Транзистор кт8127а1: технические характеристики и особенности

Зарубежные аналоги КТ3102

Для замены KT 3102 существует очень большое количество зарубежных аналогов KT 3102. Аналог может быть абсолютно идентичен оригиналу, например, КТ3102 можно смело заменять на 2 SA 2785. Эта замена KT 3102 абсолютно никак не повлияет на работу конкретной схемы, т.к транзисторы имеют одинаковые показатели. Существуют также неидентичные аналоги, которые немного отличаются по показателям, но их использование всё равно возможно в некоторых случаях.

Некоторые зарубежные аналоги КТ3102 были приведены в таблице. Также данный прибор может быть заменён отечественными аналогами КТ611 и КТ660 либо на такие зарубежные аналоги, как ВС547 и ВС548.

Технические характеристики транзистора КТ814

КТ814 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Применяются в линейных и ключевых схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Предельные параметры КТ814

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{K max}):

КТ814А, Б, В, Г – 1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{K, и max}):

КТ814А, Б, В, Г – 3 А

Граничное напряжение (U_{KЭ0 гр}):

КТ814А – 25 В
КТ814Б – 40 В
КТ814В – 60 В
КТ814Г – 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}):

КТ814А, Б, В, Г – 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{K max}) при температуре корпуса 25° C:

КТ814А, Б, В, Г – 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Т_{п max}):

КТ814А, Б, В, Г – 125° C

Значения параметров КТ814 при Т_{перехода}=25 o С

Статический коэффициент передачи тока (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (U_КБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (I_Э) 0,15 А:

КТ814А, Б, В – 40
КТ814Г – 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

КТ814А, Б, В, Г – 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (I_КБО)

КТ814А, Б, В, Г – 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

КТ814А, Б, В, Г – 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (C_К)

КТ814А, Б, В, Г – 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (C_Э)

КТ814А, Б, В, Г – 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_Тп-к)

КТ814А, Б, В, Г – 10° С/Вт

Проверка мультиметром

Транзистор кт3107

С помощью мультиметра можно проверить кт315, да и собственно любой полупроводниковый триод в два этапа. На первом этапе надо посмотреть состояние p-n переходов между базой и другими выводами. Как известно, p-n переходы у транзистора представляют собой два диода. Для их проверки надо установить на мультиметре режим измерения для диодов.

Далее приложите положительный щуп «+» мультиметра к базе, а отрицательны «-» на любой из электродов. Если переходы рабочие, то падение напряжения на них должно быть в пределах 500-700 милливольт. При подключения тестера по другому, когда отрицательный щуп установлен на базе, на экране мультиметра должна отображается единица. Единица указывает на бесконечно большое сопротивление перехода. Если эти условия не выполняются, то транзистор не проходит первый этап проверки и считается не исправным.

На втором этапе проверяется проводимость между выводами коллектора и эммитера. Щупы прикладываются разными способами между этими электродами, при этом на мультиметре должна отображаться единица. Если это не так –полупроводниковый прибор не исправен.

Транзистор КТ8127А1

Технические характеристики транзистора КТ8127А1:

Напряжение коллектор-эмиттер: 80 В;
Ток коллектора: 1 А;
Ток базы: 0,1 А;
Мощность коллектора: 0,8 Вт;
Максимальная рабочая частота: 100 МГц.

Основные особенности транзистора КТ8127А1:

Высокая рабочая частота позволяет использовать транзистор в различных устройствах, требующих усиления сигнала;
Низкий собственный шум и малое выходное сопротивление обеспечивают качественное усиление без искажений;
Стабильная работа в широком диапазоне температур, что делает транзистор надежным и устойчивым к перепадам условий окружающей среды;
Долгий срок службы и высокая эффективность работы делают транзистор КТ8127А1 востребованным в различных сферах применения.

Применение транзистора КТ8127А1:

Используется в радиоприемниках и радиопередатчиках;
Применяется в аудиоусилителях для усиления звуковых сигналов;
Используется в устройствах связи и сигнализации;
Применяется в электронных блоках и платежных терминалах;
Широко используется в автомобильной промышленности для создания электронных систем и приборов.

Цоколёвка и маркировка КТ815

Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.

Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.

На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.

Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.

Общая информация о транзисторе КТ8127А1

Транзистор КТ8127А1 относится к типу кремниевых планарно-эпитаксиальных биполярных структур и представляет собой универсальный элемент с npn-структурой.

Основные характеристики транзистора КТ8127А1:

Параметр	Значение
Максимальное постоянное обратное напряжение коллектор-эмиттер, В	45
Максимальное обратное напряжение коллектор-эмиттер в импульсном режиме, В	45
Максимальное постоянное напряжение на затворе, В	55
Максимальное коллекторное напряжение в импульсном режиме, В	100
Коллекторный ток, А	0.01
Максимальный ток коллектора в импульсном режиме, А	0.03
Напряжение переключения при прямом токе затвора 10 мА	0.6
Критическая частота, Гц	100М

Транзистор КТ8127А1 применяется в различных схемах радиоэлектроники: в усилителях, генераторах, схемах модуляции, и др. Он имеет пластиковый корпус и цоколевку ТО-92, что упрощает его монтаж и интеграцию в существующие схемы.

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения:

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Биполярный транзистор KT3102E – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT3102E

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400

Транзистор – полупроводниковый элемент электрический цепи, управляемый входным сигналом. В качестве сигнала может использоваться как привычный электрический ток, но и, например, свет в работе фототранзистора.

Транзистор КТ3102 – это популярнейший советский биполярный транзистор, который применялся и применяется по сей день в схемах различных усилителей сигнала: операционных усилителях, дифференциальных и УНЧ (усилитель низкой частоты). КТ3102, за счёт маленькой толщины базы, усиливал сигнал по току в тысячи раз. Изготавливается из кремния, чаще всего методом эпитаксии (наращивание на новых полупроводниковых слоёв на кремниевой подложке).

Транзистор КТ3102 изначально чаще всего изготавливался в металлическом цилиндрическом корпусе, привычном для многих советских транзисторов. На данный момент, он изготавливается в пластиковом корпусе. Является комплементарной парой для КТ3107.

Принцип работы прибора заключается в управлении током за счёт изменения напряжения. Чтобы элемент начал работать, к нему нужно приложить напряжение. Тогда прибор откроется. Изменяя напряжение базы, мы управляем всем элементом.

Подключение и использование транзистора КТ8127А1

Перед подключением транзистора КТ8127А1 важно убедиться, что все соединения и компоненты в цепи правильно подключены и работают исправно. Для этого можно использовать схему подключения, предоставленную производителем или доступную в технической документации

Транзистор КТ8127А1 имеет три вывода – коллектор (К), базу (Б) и эмиттер (Э). Подключение транзистора выполняется согласно указанным на схеме. Коллектор обычно подключается к положительному источнику питания, база – к управляющему сигналу или резистору базы, а эмиттер – к земле или отрицательному источнику питания.

При использовании транзистора КТ8127А1 важно учитывать его основные технические характеристики, такие как максимальные значения напряжения и тока, коэффициент усиления и время переключения. Превышение этих значений может привести к неправильной работе транзистора и его повреждению

Характеристика	Описание
Максимальное напряжение коллектора (V_CE)	Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером
Максимальный ток коллектора (I_C)	Максимальный допустимый ток, протекающий через коллектор
Коэффициент усиления по току (h_FE)	Отношение изменения коллекторного тока к изменению базового тока
Время переключения (t_r, t_f)	Время, требуемое для переключения транзистора из одного состояния в другое

При необходимости использования транзистора КТ8127А1 в усилительных схемах или других приложениях, связанных с управлением током и напряжением, рекомендуется обратиться к спецификации и руководству пользователя для получения дополнительных рекомендаций и советов по правильному использованию и подключению транзистора.

Техническое описание

Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.

Характеристики

Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).

принцип действия – биполярный;
корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
материал – кремний (Si);
npn-проводимость (обратная);

предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):

основные электрические параметры:

IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
Токр от -40 до +85 °C.

Применение транзистора КТ8127А1

Транзистор КТ8127А1 широко используется в электронных устройствах, таких как:

Аудиоусилители;
Радиотехника;
Телевизоры;
Телефония;
Импульсные источники питания;
Драйверы моторов;
Преобразователи электроэнергии;
Блоки питания;
Автомобильная электроника.

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ8127А1 позволяет создавать эффективные и стабильные схемы усиления и коммутации сигналов. Он обладает высокой мощностью и надежностью, что делает его прекрасным выбором для различных приложений в электронике.

Особенности транзистора КТ8127А1 включают:

Высокая токоотдача;
Низкие значения паразитной емкости;
Широкий диапазон рабочих температур;
Высокая мощность переключения;
Хорошая стабильность параметров во времени.

Сочетание этих характеристик позволяет транзистору КТ8127А1 успешно работать в различных условиях и обеспечивать высокую производительность электронных устройств.

Описание и назначение

Транзистор КТ8127А1 обладает хорошими рабочими характеристиками, такими как низкий уровень шума и высокий коэффициент усиления. Он широко используется в радиолюбительских устройствах, усилителях, генераторах и других аналоговых схемах. Благодаря своей надежности и долговечности, транзистор КТ8127А1 стал популярным элементом для различных проектов и экспериментов в области электроники.

Важно отметить, что транзистор КТ8127А1 имеет свою уникальную цоколевку, которая позволяет легко подключать его к другим элементам схемы. Он обладает тремя выводами: эмиттером (E), базой (B) и коллектором (C)

Цоколевка транзистора КТ8127А1 соответствует стандартной цоколевке для большинства биполярных транзисторов. Это значительно упрощает процесс его установки и замены.

Таким образом, транзистор КТ8127А1 является важным элементом для радиолюбителей и электронщиков, которые создают различные устройства и схемы. Благодаря его характеристикам и удобной цоколевке, транзистор КТ8127А1 может быть использован как для профессиональных проектов, так и для самодельных изделий в домашних условиях.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C/ I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE₍_OFF₎ = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE₍_sat₎ при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE₍_ON₎ при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO₍_SUS₎= 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE₍_OFF₎соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B₁ = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Маркировка (цветовая, кодовая)

Транзисторы КТ3102 до 1986 года, с корпусом КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. Цвет точки на верхнем торце корпуса, определяет модификацию:

А – бордо;
Б – желтый;
В – зеленый;
Г – голубой;
Д – синий;
Е – белый;
Ж – коричневый;
И – серебряный;
К – оранжевый;
Л(И) — светло-табачный;
М(К) — серый.

Начиная с 1986 года начала использоваться стандатная маркировка — использование специальных символов. Для КТ3102 — белый прямоугольный треугольник, расположенный на передней части корпуса (слева сверху), обозначающий его модель (тип). Справа указывается групповая принадлежность, а в нижней части дата (год, месяц) выпуска.

Сегодня производители не используют различные символы в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора.

Преимущества и особенности

Транзистор КТ8127А1 обладает рядом преимуществ и особенностей, которые делают его популярным среди радиолюбителей и электронных инженеров:

1.	Широкий диапазон рабочих температур (-60…+150 градусов Цельсия).
2.	Высокая надежность и долговечность.
3.	Малые габариты, что делает его удобным в использовании.
4.	Высокая частота переключения и быстродействие.
5.	Низкое потребление энергии.
6.	Возможность управления выходной мощностью с помощью небольшого управляющего сигнала.

Такие характеристики транзистора делают его идеальным выбором для различных радиоэлектронных устройств, включая радиостанции, телевизоры, аудиоусилители и другие.

Технические характеристики

Тип корпуса: TO-92;
Максимальное значение коллекторного тока: 500 мА;
Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер: 40 В;
Максимальное значение мощности потери в базовой области: 250 мВт;
Коэффициент усиления по току: не менее 70 (в диапазоне от 1 мА до 100 мА);
Время переключения: 2 мкс;
Сопротивление коллектор-эмиттер (при Ic = 100 мА): не более 1 Ом;
Температурный диапазон: от -55 °C до +150 °C;
Масса транзистора: не более 1 грамма.

Транзистор КТ8127А1 широко применяется в устройствах радиоэлектроники, в том числе в усилителях низкой частоты, импульсных преобразователях и стабилизаторах напряжения. Благодаря своим техническим характеристикам, он обеспечивает надежное и стабильное функционирование устройств, где требуется силовое усиление.

DataSheet

Цоколевка транзистора КТ3107Параметры транзистора КТ3107

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ3107А	ВС557А, MPS3703,BC177VI 1, BC307VI 3, ВСХ79-7 1, EN3250 3, MPS6517 1, MPS6516 1, IMBT3905 1, BSS69 1, BSS69R 1, ВСХ78-7 3, 2SA608SPAD 3, 2SA608NPD 3, 2SA495 *3
КТ3107Б	ВС308А, ВС212А, JC560A 1, JC557A 1, ВС204А 1, ВСХ79-8 1, BCX71GR 1, BCX79VII 1, KC307A 3, IMBT2907 3, ВСХ78-8 3, BCX78VII 3, 2SA608SPAE 3, 2SA608NPE 3, JC559A 3, JC558A 3
КТ3107В	ВС178АР, BCY72, РС108 1, ВС260В 3, BC250B *3
КТ3107Г	ВС308А, ВС558А, РС109 1, ВС357 1, BSY40 3, ВС205А 1
КТ3107Д	ВС308А, ВС178ВР, CD9012H 3, CD9012I 3, KC308B *3
КТ3107Е	ВС179АР, ВС309В, BC205A 1, BC205 3, BC252A 1, BC262A 1, BC263A *1
КТ3107Ж	ВС309В, ВС179ВР, ВС559, BC252B 1, BC205B 1, BC206B 1, BC260C 1, BC253C *1
КТ3107И	ВС307В, ВС212С, BCX79VIII 1, JC557 3, BC560A 3, BC177-6 1, BC204B 1, BCX79-9 1, BCX79-8 3, BCX71 HR 1, BCX71H 1, BCX71GR 3, BCX79VII 3, MPS6518 1, BCX78-9 1 , BCX78-8 3, BCX78VIII 1, BCX78VII 3, BCY78-8 3, BCY78-7 3, 2SA608SPAF 3, 2SA608SP 3, 2SA4950
КТ3107К	ВС308С, ВС213С, MPS6519 1, КС308С 3, 2SB598G *3
КТ3107Л	ВС309С, ВС322С, BC205B 3, BC206B 3, ВС259С 3, ВС260С 3, BC253C 3, ВС250С 3
Структура	—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,PK, τ max,P*K, и max	—	—	300	мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, fh21б, fh21э, f**max	КТ3107А	—	≥200	МГц
КТ3107Б	—	≥200
КТ3107В	—	≥200
КТ3107Г	—	≥200
КТ3107Д	—	≥200
КТ3107Е	—	≥200
КТ3107Ж	—	≥200
КТ3107И	—	≥200
КТ3107К	—	≥200
КТ3107Л	—	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., UКЭR проб., U*КЭО проб.	КТ3107А	—	50	В
КТ3107Б	—	50
КТ3107В	—	30
КТ3107Г	—	30
КТ3107Д	—	30
КТ3107Е	—	25
КТ3107Ж	—	25
КТ3107И	—	50
КТ3107К	—	30
КТ3107Л	—	25
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ3107А	—	5	В
КТ3107Б	—	5
КТ3107В	—	5
КТ3107Г	—	5
КТ3107Д	—	5
КТ3107Е	—	5
КТ3107Ж	—	5
КТ3107И	—	5
КТ3107К	—	5
КТ3107Л	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ3107А	—	100(200*)	мА
КТ3107Б	—	100(200*)
КТ3107В	—	100(200*)
КТ3107Г	—	100(200*)
КТ3107Д	—	100(200*)
КТ3107Е	—	100(200*)
КТ3107Ж	—	100(200*)
КТ3107И	—	100(200*)
КТ3107К	—	100(200*)
КТ3107Л	—	100(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, IКЭR, I*КЭO	КТ3107А	20 В	≤0.1	мкА
КТ3107Б	20 В	≤0.1
КТ3107В	20 В	≤0.1
КТ3107Г	20 В	≤0.1
КТ3107Д	20 В	≤0.1
КТ3107Е	20 В	≤0.1
КТ3107Ж	20 В	≤0.1
КТ3107И	20 В	≤0.1
КТ3107К	20 В	≤0.1
КТ3107Л	20 В	≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э, h*21Э	КТ3107А	5 В; 2 мА	70…140
КТ3107Б	5 В; 2 мА	120…220
КТ3107В	5 В; 2 мА	70…140
КТ3107Г	5 В; 2 мА	120…220
КТ3107Д	5 В; 2 мА	180…460
КТ3107Е	5 В; 2 мА	120…220
КТ3107Ж	5 В; 2 мА	180…460
КТ3107И	5 В; 2 мА	180…460
КТ3107К	5 В; 2 мА	380…800
КТ3107Л	5 В; 2 мА	380…800
Емкость коллекторного перехода	cк, с*12э	КТ3107А	10 В	≤7	пФ
КТ3107Б	10 В	≤7
КТ3107В	10 В	≤7
КТ3107Г	10 В	≤7
КТ3107Д	10 В	≤7
КТ3107Е	10 В	≤7
КТ3107Ж	10 В	≤7
КТ3107И	10 В	≤7
КТ3107К	10 В	≤7
КТ3107Л	10 В	≤7
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас, r*БЭ нас	КТ3107А	—	≤20	Ом
КТ3107Б	—	≤20
КТ3107В	—	≤20
КТ3107Г	—	≤20
КТ3107Д	—	≤20
КТ3107Е	—	≤20
КТ3107Ж	—	≤20
КТ3107И	—	≤20
КТ3107К	—	≤20
КТ3107Л	—	≤20
Коэффициент шума транзистора	Кш, rb, P*вых	КТ3107А	1 кГц	≤10	Дб, Ом, Вт
КТ3107Б	1 кГц	≤10
КТ3107В	1 кГц	≤10
КТ3107Г	1 кГц	≤10
КТ3107Д	1 кГц	≤10
КТ3107Е	1 кГц	≤4
КТ3107Ж	1 кГц	≤4
КТ3107И	1 кГц	≤10
КТ3107К	1 кГц	≤10
КТ3107Л	1 кГц	≤4
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, tрас, tвыкл, t**пк(нс)	КТ3107А	—	—	пс
КТ3107Б	—	—
КТ3107В	—	—
КТ3107Г	—	—
КТ3107Д	—	—
КТ3107Е	—	—
КТ3107Ж	—	—
КТ3107И	—	—
КТ3107К	—	—
КТ3107Л	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов. *1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Характеристики транзистора КТ8127А1

Основные характеристики транзистора КТ8127А1:

Максимально допустимый ток коллектора (I_C): 1 А
Напряжение коллектор-эмиттер (U_CEO): 50 В
Максимальная мощность потерь (P_tot): 0,5 Вт
Температурный диапазон работы (T_j): от -65°C до +150°C
Тип корпуса: TO-92

Транзистор КТ8127А1 обладает высоким значением коэффициента усиления тока и обеспечивает надежное и стабильное функционирование в широком температурном диапазоне.

Важно отметить, что перед использованием транзистора КТ8127А1 необходимо ознакомиться с его полными техническими характеристиками, представленными в соответствующем документе производителя

Особенности транзистора КТ8127А1

1. Уникальная структура: КТ8127А1 разработан на основе планарной технологии изготовления, что позволяет достичь высокой надежности работы и стабильных характеристик.

2. Высокая мощность: Транзистор обеспечивает высокую мощность усиления, что позволяет использовать его в различных устройствах и системах, требующих надежного усиления сигнала.

3. Широкий диапазон температур: КТ8127А1 способен работать в широком диапазоне температур от -65°C до +150°C, что делает его подходящим для работы в экстремальных условиях.

4. Низкий уровень шума: Благодаря современным технологиям изготовления, транзистор имеет низкий уровень шума, что позволяет использовать его в высокочувствительных устройствах.

Транзистор КТ8127А1 широко применяется в радиоэлектронике, телекоммуникационных системах, аудиоусилителях и других устройствах, где требуется надежное усиление сигнала.

Сфера применения

Транзистор КТ8127А1 широко применяется в различных устройствах и системах, где требуется усиление и коммутация электрических сигналов. Его высокая мощность и надежность позволяют использовать его в самых разных областях.

Одной из основных сфер применения транзистора КТ8127А1 является электроника автомобилей. Благодаря своим характеристикам этот транзистор успешно справляется с усилением и коммутацией сигналов в различных системах автомобиля, таких как система зажигания, система освещения, система управления двигателем и другие.

Также транзистор КТ8127А1 находит применение в мощных аудиосистемах, где его способность усиливать электрические сигналы и выдавать большую мощность является особенно важной. Благодаря этим свойствам он может использоваться в устройствах для концертных залов, стадионов, кинотеатров и других мест с большой звуковой нагрузкой

Транзистор КТ8127А1 также находит применение в различных промышленных устройствах и системах, где требуется коммутация и усиление сигналов высокой мощности. Такие устройства могут быть использованы в силовых инверторах, преобразователях переменного тока в постоянный ток, системах энергоснабжения и других областях промышленности.

Благодаря своим высоким техническим характеристикам и надежности, транзистор КТ8127А1 также может применяться в проектах энергетической электроники, радиосвязи, медицинской технике и других отраслях, где требуется надежное и эффективное усиление и коммутация электрических сигналов.