Транзистор кт818г: характеристики, аналог импортный, цоколёвка

Технические характеристики

Вначале рассмотрим предельные эксплуатационные данные. Они являются основными при выборе и при подборе устройства для замены. При превышении данных параметров, даже в течение небольшого промежутка времени, изделие может выйти из строя. Приведём характеристики для КТ818Г:

напряжение К – Б (постоянное) – 80 В;
постоянное напряжение К – Э (R_бэ ≤ 100 Ом) – 90 В;
постоянное напряжение Б – Э – 5 В;
постоянный ток коллектора – 10 А;
кратковременный ток коллектора – 15 А;
постоянный ток базы – 3 А;
импульсный ток базы – 5 А;
мощность, рассеиваемая на коллекторе:
- с теплоотводом – 60 Вт;
- без теплоотвода – 1,5 Вт;
температура кристалла — +125ОС;
диапазон рабочих температур – от -40 до +100 ОС;

Электрические параметры также содержат важную и интересную информацию о рассматриваемом изделии. От них зависят функциональные возможности КТ818Г:

статический коэффициент передачи тока (U_КБ = 5 В, I_К = 5 А) – 12;
граничная частота коэффициента передачи тока (U_КБ = 5 В, I_Э = 0,5 А) – 3 МГц;
граничное напряжение (I_Э = 0,1 А) – 80 В;
напряжение К-Э (при I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А) – 2 В;
напряжение К-Э (I_К = 20 А, I_Б = 5 А) – 0,7 В;
напряжение Б-Э (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А) – 3 В;
напряжение Б-Э (I_К = 20 А, I_Б = 5 А) – 1,6 В;
пробивная разность потенциалов Б-Э (I_Э = 5 мА) – 5 В;
обратный ток коллектора (U_КБ = 40 В):
- Т = от -40 до +25 ОС – 1 мА;
- Т = +100 ОС – 10 мА;
время включения (U_КБ = 5 В, I_К = 0,5 А) – 2,5 мкс;
ёмкость коллекторного перехода (U_КБ = 5 В, f = 1 МГц) – 400 пФ;
ёмкость эмиттерного перехода (U_БЭ = 0,5 В, f = 1 МГц) – 2000 пФ.

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 нельзя назвать дефицитной деталью. Тем не менее, встречаются случаи, когда по тем или иным причинам необходимо подобрать его аналог – то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога для любого отечественного или импортного транзистора основополагающими характеристиками являются:

допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эммитера;
допустимый ток коллектора;
коэффициент усиления;
рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену теми или иными отечественными и зарубежными транзисторами.

Заменить КТ819 можно следующими отечественными транзисторами:

КТ834;
КТ841;
КТ844;
КТ847.

Зарубежные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:

2 N6288 ;
BD705 ;
TIP41 ;
BD533 .

Отдельно стоит сказать об аналоге для КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используются именно КТ819ГМ. Чем заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор – 2 N 3055. Кроме этого, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с В D 183, 2 N 6472, КТ729.

Проверка транзистора

Проверить КТ819 можно обыкновенным тестером. Для проверки измерительный прибор переводится в режим измерения сопротивлений. Согласно схеме КТ819ГМ (расположению выводов) или другого компонента этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к выводу базы, а минусовой – к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показать пробивное напряжение. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключаем минусовой щуп к выводу эмиттера. В данном случае прибор должен показать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.

После описанной выше процедуры следует проверить переходы при обратном включении. Согласно схеме КТ819 (расположению выводов) подключаем минусовой щуп тестера к выводу базы, а плюсовой – к выводу коллектора. Каких-либо показаний на приборе быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключаем плюсовой щуп к эмиттеру – как и в случае с переходом база-коллектор, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, а транзистор – исправным, если переходы не повреждены.

Важный момент: проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его из схемы. Проще говоря – проверка элемента, соединенного с другими компонентами схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» приведем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Схема простейшего усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является питание его от двухполярного источника. Благодаря такому схемотехническому решению обеспечивается возможность подключения нагрузки непосредственно между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить и то, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термостабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, при питании напряжением ±40 В и при нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений – 0,07%.

После сборки усилителя каких-либо операций по его настройке не требуется. Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя ( VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использован один общий радиатор, транзисторы должны быть закреплены к нему через изоляционные прокладки.

Технические характеристики

Разброс величин предельно допустимых режимов эксплуатации у КТ825 достаточно широк. Например, максимальное напряжение между выводами К и Э находится в диапазоне от 30 до 100 В. Также эта серия, вместе с большими коэффициентами усиления, славится высокой мощностью и пропускаемым током. Рассмотрим значения этих параметров подробнее:

предельное напряжение К-Э от 30 до 100 В;
постоянное напряжение Б-Э до 5 В;
коллекторный ток: постоянный от 15 до 30 А; импульсный от 30 до 40 А;
рассеиваемая мощность на коллекторе: от 30 до 125 Вт (с радиатором); от 1 до 3 Вт (без теплоотвода); у кристалла до 40 Вт;
температура: p-n-перехода от +150 до +175 °С; окружающей среды от -60 до +100 °C.

Электрические параметры

Электрические параметры транзистора из серии кт825 представлены в таблице

Обратите внимание, что все данные представлены с учетом температуры окружающей среды не более + 25 °C. Стоит заметить, что H21э в схеме с общим эмиттером имеет наибольшее значение при нагреве корпуса близком к максимальному значению (ТК ≈ макс.)