Транзистор КТ503А - параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Биполярный транзистор 2N5087 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5087

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 135
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250

Корпус транзистора:

2N5087
Datasheet (PDF)

..1. Size:434K motorola 2n5086 2n5087.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5086/DAmplifier Transistors2N5086PNP Silicon*2N5087*Motorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE1EMITTER 123

..2. Size:49K philips 2n5087 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1862N5087PNP general purpose transistorProduct specification 1997 Jul 02Supersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor 2N5087FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1

..3. Size:100K fairchild semi 2n5086 2n5087 mmbt5087.pdf

2N5086/2N5087/MMBT5087PNP General Purpose Amplifier3 This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50mA.2SOT-23TO-92 1Mark: 2Q11. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collect

..4. Size:60K central 2n5086 2n5087.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

..5. Size:1285K sprague 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf

0.1. Size:300K motorola 2n5087rev0.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5087/DAmplifier TransistorPNP Silicon2N5087COLLECTOR3Motorola Preferred Device2BASE1EMITTER123MAXIMUM RAT

0.2. Size:155K onsemi 2n5087-d.pdf

2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2

0.3. Size:156K onsemi 2n5087g.pdf

0.4. Size:156K onsemi 2n5087rlrag.pdf

0.5. Size:49K hsmc h2n5087.pdf

Spec. No. : HE6210HI-SINCERITYIssued Date : 1998.02.01Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N5087PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThis device was designed for low noise,high gain,general purpose amplifierapplications for 1uA to 25mA collector current.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ………..

Другие транзисторы… 2N508
, 2N5080
, 2N5081
, 2N5082
, 2N5083
, 2N5084
, 2N5085
, 2N5086
, 2N3773
, 2N5088
, 2N5089
, 2N508A
, 2N509
, 2N5090
, 2N5091
, 2N5092
, 2N5093
.

Высокочастотные эффекты

Производительность транзисторного усилителя относительно постоянна вплоть до некоторой точки, как показано на графике зависимости коэффициента усиления по току от частоты для усилителя малых сигналов с общим эмиттером (рисунок ниже). За этой точкой по мере увеличения частоты производительность транзистора ухудшается.

Граничная частота (частота отсечки коэффициента бета), f_гр, f_T – это частота, при которой коэффициент усиления по току (h_fe) усилителя малых сигналов с общим эмиттером падает ниже единицы (рисунок ниже). Реальный усилитель должен иметь коэффициент усиления > 1. Таким образом, на частоте f_гр транзистор использоваться не может. Максимальная частота, приемлемая для использования транзистора, равна 0,1f_гр.

Зависимость коэффициента усиления по току (h_fe) от частоты для усилителя малых сигналов с общим эмиттером

Некоторые радиочастотные биполярные транзисторы могут использоваться в качестве усилителей на частотах до нескольких ГГц. Кремниево-германиевые устройства расширяют диапазон до 10 ГГц.

Предельная частота (частота отсечки коэффициента альфа), f_пр, f_alpha – это частота, при которой коэффициент α снижается до 0,707 от коэффициента α на низких частотах, α=0,707α. Предельная частота и граничная частота примерно равны: f_пр≅f_гр. В качестве высокочастотного показателя предпочтительнее использовать граничную частоту f_гр.

f_max – самая высокая частота колебаний, возможная при наиболее благоприятных условиях смещения и согласования импеданса. Это частота, при которой коэффициент усиления по мощности равен единице. Весь выходной сигнал подается назад на вход для поддержания колебаний. f_max является верхним пределом частоты работы транзистора в качестве активного устройства. Хотя реальный усилитель не используется на f_max.

Эффект Миллера: верхний предел частоты для транзистора, связанный с емкостями переходов. Например, PN2222A имеет входную емкость C_ibo=25пФ и выходную емкость C_obo=9пФ между К-Б и К-Э соответственно. Хотя емкость К-Э 25 пФ кажется большой, она меньше, чем емкость К-Б (9 пФ). Из-за эффекта Миллера в усилителе с общим эмиттером емкость К-Б оказывает влияние на базу в β раз. Почему это так? Усилитель с общим эмиттером инвертирует сигнал, проходящий от базы к эмиттеру. Инвертированный сигнал коллектора, подаваемый назад на базу, противодействует входному сигналу. Сигнал на коллекторе в β раз больше входного сигнала. Для PN2222A β=50–300. Таким образом, емкость К-Б 9 пФ выглядит так: от 9 · 50 = 450 пФ до 9 · 300 = 2700 пФ.

Решение проблемы с емкостью перехода для широкополосных приложений заключается в выборе высокочастотного транзистора – RF (радиочастотного) или СВЧ транзистора. Полоса пропускания может быть дополнительно расширена за счет использования схемы с общей базой, вместо схемы с общим эмиттером. Заземленная база защищает входной эмиттер от емкостной обратной связи с коллектора. Каскодная схема из двух транзисторов будет обеспечивать такую же полосу пропускания, как и схема с общей базой, но уже с более высоким входным импедансом схемы с общим эмиттером.

