Транзисторы кт361,кт3107

Выбор аналога транзистора КТ3107

Транзистор КТ3107 широко используется в различных схемах для усиления сигнала и коммутации. Однако, если нужно заменить данный транзистор, поиск альтернатив может оказаться сложным заданием.

Для выбора аналога транзистора КТ3107 необходимо учитывать следующие характеристики:

Тип корпуса: КТ3107 имеет корпус типа TO-92, поэтому важно выбрать аналог с тем же типом корпуса.

Максимальное значение коллекторного тока (IС): Если в вашей схеме применяется высокий ток, нужно найти аналог с аналогичным или более высоким значением максимального тока.

Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (UСЭО): При выборе аналога транзистора КТ3107 нужно обратить внимание на такую же или более высокую максимальную электрическую прочность.

Коэффициент усиления тока транзистора (hFE): По возможности подберите аналог с близким значением коэффициента усиления, чтобы сохранить работоспособность схемы.

С учетом указанных характеристик, в качестве аналогов транзистора КТ3107 можно рассмотреть следующие модели:

• 2N3904: это типичный низкочастотный NPN транзистор со значением максимального тока IС до 200 мА.
• BC547: транзистор с типом корпуса TO-92, максимальным значением IС 100 мА и коэффициентом усиления hFE около 200.
• BC548: также имеет корпус TO-92 и максимальное значение IС до 100 мА, но с более высоким коэффициентом усиления hFE около 800.

Однако, перед заменой транзистора КТ3107 рекомендуется учитывать особенности конкретной схемы и проконсультироваться с профессионалом, чтобы выбрать наиболее подходящий аналог.

Нейтринные трезубцы и интерференция W-Z

Аби Б., Аччарри Р., Асеро М.А., Адамов Г., Адамс Д., Адинольфи М., Ахмад З., Ахмед Дж., Алион Т., Монсалве С.А., Альт С., Андерсон Дж., Андреопулос С., Эндрюс М.П., ​​Андрианала Ф., Андринга С., Анковски А., Антонова М., Антуш С., Аранда-Фернандес А., Арига А., Арнольд Л.О., Аррояве М.А., Асаади Дж., Аурисано А., Аушев В., Аутьеро Д., Азфар Ф., Бэк Х, Бэк Дж.Дж., Бэкхаус С., Бессо П., Бэгби Л., Бажу Р., Баласубраманян С., Бальди П., Бамбах Б., Барао Ф., Баренбойм Г., Баркер Г.Дж., Баркхаус В., Барнс С., Барр Г., Монарка Д.Б., Баррос Н., Барроу Д.Л., Башьял А., Баск В., Бэй Ф. , Alba JLB, Beacom JF, Bechetoille E, Behera B, Bellantoni L, Bellettini G, Bellini V, Beltramello O, Belver D, Benekos N, Neves FB, Berger J, Berkman S, Bernardini P, Berner RM, Berns H, Bertolucci С., Бетанкур М., Безавада Ю., Бхаттачарджи М., Бхуян Б., Биаги С., Биан Дж., Биассони М., Бири К., Билки Б., Бишай М., Битадзе А., Блейк А., Зифферт Б.Б., Блащик ФДМ, Блейзи Г.К., Блюхер Э., Boissevain J, Bolognesi S, Bolton T, Bonesini M, Bongrand M, Bonini F, Boo th A, Booth C, Bordoni S, Borkum A, Boschi T, Bostan N, Bour P, Boyd SB, Boyden D, Bracinik J, Braga D, Brailsford D, Brandt A, Bremer J, Brew C, Brianne E, Brice SJ , Бриццолари К.

Маркировка

Первые советские транзисторы серии кт3107 появились в 1977 году и маркировка у них была цветовая состоящая из четырёх цветных точек. В последующем, с 1986 года использовалась кодовая маркировка.

Цветовая

На скошенной части корпуса, в верхнем левом углу будет нанесена светло-голубая точка. Цвет точки правее определяет групповую принадлежность: розовый – “а”; жёлтый – “б”; синий – “в”; бежевый –“г”; оранжевый – “д”; электрик – “e”; салатный – “ж”; зелёный – “и”; красный – “к”; серый – “л”. В нижней части цветовыми точками указывалась дата выпуска: месяц и год. Пример цветовой маркировки транзистора КТ3107А 1977 года выпуска.

Кодовая

Буквы и фигуры, согласно стандартной кодовой маркировке, наносятся белым цветом. КТ3107 обозначен белым равнобедренным треугольником, на скошенной стороне корпуса, сверху слева. Правее от фигуры буквой указана группа. В нижней части год выпуска и месяц соответственно. Месяц и год указывается цифрой или латинской буквой.

Нестандартная

Встречается и нестандартная цветовая и кодовая маркировки. При кодовой никаких особых правил нет. Просто надо запомнить, как транзистор выглядит в таких случаях.

В настоящее время, производители указывают на корпусе полное наименование модели и дату изготовления в соответствии с ГОСТ25486-82 и ТУ бКО.347.098 ТУ1.

Для определения версии транзисторов по информации на корпусе многие радиолюбители используют программу Color and Code 9.3.

Как применять полевой транзистор для чайников

Первыми приборами, которые поступили на рынок для реализации, и в которых были использованы полевые транзисторы с управляющими p-n переходами, были слуховые аппараты. Их изобретение состоялось еще в пятидесятые годы XX века. В более крупным масштабах они применялись, как элементы для телефонных станций.

В наше время, применение подобных устройств можно увидеть во многих видах электротехники. При наличии маленьких размеров и большому перечню характеристик, полевые транзисторы встречаются в кухонных приборах (тостерах, чайниках, микроволновках), в устройстве компьютерной, аудио и видео техники и прочих электроприборах. Они используются для сигнализационных систем охраны пожарной безопасности.

На промышленных предприятиях транзисторное оборудование применяют для регуляции мощности на станках. В сфере транспорта их устанавливают в поезда и локомотивы, в системы впрыскивания топлива на личных авто. В жилищно-коммунальной сфере транзисторы позволяют следить за диспетчеризацией и системами управления уличного освещения.

Также самая востребованная область, в которой применяются транзисторы – изготовление комплектующих, используемых в процессорах. Устройство каждого процессора предусматривает множественные миниатюрные радиодетали, которые при повышении частоты более чем на 1,5 ГГц, нуждаются в усиленном потреблении энергии. В связи с этими разработчики процессорной техники решил создавать многоядерные оборудования, а не увеличивать тактовую частоту.

Параметры транзистора КТ817

Hantek 2000 – осциллограф 3 в 1

Портативный USB осциллограф, 2 канала, 40 МГц….

Uкбо	— max напряжение коллектор-база
Uкбои	— max напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо	— max напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои	— max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax	— max постоянный ток коллектора
Iкmax и	— max импульсный ток коллектора
Pкmax	— max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
Pкmax т	— max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
h21э	— коэффициент усиления в схеме с ОЭ
Iкбо	— ток коллектора (обратный)
fгр	— граничная частота h21э в схеме с ОЭ
Uкэн	— напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер

ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г

DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9

Пример маркировки транзистора:

Специфика КТ817

• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C

• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Скачать datasheet КТ817 (unknown, скачано: 2 760)

Блок питания 0…30 В / 3A

Набор для сборки регулируемого блока питания…

Распиновка

Транзистор выполнен в малогабаритном корпусе из пластика. За счёт небольших мощностных характеристик не снабжается радиатором для охлаждения. Корпус имеет полуцилиндрическую форму. Масса не превышает половины грамма. Для монтажа предназначены три гибких контакта, которые имеют разную длину для простого определения цоколевки КТ3107:

• Наиболее длинный — это эмиттер.
• Самый короткий — это коллектор.
• Средний — это база.

Также, определить распиновку транзистора можно относительно расположения маркировки на корпусе. Она может быть выполнена в одном из четырёх вариантов:

Транзистор КТ3107 начал выпускаться в СССР, маркировка строго стандартизирована и расшифровывается следующим образом:

• К — кремниевый транзистор.
• Т — биполярный.
• 3 — маломощный высокочастотный.
• 107 — номер разработки.

Распиновка

Цоколевка транзистора КТ817Г зависит от корпуса, в котором размещено устройство. Он в свою очередь в зависимости от монтажа, бывает всего двух типов: для дырочного, с жесткими выводами применяется КТ27 (ТО-126), а для поверхностного — КТ-89 (DPAK). На рисунке ниже представлено назначение каждого из контактов, для разных типов упаковки.

Оба корпуса выполнены из пластмассы. У транзистора КТ817Г (КТ-27), с отверстием для крепления на радиатор, следующее назначение контактов: первая ножка – эмиттер (Э), вторая – коллектор (К), третья – база (Б). Задняя часть металлизированной упаковки в таком исполнении физически соединена с коллекторным выводом.

КТ817Г9 (КТ-89) не имеет отверстия для крепления на теплоотвод. Вывод К соединен с задней металлической поверхностью. Если смотреть на лицевую часть устройства, то назначение контактов будет таким: в нижней части расположены выводы Б и Э, а сверху размещен К. Цифра “9” в конце обозначения, указывает на тип упаковки для поверхностного монтажа КТ-89 (DPAK). На транзисторах в таком исполнении отсутствует маркировка.

Транзистор КТ3117А1

В корзину

• Описание и характеристики
• Отзывы(0)
• Инструкция

Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор КТ3117А1 предназначен для использования в оперативных и постоянных запоминающих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Корпусное исполнение

корпус КТ-26 (ТО-92) – КТ3117А1

Назначение выводов

Вывод (корпус КТ-26)	Назначение (корпус КТ-26)
№1	Эмиттер
№2	База
№3	Коллектор

Основные электрические параметры КТ3117А1 (корпус КТ-26) при Токр. среды = 25 С

Параметры	Обозначение	Ед. измер	Режимы измерения	Min	Max
Обратный ток коллектора	Iкбо	мкА	Uкб=60B,Iэ=0	—	10
Статический коэффициент передачи тока	h31Е	—	Uкб=-5B,Iэ=200мA	40	200
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер	Uкэ(нас)	В

Iк=500мА,Iб=50мA
—
0,6
Напряжение насыщения база — эмиттер
Uбэ(нас)
В
Iк=500мА,Iб=50мA
—
1,2

Емкость коллекторного перехода*
Cк*
пФ
Uкб=10B, Iэ=0, f=10MГц
—
10

Емкость эмиттерного перехода*
Сэ*
пФ
—
—
80

Граничная частота коэффициента передачи тока*
Fгр*
MГц
—
—
200

*Справочные параметры

Предельно допустимые электрические режимы КТ3117А1 (корпус КТ-26)

Параметры	Обозначение	Ед. измер.	Значение
Напряжение коллектор-база	Uкб max	В	60
Напряжение коллектор-эмиттер	Uкэ max	В	60
Напряжение эмиттер-база	Uэб max	В	4
Постоянный ток коллектора	Iк max	мА	400
Импульсный ток коллектора	Iки max	мА	800
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора	Рк max	мВт	500
Температура перехода	Tj	C	150

Виды транзисторов

В первых транзисторах применялся германий, который работал не совсем стабильно. Со временем от него отказалось в пользу других материалов: кремния (самый распространённый) и арсенида галлия. Но все это традиционные полупроводники.

В настоящее время начинают набирать популярность триоды на основе органических материалов и даже веществ биологического происхождения: протеинов, пептидов, молекул хлорофилла и целых вирусов. Биотранзисторы используются в медицине и биотехнике.

Другие классификации транзисторов:

1. По мощности подразделяются на маломощные (до 0,1 Вт), средней мощности (от 0,1 до 1 Вт) и просто мощные (свыше 1 Вт).
2. Также разделяются по материалу корпуса (металл или пластмасса), типу исполнения (в корпусе, бескорпусные, в составе интегральных схем).
3. Нередко их объединяют друг с другом для улучшения характеристик. Такие транзисторы называются составными или комбинированными и могут состоять из двух и более полупроводниковых приборов. Строение и у них простое: эмиттер первого является базой для второго и так далее до необходимого количества триодов. Бывает нескольких типов: Дарлинга (все составляющие с одинаковым типом проводимости), Шиклаи (тип проводимости разный), каскодный усилитель (два прибора, работающие как один с подключением по схеме с общим эмиттером).
4. К составным относится также и IGBT-транзистор, представляющий собой биполярный, который управляется при помощи полярного триода с изолированным затвором. Такой тип полупроводниковых приборов применяется в основном там, где нужно управлять большим током (сварочные аппараты, городские электросети) или электромеханическими приводами (электротранспорт).
5. В качестве управления может применяться не ток, а другое электромагнитное воздействие. К примеру, в фототранзисторах в качестве базы используется чувствительный фотоэлемент, а в магнитотранзисторах – материал, индуцирующий ток при воздействии на него магнитного поля.

Технологический предел для транзисторов еще не достигнут. Их размеры уменьшаются с каждым голом, а различные научно-исследовательские институты ведут поиск новых материалов для использования в качестве полупроводника. Можно сказать, что эти полупроводниковые приборы еще не сказали миру своего последнего слова.

Технические характеристики

В первую очередь возможности транзистора зависят от предельно допустимых характеристик. Их превышение во время работы приведет к выходу устройства из строя. Для КТ837 они равны:

• постоянное напряжение К-Б:
  • КТ837А, Б, В, Л, М, Н, 2Т837А, Г – 80 А;
  • КТ837Г, Д, Е, П, Р, С, 2Т837Б, Д – 60 В;
  • КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф, 2Т837В, Е – 45 В;
• постоянное напряжение К-Э (R_ЭБ = 100 Ом):
  • КТ837А, Б, В, Л, М, Н, 2Т837А, Г – 70 А;
  • КТ837Г, Д, Е, П, Р, С, 2Т837Б, Д – 55 В;
  • КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф, 2Т837В, Е – 40 В;
• постоянное напряжение К-Э (R_ЭБ = ∞ Ом):
  • КТ837А, Б, В, Л, М, Н – 60 А;
  • КТ837Г, Д, Е, П, Р, С – 45 В;
  • КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф – 30 В;
• постоянное напряжение Э-Б:
  • КТ837А-К, 2Т837А-В – 15 В;
  • КТ837Л-Ф, 2Т837Г-Е – 5 В;
• коллекторный ток:
  • КТ837А-Ф – 7,5 А;
  • 2Т837А-Е – 8 А;
  • ток базы – 1 А;
• мощность:
  • без теплоотвода – 1 Вт;
  • с теплоотводом – 30 Вт.

Кроме максимальных на возможности и сферу применения КТ837 влияют также и электрические характеристики. Они измерялись при температуре +25°С. Остальные параметры тестирования, способные повлиять на конечный результат, приведены в следующей таблице в отдельной колонке.

Электрические характеристики транзистора КТ837 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы тестирования	Тр-р	min	max	Ед. изм
Статический к-т усиления в схеме ОЭ	UКБ = 5 В, IЭ = 2 мА	КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т	10	40
КТ837Б, М, Д, Р, И, У	20	80
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф	50	150
Обратный ток К-Э	UКЭ = UКЭ макс	ВСЕ		10	мА
Обратный ток К-Б	UКб = UКб макс	ВСЕ		0,15	мА
Обратный ток через Э	UЭБ = 15 В	КТ837А-Г		0,3	мкА
UЭБ = 5 В	КТ837Л-Ф		0,3
Напряжение насыщения К-Э	Iк= 3 A, Iб= 0,37 A	КТ837А-В, Л-Н		2,5	В
Iк= 3 A, Iб= 0,37 A	КТ837Г-Е, П-С		0,9
Iк= 2 A, Iб= 0,3 A	КТ837Ж-К, Т-Ф		0,5
Напряжение насыщения Б-Э	Iк= 2 A, Iб= 0,5 A	ВСЕ		1,5	В