Основные свойства
Транзистор Кт602бм относится к типу p-n-p, то есть в его структуре n-область основания помещена между двумя p-областями коллектора и эмиттера. Это позволяет транзистору работать как усилитель с положительной обратной связью.
Одной из основных характеристик транзистора Кт602бм является его максимальная мощность PCMAX. Она составляет 400 мВт при температуре окружающей среды до +25 °C.
Другой важной характеристикой транзистора является его коэффициент усиления по току βmin. Он указывает, какое отношение между базовым током IB и коллекторным током IC обеспечивает транзистор
Для Кт602бм этот коэффициент составляет 30-100.
Также стоит отметить, что транзистор Кт602бм обладает низким значением дрейфа тока базы, что означает его стабильность во времени при изменении температуры окружающей среды и других воздействий.
Подробное описание
Кт602бм – это NPN транзистор, что означает, что он имеет тип проводимости электронов. У него есть три вывода – коллектор (K), база (B) и эмиттер (E). Кт602бм представляет собой цилиндрическую микросхему, изготовленную из кремния с примесями. Он имеет размеры 5×4 мм.
Основные характеристики транзистора Кт602бм:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальная коллекторная постоянная ток | 1 А |
| Максимальное коллекторное напряжение | 60 В |
| Максимальная мощность потери в эквивалентной схеме | 0,5 Вт |
| Коэффициент усиления тока | не менее 100 |
| Максимальная рабочая температура | 150 °C |
| Тепловое сопротивление от перехода коллектор-эмиттер | 40 К/Вт |
Транзистор Кт602бм широко применяется в радиоэлектронике, автоматических системах, электронике автомобилей и других электротехнических устройствах. Он обеспечивает надежное усиление и коммутацию сигналов при различных рабочих условиях.
КТ602, 2Т602(кремниевый транзистор, n-p-n)
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ,
КТ602АМ, КТ602БМ
Транзисторы кремниевые планарные
структуры n-p-n.
Предназначены для генерирования и
усиления сигналов.
Транзисторы 2Т602А, 2Т602Б выпускаются
в металлостеклянном корпусе с
гибкими выводами,
2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ — в
пластмассовом корпусе с жесткими
выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, не
более 5 г,
2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602АМ, КТ602БМ — не
более 1 г.
| Прибор | Предельные параметры |
Параметры при T = 25°C |
RТ п-к, °C/Вт | |||||||||||||||||||
| при T = 25°C | ||||||||||||||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UКЭR max, (UКЭ0 гр), В |
Uпит max, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКБ, В | IЭ, А | UКЭ нас, В | IКБ0, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | ||
| КТ602 А | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 120 | 85 | 20…80 | 10 | 0,01 | 3 | 0,07 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| КТ602 Б | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 120 | 85 | 50…220 | 10 | 0,01 | 3 | 0,07 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| КТ602 В | 0,075 | 0,5 | 70 | 80 | 5 | 2,8 | 25 | 120 | 85 | 15…80 | 10 | 0,01 | 3 | 0,07 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| КТ602 Г | 0,075 | 0,5 | 70 | 80 | 5 | 2,8 | 25 | 120 | 85 | 50 | 10 | 0,01 | 3 | 0,07 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| КТ602 АМ | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 120 | 85 | 20…80 | 10 | 0,01 | 3 | 0,07 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| КТ602 БМ | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 120 | 85 | 50…220 | 10 | 0,01 | 3 | 0,07 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| 2Т602 А | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 150 | 125 | 20…80 | 10 | 0,01 | 3 | 0,01 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| 2Т602 Б | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 150 | 125 | 50…200 | 10 | 0,01 | 3 | 0,01 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| 2Т602 АМ | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 150 | 125 | 20…80 | 10 | 0,01 | 3 | 0,01 | 150 | 4 | 25 | 45 | ||||
| 2Т602 БМ | 0,075 | 0,5 | (70) | 120 | 5 | 2,8 | 25 | 150 | 125 | 50…200 | 10 | 0,01 | 3 | 0,01 | 150 | 4 | 25 | 45 |
(КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д)
Транзистор КТ203 — усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Применяется в импульсных и усилительных устройствах.
КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д выпускаются в металлостеклянном, а КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
В металлостеклянном варианте тип транзистора указывается на корпусе. Пластмассовый вариант маркируется цветным кодом на торце:
- КТ203АМ — тёмно-красный.
- КТ203БМ — жёлтый.
- КТ203ВМ — тёмно-зелёный.
Боковая поверхность всех транзисторов имеет метку красного цвета.
Масса транзистора КТ203 не более 0,5 г.
Рис. 1 — Внешний вид транзисторов КТ203А (слева) и КТ203АМ (справа)
Рис. 2 — Цоколевка и размеры транзистора КТ203
Таблица 1
| Коэффициент передачи тока (в режиме малого сигнала) = 5 В, = 1 мА: | |
| Т = +25°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее | 9 |
| 2Т203Б | 30…90 |
| 2Т203В | 15…100 |
| 2Т203Г, не менее | 40 |
| 2Т203Д | 60…200 |
| КТ203Б, КТ203БМ | 30…150 |
| КТ203В, КТ203ВМ | 30…200 |
| Т = +125°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее | 9 |
| 2Т203Б | 30…80 |
| 2Т203В | 15…200 |
| 2Т203Г, не менее | 40 |
| 2Т203Д | 60…400 |
| КТ203Б, КТ203БМ | 30…230 |
| КТ203В, КТ203ВМ | 30…400 |
| Т = -60°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее | 7 |
| 2Т203Б | 15…90 |
| КТ203В, 2Т203В, КТ203БМ | 10…100 |
| 2Т203Г, не менее | 20 |
| 2Т203Д | 30…200 |
| КТ203В, КТ203ВМ | 15…200 |
|
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОБ при = 5 В, = 1 мА, не менее: |
|
| КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ |
5 МГц |
| 2Т203Г, 2Т203Д | 10 МГц |
| Напряжение насыщения К-Э, не более: | |
| при = 20 мА, = 4 мА для КТ203Б, 2Т203Б, КТ203БМ | 1 В |
| при = 10 мА, = 1 мА для 2Т203Г | 0,5 В |
| при = 10 мА, = 1 мА для 2Т203Д | 0,35 В |
| при = 20 мА, = 4 мА для КТ203В, КТ203ВМ | 0,5 В |
| Ток коллектора (обратный), при = , не более: | |
| Т = +25°C | 1 мкА |
| Т = Тмакс | 15 мкА |
| Ток эмиттера (обратный), при = x, не более | 1 мкА |
|
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базой при = 1 мА, не более: |
|
| при = 50 В КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А | 300 Ом |
| при = 30 В КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 300 Ом |
| при = 15 В КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В | 300 Ом |
| при = 5 В 2Т203Г, 2Т203Д | 300 Ом |
| Ёмкость коллекторного перехода при = 5 В, f = 10 МГц, не более | 10 пФ |
Таблица 2
| Напряжение К-Б (постоянное): | |
| при Т = -60…+75°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 60 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 30 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 15 В |
| при Т = +125°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 30 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 15 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 10 В |
| Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 2 КОм: | |
| при Т = -60…+75°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 60 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 30 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 15 В |
| при Т = +125°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 30 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 15 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 10 В |
| Напряжение Э-Б (постоянное): | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 30 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 15 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 10 В |
| Ток коллектора (постоянный) | 10 мА |
| Ток коллектора (импульсный) при tи ≤ 10 мкс, Q ≥ 10 | 50 мА |
| Рассеиваемая мощность коллектора1) (постоянная): | |
| T = -60…+75°C | 150 мВт |
| T = +125°C | 60 мВт |
| Температура p-n перехода | +150°C |
| Рабочая температура (окружающей среды) | -60…+125°C |
1) При T > +75°C уменьшается линейно.
Кт602бм — характеристики транзистора цоколевка
Основные характеристики транзистора Кт602бм включают следующие параметры:
- Напряжение сток-исток (Uси): не более 30 В
- Ток стока (Iс): не более 0,5 А
- Ток стока в отсечке (Ico): не более 0,1 мкА
- Коэффициент усиления по току (hfe): от 30 до 400
- Мощность потерь на включение (Pток): не более 300 мВт
- Мощность потерь на насыщение (Pпот): не более 400 мВт
Кт602бм является низкочастотным транзистором, он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (Ron), что позволяет использовать его в схемах с низкими напряжениями и токами.
Транзистор Кт602бм широко применяется в радиоэлектронике и электротехнике для усиления и коммутации различных сигналов в низкочастотных схемах.
Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.
Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.
Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.
Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа. Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.
Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР. Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.
Наиболее важные параметры.
Граничная частота передачи тока — 250 МГц. Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90. У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350. У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250. У транзистора КТ315Ж, не менее 30.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в. Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в. у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в. У транзистора КТ315И — 60 в.
Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.
Максимальное напряжение эмиттер-база — 6 в.
Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА. У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА. У транзисторов КТ315И — 100 мкА.
Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.
Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ. У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.
Рассеиваемая мощность коллектора.
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.
Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.
Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.
Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B
Применение и область применения КТ602БМ
Транзистор КТ602БМ применяется в различных электронных устройствах и схемах. Он часто используется в радиотехнике, телекоммуникационных системах, а также в различных цифровых устройствах.
Одной из областей применения КТ602БМ является процесс усиления и коммутации электрических сигналов. Благодаря его высокой надежности и стабильности, он может быть использован в усилительных каскадах различных устройств, таких как радиоприемники, передатчики, сигнальные генераторы и другие электронные схемы.
Транзистор КТ602БМ также может применяться для создания различных логических схем. В цифровой электронике он может быть использован для управления токами и создания различных логических вентилей, включая инверторы, И-ИЛИ, И-НЕ и другие.
Благодаря своим характеристикам, таким как высокая частота переключения, низкое потребление энергии и высокая рабочая температура, транзистор КТ602БМ также может использоваться в схемах энергосберегающего оборудования и системах управления энергопотреблением.
КТ602БМ часто используется в различных источниках питания, таких как импульсные источники питания, блоки питания для компьютеров и других устройств. Он обеспечивает стабильную работу и защиту от перегрузок и короткого замыкания.
Таким образом, транзистор КТ602БМ является универсальным и надежным элементом электроники, который можно использовать в различных сферах, связанных с усилением и коммутацией сигналов, созданием логических схем и энергосберегающими системами.
Принцип работы транзистора КТ602БМ
Ток между эмиттером и базой называется базовым током, а ток между коллектором и эмиттером — коллекторным током. Управление током коллекторной цепи осуществляется путем изменения базового тока.
Когда базовый ток протекает через базу, то в результате диффузии электронов и дырок между эмиттером и базой, появляется электрическое поле, благодаря которому электроны начинают перемещаться из базы в коллектор.
| Слой | Примечание |
|---|---|
| Эмиттер | Содержит большое количество носителей тока, обычно электронов. |
| База | Регулирует ток между эмиттером и коллектором. |
| Коллектор | Собирает ток от эмиттера. |
Транзистор КТ602БМ может использоваться в различных электронных схемах, включая усилители, генераторы и ключи. Он обладает низким уровнем шума, хорошей линейностью и надежностью в работе.