Электрические параметры
В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.
Обратный ток коллектора – обратный ток коллекторногоперехода при свободном (не подключенном никуда) эмиттере. Его наличие приводит к нагреву транзистора. С увеличением температуры быстро растет.
Коэффициент усиления по току – отношение величин коллекторного и базового токов при активном режиме. Его величина определяет способность транзистора к усилению сигналов.
Напряжения насыщения – величина напряжений на p-n переходах транзистора, который находится в состоянии насыщения, то есть оба перехода смещены в прямом направлении (открыты). Такое состояние прибора используется в ключевых схемах.
Граничная частота – частота сигнала, при которой hFE транзистора падает до 1. Обычно приемлемой для работы считается частота 0,1 fT.
Выходная и входная емкости – эквивалентные емкости, являющиеся суммой емкостей Скб и Сбэ. Их величина существенна при работе с сигналами высокой частоты и в переключателях.
Коэффициент шума – отношение полной мощности шумов на выходе к ее части, вызываемой тепловыми шумами генератора шума. Параметр играет роль в случае необходимости усиления слабых сигналов. RG – выходное сопротивление источника сигнала.
| Обозначение | Параметр | Условия измерений | Значение | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Тип. | Макс. | ||||
| ICBO | Обратный ток коллектора, nA | VCB =30В, IE =0 | 15 | |||
| hFE (h21) | Коэффициент усиления | VCE =5В, IC =2мА | 110 | 800 | ||
| VCE(sat) (UBEsat) | Напряжение насыщения к-э, мВ | IC=10 мA, IB =0,5мA | 90 | 250 | ||
| IC=100 мA, IB =5мA | 200 | 600 | ||||
| VBE(sat) (UBEsat) | Напряжение насыщения б-э, мВ | IC =10 мA, IB =0,5мA | 700 | |||
| IC =100 мA, IB =5мA | 900 | |||||
| VBE (UBE) | Напряжение б-э (прямое), В | VCE =5 В, IC =2 мA | 580 | 660 | 700 | |
| VCE =5 В, IC =10 мA | 720 | |||||
| fT | Граничная частота, МГц | VCE =5В, IC =10мA, f=100 MГц | 300 | |||
| Cob | Выходная емкость, пФ | VCB =10В, IE =0, f= 1MГц | 3,5 | 6 | ||
| Cib | Входная емкость, пФ | VEB =0,5В, IС =0, f= 1MГц | 9 | |||
| NF (F) | Коэффициент шума, дБ | ВС546-548 | VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 1кГц, Δf=200Гц | 2 | 10 | |
| ВС549, 550 | 1,2 | 4 | ||||
| ВС549 | VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 30-15000 Гц | 1,4 | 4 | |||
| ВС550 | 1,4 | 3 |
Примечания:
- Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения указаны для тех же условий.
- В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.