Транзисторы КТ502 КТ503: архитектура и особенности

Архитектура транзисторов КТ502 и КТ503 основана на полевом эффекте и включает в себя три слоя: исток, сток и затвор. Исток и сток выполнены в виде пластин из полупроводникового материала, а затвор представляет собой металлическую пластинку, разделенную от полупроводникового слоя оксидной пленкой.

Особенностью транзисторов КТ502 и КТ503 является высокая электроизоляция между затвором и слоями исток-сток, обеспечиваемая оксидной пленкой. Это позволяет снизить вероятность протекания тока между слоями при работе транзисторов и улучшить их характеристики.

КТ502 и КТ503 могут работать как в режиме усиления, так и в режиме коммутации сигналов. Они обладают высоким значением коэффициента усиления и способны усиливать слабые сигналы до значительно больших значений. Кроме того, их высокая мощность коммутации позволяет использовать эти транзисторы в схемах, требующих быстрого переключения между состояниями.

Транзисторы КТ502 и КТ503 имеют схожие характеристики и могут быть взаимозаменяемыми

Однако, при выборе аналога или замены следует обратить внимание на параметры транзисторов и их эксплуатационные возможности, чтобы обеспечить правильную работу схемы

Использование транзисторов КТ502 и КТ503 требует соблюдения определенных правил и рекомендаций, таких как правильное соединение контактов, предельные значения напряжения и тока, а также температурный режим. Следование этим указаниям позволит достичь стабильной работы схемы и повысить надежность системы.

Технические характеристики биполярных транзисторов кт502а-кт503а

Приложение 8

К142ЕН6Г

Основные
характеристики:

Выходное
напряжение +15 В, -15 В

Выходной
ток 200 мА

Максимальное
входное напряжение 40 В

Разность
напряжения вход-выход 3,2 В

Мощность
рассеивания (с теплоотводом) 8 Вт

Точность
выходного напряжения ±0,5 В

Диапазон
рабочих температур -45…+70 °C

Рисунок
16 – Типовая схема включения микросхемы
К142ЕН6Г

Рисунок
17 — Цоколевка корпуса

К142ЕН5А

Основные
характеристики:

Выходное
напряжение 5 В

Выходной
ток 2 А

Максимальное
входное напряжение 15 В

Разность
напряжения вход-выход 2,5 В

Мощность
рассеивания (с теплоотводом) 10 Вт

Точность
выходного напряжения ±0,1 В

Диапазон
рабочих температур -45…+100 °C

Рисунок
17 – Типовая схема включения микросхемы
К142ЕН5А

Рисунок
18 — Цоколевка корпуса

Технические
характеристики выпрямительных диодов
средней мощности КД201 — 2Д250

Диод (цоколевка)	Uоб/Uимп В/В	Iпр/Iимп А/А	Uпр/Iпр В/А	Cд/Uд пф/В (T нс)	Io(25)Ioм мА/мА	Fmax кГц	P/Pт Вт/Вт
КД208А	100/100	1.5/	1.0/1		0.05/0.2	1

Условные обозначения электрических параметров выпрямительных диодов средней мощности:

Обозначение:	Параметр
Uоб/Uимп В/В	максимально допустимое постоянное (Uоб) или импульсное (Uимп) обратное напряжение на диоде.
Iпр/Iимп А/А	максимально допустимый постоянный (Iпр) или импульсный (Iимп) прямой ток через диод.
Uпр/Iпр В/А	максимальное падение напряжения (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него.
Cд/Uд пф/В (T нс)	емкость диода (Cд) и напряжение на диоде (Uд), при котором она измеряется.
Io(25)Ioм мА/мА	обратный ток диода при предельном обратном напряжении. Приводится для температуры +25 (Iо(25)) и максимальной рабочей температуры (Iом).
Fmax кГц	максимальная рабочая частота диода.
P/Pт Вт/Вт	максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на диоде (P) и на диоде с теплоотводом (Pт).

Микросхема
представляет собой два триггера Шмитта
с логическим элементом 4И-НЕ на входе.
КорпусК155ТЛ1
типа 201.14-1, масса не более 2 г.

Корпус
ИМС К155ТЛ1Условное
графическое обозначение

1,2,4,5,9,10,12,13
— входы;
3,11 — свободные;
6,8 — выходы;
7
— общий;
14 — напряжение питания;

Электрические
параметры

1	Номинальное напряжение питания	5 В 5 %
2	Выходное напряжение низкого уровня	не более 0,4 В
3	Выходное напряжение высокого уровня	не менее 2,4 В
4	Напряжение на антизвонном диоде	не менее -1,5 В
5	Напряжение срабатывания	не менее 1,5 В
6	Напряжение отпускания	не более 1,1 В
7	Входной ток низкого уровня	не более -1,6 мА
8	Входной ток высокого уровня	не более 0,04 мА
9	Входной пробивной ток	не более 1 мА
10	Ток короткого замыкания	-18…-55 мА
11	Ток потребления при низком уровне выходного напряжения	не более 32 мА
12	Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения	не более 23 мА
13	Потребляемая статическая мощность	не более 144 мВт
14	Время задержки распространения при включении	не более 22 нс
15	Время задержки распространения при выключении	не более 27 нс

Рисунок
– Передаточная характеристика триггера
Шмитта для произвольного сигнала.

3386T502

9,6 ‡ 9,6 Квадратный / однооборотный / подстроечный потенциометр

DB Lectro Inc

ACT5026

ACT5026, 10 А, 3-ФАЗНЫЙ БЕСЩЕТКОВЫЙ КОНТРОЛЛЕР ДВИГАТЕЛЯ постоянного тока

Aeroflex Circuit Technology

AOT502

N-канальный полевой МОП-транзистор с зажимом

Alpha & Omega Semiconductors

AOT502

N-канальный полевой МОП-транзистор с зажимом

Шэньчжэнь FreesCale Electronics.ООО

APT5020

Power MOS V — это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения.

Advanced Power Technology

APT5020

Power MOS V — это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения.

Advanced Power Technology

APT5020BLC

Power MOS VITM — это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения с низким зарядом затвора.

Advanced Power Technology

APT5020BN

N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОП-МОП-транзисторы высокого напряжения

Advanced Power Technology

APT5020BVFR

Power MOS V — это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения.

Advanced Power Technology

APT5020BVR

Power MOS V — это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения.

Advanced Power Technology

Цоколевка

КТ503 транзистор имеет стандартную цоколевку, состоящую из трех выводов. Выводы обозначены буквами Б (база), Э (эмиттер) и К (коллектор).

База (Б) – это входной вывод, который используется для управления током коллектора. На базе подается управляющий сигнал, который определяет усиление транзистора.

Эмиттер (Э) – это вывод, через который выходит выходной ток. Эмиттер соединен с нагрузкой и обеспечивает выходное напряжение или ток.

Коллектор (К) – это вывод, через который входит входной ток. Коллектор транзистора отводит ток, поступающий через эмиттер, и может быть подключен к источнику питания.

Цоколевка КТ503 транзистора позволяет удобно подключать его к электрическим схемам и использовать его в различных устройствах, таких как усилители, генераторы, стабилизаторы напряжения и другие.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.

10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32

Ремонт Блоков Питания Транзисторы Детали

Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП. Михаил.KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp – 10A, Pd – 50W 2SC4242 – Vceo – 450v, Ic – 7A. Pd – 40W BU508A – Vceo – 700V, Ic – 8A, Icp – 15A, Pd – 50W ST13003 – Vceo-400v, Ic- 1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W MJE13003 – Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W 2SC3457 – Vceo – 800v, Ic – 3A. P – 50w MJE13005 – Vceo – 400v, Ic – 4A, Icp – 8A, Pd – 75w MJE13006 – Vceo – 300v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w MJE13007 – Vceo – 400v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w 2SC2625 – Vceo – 450v, Ic – 10A, Pd – 80w 2SC3306 – Vceo – 500v, Ic -10A, Pd – 100w KSE13006 – Vceo – 300V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13007 – Vceo – 400V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13009 – Vceo – 400v, Ic – 12A, Icp – 24A, Pd – 130w KSP2222A – Vceo- 40v, Ic – 0.6A, Pd – 0.63w 2SC945 – Vcev – 60v, Ic – 0,1A, Pd – 0.25w 2SA733 – p-n-p Vce – 60v, Ic – 0.1A, Pd – 0.25w 2SA1015 p-n-p Vce – 50v, Ic – 0.15A, Pd – 0.4w 2SA1273 p-n-p Vce – 30v, Ic – 2A, Pd – 1.0w 2SB1116A p-n-p Vce – 80v, Ic – 1.0A, Pd – 0.75w KSC2335F – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 40w. 2SC2553 – Vceo-500v, Ic – 5A, Pd – 40w. 2SC2979 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC3039 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC3447 – Vceo-800v, Ic – 5A, Pd – 50w. 2SC3451 – Vceo-800v, Ic -15A, Pd – 100w. 2SC3460 – Vceo-1100v, Ic – 6A, Pd – 100w. 2SC3461 – Vceo-1100v, Ic – 8A, Pd – 120w. 2SC3866 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC4106 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC4706 – Vceo-600v, Ic -14A, Pd – 130w. 2SC4744 – Vceo-1500v, Ic – 6A, Pd – 50w. KSC1008 – Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd – 0.8w. 2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic – 1A, Pd – 0.25w. ZTX457 – Vceo-300V Ic – 0.5A, Pd – 1,0W

Маркировка

По маркировке кт315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ13. Он имеет цифробуквенное обозначение и может отличается от своих собратьев цветом. Чаще всего встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всем цветовом разнообразии.

Устройства в таком исполнении до 1986 года имели золоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгметаллов в них значительно снизилось. А в современных устройствах его практически нет. Усовершенствованный KT315 выпускается в корпусах для дырочного КТ-26 (TO-92) и поверхностного монтажа КТ-46А (SOT-23). На фотографии пример такого устройства — КТ315Г1 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315(TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение. Например, КТ315Н1 использовался ранее в цветных телевизорах, а KT315P и КТ315Р1 применялись в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».