Аналоги
Аналоги для любой серии КТ3102 нужно подбирать в зависимости от конкретного устройства, потому что они имеют разные буквенные индексы и отличаются по параметрам. Поэтому, возможную замену приведём в виде таблицы, в которой слева будет расположено наименование одного из транзисторов, а в правой его прототип.
| Транзистор | Аналог |
| КТ3102 | BC174, BC182 |
| КТ3102А | 2SC945, BC107AP, BC182A, BC237, BC547A, BC548A, BC550A, КТ6111А |
| КТ3102АМ | BC547A |
| КТ3102Б | BCY79, BC547C, 2N5210, 2SC945G, BC182B, BC107BP, BC546B, BC550B, BC237B, КТ6111Б, BC183B, BC183C, BC337, BC547B, 2SC1815, 2N2483 |
| КТ3102БМ | BC547B |
| КТ3102В | 2N3711, 2SC458, 2SC828, BC108, BC548, BC549, КТ373В |
| КТ3102ВМ | BC548B |
| КТ3102Г | 2SC538, BC547C, BC548C, |
| КТ3102Д | 2N2484, 2N4124, 2N5209, 2SC945, BC109, BC521, BC549A, BC549B, MPS6515 |
Температурный дрейф
Температура влияет на характеристики транзисторов по постоянному и переменному току. Двумя аспектами этой проблемы являются изменение температуры окружающей среды и самонагревание. Некоторые приложения, например, военные и автомобильные, требуют работы в расширенном температурном диапазоне. В благоприятной же среде схемы подвергаются самонагреванию, в частности высоковольтные схемы.
Ток утечки IК0 и коэффициент β увеличиваются с ростом температуры. Коэффициент β по постоянному току hFE возрастает экспоненциально. Коэффициент β по переменному току hfe увеличивается, но не так быстро. При повышении температуры от -55°C до 85°C он удваивается. По мере увеличения температуры увеличение hfe даст больший выходной сигнал в схеме с общим эмиттером, который в крайних случаях будет ограничен (отсечен). Увеличение hFE сдвигает точку смещения, приводя к возможному отсечению пиков на одной из полуволн. В многокаскадных усилителях с прямой связью сдвиг точки смещения усиливается. Решением этой проблемы является использование отрицательной обратной связи для стабилизации точки смещения. Это также стабилизирует и коэффициент усиления по переменному току.
Повышение температуры на рисунке ниже (a) приведет к уменьшению VБЭ от номинальных 0,7 В для кремниевых транзисторов. Уменьшение VБЭ увеличивает ток коллектора в усилителе с общим эмиттером, что дополнительно приводит к сдвигу точки смещения. Лекарством от смещения VБЭ является использование пары транзисторов, собранных в схему дифференциального усилителя. Если оба транзистора на рисунке ниже (b) имеют одинаковую температуру, VБЭ будет отслеживать изменение температуры и компенсировать его.
(a) односторонний усилитель с общим эмиттером и (b) дифференциальный усилитель с компенсацией изменений VБЭ
Рекомендуемая максимальная температура перехода для кремниевых устройств часто составляет 125°C. Хотя для повышения надежности, работать необходимо при более низких температурах. Транзистор прекращает работать при температуре выше 150°C. Транзисторы из карбида кремния и алмазные транзисторы будут работать при значительно более высоких температурах.
Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ315 при приемке и поставке
| Наименование параметра (режим измерения) единицы измерения | Буквенное обозначение | Норма параметра | Температура, °С | |
| не менее | не более | |||
| Граничное напряжение (IC=10 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж, КТ315Н КТ315В, КТ315Д, КТ315И КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р | U(CEO) | 15 30 25 | – | 25 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IC=20 мA, IB=2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И | UCEsat | – | 0,4 0,6 0,5 0,9 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IC=70 мA, IB=3,5 мА), В КТ315Н | UCEsat | – | 0,4 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер (IC=20 мА, IB=2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТЗ I5P КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И | UBEsat | – | 1,0 1,1 0,9 1,35 | |
| Обратный ток коллектора (UCB=10 В), мкА КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е,КТ315Ж, КГ315И | ICBO | – | 0,5 0,6 | 25, -60 |
| Обратный ток коллектора (UCB=10 В), мкА КТ3I5A КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е | ICBO | – | 10 15 | 100 |
| Обратный ток эмиттера (UEB=5 В) мкА КТ315А – КГ315Е, КТ315Ж, ХТ315Н КТ315И КТ315Р | IEBO | – | 30 50 3 | 25 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер, (RBE=10 кОм UCE=25 В), мА, KT3I5A (RBE=10 кОм UCE=20 В), мА, КТ315Б, КТ315Н (RBE=10 кОм UCE=40 В), мА КТ315В (RBE=10 кОм UCE=35 В), мА, КТ315Г (RBE=10 кОм UCE=40 В), мА, КТ315Д (RBE=10 кОм UCE=35 В), мА, КТ315Е (RBE=10 кОм UCE=35 В), мА, КТ315Р | ICER | – | 0,6 0,6 0,6 0,6 1,0 1,0 0,005 | |
