Транзистор КТ8130Б — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Транзисторы кт361,кт3107

Биполярный транзистор KT814 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT814

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ814В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Значения параметров КТ814 при Тперехода=25oС

Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:

  • КТ814А, Б, В — 40
  • КТ814Г — 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

КТ814А, Б, В, Г — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБО)

КТ814А, Б, В, Г — 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

КТ814А, Б, В, Г — 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

КТ814А, Б, В, Г — 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2N5153

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153-220M

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153S

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153SM

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153SMD

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO-276AB

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.  Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Самые длинные названия применяют:

  • американская фирма Motorola,
  • японская Seiko Instruments
  • тайваньская Pan Jit.
Код Тип ЭРЭ Фирма Рис. Код Тип ЭРЭ Фирма Рис.
7E MUN5215DW1T1 K2 MO 2Q
11 MUN5311DW1T1 L3 MO 2Q 7F MUN5216DW1T1 K2 MO 2Q
12 MUN5312DW1T1 L3 MO 2Q 7G MUN5230DW1T1 K2 MO 2Q
12 INA-12063 U2 HP 2Q 7H MUN5231DW1T1 K2 MO 2Q
13 MUN5313DW1T1 L3 MO 2Q 7J MUN5232DW1T1 K2 MO 2Q
14 MUN5314DW1T1 L3 MO 2Q 7K MUN5233DW1T1 K2 MO 2Q
15 MUN5315DW1T1 L3 MO 2Q 7L MUN5234DW1T1 K2 MO 2Q
16 MUN5316DW1T1 L3 MO 2Q 7M MUN5235DW1T1 K2 MO 2Q
BC847S N5 SI 2Q 81 MGA-81563 U1 HP 2Q
1P BC847PN P6 SI 2Q 82 INA-82563 U1 HP 2Q
31 MUN5331DW1T1 L3 MO 2Q 86 INA-86563 U1 HP 2Q
32 MUN5332DW1T1 L3 MO 2Q 87 INA-87563 U1 HP 2Q
33 MUN5333DW1T1 L3 MO 2Q 91 IAM-91563 U1 HP 2Q
34 MUN5334DW1T1 L3 MO 2Q A2 MBT3906DW1T1 P5 MO 2Q
35 MUN5335DW1T1 L3 MO 2Q A3 MBT3906DW9T1 P5 MO 2Q
36 ATF-36163 A1 HP 2Q A4 BAV70S E4 SI 2Q
3C BC857S P5 SI 2Q E6 MDC5001T1 U3 MO 2Q
3X MUN5330DW1T1 L3 MO 2Q H5 MBD770DWT1 F2 MO 2Q
46 MBT3946DW1T1 P6 MO 2Q II AT-32063 N2 HP 2Q
51 INA-51063 U2 HP 2Q M1 CMY200 U1 SI 2R
52 INA-52063 U2 HP 2Q M4 MBD110DWT1 F2 MO Q
54 INA-54063 U2 HP 2Q M6 MBF4416DW1T1 A3 MO 2Q
6A MUN5111DW1T1 L2 MO 2Q MA MBT3904DW1T1 N5 MO 2Q
6B MUN5112DW1T1 L2 MO 2Q MB MBT3904DW9T1 N5 MO 2Q
6C MUN5113DW1T1 L2 MO 2Q MC BFS17S N5 SI 2Q
6D MBF5457DW1T1 A3 MO 2Q RE BFS480 N5 SI 2Q
6D MUN5114DW1T1 L2 MO 2Q RF BFS481 N5 SI 2Q
6E MUN5115DW1T1 L2 MO 2Q RG BFS482 N5 SI 2Q
6F MUN5116DW1T1 L2 MO 2Q RH BFS483 N5 SI 2Q
6G MUN5130DW1T1 L2 MO 2Q T4 MBD330DWT1 F2 MO 2Q
6H MUN5131DW1T1 L2 MO 2Q W1 BCR10PN L3 SI 2Q
6J MUN5132DW1T1 L2 MO 2Q WC BCR133S K2 SI 2Q
6K MUN5133DW1T1 L2 MO 2Q WF BCR08PN L3 SI 2Q
6L MUN5134DW1T1 L2 MO 2Q WK BCR119S K2 SI 2Q
6M MUN5135DW1T1 L2 MO 2Q WM BCR183S K2 SI 2Q
7A MUN5211DW1T1 K2 MO 2Q WP BCR22PN L3 SI 2Q
7B MUN5212DW1T1 K2 MO 2Q Y2 CLY2 A1 SI 2R
7C MUN5213DW1T1 K2 MO 2Q 6s CGY60 U1 SI 2R
7D MUN5214DW1T1 K2 MO 2Q Y7s CGY62 U1 SI 2R

Технические характеристики

Технические характеристики транзистора КТ815 зависят от группы, которая обозначается символом в конце маркировки. Рассмотрим первый, самый слабый по своим параметрам, относительно других устройств — КТ815А. Он имеет следующие максимально допустимые режимы эксплуатации:

  • предельно допустимое постоянное напряжение между: К-Э до 40 В (RЭБ  ≤ 100 Ом); Э-Б до 5 В;
  • коллекторный ток: постоянный до 1.5 А; импульсный до 3 А;
  • ток базы до 0.5 А;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе: до 10 Вт (c теплотводом);  до 1 Вт (без отвода тепла);
  • температура p-n-перехода до +150 °C;
  • диапазон рабочих температур вокруг корпуса -60 … +125 °C.

Другие устройства в серии, отличаются большими напряжениями между выводами К-Э (до 100 В для группы «Г») и немного другими режимами измерений. Подробнее об этом рассмотрено в статьях про КТ815Б, КТ815Г.

Электрические

Основные электрические параметры КТ815А, при температуре окружающей среды до +25 °C (±10 °C), представлены ниже. В отдельном столбце приведены режимы измерения (тестирования в процессе производства).

Обратите внимание на большой диапазон возможных знамений статического коэффициента передачи ток (H21Э от 40 до 275). С таким разбросом достаточно тяжело подобрать комплементарную пару, поэтому многие радиолюбители давно отказались от использования этого транзистора в своих схемах

Комплементарники

Для каждой из групп КТ815 разработана своя комплиментарная пара, относящаяся к серии отечественных транзисторов — КТ814. По своим свойствам и характеристикам, кроме структуры с p-n-p-проводимостью, она очень похожа на рассмотренный. В паре эти два транзистора часто встречаются в схемах предкаскадов усиления мощности, а также стабилизаторах напряжения для питания небольшой нагрузки.

Аналоги

Качественный аналог для КТ815 подобрать трудно, особенно если он работает по схеме вместе с другим транзистором.  В связи с большим разбросом параметров по H21Э и вероятностью брака даже в новых белорусских образцах, его чаще всего меняют на зарубежный BD139. Именно он указан в даташите как импортный прототип. Также в качестве возможной альтернативы можно рассмотреть такие устройства: BD13910STU, BD135, BD137, BD165-BD169(ТО-126), TIP29C(ТО-220), КТ-817.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: