Особенностей транзистора КТ503б
- Назначение: КТ503б предназначен для использования в различных усилительных и коммутационных схемах.
- Тип корпуса: КТ503б имеет металлокерамический корпус, который обеспечивает эффективное теплоотведение и защиту от внешних воздействий.
- Тип элемента: КТ503б относится к типу NPN транзисторов, что означает наличие трех слоев: эмиттера, базы и коллектора.
- Максимальное значение напряжения: Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер для КТ503б составляет 40 В, что позволяет использовать его в различных схемах.
- Максимальное значение тока: Максимальный допустимый ток коллектора для КТ503б составляет 150 мА, что обеспечивает достаточную мощность для работы в большинстве электронных устройств.
- Особенности конструкции: КТ503б обладает достаточно компактной конструкцией, что позволяет эффективно использовать его в различных электронных устройствах с ограниченными габаритами.
Важно отметить, что транзистор КТ503б обладает высокой надежностью и долговечностью, что делает его популярным выбором для использования в различных электронных устройствах
Зарубежные аналоги отечественных микросхем
При конструировании какой нибудь схемы или ремонте уже существующих у радиолюбителей часто возникает необходимость замены отечественной микросхемы на её полный или функциональный зарубежный аналог.
Ниже, в таблице представлено почти 3000 зарубежных аналогов отечественных цифровых и аналоговых микросхем.
Для удобства поиска аналога микросхемы сгруппированы по их серии от 133 до 1873 + ИПВ.
Чем заменить микросхему?
Часто возникает вопрос при ремонте радиоаппаратуры. Если не удается найти нужную микросхему, то можно заменить её аналогом по приведённой ниже таблице.
Стандарт электрических вилок и розеток
Те, кто любит путешествовать и бывает в разных странах замечали, что розетки и вилки не везде одинаковые. Так же при заказе различных устройств и приборов, например из Китая предлагается выбрать различные варианты: EU Plug, US Plug, UK Plug, AU Plug. Как не ошибиться в этом? Давайте подробнее разберёмся.
Электрические параметры
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе базы 1 мА — не более 0.6 В, обычно на основе нашего опыта 0.2 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при токе базы 1 мА — не более 1.2 В, обычно на основе нашего опыта 0.6 В
Рабочая частота — до 2 МГц. Схемы с общим эмиттером, выполненные нами, стабильно работают на частоте до 2 МГц.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор — база 5 В — не более 20 пФ.
Постоянное обратное напряжение база — эмиттер — 5 В.
Постоянное ток коллектора — 0.15 А.
Импульсный ток коллектора — 0.35 А.
Постоянный ток базы — 0.1 А.
Постоянная рассеиваемая мощность — 0.35 Вт.
КТ503А, 2Т503А
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 40 В.
Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.
КТ503Б, 2Т503Б
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 40 В.
Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 80 — 240.
КТ503В, 2Т503В
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 60 В.
Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.
КТ503Г, 2Т503Г
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 60 В.
Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 80 — 240.
КТ503Д, 2Т503Д
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 80 В.
Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.
КТ503Е, 2Т503Е
Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 100 В.
Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.
(читать дальше…) :: (в начало статьи)
| 1 | 2 |
:: ПоискТехника безопасности :: Помощь
К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.
Если что-то непонятно, обязательно спросите!Задать вопрос. Обсуждение статьи.
Еще статьи
Металлоискатель самодельный. Сделать, собрать самому, своими руками. С…
Схема металлоискателя с высокой разрешающей способностью. Описание сборки и нала…
Применение тиристоров (динисторов, тринисторов, симисторов). Схемы. Ис…
Тиристоры в электронных схемах. Тонкости и особенности использования. Виды тирис…
Практика проектирования электронных схем. Самоучитель электроники….
Искусство разработки устройств. Элементная база радиоэлектроники. Типовые схемы….
Бесперебойник своими руками. ИБП, UPS сделать самому. Синус, синусоида…
Как сделать бесперебойник самому? Чисто синусоидальное напряжение на выходе, при…
Умный дом, дача, коттедж. Мониторинг, наблюдение энергоснабжения, элек…
Система мониторинга отключения света с SMS уведомлением своими руками
…
Импульсный источник питания. Своими руками. Самодельный. Сделать. Лабо…
Схема импульсного блока питания. Расчет на разные напряжения и токи….
Преобразователь однофазного в трехфазное. Конвертер одной фазы в три. …
Схема преобразователя однофазного напряжения в трехфазное….
Зарядное устройство. Импульсный автомобильный зарядник. Зарядка аккуму…
Схема импульсного зарядного устройства. Расчет на разные напряжения и токи….
Преимущества и особенности
Кт503 транзистор обладает высокой надежностью и долговечностью, что делает его идеальным для применения в различных электронных устройствах.
Этот транзистор имеет высокие рабочие характеристики, что позволяет достигать оптимальной производительности в схемах, где он используется.
Кт503 обладает низким уровнем шума, что особенно важно при работе с чувствительными аудио- и радиоустройствами.
Доступная цена Кт503 делает его привлекательным для широкого круга потребителей, что помогает снизить стоимость производства устройств, где он используется.
Транзистор Кт503 обладает высокой степенью интеграции, что позволяет значительное сокращение размеров электронных схем и устройств.
Кт503 хорошо работает при широком диапазоне рабочих температур, что делает его надежным в различных климатических условиях.
Этот транзистор обладает хорошей способностью переключения, что позволяет быстро и точно изменять его электрические характеристики в схеме.
Применение
В основном применяются в схемах автоматики, усилителях низкой частоты (если нет требований по низкому уровню шума, высокой линейности и стабильности), микромощных источникам питания.
Примеры устройств:
- Бестрансформаторный источник питания
- Аналог динистора в релаксационном генераторе
- УМЗЧ высокого качества
- Датчик уровня жидкости
Вообще эти транзисторы относятся к числу наших самых любимых радиодеталей. Если необходим низкочастотный биполярный n-p-n транзистор без дополнительных требований, то это — КТ503, если необходима пара транзисторов p-n-n, n-p-n, с близкими характеристиками, то это — КТ502, КТ503.
Важность цоколевки
Правильная цоколевка необходима для обеспечения надежного функционирования транзистора и предотвращения возможных поломок. Если выводы транзистора неправильно подключены, это может привести к его повреждению или потере работы всей электрической схемы.
К тому же, благодаря правильной цоколевке, возможно легче и быстрее осуществлять сборку и монтаж электронных устройств, так как правильное расположение выводов облегчает соединение транзистора с другими элементами схемы.
Поэтому, перед началом работы с транзистором КТ503 необходимо ознакомиться с его цоколевкой и убедиться, что все выводы подключены правильно. Это позволит избежать серьезных проблем в будущем и обеспечит надежную работу электронных устройств.
Проверка КТ815
Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.
Во-первых, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром, так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.
Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.
Затем нужно проверить обратное падение напряжение. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.
КТ503 транзистор: цоколевка и монтаж
Транзистор КТ503 обладает своей особой цоколевкой, которая определена стандартом. Он имеет три вывода, обозначенных следующим образом:
- 1-й вывод — эмиттер (E);
- 2-й вывод — база (B);
- 3-й вывод — коллектор (C).
Для правильного монтажа транзистора КТ503 необходимо соблюдать следующие правила:
- Припаять выводы транзистора к соответствующим контактам на печатной плате.
- Установить транзистор на радиатор для обеспечения надежного охлаждения.
- Подключить электрические цепи к соответствующим выводам транзистора.
Важно помнить, что при монтаже транзистора КТ503 необходимо точно соблюдать полярность его выводов для избежания возможных повреждений и неисправностей
Знакомство с транзистором КТ503
Основные характеристики транзистора КТ503:
- Максимально допустимый коллекторный ток (Iк) — это максимальное значение тока, который может протекать через коллектор транзистора. Для КТ503 этот показатель составляет 6 А.
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) — это максимальное значение напряжения, которое можно подать между коллектором и эмиттером транзистора без повреждения его структуры. Для КТ503 это значение равно 60 В.
- Коэффициент усиления по току (β) — это показатель, отражающий соотношение между током коллектора и током базы транзистора. У транзистора КТ503 β составляет около 40-200.
Транзистор КТ503 имеет цоколевку TO-220, которая представляет собой металлический корпус с выводами в виде плоских контактных ножек. Это позволяет удобно монтировать и подключать транзистор в электронных устройствах.
Применение транзистора КТ503:
Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ503 широко применяется в схемах усиления или коммутации сигналов в различных устройствах. Он может использоваться, например, в силовых блоках, стабилизаторах напряжения, источниках тока и других электронных устройствах, где требуется надежный и стабильный элемент для реализации нужных функций.
В заключение, транзистор КТ503 является важным элементом в электронике, который позволяет усиливать и переключать сигналы в различных схемах. Знание его основных характеристик и правильное подключение помогут использовать его эффективно в собственных проектах и устройствах.
Транзистор кт502, характеристики, маркировка, аналоги, цоколевка
Транзисторы КТ502 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.
№1 — Эмиттер
№2 — База
№3 — Коллектор
Маркировка КТ502
КТ503А — сбоку светложелтая точка, сверху темнокрасная точка
КТ503Б — сбоку светложелтая точка, сверху желтая точка
КТ503В — сбоку светложелтая точка, сверху темнозеленая точка
КТ503Г — сбоку светложелтая точка, сверху голубая точка
КТ503Д — сбоку светложелтая точка, сверху синяя точка
КТ503Е — сбоку светложелтая точка, сверху белая точка
Предельные параметры КТ502
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 150 мА
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мА
Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при ТП = 25° C:
- КТ502А — 25 В
- КТ502Б — 25 В
- КТ502В — 40 В
- КТ502Г — 40 В
- КТ502Д — 60 В
- КТ502Е — 80 В
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UКБ0 max) при ТП = 25° C:
- КТ502А — 40 В
- КТ502Б — 40 В
- КТ502В — 60 В
- КТ502Г — 60 В
- КТ502Д — 80 В
- КТ502Е — 90 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при ТП = 25° C:
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 В
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PК max) при Т = 25° C:
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мВт
Максимально допустимая температура перехода (Tп max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 125 ° C
Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е —
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
85 ° C
Электрические характеристики транзисторов КТ502 при ТП = 25oС
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при (UКЭ) 5 В, (IЭ) 10 мА:
- КТ502А — 40 — 120
- КТ502Б — 80 — 240
- КТ502В — 40 — 120
- КТ502Г — 80 — 240
- КТ502Д — 40 — 120
- КТ502Е — 40 — 120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 0,6 В
Обратный ток коллектоpа (IКБ0)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 1 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 МГц
if ( rtbW >= 960 ){ var rtbBlockID = «R-A-744188-3»; }
else { var rtbBlockID = «R-A-744188-5»; }
window.yaContextCb.push(()=>{Ya.Context.AdvManager.render({renderTo: «yandex_rtb_4»,blockId: rtbBlockID,pageNumber: 4,onError: (data) => { var g = document.createElement(«ins»);
g.className = «adsbygoogle»;
g.style.display = «inline»;
if (rtbW >= 960){
g.style.width = «580px»;
g.style.height = «400px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}else{
g.style.width = «300px»;
g.style.height = «600px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}
g.setAttribute(«data-ad-client», «ca-pub-1812626643144578»);
g.setAttribute(«data-alternate-ad-url», stroke2);
document.getElementById(«yandex_rtb_4»).appendChild(g);
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({}); }})});
window.addEventListener(«load», () => {
var ins = document.getElementById(«yandex_rtb_4»);
if (ins.clientHeight == «0») {
ins.innerHTML = stroke3;
}
}, true);
Емкость коллекторного перехода (CК)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 20 пФ
Емкость эмиттерного перехода (CЭ)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 15 пФ
Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 214 ° C/Вт
Опубликовано 16.03.2020
Технические характеристики КТ503
Основные технические характеристики КТ503 включают:
- Максимальное значение тока коллектора (Iкмакс): 2 А
- Максимальное значение обратной постоянной напряжения коллектор-эмиттер (Uкэобр): 65 В
- Максимальное значение постоянной напряжения коллектор-эмиттер (Uкэмакс): 45 В
- Максимальное значение постоянного тока базы (Iбмакс): 0,2 А
- Тепловое сопротивление перехода коллектор-эмиттер (Rθкэ): 65 °C/Вт
Помимо указанных характеристик, КТ503 обладает высокой надежностью и стабильностью параметров, что делает его привлекательным для использования в различных электронных устройствах.
Важно помнить, что для нормальной работы транзистора необходимо соблюдать правильное подключение контактов по цоколевке, а также предусмотреть эффективное охлаждение для стабильной работы в условиях повышенной тепловыделения
Транзисторы КТ814
Т ранзисторы КТ814 – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – p-n-p. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса – около 0,7 г. Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.
Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная – в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ814 цифра 4, второй знак – буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже – цоколевка и маркировка КТ814.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ814А, КТ814Б, КТ814В – от 40 У транзисторов КТ814Г – 30
Граничная частота передачи тока. – 3МГц.
Максимальное напряжение коллектор – эмиттер. У транзисторов КТ814А – 25 в. У транзисторов КТ814Б – 40 в. У транзисторов КТ814В – 60 в. У транзисторов КТ814Г – 80 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ814 – 1,5 А.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 0,6 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 1,2 в.
Рассеиваемая мощность коллектора. – 10 Вт(с радиатором).
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды не превышающей +25 по Цельсию не более – 50 мкА.
Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5в при частоте 465 КГц не более – 75 пФ.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц не более – 60 пФ.
Транзистор комплементарный КТ814 – КТ815.
КТ503 транзистор: что это?
КТ503 обладает следующими характеристиками:
- Максимальная коллектор-эмиттерная обратная напряжение – 45 В;
- Максимальный ток коллектора – 0,8 А;
- Максимальная мощность потерь – 0,625 Вт;
- Коэффициент усиления тока – не менее 20.
Транзистор КТ503 имеет керамическую цоколевку, которая облегчает его установку на желаемой плате. Он имеет 3 вывода: коллектор (С), база (B) и эмиттер (E), которые позволяют устройству контролировать поток тока. КТ503 обладает длительным сроком службы и стабильной работой в широком диапазоне температур.
Транзисторы КТ503 широко доступны на рынке и недороги, что делает их популярным выбором для разработчиков и любителей электроники. Они являются надежным и универсальным компонентом, который можно использовать во многих схемах.
Основные характеристики КТ503
1. Максимально допустимое постоянное коллектор-эмиттерное напряжение (Uкэmax): это величина, которая определяет предельное значение напряжения между коллектором и эмиттером. Для КТ503 оно составляет 400 В.
2. Максимально допустимый постоянный коллекторный ток (Iкmax): это величина, которая определяет предельное значение тока через коллектор. Для КТ503 оно составляет 5 А.
3. Максимально допустимая мощность потерь (Pток, max): это величина, которая определяет предельное значение мощности, которое можно выделять на КТ503. Для данного транзистора она составляет 40 Вт.
4. Максимально допустимая рабочая температура (Tрабmax): это величина, которая определяет предельную температуру, при которой транзистор может работать без значительного повреждения. Для КТ503 она составляет 150 °С.
Важно отметить, что все эти характеристики должны быть учтены при разработке и эксплуатации электронных схем, чтобы избежать повреждения транзистора и обеспечить его надежную работу
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения и преобразователях напряжения в аппаратуре общего назначения.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | TO-247 |
| КТ892А/Б | 175 | 350 | 350 | 5 | 15 | 150 | — | — | 300 | TO-3 |
| КТ897Б | 125 | 200 | 200 | 5 | 20 | — | 10 | — | 400 | TO-3 |
| КТ898А/Б | 125 | 350 | — | 5 | 20 | 200 | 10 | — | 400 | TO-218 |
| КТ8101А/Б | 150 | 200 | — | 6 | 16 | 150 | 10 | 1000 | 20 | TO-218 |
| КТ8107А | 100 | 1500 | 700 | 5 | 8 | 150 | 7 | — | 2…8 | TO-3 |
| КТ8114А/Б | 125 | 1500 | — | 5 | 8 | 150 | — | — | 8 | TO-3 |
| КТ8117А | 100 | 700 | 600 | 5 | 10 | 150 | 4 | — | 10 | TO-3 |
| КТ8150А | 115 | 70 | 60 | 7 | 15 | 150 | 4 | — | 20 | TO-3 |
| КТ8158Б | 125 | 100 | 100 | 5 | 12 | 150 | 4 | — | 1000 | TO-3 |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | TO-247 |
| 2SC5669 | 140 | 250 | 230 | 6 | 15 | 150 | 15 | 200 | 60 | TO-3PN |
| 2SD1975A | 150 | 200 | 200 | 5 | 15 | 150 | 20 | 200 | 60 | TO-3PL |
| 2SD2489 | 130 | 200 | 200 | 5 | 15 | 150 | 70 | 120 | 5000 | TO-3PN |
| BU941B | 155 | — | 350 | 5 | 15 | 175 | — | — | 300 | TO-3P |
| MJL3281A | 200 | 200 | 200 | 7 | 15 | 150 | 30 | 600 | 75 | TO-3PBL, TO-264 |
| MJL4281A | 230 | 350 | 350 | 5 | 15 | 150 | 35 | 600 | 80 | TO-3PBL, TO-264 |
| NJW0302 | 150 | 250 | 250 | 5 | 15 | 150 | 30 | 400 | 60 | TO-3P |
| NJW1302 | 200 | 200 | 250 | 5 | 15 | 150 | 30 | 600 | 60 | TO-3P |
| 2SC4059 | 130 | 600 | 450 | 7 | 15 | 175 | 20 | — | 60 | TO-247 |
| 2SC4108N | 100 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | 20 | 160 | — | TO-247 |
| ET359 | 100 | 300 | 200 | — | 80 | 175 | — | — | 80 | TO-247 |
| IDD1314 | 150 | 450 | — | — | 15 | 150 | — | — | 100 | TO-247 |
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
Совместимость с другими электронными компонентами
При замене транзистора КТ503 в электронных устройствах важно учитывать его совместимость с другими компонентами
Во-первых, необходимо обратить внимание на питание транзистора. Если замещающий транзистор имеет разные электрические характеристики, то может потребоваться дополнительная модификация или замена источника питания
Во-вторых, следует учесть наличие необходимых входных и выходных разъемов или контактов. В случае, если заменяемый транзистор имеет особый тип контактов, возможно потребуется использование переходных плат и адаптеров для подключения нового компонента.
Также стоит учитывать характеристики аналогового сигнала, который проходит через транзистор. Если новый транзистор имеет другие параметры усиления или скорости работы, это может повлиять на работу остальных компонентов в схеме. В таком случае могут потребоваться дополнительные настройки или замена других компонентов, чтобы достичь требуемых характеристик схемы.
Другие факторы, важные при совместимости с другими компонентами, включают конструкцию и размеры транзистора. Если замещающий транзистор имеет отличающуюся конструкцию или размеры, может понадобиться дополнительная модификация или замена крепежных элементов и радиаторов.
В целом, перед заменой транзистора КТ503 необходимо тщательно изучить документацию на новый компонент и проанализировать его совместимость с другими электронными компонентами, для достижения успешной замены и стабильной работы устройства.
Характеристики
Некоторые основные характеристики транзистора KT503:
- Максимальное значение коллекторного тока: 100 мА;
- Максимальное значение коллекторного напряжения: 15 В;
- Максимальное значение дифференциального напряжения эмиттерной-базовой и коллекторной-базовой областей: 25 В;
- Максимальное значение мощности, выделяющейся в транзисторе: 0,15 Вт;
- Рабочая частота: до 200 МГц;
- Относительно низкое значение коэффициента усиления по току (бета) на уровне 40-100;
- Температурный диапазон эксплуатации: от -60 до +95 градусов Цельсия.
KT503 имеет TO-50 корпус с центральной маркировкой корпуса для удобства монтажа.
Применение транзистора KT503 связано с его высокой частотной переключаемостью и позволяет использовать его в радиолюбительских устройствах, радиопередатчиках, радиоприемниках, устройствах связи и других электронных схемах, где требуется работа с высокими частотами.
Описание КТ503 транзистора
Производителем КТ503 транзистора является Российская компания Кремний (КТ). Транзистор имеет компактную цоколевку TO-92 и может работать с напряжением коллектора до 45 В и током коллектора до 500 мА.
Основные характеристики КТ503:
- Тип: NPN;
- Максимальное напряжение коллектора: 45 В;
- Максимальный ток коллектора: 500 мА;
- Максимальная мощность диссипации: 500 мВт;
- Коэффициент усиления тока (hfe): 100-560;
- Переходная частота (ft): 100 МГц;
- Время переключения (tON, tOFF): 15-30 нс;
- Температурный диапазон: -55…+150 °C.
КТ503 широко используется в различных электронных устройствах, включая радио, телевизоры, аудиоусилители, мультиметры и другую аппаратуру. Он может быть использован для усиления маломощных аудио- и видеосигналов, а также в качестве ключевого элемента в схемах инверторов и импульсных преобразователей.
Применение
В основном применяются в схемах автоматики, усилителях низкой частоты (если нет требований по низкому уровню шума, высокой линейности и стабильности), микромощных источникам питания.
Примеры устройств:
- Бестрансформаторный источник питания
- Аналог динистора в релаксационном генераторе
- УМЗЧ высокого качества
- Датчик уровня жидкости
Вообще эти транзисторы относятся к числу наших самых любимых радиодеталей. Если необходим низкочастотный биполярный n-p-n транзистор без дополнительных требований, то это — КТ503, если необходима пара транзисторов p-n-n, n-p-n, с близкими характеристиками, то это — КТ502, КТ503.
Обзор возможностей КТ503 транзистора
Основные характеристики КТ503:
- Тип корпуса: TO-3;
- Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер: 450 В;
- Максимальное значение тока коллектора: 20 А;
- Максимальная мощность потерь: 150 Вт;
- Коэффициент усиления по току: не менее 20;
- Температурный диапазон эксплуатации: от -65°C до +150°C;
- Время переключения: не более 3 мкс;
- Сопротивление открытого перехода: не более 1 кОм;
- Масса транзистора: около 25 грамм.
КТ503 транзистор обладает высокими рабочими характеристиками и может использоваться в различных устройствах, таких как источники питания, усилители звука, стабилизаторы напряжения и др.
Транзисторные УНЧ
Транзисторные усилители мощности низкой частоты (УМЗЧ) для звуковой и аудио-аппаратуры. В разделе собраны принципиальные схемы самодельных усилителей мощности НЧ на биполярных и полевых транзисторах.
Здесь вы найдете схемы транзисторных усилителей разной сложности и с разным классом мощности:
- низкой мощности — до 1,5 Ватт;
- средней мощности — от 1,5 Ватт до 20 Ватт;
- большой мощности — 25 Ватт, 50 Ватт, 100 Ватт, 200 Ватт, 300 Ватт и более.
Для самодельного аудио-комплекса или при ремонте музыкального центра можно изготовить многоканальный усилитель мощности в конфигурациях:
- система 2.1 (сабвуфер + 2 сателлита);
- система 5.1 (сабвуфер + 5 сателлитов);
- стерео — два канала усиления;
- квадро — четыре канала усиления.
На транзисторах можно без лишних сложностей собрать небольшой самодельный усилитель для наушников. Присутствуют очень простые и доступные по себестоимости конструкции усилителей, которые прекрасно подойдут для изготовления начинающими радиолюбителями.
Усилитель построен по простой схеме на трех транзисторах. На выходе, на нагрузке сопротивлением 4 От выдает мощность 2W при питании от источника напряжением 12V. Входное сопротивление усилителя мало, и составляет 470 Ом. Столь малое входное сопротивление позволяет ему хорошо согласовываться .
Схема самодельного гибридного усилителя звука на лампах и микросхемах с выходной мощностью 30 Ватт. Усилитель построен на лампе ECC88 (отечественный аналог — 6Н23П) и мощной микросхеме LM3875.
Принципиальная схема гитарного усилителя мощности низкой частоты с предусилителем и темброблоком. УМЗЧ собран на транзисторах TIP142 и TIP147, выходная мощность — 40Вт на 8 Ом, 60 Вт на 4 Ома.
Несколько принципиальных схем высококачественных УМЗЧ на полевых транзисторах, привлекающие своей простотой и техническими характеристиками. Применение полевых транзисторов в усилителе мощности позволяет значительно повысить качество звучания при общем упрощении схемы.
Схема электрическая принципиальная усилителя приведена на рисунке (в скобках приведены замененные элементы). Данная конструкция является модернизациейразработки . Принципиальная схема УМЗЧ на MOSFET транзисторах (200Вт). Все основные части усилителя — трансформатор, радиаторы .
При разработке усилителей ЗЧ с максимальной выходной мощностью более 100 Вт первостепенноезначение приобретает необходимость получения возможно большего КПД усилителя при достаточно малых нелинейных искажениях. Вопрос о допустимом проценте нелинейных искажений усилителя ЗЧ не раз обсуждался на .
Свое знакомство с мощными усилителями я начал в 1958 году, когда учился в энергетическомтехникуме, и мне поручили обслуживать радиоузел. Он состоял из трех частей: малогабаритной радиотрансляционной установки “ТУ-100″, магнитофона “Днепр 9” и ЛАТРа на .
Уже давно разработчики УМЗЧ задают себе вопрос: до какого уровня необходимо снижать нелинейность усилителя? . Если проанализировать рекламные журналы по аудиотехнике, то гармонические искажения даже “топовых” моделей УМЗЧ в основном лежат в диапазоне 0,003. 0,05% .
Всем доброго времени суток! Вот с чем я осмелюсь с Вами поделиться. Тема для многих известна, и понятна. В чём она состоит. Дальше чисто моё ИМХО. Давно любителям звука внушают – если лампы, то в любом проявлении, а если транзисторы, то чтобы их было o-очень много! Иначе лапового звука не добьёшься. Например советские стандарты сначала классифицировали аудио-аппаратуру по кассам 4-й, 3-й, 2-й, 1-й!, и наконец.
Принципиальная схема простого трехтранзисторного усилителя мощности для применения в разнообразной малогабаритной аппаратуре. Зачастую, от «компьютерных колонок» требуется только воспроизведение каких-то звуковых сигналов, речевых сигналов, не требующих HI-FI или Hl-end качества .
Характеристики транзистора КТ503б
- Тип транзистора: NPN;
- Максимальное допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 40 В;
- Максимальное допустимое постоянное напряжение коллектор-база (Uкб): 45 В;
- Максимальное допустимое постоянное напряжение эмиттер-база (Uэб): 5 В;
- Максимальный допустимый ток коллектора (Iк): 0.1 А;
- Максимальный допустимый ток базы (Iб): 0.05 А;
- Максимальная диссипация мощности (Pдоп): 0.15 Вт;
- Коэффициент усиления по току (h21E): 30-300 (в зависимости от условий работы);
- Диапазон рабочих температур (Tраб): от -55 до +150 °C;
- Корпус: металл-фолиевый TO-92.
Транзистор КТ503б используется в различных электронных устройствах, включая усилители, генераторы, блоки питания и другие схемы. Он отличается простотой использования, надежностью и хорошими рабочими характеристиками.