Кт815 характеристики и аналоги

Технические характеристики

Рассмотрим более подробно технические характеристики КТ817Г, которые разделяют на предельно допустимые и электрические. Предельно допустимые параметры, указывают на максимальные значения рабочих режимов эксплуатации. Их значения представлены в техническом описании для температуры перехода (ТП) не превышающей 25 оС:

• постоянное напряжение между выводами: К-Э = 100 В (при RЭБ  ≤ 1 кОм); Э-Б до 5 В;
• ток коллектора: постоянный до 3 А; импульсный до 6 А;
• ток базы до 1 А;
• мощность рассеиваемая на коллекторе (PК макс): до 25 Вт (c теплотводом);  до 1 Вт (без отвода тепла);
• температура p-n-перехода до +150 оС;
• диапазон рабочих температур вокруг корпуса от -60 до +150 °C.

Не рекомендуется допускать длительную эксплуатацию устройство в таких режимах. С большей долей вероятности оно просто выйдет из строя. При этом необходимо учитывать, что PК, при увеличении температуры корпуса (ТК) свыше 25 оС, уменьшается линейно на 0,002 Вт/°C с теплотоводом, и 0,0001 Вт/°C без него.

Электрические параметры

Основные электрические параметры для КТ817Г также представлены в даташит, с учетом ТП  не более 25 оС. Приводятся минимальные и максимальные их значения, с учетом дополнительных условий и режимов измерения. Рассмотрим их ниже.

Аналоги

В технической документации одного из производителей, ОАО «Интеграл», предлагается прототип КТ817Г – зарубежный транзистор BD237. Для него также имеется комплиментарная пара – КТ816. Кроме устройств предложенных изготовителем, имеются также другие импортные изделия, близкие по своим характеристикам к рассматриваемому: MJE31C, 2N5192, 2N6123, 2SC1827, 2SD1356, 2SD1408, 2SD526, 2SC1826, BD179, BD220, BD222, BD239B, BD441, BD619, BD937, TIP31C.

Считается, что в КТ817Г в корпусе КТ-27 содержится 0,0041488 грамм золота. Эти данные приведены в большинстве советских и российских справочников. Увидеть наличие позолоты можно, если разобрать корпус транзистора и вытащить металлическое основание. Основное содержание драгоценного металла именно на нём.

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.  Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Самые длинные названия применяют:

• американская фирма Motorola,
• японская Seiko Instruments
• тайваньская Pan Jit.

Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.	Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.
7E	MUN5215DW1T1	K2	MO	2Q
11	MUN5311DW1T1	L3	MO	2Q	7F	MUN5216DW1T1	K2	MO	2Q
12	MUN5312DW1T1	L3	MO	2Q	7G	MUN5230DW1T1	K2	MO	2Q
12	INA-12063	U2	HP	2Q	7H	MUN5231DW1T1	K2	MO	2Q
13	MUN5313DW1T1	L3	MO	2Q	7J	MUN5232DW1T1	K2	MO	2Q
14	MUN5314DW1T1	L3	MO	2Q	7K	MUN5233DW1T1	K2	MO	2Q
15	MUN5315DW1T1	L3	MO	2Q	7L	MUN5234DW1T1	K2	MO	2Q
16	MUN5316DW1T1	L3	MO	2Q	7M	MUN5235DW1T1	K2	MO	2Q
1С	BC847S	N5	SI	2Q	81	MGA-81563	U1	HP	2Q
1P	BC847PN	P6	SI	2Q	82	INA-82563	U1	HP	2Q
31	MUN5331DW1T1	L3	MO	2Q	86	INA-86563	U1	HP	2Q
32	MUN5332DW1T1	L3	MO	2Q	87	INA-87563	U1	HP	2Q
33	MUN5333DW1T1	L3	MO	2Q	91	IAM-91563	U1	HP	2Q
34	MUN5334DW1T1	L3	MO	2Q	A2	MBT3906DW1T1	P5	MO	2Q
35	MUN5335DW1T1	L3	MO	2Q	A3	MBT3906DW9T1	P5	MO	2Q
36	ATF-36163	A1	HP	2Q	A4	BAV70S	E4	SI	2Q
3C	BC857S	P5	SI	2Q	E6	MDC5001T1	U3	MO	2Q
3X	MUN5330DW1T1	L3	MO	2Q	H5	MBD770DWT1	F2	MO	2Q
46	MBT3946DW1T1	P6	MO	2Q	II	AT-32063	N2	HP	2Q
51	INA-51063	U2	HP	2Q	M1	CMY200	U1	SI	2R
52	INA-52063	U2	HP	2Q	M4	MBD110DWT1	F2	MO	Q
54	INA-54063	U2	HP	2Q	M6	MBF4416DW1T1	A3	MO	2Q
6A	MUN5111DW1T1	L2	MO	2Q	MA	MBT3904DW1T1	N5	MO	2Q
6B	MUN5112DW1T1	L2	MO	2Q	MB	MBT3904DW9T1	N5	MO	2Q
6C	MUN5113DW1T1	L2	MO	2Q	MC	BFS17S	N5	SI	2Q
6D	MBF5457DW1T1	A3	MO	2Q	RE	BFS480	N5	SI	2Q
6D	MUN5114DW1T1	L2	MO	2Q	RF	BFS481	N5	SI	2Q
6E	MUN5115DW1T1	L2	MO	2Q	RG	BFS482	N5	SI	2Q
6F	MUN5116DW1T1	L2	MO	2Q	RH	BFS483	N5	SI	2Q
6G	MUN5130DW1T1	L2	MO	2Q	T4	MBD330DWT1	F2	MO	2Q
6H	MUN5131DW1T1	L2	MO	2Q	W1	BCR10PN	L3	SI	2Q
6J	MUN5132DW1T1	L2	MO	2Q	WC	BCR133S	K2	SI	2Q
6K	MUN5133DW1T1	L2	MO	2Q	WF	BCR08PN	L3	SI	2Q
6L	MUN5134DW1T1	L2	MO	2Q	WK	BCR119S	K2	SI	2Q
6M	MUN5135DW1T1	L2	MO	2Q	WM	BCR183S	K2	SI	2Q
7A	MUN5211DW1T1	K2	MO	2Q	WP	BCR22PN	L3	SI	2Q
7B	MUN5212DW1T1	K2	MO	2Q	Y2	CLY2	A1	SI	2R
7C	MUN5213DW1T1	K2	MO	2Q	6s	CGY60	U1	SI	2R
7D	MUN5214DW1T1	K2	MO	2Q	Y7s	CGY62	U1	SI	2R

Характеристика КТ315

Несмотря на то, что КТ315 считается настоящим ветераном-транзистором, его характеристика даже на сегодняшний день является не самой худшей, а в свое время — настоящим прорывом. Развитие в сфере транзисторов повлияла на уход КТ315 с рынка.

Рассмотрим характеристику КТ315 в корпусе КТ-26 (ТО-92). В datasheet говорится, что:

1. рабочая температура КТ315 от -45 °С до +100 °С;
2. максимальное напряжение коллектор-база равняется от 20 В до 40 В;
3. предельное напряжение коллектор-эмиттер равняется от 20 В до 60 В;
4. наивысшее напряжение эмиттер-база равняется 6 В;
5. максимальный постоянный ток коллектора равен 100 мА, но у КТ315Ж1 и у КТ315И1 — 50 мА;
6. рассеиваемая мощность коллектора равна 150 мВТ, а у КТ315Ж1 и у КТ315И1 — 100 мВТ.

Электрическая характеристика

Как и говорилось, “оранжевая чума” достаточно неплоха в работе, но ее показатели слишком отстают ее конкурентов (чего только стоит работа при максимальной температуре в +100 °С, что очень мало).

Электрические характеристики будут проанализированы с условием, что температура окружающей среды будет равна +25 °С.

• Обратный ток коллектора от 0,5 нА до 0,6 нА;
• Обратный ток эмиттера от 3 мкА до 50 мкА;
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер от 0,4 В до 0,9 В;
• Напряжение насыщения база-эмиттер от 0,9 В до 1,35 В;
• Емкость коллекторного перехода — 7 пФ, у КТ315Ж1 — 10 пФ, у КТ315И1 — 10 пФ;
• Граничная частота коэффициента передачи тока — 250 МГц;
• Постоянная времени цепи обратной связи от 300 пс до 1000 пс.

Классификация

Всего насчитывается 10 видов КТ315 (от А1 до Р1). Они различаются по своим показателям, например, напряжение насыщения коллектор-эмиттер у А1 составляет 25 В, а у В1 — 40 В. Всю остальную информацию можно посмотреть в этой таблице.

Маркировка

КТ315 отличает не только его внешний вид, но и отметка. Она сосредоточена в цифро-буквенном значении (нужно выделить, что буква всегда расположена в левом углу), а у тех, кто отличался повышенной надежностью и использовался для компьютеров, телевизоров и т.д., рядом с маркировкой стояла точка. Как говорилось ранее, два кремниевых транзистора очень легко спутать

Чтобы этого избежать, важно обратить свое внимание на описываемый пункт. Какая маркировка у КТ315 понятна, а у КТ361 она отличается тем, что буква размещена посередине самого корпуса

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах базы: 0,1; 0,2; 0,3; 0,4 мА.

Рис. 2. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах базы: 0,05; 0,1; 0,15; 0,2; 0,25; 0,3; 0,4; 0,45 мА.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при соотношении I_C/I_B = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при соотношении I_C/I_B = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 5. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления h_FE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера I_E.

Характеристика снята при напряжении U_CB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 6. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления h_FE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера I_E.

Характеристика снята при напряжении U_CB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 7. Зависимость модуля коэффициента усиления тока базы от тока эмиттера I_E при высокой частоте f = 100 МГц.

Зависимость снята при напряжении U_CE = 10В. Пунктиром показан 95% разброс результатов измерений параметра.

Рис. 8. Зависимости постоянной времени обратной связи по коллекторной цепи τ_С от величины напряжения коллектор-база при высокой частоте для некоторых транзисторов семейства КТ315.

Характеристика снята при токе эмиттера I_E = 5 мА и частоте 5 МГц. Пунктирной линией показан 95% разброс значений измеренного параметра.

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

Маркировка	Pol	Struct	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Caps
22N20	N	MOSFET	156	200	30		22	150		300	220	0.12	TO220 TO220F
2SK3555-01MR	N	MOSFET	95	250	30		37	150		30	220	0.1	TO220F
2SK3607-01MR	N	MOSFET	37	200	30		18	150		2.6	110	0.17	TO220F
2SK3926-01MR	N	MOSFET	95	250	30		34	150		19	220	0.11	TO220F
AOTF27S60	N	MOSFET	50	600	30		27	150		33	80	0.16	TO220F
AOTF29S50	N	MOSFET	50	500	30	3.9	29	150		39	88	0.15	TO220F
AOTF42S60	N	MOSFET	50	600	30	3.8	39	150	40	53	135	0.099	TO220F
AOTF42S60L	N	MOSFET	37.9	600	30	3.8	39	150	40	53	135	0.099	TO220F
F21F60CPM	N	MOSFET	60	600	30	3.5	21	150	39	60	100	0.165	TO220F
F25F60CPM	N	MOSFET	70	600	30	3.5	25	150	53	70	120	0.125	TO220F
FCPF099N65S3	N	MOSFET	43	650	30	4.5	30	150	57	20	50	0.099	TO220F
FCPF125N65S3	N	MOSFET	38	650	30	4.5	24	150	44	25	40	0.125	TO220F
FCPF22N60NT	N	MOSFET	39	600	30	4	22	150	45			0.165	TO220F
FDPF18N20F	N	MOSFET	41	200	30	5	18	150		50	200	0.14	TO220F
FDPF18N20FT	N	MOSFET	41	200	30	5	18	150	20			0.14	TO220F
FDPF18N20FT_G	N	MOSFET	35	200	30		18	150				0.14	TO220F
FDPF2710T	N	MOSFET	62.5	250	30	5	25	150	78			0.0425	TO220F
FDPF33N25T	N	MOSFET	37	250	30	5	33	150	36.8			0.094	TO220F
FDPF33N25TRDTU	N	MOSFET	37	250	30	5	33	150				0.094	TO220F
FDPF39N20	N	MOSFET	37	200	30	5	39	150	38			0.066	TO220F
FDPF39N20TLDTU	N	MOSFET	37	200	30	5	23.4	150				0.066	TO220F
FDPF44N25T	N	MOSFET	38	250	30	5	44	150	47			0.069	TO220F
FDPF44N25TRDTU	N	MOSFET	38	250	30	5	44	150				0.069	TO220F
FDPF51N25	N	MOSFET	38	250	30	5	28	150	55			0.06	TO220F
FDPF51N25RDTU	N	MOSFET	38	250	30	5	51	150				0.06	TO220F
FMV24N25G	N	MOSFET	65	250	30	5	24	150	36	22	200	0.13	TO220F
FQPF18N20V2	N	MOSFET	40	200	30	5	18	150	20	133	200	0.14	TO220F
FQPF19N20C	N	MOSFET	43	200	30	4	19	150	40.5			0.17	TO220F
FQPF19N20CYDTU	N	MOSFET	43	200	30	4	19	150	40.5	150	195	0.17	TO220F
FQPF32N20C	N	MOSFET	50	200	30	4	28	150	82.5			0.082	TO220F
FS20KM-5	N	MOSFET	40	250	30		20					0.15	TO220FN
GP1M018A020XX	N	MOSFET	94	200	30	5	18	150	18	30	180	0.17	TO220 TO220F
IRFI4229	N	MOSFET	46	250	30		19		73			0.046	TO220FP
MTN18N20FP	N	MOSFET	41	200	30		18	150		66	154	0.08	TO220FP
NCE65T130F	N	MOSFET	35	650	30	4	28	150	37.5	12	120	0.13	TO220F
NTPF082N65S3F	N	MOSFET	48	650	30	5	40	150	70	27	70	0.082	TO220F
RCX200N20	N	MOSFET	40	200	30	5	20	150	40	100	120	0.13	TO220FM
RCX220N25	N	MOSFET	40	250	30	5	22	150	60	100	170	0.14	TO220FM
RCX300N20	N	MOSFET	40	200	30	5	30	150	60	160	200	0.08	TO220FM
RCX330N25	N	MOSFET	40	250	30		33	150	80	200	220	0.077	TO220FM
SIHA25N50E	N	MOSFET	35	500	30	4	26	150	57	36	105	0.145	TO220FP
SIHF23N60E	N	MOSFET	35	600	30	4	23	150	63	38	119	0.158	TO220FP
SIHF28N60EF	N	MOSFET	39	600	30	4	28	150	80	40	123	0.123	TO220FP
SMK1820F	N	MOSFET	35	200	30		18	150		130	227	0.17	TO220F
SMK1820FJ	N	MOSFET	35	200	30		18	150		130	227	0.17	TO220F
STF30NM60N	N	MOSFET	40	600	30	4	25	150	91	24	210	0.13	TO220FP
TK22A65X5	N	MOSFET	45	650	30	4.5	22	150	50	20	60	0.16	TO220F

Всего результатов: 47

Транзисторы П213 и КТ815 — маркировка и цоколевка.

