Транзистор кт817: характеристики, цоколевка, параметры, аналоги

Характеристики биполярного транзистора.

Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач. И первая на очереди — входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:

I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const

В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):

Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.

Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора — выходной. Выходная характеристика — это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы

I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:

Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения — изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .

Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:

Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.

Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано.

Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно — при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:

I_к = \beta I_б

Двигаемся дальше

На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина — эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.

В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу — навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.

Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора.

И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.

Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:

Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды. Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: KT972A

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Наименование производителя: WW263

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: U2T833

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Аналоги (замена) для U2T833

Наименование производителя: U2T832

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T823

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T6O1

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: U2T605

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: TTD1415B

• Маркировка: D1415B
• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220SIS

RARE Studio Nova KT382 Summertime Cereal Bowl

Etsy больше не поддерживает старые версии вашего веб-браузера, чтобы обеспечить безопасность пользовательских данных. Пожалуйста, обновите до последней версии.

• Нажмите, чтобы увеличить

Редкая находка

€21,99

Загрузка

Доступен только 1

Включая НДС (где применимо), плюс стоимость доставки

150 продаж
|

Внесен в список 22 января 2023 г.

Сообщить об этом элементе в Etsy

Выберите причину… С моим заказом возникла проблемаОн использует мою интеллектуальную собственность без разрешенияЯ не думаю, что это соответствует политике EtsyВыберите причину…

Первое, что вы должны сделать, это связаться с продавцом напрямую.

Если вы уже это сделали, ваш товар не прибыл или не соответствует описанию, вы можете сообщить об этом Etsy, открыв кейс.

Сообщить о проблеме с заказом

Мы очень серьезно относимся к вопросам интеллектуальной собственности, но многие из этих проблем могут быть решены непосредственно заинтересованными сторонами. Мы рекомендуем связаться с продавцом напрямую, чтобы уважительно поделиться своими проблемами.

Если вы хотите подать заявление о нарушении прав, вам необходимо выполнить процедуру, описанную в нашей Политике в отношении авторских прав и интеллектуальной собственности.

Посмотрите, как мы определяем ручную работу, винтаж и расходные материалы

Посмотреть список запрещенных предметов и материалов

Ознакомьтесь с нашей политикой в ​​отношении контента для взрослых

не ручной работы

не винтаж (20+ лет)

не ремесленные принадлежности

запрещены или используют запрещенные материалы

неправильно помечен как содержимое для взрослых

Пожалуйста, выберите причину

Расскажите нам больше о том, как этот элемент нарушает наши правила. Расскажите нам больше о том, как этот элемент нарушает наши правила.

Справочный листок по транзисторам КТ201А…Д, 2Т201А…Д, КТ201АМ…ДМ:

Электрические
параметры:

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при UКБ = 1 В, IК = 5 мА:
при Т = +25 С	2Т201А, КТ201А, КТ201АМ	20…60
2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д, КТ201Б, КТ201В, КТ201Д, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ДМ	30…90
2Т201Г, КТ201Г, КТ201ГМ	70…210
при Т = -60 С	2Т201А	10…60
2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д	15…90
2Т201Г	35…210
при Т = +125 С	2Т201А	20…120
2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д	30…180
2Т201Г	70…400
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ при UКБ = 5 В, IЭ = 10 мА, не менее:
	КТ201(А…Д), КТ201(АМ…ДМ)	10 МГц
2Т201(А…Д) (типовое значение)	40 МГц
Коэффициент шума при UКБ = 1 В, IЭ = 0,2 мА, f = 1 кГц:
	2Т201Д, не более	15 дБ
типовое значение	6 дБ
КТ201Д, КТ201ДМ, не более	15 дБ
Обратный ток коллектора, не более:
при UКБ = 20 В и Т = +25 С	2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ	0,5 мкА
при UКБ = 20 В и Т = +125 С	2Т201А, 2Т201Б	10 мкА
при UКБ = 10 В и Т = +25 С	2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ	0,5 мкА
при UКБ = 10 В и Т = +125 С	2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д	10 мкА
Обратный ток эмиттера при Т = +25 С, не более
при UЭБ = 20 В	2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ	3 мкА
при UЭБ = 10 В	2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ	3 мкА
Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала, при холостом ходе, при при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, f = 1 кГц, не более:
		2 мкСм
типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д	0,5 мкСм
Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала в схеме ОБ, при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, f = 1 кГц, не более:
		3*10-3
типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д	3*10-4
Емкость коллекторного перехода при UКБ = 5 В, не более:
		20 пФ
типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д	9 пФ
Индуктивность выводов эмиттера и базы при L =3мм
		6 нГн

Предельные
эксплуатационные данные:

Постоянное напряжение коллектор — база:
	2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ	20 В
2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ	10 В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при RБЭ <= 2 кОм:
	2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ	20 В
2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ	10 В
Постоянное напряжение эмиттер — база:
	2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ	20 В
2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ	20 В
Постоянный ток коллектора:
	2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д	20 мА
	КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ	30 мА
Импульсный ток коллектора при Q => 10:
при tимп. <= 10 мс.	2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д	100 мА
при tимп. <= 100 мкс.	КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ	100 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
при Т = -60С…+75С, P => 6650 Па	2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д * При изменении температуры окр. среды от +75 до +125С, Pк,макс. уменьшается линейно.	150 мВт
при Т = -60С…+75С, P => 665 Па	100 мВт
при Т = +125С	60 мВт
при Т = -60С…+90С	КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д * При изменении температуры окр. среды от +90 до +125С, Pк,макс. уменьшается линейно.	150 мВт
при Т = +125С	60 мВт
при Т = -45С…+85С	КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ	150 мВт
Тепловое сопротивление переход-среда
	2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д	556С/Вт
Температура p-n перехода
	КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д	+150С
Температура окружающей среды:
	2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д	-60С…+125С
КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ	-45С…+85С

Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Рассмотрим, что означает маркировка транзисторов отечественного производства. Данный тип корпуса наиболее популярен среди производителей полупроводниковых приборов. Он имеет форму цилиндра с одной скошенной стороной, три вывода выходят из нижнего основания. В данном случае используют принцип смешанной маркировки, содержащий и кодовые символы, и цветовые. На верхнее основание наносят цветную точку, означающую группу транзистора, а на скошенную сторону — кодовый символ или цветную точку, соответствующие типу прибора. Кроме типа, могут наноситься год и месяц выпуска. Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б – желтая, В – темно-зеленая, Г – голубая, Д – синяя, Е – белая, Ж – темно-коричневая, И – серебристая, К – оранжевая, Л – светло-табачная, М – серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

• КТ203 соответствует прямоугольный треугольник (катетами вниз и вправо) либо темно-красная точка.
• КТ208 – маленький круг (для этого типа цветовой маркировки нет).
• К209 – ромб (серая точка).
• К313 – символ, напоминающий перевернутую букву Т (оранжевая точка).
• КТ326 – перевернутый равносторонний треугольник (коричневая точка).
• КТ339 – равносторонний треугольник (голубая точка).
• КТ342 – четверть круга (синяя точка).
• КТ502 – полкруга (желтая точка); КТ503 – круг (белая точка).
• КТ3102 – прямоугольный треугольник катетами вверх и влево (темно-зеленая точка).
• КТ3157 – прямоугольный треугольник катетами влево и вниз (цветового обозначения нет).
• К366 – буква Т (цвета нет).
• КТ6127 – перевернутая буква П.
• КТ632 – символьного обозначения нет (серебристая точка).
• КТ638 – без символа (оранжевая точка).
• КТ680 – буква Г.
• КТ681 – вертикальная палочка.
• КТ698 – буква П.

Характеристики биполярного транзистора.

Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач.

И первая на очереди – входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:

I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const

В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):

Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.

Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора – выходной! Выходная характеристика – это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:

Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения – изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .

Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:

Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.

Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано

Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно – при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta, несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:

I_к = \beta I_б

Двигаемся дальше!

На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.

В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу – навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.

Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора!

И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.

Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:

Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды! Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.

Характеристики

Группа транзисторов КТ3107 делиться на подвиды, не сильно отличающихся друг от друга характеристиками. В частности по напряжению насыщения, статическому коэффициенту усиления по току. Также может отличаться и коэффициент шума.

Общие данные для всей серии КТ3107:

• материал кристалла — кремний (Si);
• технические условия — аА0.336.170 ТУ/04;
• корпус — пластик КТ-26. Зарубежного производства ТО-92;
• структура – PNP.

Показатель	Транзистор
КТ3107А	КТ3107Б	КТ3107В	КТ3107Г	КТ3107Д	КТ3107Е	КТ3107Ж	КТ3107И	КТ3107К	КТ3107Л
Uкбо(и),В	50	50	30	30	30	25	25	50	30	25
Uкэо(и), В	45	45	25	25	25	20	20	45	25	20
Iкmax(и), мА	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)
Pкmax(т), мВт	300	300	300	300	300	300	300	300	300	300
h21э	70- 140	120- 220	70- 140	120- 220	180- 460	120- 220	180- 460	180- 460	380- 800	380- 800
fгр., МГц	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200

Расшифровка обозначений:

• IК max — верхний уровень постоянного тока;
• IК. И. max — верхний уровень импульсных токов коллектора;
• UКЭR max — высший уровень напряжения между эмиттером и коллектором при определённом значении тока на коллекторе и сопротивления в соединении база эмиттер;
• UКЭ0 max — допустимое напряжение между эмиттером и коллектором при определённом значении тока коллектора и токе на базе = 0;
• UЭБ0 max — верхний уровень постоянного напряжения в цепи эмиттер-база, при условии, что ток на коллекторе будет  равен 0;
• РК max — верхняя планка постоянной мощности, рассеивающейся на коллекторе устройства;
• РК. И. max — высший уровень импульсной мощности, которая рассеивается на коллекторе;
• h21Э — постоянный коэффициент передачи тока;
• h21Э — коэффициент передачи тока при низком токе в схеме с общим эмиттером;
• UКБ — уровень стабильного напряжения в сцепке коллектор-база;
• UКЭ — постоянное напряжение в цепочке коллектор-эмиттер;
• IЭ — стабильный ток на эмиттере;
• IК — стабильный ток на коллекторе;
• UКЭ нас. — напряжение обеспечивающее насыщение в цепи коллектор-эмиттер;
• IКБ0 — обратные токи коллектора;
• fгр — допустимый уровень частоты коэффициента передачи токов;
• fh21 – допустимая частота коэффициента передачи токов
• КШ- коэффициент шума;
• Т — допустимый уровень температуры.

Тепловые характеристики

Они влияют на работу устройства и представляют собой граничные значения.

№ п/п	Параметр	Показатель
1.	Общее тепловое сопротивление	420 К/Вт
2.	Температура перехода	423 К
3.	Температура окружающей среды	от 213 до 398 К

Проверка работоспособности КТ315

Иногда КТ315 может быть нерабочим из-за пробитого или закороченного перехода, поэтому перед использованием стоит проверить его np-переходы мультиметром. Отрицательный щуп прикрепляется к базе, а положительный — на выбор (коллектор или эмиттер). Если диоды исправны, то их значения должны быть не близки нулю, а также отсутствие пищания мультиметра.

Проверка работоспособности КТ361

Поскольку эти транзисторы часто применяются вместе, то исправность КТ361 тоже нужно узнать

Очень важно запомнить, что КТ361 противоположен 315, из-за чего работа должна совершаться наоборот. Здесь отрицательный щуп прикрепляется к коллектору (или эмиттеру), а положительный — к базе

Показатели должны быть не близки к нулю, мультиметр не должен сигнализировать (как и в предыдущем разделе).

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

• Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
• Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Характеристики транзистора КТ817

Транзистор	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), А	Pкmax(т), Вт	h21э	fгр., МГц
КТ817А	40	40	3 (6)	1 (25)	25-275	3
КТ817Б	45	45	3 (6)	1 (25)	25-275	3
КТ817Б2	45	45	3 (6)	1 (25)	≥100	3
КТ817В	60	60	3 (6)	1 (25)	25-275	3
КТ817Г	100	90	3 (6)	1 (25)	25-275	3
КТ817Г2	100	90	3 (6)	1 (25)	≥100	3

Uкбо(и) – Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-базаUкэо(и) – Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттерIкmax(и) – Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектораPкmax(т) – Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)h21э – Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромfгр – граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Аналоги КТ315

У транзистора имеется как отечественная замена, так и заграничная. Начнем с первой. Это КТ3102 (ТО-92). Он тоже кремниевый, с npn структурой, но с большей температурой (до +150 С), другим расположением диодов и более высокими электрическими возможностями. Можно сказать, что они, относительно, одинаковы.

Иностранные заменители: ВС547 (npn, высокочастотный (примерно в 300 МГц, когда у КТ315 — 250 МГц), расположение диодов как у КТ3102, температура до +150 С), PN2222 (300 МГц, цоколевка соответствует предыдущей, остальные характеристики примерно одинаковы с КТ315), 2SC9014 (температура от -55 С до +150 С, 270 МГц). Раньше зарубежные транзисторы выходили с корпусом КТ-13, но на данный момент таких уже не существует.

История разработки первых транзисторов

Склонности передаются по наследству, это видно на примере Уильяма Брэдфорда Шокли. Сын горного инженера и одной из первых в США женщины-геодезиста. Специфичное сочетание. В 22 года получил степень бакалавра, не остановился на достигнутом, и в 1936-м становится доктором философии. Звание, присуждённое Массачусетским институтом технологии, не означает, что Шокли изучал Ницше и Аристотеля. Степень говорит о наличии диссертации в области из большого перечня наук. Диковинное название – дань традиции, когда философия в средние века занималась широким спектром вопросов, по праву считаясь прародителем прочих направлений хода учёной мысли.

Лаборатория Белла

Смысл работы состоял в исследовании электронных уровней хлорида натрия. Зонная теория, объяснявшая процессы, происходившие в материалах, как раз набирала популярность. Согласно воззрениям теории, любой электрон в кристалле способен занимать уникальное, свойственное исключительно указанной частице, состояние с определённой энергией и направлением спина. Сообразно представлению градации идут с некоторой дискретностью в валентной зоне (связанные с ядром), вдобавок присутствует запрещённая область, где частицы располагаться не вправе. Из последнего тезиса исключением считаются примесные полупроводники, ставшие базисом для создания твердотельной электроники, включая биполярные транзисторы.

В Лаборатории Белла Шокли попал за любопытные идеи в области конструирования ядерных реакторов. Уран в чистом виде открыт задолго до этого, впервые на примере элемента Беккерель обнаружил радиоактивность. Бомбардировать нейтронами ядра металла пробовал в начале 30-х годов (XX века) Энрико Ферми, преследовалась цель – получить трансурановые элементы. Позднее оказалось доказано, что одновременно происходит радиоактивный распад с выделением вовне энергии. Шокли задумал бомбардировать U-235, чтобы получить новый источник большой мощности. В ходе Второй мировой войны занимался исследования по оценке возможного сухопутного вторжения Японии, собранные данные во многом способствовали решению Трумэна сбросить атомную бомбу на Хиросиму.

Лаборатория Белла поставила перед Шокли прямую задачу – отыскать альтернативу громоздким ламповым усилителям. Это означало бы экономию места и появление на свет нового поколения приборов, способных функционировать в условиях войны. Не секрет, что боевые заслуги СССР оказались по достоинству оценены на противоположной стороне океана. Шокли назначили менеджером бригады, бившейся над задачей, куда среди прочего входили создатели первого точечного транзистора:

1. Джон Бардин;
2. Уолтер Хаузер Браттейн.

Конструкция оказалась специфичной. К примеру, контактные площадки из золота прижаты пружиной к германиевому кристаллу p-n-перехода, больше напоминают лабораторную установку, нежели полнофункциональный прибор для военной техники. Собрано — при помощи канцелярских скрепок и ядовитого клея-электролита. Но прибор в будущем даст название Силиконовой Долине. Между учёными произошёл раздор, потому что теория поля Шокли, применяемая в транзисторе, не помогла созданию прибора, вдобавок упоминалась в канадском патенте Лилиенфельда 1925 года. В результате Лаборатория Белла выкидывает имя Уильяма из списка создателей при оформлении бумаг.

Примечательно, что структура MESFET (полевой транзистор), предложенная Лилиенфельдом, не функционировала. Но заложенные идеи в бюро приняли, и у Лаборатории Белла возникли сложности с подачей заявок. Парадокс, но учёные могли запатентовать лишь дизайн Бардина и Браттейна – ничего более. Остальное давно уже существовало в виде концепции на момент 1946 года. Шокли решил, что судьба сыграла с изобретателем очередную шутку после всех неудач. Однако компания Белла идёт на всяческие уступки, и общепринято, что Уильям фигурирует для прессы в качестве первого лица.

Уильям Брэдфорд Шокли

Шокли начинает трудиться над собственным направлением, попутно пытаясь исправить ситуацию. Последнее не даёт положительных результатов, зато первое приводит к созданию прибора, сегодня известного миру под именем биполярного транзистора. Перебирая ряд конструкций, 1 января 1948 года находит правильную, но не сразу осознает. Впоследствии к Шокли приходит идея, что ток образуется не только основными носителями заряда.

Схема цоколевки транзистора КТ203А

База (B) — центральный вывод транзистора, отвечающий за управление потоком электронов через прибор. Обычно, база обозначается буквой B.

Эмиттер (E) — вывод, через который выходит заряд (электроны) во время работы транзистора. Обычно, эмиттер обозначается буквой E.

Коллектор (C) — вывод, через который входит заряд (электроны) во время работы транзистора. Обычно, коллектор обозначается буквой C.

Схема цоколевки транзистора КТ203А обычно представляет собой трехэлементный выводной прибор

Относительное расположение выводов может быть разным в разных случаях, поэтому рекомендуется всегда обращать внимание на маркировку самого транзистора или на его документацию

Правильное подключение транзистора в схему является важным шагом, который позволяет добиться правильной работы цепи или устройства. При подключении транзистора КТ203А необходимо следовать схеме цоколевки, чтобы избежать неправильного подключения и возникновения нестабильной работы прибора.

Схема цоколевки транзистора КТ203А может быть представлена в виде таблицы с указанием номеров выводов и их назначения. Ниже приведена примерная схема цоколевки биполярного транзистора КТ203А:

№ вывода	Назначение
1	Коллектор
2	База
3	Эмиттер

При подключении транзистора КТ203А стоит обратить внимание на то, что база подается на управляющий сигнал, а эмиттер и коллектор подключены к рабочей цепи или нагрузке. Неправильное подключение выводов транзистора может привести к его выходу из строя или к неправильной работе всей цепи

Схема цоколевки транзистора КТ203А позволяет правильно подключить этот биполярный транзистор к нужной схеме и обеспечить его стабильную работу в пределах заданных характеристик.