Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог
|
|
|
|
.
Характеристики популярных аналогов
Наименование производителя: 2N5153
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO39
Наименование производителя: 2N5153-220M
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO252
Наименование производителя: 2N5153S
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO39
Наименование производителя: 2N5153SM
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO252
Наименование производителя: 2N5153SMD
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO-276AB
Сравнение характеристик транзистора КТ816Б и его аналогов
- Тип транзистора: КТ816Б — биполярный, КТ819Б — биполярный, КТ315Б — биполярный.
- Максимальное коллекторное напряжение: КТ816Б — 40 В, КТ819Б — 60 В, КТ315Б — 50 В.
- Максимальный коллекторный ток: КТ816Б — 1 А, КТ819Б — 1 А, КТ315Б — 1 А.
- Максимальная мощность: КТ816Б — 0.4 Вт, КТ819Б — 0.6 Вт, КТ315Б — 0.4 Вт.
- Параметр h21e (коэффициент усиления): КТ816Б — 100-600, КТ819Б — 200-800, КТ315Б — 20-200.
- Частота переключения: КТ816Б — 150 МГц, КТ819Б — 150 МГц, КТ315Б — 150 МГц.
- Тип корпуса: КТ816Б — TO-92, КТ819Б — TO-92, КТ315Б — TO-92.
Эти аналоги показывают схожие характеристики с транзистором КТ816Б, и их можно использовать вместо него в различных электронных схемах и устройствах. Это дает возможность подобрать наиболее подходящий аналог для конкретной задачи, в зависимости от требуемых параметров и условий эксплуатации.
Характеристики транзистора КТ817
| Транзистор | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), А | Pкmax(т), Вт | h21э | fгр., МГц |
| КТ817А | 40 | 40 | 3 (6) | 1 (25) | 25-275 | 3 |
| КТ817Б | 45 | 45 | 3 (6) | 1 (25) | 25-275 | 3 |
| КТ817Б2 | 45 | 45 | 3 (6) | 1 (25) | ≥100 | 3 |
| КТ817В | 60 | 60 | 3 (6) | 1 (25) | 25-275 | 3 |
| КТ817Г | 100 | 90 | 3 (6) | 1 (25) | 25-275 | 3 |
| КТ817Г2 | 100 | 90 | 3 (6) | 1 (25) | ≥100 | 3 |
Uкбо(и) – Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-базаUкэо(и) – Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттерIкmax(и) – Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектораPкmax(т) – Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)h21э – Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромfгр – граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816
Как выбрать подходящий аналог для транзистора КТ816Б
В случае, если требуется найти аналог для транзистора КТ816Б, следует обратить внимание на его основные характеристики, такие как максимальное напряжение коллектора, максимальный коллекторный ток, коэффициент передачи тока h21e и частотные характеристики. После определения этих параметров можно подобрать подходящий аналог
Одним из простых способов найти аналоги для КТ816Б является использование онлайн-каталогов электронных компонентов, которые предлагают поиск по параметрам и фильтрацию результатов. В таких каталогах можно указать желаемые характеристики и получить список подходящих аналогов, среди которых можно сделать выбор.
Замена транзистора КТ816Б аналогом требует также учета размеров и монтажных особенностей новой компоненты. Поэтому перед покупкой необходимо убедиться, что аналог имеет совместимые размеры и подходит для требуемого способа монтажа (например, SMD или through-hole).
| Наименование транзистора | Максимальное напряжение коллектора | Максимальный коллекторный ток | Коэффициент передачи тока h21e | Цена |
|---|---|---|---|---|
| Транзистор А | 60 В | 500 мА | 45-600 | 5 руб. |
| Транзистор Б | 80 В | 1 А | 100-2000 | 10 руб. |
| Транзистор В | 100 В | 2 А | 200-3000 | 15 руб. |
Приведенная выше таблица содержит примеры аналогов для транзистора КТ816Б, которые могут быть использованы вместо него
Важно отметить, что цена и наличие компонентов могут изменяться со временем, поэтому рекомендуется проверять актуальность информации перед приобретением
Выбор аналога для транзистора КТ816Б может быть сложной задачей, особенно для начинающих электронщиков. Поэтому, если у вас возникли сомнения или вопросы, рекомендуется обратиться к специалисту в области электроники или к поставщику компонентов для получения дополнительной консультации.
Зарубежные прототипы
- КТ815Б — BD135
- КТ815В — BD137
- КТ815Г — BD139
14 thoughts on “ КТ815 параметры ”
Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше
Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования
Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши
Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.
Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.
Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».
На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм
Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.
Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…
Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.
Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).
По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.