Транзисторы
КТ815

Транзисторы КТ815 — кремниевые, мощные,
низкочастотные, структуры — n-p-n.Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.Масса — около 1 г.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может
быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и
некодированная — в две.
Первый знак в кодированной маркировке КТ815 цифра 5, второй знак — буква, означающая класс.
Два следующих знака, означают месяц и год выпуска.
В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке.
На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ815.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В от 30. У транзисторов КТ815Г — от 20.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ815А
— 25 в. У транзисторов КТ815Б
— 45 в. У транзисторов КТ815В
— 60 в. У транзисторов КТ815Г
— 80 в.

Максимальный ток коллектора — 1,5 А постоянный, 3 А — импульсный.

Рассеиваемая мощность коллектора.
— 10 Вт на радиаторе, 1 Вт — без.

Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 40 в — 50 мкА

Сопротивление базы.
При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 5 мА, на частоте 800 кГц
— не более 800 Ом.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — не более
0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — не более
1,2 в.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц и
напряжении коллектор-база 5в — 60 пФ.

Граничная частота передачи тока — 3 МГц.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные
запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день.
Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки
— можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги.
Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте.
Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101,
Рига 103, Урал Авто-2.
Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204-
стерео и т. д.

На главную страницу В начало

Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Основные технические параметры транзистора КТ815

Прибор	Предельные параметры	Параметры при T = 25°C	RТ п-к, °C/Вт
		при T = 25°C
IК, max, А	IК и, max, А	UКЭ0 гр, В	UКБ0 max, В	UЭБ0 max, В	PК max, Вт	TК, °C	Tп max, °C	TК max, °C	h21Э	UКЭ, В	IК, А	UКЭ нас, В	IКБ0, мА	fгр, МГц	Кш, дБ	CК, пФ	CЭ, пФ	tвкл, мкс	tвыкл, мкс
КТ815 А	1,5	3	25		5	10	25	125	100	40	2	0,15	0,6	0,05	3		60	75			10
КТ815 Б	1,5	3	40		5	10	25	125	100	40	2	0,15	0,6	0,05	3		60	75			10
КТ815 В	1,5	3	60		5	10	25	125	100	40	2	0,15	0,6	0,05	3		60	75			10
КТ815 Г	1,5	3	80		5	10	25	125	100	30	2	0,15	0,6	0,05	3		60	75			10

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Внешние воздействующие факторы

Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g);
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).

Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С

Надежность транзисторов

Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10 -7 1/ч. Наработка транзисторов t н = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.

Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3.

Технические характеристики

Серию КТ825 относят к полупроводниковым триодам с p-n-p-проводимостью. Но на самом деле они представляют собой устройства состоящее из двух таких структур, собранных в едином корпусе по схеме Дарлингтона. В СССР их ещё называли — составными.

Максимальные эксплуатационные значения

КТ825Г является лучшим по параметрам транзистором в своей серии, если не рассматривать его аналог 2Т825. Он имеет наибольшие значения предельно допустимых режимов эксплуатации среди «собратьев». Рассмотрим их поподробнее:

• максимальное постоянное напряжение: К-Э — до 90 В; Б-Э – до 5 В;
• коллекторный ток: постоянный от 20 А; импульсный до 40 А;
• рассеиваемая мощность на коллекторе: до 125 Вт (с радиатором); до 3 Вт (без теплоотвода);  у кристалла не более 40 Вт;
• температура: p-n-перехода до +150°С; окружающей среды от -40 до +100 °C.

Электрические характеристики

Электрические параметры КТ825Г тоже неплохие, по сравнению с другими серии. Согласно данным из даташит, он имеет лучшие показатели статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (H_21э) от 600 до 25000 и пробивное напряжение К-Э до 90В. Такие величины H_21э обусловлены его составной структурой. Эти и другие характеристики устройства представлены в таблице ниже, исходя из условий его работы указанных в отдельном столбце.

Комплементарная пара

В качестве комплементарной пары во многих технических решениях используется составной КТ827А, имеющий NPN-проводимость.

Зарубежные прототипы

• КТ815Б — BD135
• КТ815В — BD137
• КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования

Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы