Биполярный транзистор KT814 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KT814
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ814В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.
Значения параметров КТ814 при Тперехода=25oС
Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:
- КТ814А, Б, В — 40
- КТ814Г — 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)
КТ814А, Б, В, Г — 0,6 В
Обратный ток коллектоpа (IКБО)
КТ814А, Б, В, Г — 0,05 мА
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
КТ814А, Б, В, Г — 3 МГц
Емкость коллектоpного перехода (CК)
КТ814А, Б, В, Г — 60 пф
Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)
Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)
Характеристики популярных аналогов
Наименование производителя: 2N5153
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO39
Наименование производителя: 2N5153-220M
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO252
Наименование производителя: 2N5153S
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO39
Наименование производителя: 2N5153SM
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO252
Наименование производителя: 2N5153SMD
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO-276AB
Зарубежная маркировка SMD
В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.
Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.
Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.
Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.
Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.
Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.
Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.
Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.
Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.
Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.
Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.
Самые длинные названия применяют:
- американская фирма Motorola,
- японская Seiko Instruments
- тайваньская Pan Jit.
Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. | Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. |
7E | MUN5215DW1T1 | K2 | MO | 2Q | |||||
11 | MUN5311DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7F | MUN5216DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
12 | MUN5312DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7G | MUN5230DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
12 | INA-12063 | U2 | HP | 2Q | 7H | MUN5231DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
13 | MUN5313DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7J | MUN5232DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
14 | MUN5314DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7K | MUN5233DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
15 | MUN5315DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7L | MUN5234DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
16 | MUN5316DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7M | MUN5235DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
1С | BC847S | N5 | SI | 2Q | 81 | MGA-81563 | U1 | HP | 2Q |
1P | BC847PN | P6 | SI | 2Q | 82 | INA-82563 | U1 | HP | 2Q |
31 | MUN5331DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 86 | INA-86563 | U1 | HP | 2Q |
32 | MUN5332DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 87 | INA-87563 | U1 | HP | 2Q |
33 | MUN5333DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 91 | IAM-91563 | U1 | HP | 2Q |
34 | MUN5334DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A2 | MBT3906DW1T1 | P5 | MO | 2Q |
35 | MUN5335DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A3 | MBT3906DW9T1 | P5 | MO | 2Q |
36 | ATF-36163 | A1 | HP | 2Q | A4 | BAV70S | E4 | SI | 2Q |
3C | BC857S | P5 | SI | 2Q | E6 | MDC5001T1 | U3 | MO | 2Q |
3X | MUN5330DW1T1 | L3 | MO | 2Q | H5 | MBD770DWT1 | F2 | MO | 2Q |
46 | MBT3946DW1T1 | P6 | MO | 2Q | II | AT-32063 | N2 | HP | 2Q |
51 | INA-51063 | U2 | HP | 2Q | M1 | CMY200 | U1 | SI | 2R |
52 | INA-52063 | U2 | HP | 2Q | M4 | MBD110DWT1 | F2 | MO | Q |
54 | INA-54063 | U2 | HP | 2Q | M6 | MBF4416DW1T1 | A3 | MO | 2Q |
6A | MUN5111DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MA | MBT3904DW1T1 | N5 | MO | 2Q |
6B | MUN5112DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MB | MBT3904DW9T1 | N5 | MO | 2Q |
6C | MUN5113DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MC | BFS17S | N5 | SI | 2Q |
6D | MBF5457DW1T1 | A3 | MO | 2Q | RE | BFS480 | N5 | SI | 2Q |
6D | MUN5114DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RF | BFS481 | N5 | SI | 2Q |
6E | MUN5115DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RG | BFS482 | N5 | SI | 2Q |
6F | MUN5116DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RH | BFS483 | N5 | SI | 2Q |
6G | MUN5130DW1T1 | L2 | MO | 2Q | T4 | MBD330DWT1 | F2 | MO | 2Q |
6H | MUN5131DW1T1 | L2 | MO | 2Q | W1 | BCR10PN | L3 | SI | 2Q |
6J | MUN5132DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WC | BCR133S | K2 | SI | 2Q |
6K | MUN5133DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WF | BCR08PN | L3 | SI | 2Q |
6L | MUN5134DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WK | BCR119S | K2 | SI | 2Q |
6M | MUN5135DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WM | BCR183S | K2 | SI | 2Q |
7A | MUN5211DW1T1 | K2 | MO | 2Q | WP | BCR22PN | L3 | SI | 2Q |
7B | MUN5212DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y2 | CLY2 | A1 | SI | 2R |
7C | MUN5213DW1T1 | K2 | MO | 2Q | 6s | CGY60 | U1 | SI | 2R |
7D | MUN5214DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y7s | CGY62 | U1 | SI | 2R |
Технические характеристики
Технические характеристики транзистора КТ815 зависят от группы, которая обозначается символом в конце маркировки. Рассмотрим первый, самый слабый по своим параметрам, относительно других устройств — КТ815А. Он имеет следующие максимально допустимые режимы эксплуатации:
- предельно допустимое постоянное напряжение между: К-Э до 40 В (RЭБ ≤ 100 Ом); Э-Б до 5 В;
- коллекторный ток: постоянный до 1.5 А; импульсный до 3 А;
- ток базы до 0.5 А;
- мощность рассеиваемая на коллекторе: до 10 Вт (c теплотводом); до 1 Вт (без отвода тепла);
- температура p-n-перехода до +150 °C;
- диапазон рабочих температур вокруг корпуса -60 … +125 °C.
Другие устройства в серии, отличаются большими напряжениями между выводами К-Э (до 100 В для группы «Г») и немного другими режимами измерений. Подробнее об этом рассмотрено в статьях про КТ815Б, КТ815Г.
Электрические
Основные электрические параметры КТ815А, при температуре окружающей среды до +25 °C (±10 °C), представлены ниже. В отдельном столбце приведены режимы измерения (тестирования в процессе производства).
Обратите внимание на большой диапазон возможных знамений статического коэффициента передачи ток (H21Э от 40 до 275). С таким разбросом достаточно тяжело подобрать комплементарную пару, поэтому многие радиолюбители давно отказались от использования этого транзистора в своих схемах
Комплементарники
Для каждой из групп КТ815 разработана своя комплиментарная пара, относящаяся к серии отечественных транзисторов — КТ814. По своим свойствам и характеристикам, кроме структуры с p-n-p-проводимостью, она очень похожа на рассмотренный. В паре эти два транзистора часто встречаются в схемах предкаскадов усиления мощности, а также стабилизаторах напряжения для питания небольшой нагрузки.
Аналоги
Качественный аналог для КТ815 подобрать трудно, особенно если он работает по схеме вместе с другим транзистором. В связи с большим разбросом параметров по H21Э и вероятностью брака даже в новых белорусских образцах, его чаще всего меняют на зарубежный BD139. Именно он указан в даташите как импортный прототип. Также в качестве возможной альтернативы можно рассмотреть такие устройства: BD13910STU, BD135, BD137, BD165-BD169(ТО-126), TIP29C(ТО-220), КТ-817.