Распиновка
Цоколевка транзистора КТ817Г зависит от корпуса, в котором размещено устройство. Он в свою очередь в зависимости от монтажа, бывает всего двух типов: для дырочного, с жесткими выводами применяется КТ27 (ТО-126), а для поверхностного — КТ-89 (DPAK). На рисунке ниже представлено назначение каждого из контактов, для разных типов упаковки.
Оба корпуса выполнены из пластмассы. У транзистора КТ817Г (КТ-27), с отверстием для крепления на радиатор, следующее назначение контактов: первая ножка – эмиттер (Э), вторая – коллектор (К), третья – база (Б). Задняя часть металлизированной упаковки в таком исполнении физически соединена с коллекторным выводом.
КТ817Г9 (КТ-89) не имеет отверстия для крепления на теплоотвод. Вывод К соединен с задней металлической поверхностью. Если смотреть на лицевую часть устройства, то назначение контактов будет таким: в нижней части расположены выводы Б и Э, а сверху размещен К. Цифра “9” в конце обозначения, указывает на тип упаковки для поверхностного монтажа КТ-89 (DPAK). На транзисторах в таком исполнении отсутствует маркировка.
Скупка радиодеталей и радиолома
золотосеребропалладийплатину
Транзисторы легко распознать по наличию у них трех ножек. Наибольшее количество драгоценных металлов, содержащихся в транзисторах, можно найти в советской вычислительной технике, а так же в разработках предприятий военно-промышленного комплекса СССР.
Транзисторы: рекомендации по разборке:
Не секрет что желтое покрытие на транзисторах и микросхемах советского производства — это позолота. В разные года толщина покрытия колебалась от одного до пяти микрон, поэтому детали выпущенные до 90 года имеют более толстый слой покрытия, чем те которые выпускались позже отсюда и разница в цене.
При разборке плат желтые транзисторы и микросхемы лучше выпаивать. Способ может быть любой: строительным феном, паяльником, на электроплитке или горелкой. Главное — сохранить в целости выводы (ножки). Чем длиннее выводы, тем выше цена за транзистор или микросхему.
Транзисторы и микросхемы без выводов считаются дешевле (т.к. значимая часть золота находиться на выводах). По этой же причине новые детали с желтым покрытием всегда дороже (выводы не обрезаны). Если нет возможности выпаивать детали, наши специалисты посчитают детали на платах. Если у вас большое количество плат, радиодеталей и нет возможности привезти их к нам на приемный пункт, тогда мы можем приехать к вам и на месте оценить детали и рассчитаться.
О выезде звоните по тел.: 8-937-266-19-99.
Мы принимаем транзисторы с драгметаллами:
| Наименование | Фото | |
| КТ 201, 203, 305, 118 КП 301 | Прайс | |
| КТ 312, 301, 306 желтые | Прайс | |
| КТ 601, 603, 608 желтые | Прайс | |
| КТ 602, 604 желтые | Прайс | |
| КТ 630, 830, 631, 831 | Прайс | |
| КПС 104, АОТ, АОД, АОУ | Прайс | |
| КТ 301, 306, 312, 313 белые | Прайс | |
| ГТ 311, 316 желтые | Прайс | |
| КТ 308, П307, 308, 309 белые | Прайс | |
| КТ 602, 604 белые | Прайс | |
| КТ 610, 913, КТ 939 | Прайс | |
| КТ 909 | Прайс | |
| КТ 930, 958 | Прайс | |
| КТ 912, 947, КП 904 | Прайс | |
| КТ 935, 704, 926 | Прайс | |
| КТ 911, 920, 922, 930, 931, 950 | Прайс | |
| КТ 904, 907 желтые | Прайс | |
| КТ 606 белый | Прайс | |
| КП 901, 903 желтое кольцо | Прайс | |
| КТ 802, 803, 808, 809, 908, 812 | Прайс | |
| КТ 815, 816, 817, 639, 611 | Прайс | |
| Транзисторы производства стран СЭВ | Прайс | |
| КТ 3117, 645, 368, 3126, 3102 | Прайс | |
| КТ 315, 361 | Прайс |
Характеристики КТ815
Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815
| Наименование | U КБ , В | U КЭ , В | I K , мА | Р К , Вт | h21 э | I КБ , мА | f, МГц | U КЭ , В. |
| КТ815А | 40 | 30 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815Б | 50 | 45 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815В | 70 | 65 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815Г | 100 | 85 | 1500(3000) | 1(10) | 30-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
Обозначения из таблицы читаются следующим образом:
- U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
- U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
- I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
- Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
- h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
- I КБ — обратный ток вывода коллектора.
- f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
- U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.
Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:
- Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
- Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.
Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.
Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.
