Содержание драгметаллов
Извлечение драгметаллов из радиокомпонентов — процесс довольно трудоёмкий и опасный, т.к. в большинстве случаев в домашних условиях для этого используют очень сильные кислоты. Что касается Транзистора КТ808А, то в различных справочниках информация о содержании серебра и золота в нем разнится. Видимо это связано с тем, что с течением времени в технологию изготовления вносились изменения. В представленном ниже фрагменте этикетки указаны следующие значения: золото — 0,014763г. , серебро — 0,058677г. Это не самые большие показатели, встречаются компоненты и с большим содержанием ценных металлов.
Аналоги
КТ808А можно заменить на транзистор КТ808АТ, он выпускался с целью использования его в условиях тропического климата. Этот транзистор встречается довольно редко. Производят его на предприятии АО «НПП «Завод Искра»».
Другим отечественным аналогом устройства является 2Т808Б. Данный транзистор тоже трудно найти. Он применялся только в коммутаторе ТК-200-0, который использовался военными.
Наиболее распространённой заменой является отечественный прибор КТ802А.
Существуют также изделия иностранных фирм, по всем параметрам похожие :
- 2N4913, 2N4914, 2N4915;
- BLY48A, KD602, BUY55;
- 2N5427, 2N5429, 2SD201;
- 2SC1113, 2SC1618, 2SC1619;
- BLY47, BLY47A, BLY48;
- KU606, 2SC1619A, 2SD867;
- 2SD202, 2SD203, KU606.
Прежде чем их использовать нужно тщательно сравнить те параметры которые для вас наиболее важны.
Характеристики транзистора КТ3102
| Транзистор | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), мВт | h21э | fгр., МГц |
| КТ3102А | 50 | 50 | 100(200) | 250 | 100-200 | >150 |
| КТ3102АМ | 50 | 50 | 100(200) | 250 | 100-200 | >150 |
| КТ3102Б | 50 | 50 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102БМ | 50 | 50 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102В | 30 | 30 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102ВМ | 30 | 30 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102Г | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 400-1000 | >150 |
| КТ3102ГМ | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 400-1000 | >150 |
| КТ3102Д | 30 | 30 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102ДМ | 30 | 30 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102Е | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 400-1000 | >150 |
| КТ3102ЕМ | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 400-1000 | >150 |
| КТ3102Ж | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 100-250 | >150 |
| КТ3102ЖМ | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 100-250 | >150 |
Uкбо(и)
— Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-базаUкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттерIкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектораPкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромfгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Высокая стабильность и точность работы
Транзистор КТ8102А обладает высокой стабильностью и точностью работы, что делает его идеальным для применения в различных устройствах и системах.
Благодаря точности работы, транзистор КТ8102А обеспечивает высокую производительность и надежность в различных условиях эксплуатации. Он способен работать в широком диапазоне температур, от -55°C до +150°C, что позволяет использовать его в самых разных климатических условиях.
Высокая стабильность работы транзистора КТ8102А обусловлена его небольшим размером и низким потреблением энергии. Благодаря этим характеристикам, транзистор обеспечивает долговечность и надежность работы устройств, в которых он применяется. Он может выдерживать высокие нагрузки на электрический ток и сохранять стабильные параметры работы в течение длительного времени.
Также следует отметить, что транзистор КТ8102А обладает высокими характеристиками амплитудной стабилизации и линейности амплитудно-частотной характеристики. Это позволяет использовать его в различных аудио- и видеоустройствах, обеспечивая высокое качество звука и изображения.
В целом, благодаря своей высокой стабильности и точности работы, транзистор КТ8102А является надежным и эффективным элементом электроники, который широко применяется в различных областях.
Характеристики биполярного транзистора.
Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач.
И первая на очереди – входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:
I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const
В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):
Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.
Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора – выходной! Выходная характеристика – это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:
Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения – изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .
Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:
Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.
Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано
Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно – при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta, несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:
I_к = \beta I_б
Двигаемся дальше!
На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.
В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу – навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.
Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора!
И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.
Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:
Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды! Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.
(КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д)
Транзистор КТ203 — усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Применяется в импульсных и усилительных устройствах.
КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д выпускаются в металлостеклянном, а КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
В металлостеклянном варианте тип транзистора указывается на корпусе. Пластмассовый вариант маркируется цветным кодом на торце:
- КТ203АМ — тёмно-красный.
- КТ203БМ — жёлтый.
- КТ203ВМ — тёмно-зелёный.
Боковая поверхность всех транзисторов имеет метку красного цвета.
Масса транзистора КТ203 не более 0,5 г.
Рис. 1 — Внешний вид транзисторов КТ203А (слева) и КТ203АМ (справа)
Рис. 2 — Цоколевка и размеры транзистора КТ203
Таблица 1
| Коэффициент передачи тока (в режиме малого сигнала) = 5 В, = 1 мА: | |
| Т = +25°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее | 9 |
| 2Т203Б | 30…90 |
| 2Т203В | 15…100 |
| 2Т203Г, не менее | 40 |
| 2Т203Д | 60…200 |
| КТ203Б, КТ203БМ | 30…150 |
| КТ203В, КТ203ВМ | 30…200 |
| Т = +125°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее | 9 |
| 2Т203Б | 30…80 |
| 2Т203В | 15…200 |
| 2Т203Г, не менее | 40 |
| 2Т203Д | 60…400 |
| КТ203Б, КТ203БМ | 30…230 |
| КТ203В, КТ203ВМ | 30…400 |
| Т = -60°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее | 7 |
| 2Т203Б | 15…90 |
| КТ203В, 2Т203В, КТ203БМ | 10…100 |
| 2Т203Г, не менее | 20 |
| 2Т203Д | 30…200 |
| КТ203В, КТ203ВМ | 15…200 |
|
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОБ при = 5 В, = 1 мА, не менее: |
|
| КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ |
5 МГц |
| 2Т203Г, 2Т203Д | 10 МГц |
| Напряжение насыщения К-Э, не более: | |
| при = 20 мА, = 4 мА для КТ203Б, 2Т203Б, КТ203БМ | 1 В |
| при = 10 мА, = 1 мА для 2Т203Г | 0,5 В |
| при = 10 мА, = 1 мА для 2Т203Д | 0,35 В |
| при = 20 мА, = 4 мА для КТ203В, КТ203ВМ | 0,5 В |
| Ток коллектора (обратный), при = , не более: | |
| Т = +25°C | 1 мкА |
| Т = Тмакс | 15 мкА |
| Ток эмиттера (обратный), при = x, не более | 1 мкА |
|
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базой при = 1 мА, не более: |
|
| при = 50 В КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А | 300 Ом |
| при = 30 В КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 300 Ом |
| при = 15 В КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В | 300 Ом |
| при = 5 В 2Т203Г, 2Т203Д | 300 Ом |
| Ёмкость коллекторного перехода при = 5 В, f = 10 МГц, не более | 10 пФ |
Таблица 2
| Напряжение К-Б (постоянное): | |
| при Т = -60…+75°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 60 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 30 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 15 В |
| при Т = +125°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 30 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 15 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 10 В |
| Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 2 КОм: | |
| при Т = -60…+75°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 60 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 30 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 15 В |
| при Т = +125°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 30 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 15 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 10 В |
| Напряжение Э-Б (постоянное): | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 30 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 15 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 10 В |
| Ток коллектора (постоянный) | 10 мА |
| Ток коллектора (импульсный) при tи ≤ 10 мкс, Q ≥ 10 | 50 мА |
| Рассеиваемая мощность коллектора1) (постоянная): | |
| T = -60…+75°C | 150 мВт |
| T = +125°C | 60 мВт |
| Температура p-n перехода | +150°C |
| Рабочая температура (окружающей среды) | -60…+125°C |
1) При T > +75°C уменьшается линейно.
И снова УМЗЧ JLH. Тест отечественных транзисторов в выходном каскаде.
Продолжение экспериментов с усилителем JLH. Тест отечественных транзисторов, которые есть почти у каждого радиолюбителя. В этом обзоре ещё больше занудства. Часть 1. УМЗЧ JLH 1969. Транзисторы 2SC5200 vs 2N3055 в выходном каскаде.
Транзисторы, которые были установлены на первом этапе экспериментов: VT1 — 2N5401 VT2 — TIP41C VT3, VT4 — 2SС5200 (2N3055)
По причине того, что приходится сидеть дома и есть какое-то количество свободного времени, из закромов были извлечены запасы отечественных транзисторов:
— пара кт864 (отбраковка с низким h21э ) — кт819 — кт808 (из усилителя Орбита-002, когда был выкинут аналог Квад-405; без особых причин, просто так захотелось) — кт838 (высоковольтные; интересно попробовать, а вдруг… ) — кт829 (составные, т.е. мимо) — кт805 — кт8101 (в далёком приближении аналог 2sc5200)
Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.
Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.
Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.
Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа. Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.
Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР. Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.
Наиболее важные параметры.
Граничная частота передачи тока — 250 МГц. Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90. У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350. У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250. У транзистора КТ315Ж, не менее 30.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в. Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в. у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в. У транзистора КТ315И — 60 в.
Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.
Максимальное напряжение эмиттер-база — 6 в.
Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА. У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА. У транзисторов КТ315И — 100 мкА.
Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.
Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ. У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.
Рассеиваемая мощность коллектора.
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.
Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.
Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.
Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B
Справочный листок по транзисторам КТ201А…Д, 2Т201А…Д, КТ201АМ…ДМ:
Электрические
параметры:
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при UКБ = 1 В, IК = 5 мА: |
||
| при Т = +25 С | 2Т201А, КТ201А, КТ201АМ | 20…60 |
| 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д, КТ201Б, КТ201В, КТ201Д, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ДМ |
30…90 | |
| 2Т201Г, КТ201Г, КТ201ГМ | 70…210 | |
| при Т = -60 С | 2Т201А | 10…60 |
| 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д | 15…90 | |
| 2Т201Г | 35…210 | |
| при Т = +125 С | 2Т201А | 20…120 |
| 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д | 30…180 | |
| 2Т201Г | 70…400 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ при UКБ = 5 В, IЭ = 10 мА, не менее: |
||
| КТ201(А…Д), КТ201(АМ…ДМ) | 10 МГц | |
| 2Т201(А…Д) (типовое значение) | 40 МГц | |
| Коэффициент шума при UКБ = 1 В, IЭ = 0,2 мА, f = 1 кГц: |
||
| 2Т201Д, не более | 15 дБ | |
| типовое значение | 6 дБ | |
| КТ201Д, КТ201ДМ, не более | 15 дБ | |
| Обратный ток коллектора, не более: |
||
| при UКБ = 20 В и Т = +25 С | 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
0,5 мкА |
| при UКБ = 20 В и Т = +125 С | 2Т201А, 2Т201Б | 10 мкА |
| при UКБ = 10 В и Т = +25 С | 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
0,5 мкА |
| при UКБ = 10 В и Т = +125 С | 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д | 10 мкА |
| Обратный ток эмиттера при Т = +25 С, не более |
||
| при UЭБ = 20 В | 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
3 мкА |
| при UЭБ = 10 В | 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
3 мкА |
| Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала, при холостом ходе, при при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, f = 1 кГц, не более: |
||
| 2 мкСм | ||
| типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д |
0,5 мкСм | |
| Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала в схеме ОБ, при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, f = 1 кГц, не более: |
||
| 3*10-3 | ||
| типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д |
3*10-4 | |
| Емкость коллекторного перехода при UКБ = 5 В, не более: |
||
| 20 пФ | ||
| типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д |
9 пФ | |
| Индуктивность выводов эмиттера и базы при L =3мм |
||
| 6 нГн |
Предельные
эксплуатационные данные:
| Постоянное напряжение коллектор — база: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
20 В | |
| 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
10 В | |
| Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при RБЭ <= 2 кОм: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
20 В | |
| 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
10 В | |
| Постоянное напряжение эмиттер — база: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
20 В | |
| 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
20 В | |
| Постоянный ток коллектора: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д | 20 мА | |
| КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
30 мА | |
| Импульсный ток коллектора при Q => 10: |
||
| при tимп. <= 10 мс. | 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д | 100 мА |
| при tимп. <= 100 мкс. | КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
100 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: |
||
| при Т = -60С…+75С, P => 6650 Па | 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д * При изменении температуры окр. среды от +75 до +125С, Pк,макс. уменьшается линейно. |
150 мВт |
| при Т = -60С…+75С, P => 665 Па | 100 мВт | |
| при Т = +125С | 60 мВт | |
| при Т = -60С…+90С | КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д * При изменении температуры окр. среды от +90 до +125С, Pк,макс. уменьшается линейно. |
150 мВт |
| при Т = +125С | 60 мВт | |
| при Т = -45С…+85С | КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
150 мВт |
| Тепловое сопротивление переход-среда |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д | 556С/Вт | |
| Температура p-n перехода |
||
| КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д | +150С | |
| Температура окружающей среды: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д |
-60С…+125С | |
| КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
-45С…+85С |
Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru
Технические характеристики
Теперь рассмотрим технические характеристики транзисторов серии КТ3102. Начнём с максимально допустимых, как критически важных. Они измерялись при стандартной температуре 25°С:
- разность потенциалов К-Б:
- КТ3102А, КТ3102Б – 50 В;
- КТ3102В, КТ3102Д – 30 В
- разность потенциалов К-Э:
- КТ3102А, КТ3102Б – 50 В;
- КТ3102В, КТ3102Д – 30 В
- разность потенциалов Э-Б – 5 В;
- ток через коллектор – 100 мА;
- кратковременный ток через коллектор (время импульса не более 40 мкс) – 200 мА;
- мощность – 250 мВт;
- т-ра при которой транзистор может нормально функционировать от -40 до +85 °С.
После предельных ознакомимся также с электрическими параметрами. Они важны, так как от них зависят возможности КТ3102. Измерялись при той же стандартной температуре, а остальные условия тестирования приведены в отдельном столбце таблицы.
| Электрические характеристики транзистора КТ3102 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы тестирования | Тр-р | min | typ | max | Ед. изм |
| Статический к-т усиления в схеме ОЭ | UКБ = 5 В, IЭ = 2 мА,
Т = +25°С |
КТ3102А | 100 | 250 | ||
| КТ3102Б, В, Д | 200 | 500 | ||||
| UКБ = 5 В, IЭ = 2 мА,
Т = -40°С |
КТ3102А | 25 | 250 | |||
| КТ3102Б, В, Д | 50 | 500 | ||||
| UКБ = 5 В, IЭ = 2мА,
Т = +85°С |
КТ3102А | 100 | ||||
| КТ3102Б, В, Д | 200 | |||||
| Граничная частота | UКБ = 5 В, IЭ = 10 мА | ВСЕ | 300 | МГц | ||
| К-т шума | UКБ = 5 В, IЭ = 0,2 мА
F = 1кГц, RГ = 2кОм |
КТ3102А, Б, В | 5 | 10 | дБ | |
| КТ3102Д | 2,5 | 4 | ||||
| Граничная разность потенциалов | IБ = 0 В, IЭ = 10 мА | КТ3102А, Б | 30 | В | ||
| КТ3102В, Д | 20 | |||||
| Обратный ток К-Э | UКЭ = 50 В | КТ3102А, Б | 0,1 | мкА | ||
| UКЭ = 30 В | КТ3102В, Д | 0,05 | ||||
| Обратный ток через К | Т = +25°С | КТ3102А, Б | 0,1 | мкА | ||
| Т = -40°С | 0,05 | |||||
| Т = +85°С | 5 | |||||
| Т = +25°С | КТ3102В, Д | 0,05 | ||||
| Т = -40°С | 0,015 | |||||
| Т = +85°С | 5 | |||||
| Обратный ток через Э | UЭБ = 5 В | ВСЕ | 10 | мкА | ||
| Ёмкость на коллекторе | UКБ = 5 В | ВСЕ | 6 | пФ |
Маркировка и цоколёвка
Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.
Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:
- Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
- Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :
А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.
На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.
Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.
Аналоги транзистора КТ3102
КТ3102А
: 2N4123, BC547A, BC548A, BCY59-VII, BCY65-VII, BC107AP, BC182A, BC183A, BC237A, BC317, BC238A, MPS3709КТ3102Б : 2N2483, 2SC538A, 2SC828A, BC452, BC547B, BCY56, BCY59-VIII, BCY59-IX, BCY65-VIII, BCY65-IX, BCY79, MPSA09, 2SC1000GTM, 2SC1815, BC182B, BC182C, BC183B, BC237B, BC318, BC382B, SF132E, BC183C, PN2484КТ3102В : 2SC828, BC548B, MPS3708, MPS3710, 2N3711, 2SC454B, 2SC454C, 2SC454D, 2SC458, 2SC458KB, 2SC458KC, 2SC458KD, BC108AP, BC238B, BC451, SF131EКТ3102Г : 2SC538, 2SC900, 2SC923, BC547C, BC548C, MPS3711, MPS6571, BC108CP, BC238C, BC382C, SF131F, SF132FКТ3102Д : 2N2484, 2N5209, 2SC945, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-х, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, 2N4124, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, BC109BP, BC184A, BC239B, BC383B, BC384BКТ3102Е : 2N5210, BC549C, BCY57, BC109CP, BC184B, BC239C, BC319, BC383C, BC384C, BFх65