыщения. Из режима отсечки (А1) в режиме насыщения (А2) транзистор переводится положительным входным напряжением Uвх. При этом напряжение Uвых принимает минимальное значение Uк2 = Uк.э.нас порядка 0,2-1,0 B, ток коллектора Iк2 = Iк.нас ≈ Ек/Rк. Ток базы в режиме насыщения определяется из условия: Iб > Iб.нас = Iк.нас / h21.

Входное напряжение, необходимое для перевода транзистора в открытое состояние, определяется из условия: Uвх > Iб.нас · Rб + Uк.э.нас

Хорошая помехозащищенность и малая мощность, рассеиваемая в транзисторе, объясняется тем, что транзистор большую часть времени либо насыщен (А2), либо закрыт (А1), а время перехода из одного состояния в другое составляет малую часть от длительности этих состояний. Время переключения ключей на биполярных транзисторах определяется барьерными емкостями р-n-переходов и процессами накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе.

Для повышения быстродействия и входного сопротивления применяются ключи на полевых транзисторах.

Схемы ключей на полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и с индуцированным каналом с общим истоком и общим стоком показаны на рисунке:

Для любого ключа на полевом транзисторе Rн > 10-100 кОм.

Управляющий сигнал Uвх на затворе порядка 10-15 В. Сопротивление полевого транзистора в закрытом состоянии велико, порядка 108-109 Ом.

Сопротивление полевого транзистора в открытом состоянии может составлять 7-30 Ом. Сопротивление полевого транзистора по цепи управления может составлять 108-109 Ом. (схемы «а» и «б») и 1012-1014 Ом (схемы «в» и «г»).

Аналоги для КТ837

Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 2,5 г. Основные технические хаpaктеристики транзистора КТФ: Структура транзистора: p-n-p Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: В Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: Все предложения просьба отправлять на нашу электронную почту.

Основные параметры

• Коэффициент передачи по току.
• Входное сопротивление.
• Выходная проводимость.
• Обратный ток коллектор-эмиттер.
• Время включения.
• Предельная частота коэффициента передачи тока базы.
• Обратный ток коллектора.
• Максимально допустимый ток.
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают:

• коэффициент усиления по току α;
• сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току r_э, r_к, r_б, которые представляют собой:
  • r_э — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода;
  • r_к — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода;
  • r_б — поперечное сопротивление базы.

Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Для вторичных параметров предложено несколько систем параметров и соответствующих им эквивалентных схем. Основными считаются смешанные (гибридные) параметры, обозначаемые буквой «h».

Входное сопротивление — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения.

h₁₁ = U_m1/I_m1, при U_m2 = 0

Коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения.

h₁₂ = U_m1/U_m2, при I_m1 = 0.

Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения.

h₂₁ = I_m2/I_m1, при U_m2 = 0.

Выходная проводимость — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения.

h₂₂ = I_m2/U_m2, при I_m1 = 0.

Зависимость между переменными токами и напряжениями транзистора выражается уравнениями:

U_m1 = h₁₁I_m1 + h₁₂U_m2;

I_m2 = h₂₁I_m1 + h₂₂U_m2.

В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК.

Для схемы ОЭ: I_m1 = I_mб, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mб-э, U_m2 = U_mк-э. Например, для данной схемы:

h_21э = I_mк/I_mб = β.

Для схемы ОБ: I_m1 = I_mэ, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mэ-б, U_m2 = U_mк-б.

Собственные параметры транзистора связаны с h-параметрами, например для схемы ОЭ:

С повышением частоты заметное влияние на работу транзистора начинает оказывать ёмкость коллекторного перехода C_к. Его реактивное сопротивление уменьшается, шунтируя нагрузку и, следовательно, уменьшая коэффициенты усиления α и β. Сопротивление эмиттерного перехода C_э также снижается, однако он шунтируется малым сопротивлением перехода r_э и в большинстве случаев может не учитываться. Кроме того, при повышении частоты происходит дополнительное снижение коэффициента β в результате отставания фазы тока коллектора от фазы тока эмиттера, которое вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эммитерного перехода к коллекторному и инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе. Частоты, на которых происходит снижение коэффициентов α и β на 3 дБ, называются граничными частотами коэффициента передачи тока для схем ОБ и ОЭ соответственно.

В импульсном режиме ток коллектора изменяется с запаздыванием на время задержки τ_з относительно импульса входного тока, что вызвано конечным временем пробега носителей через базу. По мере накопления носителей в базе ток коллектора нарастает в течение длительности фронта τ_ф. Временем включения транзистора называется τ_вкл = τ_з + τ_ф.