| Обратный ток коллектор-эмиттер (RBE=10 кОм UCE=35 В), мА, КТ315Р | ICER | – | 0,01 | 100 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер (UCE=20 В), мА, КТ315Ж (UCE=60 В), мА, КТ315И | ICES | – | 0,01 0,1 | 25, -60 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер (UCE=20 В), мА, KT3I5Ж (UCE=60 В), мА, KT3I5И | ICES | – | 0,1 0,2 | 100 |
| Статический коэффициент передачи тока (UCB = 10 В, IE= 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р | h21E | 30 50 20 30 30 150 | 120 350 90 250 – 350 | 25 |
| Статический коэффициент передачи тока (UCB = 10 В, IE= 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р | h21E | 30 50 20 30 30 150 | 250 700 250 400 – 700 | 100 |
| Статический коэффициент передачи тока (UCB = 10 В, IE= 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р | h21E | 5 15 5 5 5 70 | 120 350 90 250 – 350 | -60 |
| Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (UCB = 10 В, IE= 5 мА, f = 100 МГц) | |h21E| | 2,5 | – | 25 |
| Емкость коллекторного перехода (UCB = 10 В, f = 10 МГц), пФ | CC | – | 7 | 25 |
Транзистор КТ326: КТ326А, КТ326Б
Поиск по сайту
Транзистор КТ326 — усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Основное применение — переключающие устройства и усилители высокой и сверхвысокой частоты. КТ326А, КТ326Б, 2Т326А, 2Т326Б имеют металлостеклянный корпус и гибкие выводы. Масса не более 0.5 г. Маркировка типа нанесена на корпусе. КТ326АМ, КТ326БМ имеют пластмассовый корпус и гибкие выводы. Масса не более 0.3 г. Маркируются цветной точкой на корпусе со стороны коллектора: КТ326АМ — розовая, КТ326БМ — жёлтая.
Цоколевка КТ326 показана на рисунке.
Электрические параметры КТ326
| • Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттеромпри Uкб = 2 В, Iэ = 10 мА: | |
| Т = +25°C: | |
| КТ326А, 2Т326А, КТ326АМ | 20 ÷ 70 |
| КТ326Б, 2Т326Б, КТ326БМ | 45 ÷ 160 |
| Т = −60°C: | |
| КТ326А, КТ326АМ | 6 ÷ 70 |
| КТ326Б, КТ326БМ | 15 ÷ 160 |
| 2Т326А, не менее | 6 |
| 2Т326Б, не менее | 15 |
| • Граничная частота коэффициента передачи токапри Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее: | |
| КТ326А, 2Т326А, КТ326АМ | 250 МГц |
| КТ326Б, 2Т326Б, КТ326БМ | 400 МГц |
| • Постоянная времени цепи обратной связипри Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, f = 5 МГц | 450 пс |
| • Напряжение насыщения КЭ при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более | 0.3 В |
| • Напряжение насыщения БЭ при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более | 1.2 В |
| • Ток коллектора (обратный) при Uкб = 10 В, не более: | |
| Т = +25°C | 0.5 мкА |
| Т = +125°C | 10 мкА |
| • Ток эмиттера (обратный) при Uэб = 4 В, не более: |
Т = +25°C
0.1 мкА
Т = +125°C 2Т326А, 2Т326Б
10 мкА
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более
5 пФ
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более
4 пФ
| • Напряжение К-Б (постоянное) | 20 В |
| • Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 100 кОм | 15 В |
• Напряжение Э-Б (постоянное)
4 В
• Суммарное напряжение К-Э (постоянное и переменное) в режиме усиленияпри Rбэ ≤ 100 кОм
20 В
• Ток коллектора (постоянный)
50 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
при Т ≤ +25°C для 2Т326А, 2Т326Б
250 мВт
при Т = +125°C для 2Т326А, 2Т326Б
83 мВт
при Т ≤ +30°C для КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ
42 мВт
• Температура сопротивления «переход — среда»
0.6°C/мВт
• Температура перехода (p-n):
КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ
+150°C
2Т326А, 2Т326Б
+175°C
• Рабочая температура (окружающей среды)
−60 … +125°C
Характеристики КТ326 транзистора
Вот основные характеристики КТ326:
- Тип корпуса: TO-39
- Максимальное напряжение коллектора: 40 В
- Максимальный коллекторный ток: 150 мА
- Мощность потери в базе: 250 мВт
- Максимальная рабочая частота: 100 МГц
- Коэффициент усиления по току (hFE): 30-300
- Температурный коэффициент hFE: 1,2-2,5 %/°C
- Сопротивление коллектор-эмиттер: 20 Ом
- Время переключения (tON, tOFF): 15 нс
КТ326 обладает высокой надежностью и долговечностью, а также отличными электрическими характеристиками. Он может быть использован в широком спектре приложений, особенно в технических схемах, где требуется стабильное и качественное усиление сигнала.
