Транзистор кт3102: пример использования и параметры, маркировка и цоколевка, аналоги

Усилитель на КТ315

Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.

На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).

Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.

Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.

Принцип работы C3150 транзистора

Принцип работы C3150 транзистора основан на управлении электрическим током, который протекает от эмиттера к коллектору через базу, путем изменения напряжения на базе. Таким образом, транзистор может работать в режимах усиления или коммутации сигналов.

В устройстве C3150 транзистора эмиттер является общим для входа и выхода сигнала, а база управляет потоком тока от эмиттера к коллектору. Когда напряжение на базе равно нулю или меньше порогового значения, ток от эмиттера не проходит и транзистор находится в выключенном состоянии. Это соответствует режиму «отсечки».

Подавая положительное напряжение на базу, ток от эмиттера может протекать к коллектору, и транзистор переходит в режим «насыщения». В этом режиме транзистор полностью проводит ток и выдерживает максимальное значение напряжения на коллекторе.

Таким образом, C3150 транзистор может использоваться для управления высокими токами и напряжениями, и наиболее широко применяется в схемах силовой электроники, аудиоусилителях, источниках питания и других устройствах, требующих усиления или коммутации электрических сигналов.

Биполярный транзистор 2N1711 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N1711

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

2N1711
Datasheet (PDF)

..1. Size:623K rca 2n1711.pdf

..2. Size:51K philips 2n1711 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1711NPN medium power transistor1997 May 28Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1711FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emit

..3. Size:46K st 2n1711.pdf

2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va

..4. Size:47K st 2n1711 .pdf

..5. Size:64K central 2n1613 2n1711 2n1893.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

..6. Size:127K bocasemi 2n956 2n718a 2n1711.pdf

http://www.bocasemi.comBoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.com

..7. Size:74K cdil 2n1711.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N1711TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage, RBE

..8. Size:92K microelectronics 2n1613 2n1711.pdf

9.1. Size:318K no 2n1716s.pdf

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive

9.2. Size:318K no 2n1715s.pdf

9.3. Size:318K no 2n1717s.pdf

9.4. Size:317K no 2n1714s.pdf

Другие транзисторы… 2N1704
, 2N1705
, 2N1706
, 2N1707
, 2N1708
, 2N1708A
, 2N1709
, 2N1710
, , 2N1711-46
, 2N1711A
, 2N1711B
, 2N1711L
, 2N1711S
, 2N1713
, 2N1714
, 2N1715
.

Мультивибратор на КТ315

Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.

Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).

Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.

Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.

Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.

Технические характеристики

Серию КТ825 относят к полупроводниковым триодам с p-n-p-проводимостью. Но на самом деле они представляют собой устройства состоящее из двух таких структур, собранных в едином корпусе по схеме Дарлингтона. В СССР их ещё называли — составными.

Максимальные эксплуатационные значения

КТ825Г является лучшим по параметрам транзистором в своей серии, если не рассматривать его аналог 2Т825. Он имеет наибольшие значения предельно допустимых режимов эксплуатации среди «собратьев». Рассмотрим их поподробнее:

максимальное постоянное напряжение: К-Э — до 90 В; Б-Э – до 5 В;
коллекторный ток: постоянный от 20 А; импульсный до 40 А;
рассеиваемая мощность на коллекторе: до 125 Вт (с радиатором); до 3 Вт (без теплоотвода); у кристалла не более 40 Вт;
температура: p-n-перехода до +150°С; окружающей среды от -40 до +100 °C.

Электрические характеристики

Электрические параметры КТ825Г тоже неплохие, по сравнению с другими серии. Согласно данным из даташит, он имеет лучшие показатели статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (H_21э) от 600 до 25000 и пробивное напряжение К-Э до 90В. Такие величины H_21э обусловлены его составной структурой. Эти и другие характеристики устройства представлены в таблице ниже, исходя из условий его работы указанных в отдельном столбце.

Комплементарная пара

В качестве комплементарной пары во многих технических решениях используется составной КТ827А, имеющий NPN-проводимость.

Транзистор КТ361А

Основные параметры транзистора КТ361А:

Параметр	Значение
Максимальное значение коллекторного тока	50 мА
Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер	45 В
Максимальная мощность потерь на коллекторе	150 мВт
Коэффициент усиления по току	не менее 40

Транзистор КТ361А обладает рядом отличий по сравнению с транзистором КП501А. Одним из основных отличий является более низкое максимальное значение коллекторного тока — 50 мА против 100 мА у КП501А. Также, максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер у транзистора КТ361А составляет 45 В, в то время как у КП501А оно равно 60 В.

Коэффициент усиления по току у транзистора КТ361А составляет не менее 40, что говорит о его способности усиливать входной ток в данном диапазоне. Этот показатель также различается у транзистора КП501А и составляет не менее 50.

Таким образом, при выборе между транзистором КТ361А и КП501А необходимо учитывать требования по максимальному значению коллекторного тока и напряжению коллектор-эмиттер, а также коэффициенту усиления по току.

Конструкция

Вариант конструкции усилителя показан на фотографии:

Чертежи печатных плат в формате pdf здесь.

Статья подготовлена по материалам журнала «Электор Электроникс» Автор Юрген Майклс (Бельгия) Вольный перевод: Главный редактор «РадиоГазеты» Удачного творчества!

Комментарий от редакции «РадиоГазеты»:

Это усилитель класса «А» со всеми вытекающими последствиями как то:

сильный нагрев практически всех элементов конструкции. Поэтому требуется применение радиаторов соответствующих размеров и организация эффективной вентиляции корпуса усилителя.
настоятельно рекомендуется использование защиты акустических систем от постоянного напряжения на выходе.
это не только усилитель класса «А»! У автора в тексте это почему-то не отмечено, но это однотактный усилитель, что накладывает особые требования на источник питания. Для снижения фона блок питания должен быть либо стабилизированный (ещё один радиатор), либо нужны фильтрующие конденсаторы большой ёмкости — не менее 10 000 мкФ на канал. Для уменьшения нагрева диодов выпрямительного моста здесь настоятельно рекомендуется использовать диоды Шоттки. Снабдить их небольшими радиаторами тоже не помешает.

Улучшить параметры усилителя можно довольно просто — применением более современного и качественного операционного усилителя.

Идея

На рисунке представлена принципиальная схема усилителя. Микросхема IC1 управляется операционным усилителем IC3. На микросхеме IC2 собран источник постоянного тока, величина которого определяется номиналом резистора R9 и рассчитывается по формуле: I=1.25/R9.

Резисторы R11 и R10 образуют цепь отрицательной обратной связи и определяют коэффициент усиления. Благодаря этой цепи компенсируется напряжение смещения в 1,25 В и на выходе поддерживается нулевое напряжение.

Краткое резюме: две микросхемы LM317, один ОУ и три резистора — вот всё, что необходимо для построения простого усилителя класса А. И кстати, заметим для аудиофилов — в тракте нет ни одного конденсатора!

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

Маркировка	Pol	Struct	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Caps
22N20	N	MOSFET	156	200	30		22	150		300	220	0.12	TO220 TO220F
2SK3555-01MR	N	MOSFET	95	250	30		37	150		30	220	0.1	TO220F
2SK3607-01MR	N	MOSFET	37	200	30		18	150		2.6	110	0.17	TO220F
2SK3926-01MR	N	MOSFET	95	250	30		34	150		19	220	0.11	TO220F
AOTF27S60	N	MOSFET	50	600	30		27	150		33	80	0.16	TO220F
AOTF29S50	N	MOSFET	50	500	30	3.9	29	150		39	88	0.15	TO220F
AOTF42S60	N	MOSFET	50	600	30	3.8	39	150	40	53	135	0.099	TO220F
AOTF42S60L	N	MOSFET	37.9	600	30	3.8	39	150	40	53	135	0.099	TO220F
F21F60CPM	N	MOSFET	60	600	30	3.5	21	150	39	60	100	0.165	TO220F
F25F60CPM	N	MOSFET	70	600	30	3.5	25	150	53	70	120	0.125	TO220F
FCPF099N65S3	N	MOSFET	43	650	30	4.5	30	150	57	20	50	0.099	TO220F
FCPF125N65S3	N	MOSFET	38	650	30	4.5	24	150	44	25	40	0.125	TO220F
FCPF22N60NT	N	MOSFET	39	600	30	4	22	150	45			0.165	TO220F
FDPF18N20F	N	MOSFET	41	200	30	5	18	150		50	200	0.14	TO220F
FDPF18N20FT	N	MOSFET	41	200	30	5	18	150	20			0.14	TO220F
FDPF18N20FT_G	N	MOSFET	35	200	30		18	150				0.14	TO220F
FDPF2710T	N	MOSFET	62.5	250	30	5	25	150	78			0.0425	TO220F
FDPF33N25T	N	MOSFET	37	250	30	5	33	150	36.8			0.094	TO220F
FDPF33N25TRDTU	N	MOSFET	37	250	30	5	33	150				0.094	TO220F
FDPF39N20	N	MOSFET	37	200	30	5	39	150	38			0.066	TO220F
FDPF39N20TLDTU	N	MOSFET	37	200	30	5	23.4	150				0.066	TO220F
FDPF44N25T	N	MOSFET	38	250	30	5	44	150	47			0.069	TO220F
FDPF44N25TRDTU	N	MOSFET	38	250	30	5	44	150				0.069	TO220F
FDPF51N25	N	MOSFET	38	250	30	5	28	150	55			0.06	TO220F
FDPF51N25RDTU	N	MOSFET	38	250	30	5	51	150				0.06	TO220F
FMV24N25G	N	MOSFET	65	250	30	5	24	150	36	22	200	0.13	TO220F
FQPF18N20V2	N	MOSFET	40	200	30	5	18	150	20	133	200	0.14	TO220F
FQPF19N20C	N	MOSFET	43	200	30	4	19	150	40.5			0.17	TO220F
FQPF19N20CYDTU	N	MOSFET	43	200	30	4	19	150	40.5	150	195	0.17	TO220F
FQPF32N20C	N	MOSFET	50	200	30	4	28	150	82.5			0.082	TO220F
FS20KM-5	N	MOSFET	40	250	30		20					0.15	TO220FN
GP1M018A020XX	N	MOSFET	94	200	30	5	18	150	18	30	180	0.17	TO220 TO220F
IRFI4229	N	MOSFET	46	250	30		19		73			0.046	TO220FP
MTN18N20FP	N	MOSFET	41	200	30		18	150		66	154	0.08	TO220FP
NCE65T130F	N	MOSFET	35	650	30	4	28	150	37.5	12	120	0.13	TO220F
NTPF082N65S3F	N	MOSFET	48	650	30	5	40	150	70	27	70	0.082	TO220F
RCX200N20	N	MOSFET	40	200	30	5	20	150	40	100	120	0.13	TO220FM
RCX220N25	N	MOSFET	40	250	30	5	22	150	60	100	170	0.14	TO220FM
RCX300N20	N	MOSFET	40	200	30	5	30	150	60	160	200	0.08	TO220FM
RCX330N25	N	MOSFET	40	250	30		33	150	80	200	220	0.077	TO220FM
SIHA25N50E	N	MOSFET	35	500	30	4	26	150	57	36	105	0.145	TO220FP
SIHF23N60E	N	MOSFET	35	600	30	4	23	150	63	38	119	0.158	TO220FP
SIHF28N60EF	N	MOSFET	39	600	30	4	28	150	80	40	123	0.123	TO220FP
SMK1820F	N	MOSFET	35	200	30		18	150		130	227	0.17	TO220F
SMK1820FJ	N	MOSFET	35	200	30		18	150		130	227	0.17	TO220F
STF30NM60N	N	MOSFET	40	600	30	4	25	150	91	24	210	0.13	TO220FP
TK22A65X5	N	MOSFET	45	650	30	4.5	22	150	50	20	60	0.16	TO220F

Всего результатов: 47

Аналоги КТ315

У транзистора имеется как отечественная замена, так и заграничная. Начнем с первой. Это КТ3102 (ТО-92). Он тоже кремниевый, с npn структурой, но с большей температурой (до +150 С), другим расположением диодов и более высокими электрическими возможностями. Можно сказать, что они, относительно, одинаковы.

Иностранные заменители: ВС547 (npn, высокочастотный (примерно в 300 МГц, когда у КТ315 — 250 МГц), расположение диодов как у КТ3102, температура до +150 С), PN2222 (300 МГц, цоколевка соответствует предыдущей, остальные характеристики примерно одинаковы с КТ315), 2SC9014 (температура от -55 С до +150 С, 270 МГц). Раньше зарубежные транзисторы выходили с корпусом КТ-13, но на данный момент таких уже не существует.

Зарубежные прототипы

КТ815Б — BD135
КТ815В — BD137
КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования

Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ361 и КТ361-1.
Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая находится по центру корпуса транзистора. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения, станков с числовым программным управлением и бытовой электроники высшего класса, соответственно такие транзисторы были повышенной надежности и проходили дополнительные испытания при изготовлении. Пример маркировки транзистора КТ361-1 показан на рисунке 1 (в случае КТ361 цифра в маркировке отсутствует).

Следует также отметить, что транзисторы КТ315 и КТ361 были первыми массовыми транзисторами с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Транзистор КТ361 тоже маркировался одной буквой, как и КТ315, но буква располагалась по центру, а также иногда слева и справа от неё были тире. Однако транзисторы, поставляемые с отклонениями по внешнему виду и габаритным размерам, дополнительно маркировались диагональной чертой. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ361-2 и КТ361-3.
Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора. Пример маркировки транзистора КТ361-2 приведен на рисунке 2(в случае КТ361-3 на корпусе указывается цифра 3).

Аналоги

Выбор аналога для КТ825Г зависит от схемы в которой он используется. В любом случае полной его копии не существует и прототип BDX88 уже не производится. При этом, для большинства ситуаций подходят такие импортные транзисторы: 2N6052, MJ11013, MJ11015, 2N5884

Для его замены в выходных каскадах усилителей, в первую очередь стоит обратить внимание на российский 2Т825А или на эквивалентную конструкцию их двух биполярников КТ814Г и КТ818В

Часто, для ремонта или модернизации популярного УНЧ Солнцева (Квод-405) вместо КТ825Г применяют зарубежные дарлингтоны: MJ11015, TIP147, BDV64B. При таком подходе в данном усилителе также рекомендуют поменять его комплементарник КТ827А и тоже на импортные аналоги. Соответственно подойдут: MJ11016, TIP142, BDV65B. Стоит учитывать, что коллекторный ток у двух последних значительно меньше (до 10 А), чем у рассматриваемого. Но при этом считается, что качество звука в этом случае будет на много лучше.

Бывают и другие случаи, когда вместо дорогого импортного транзистора дарлингтона довольно успешно применяют наш КТ825Г. Например, его нередко используют для замены мощных Т1829-1 и FW26025A1, которые установлены для регулировки напряжением на вентиляторах в автомобильных блоках управления отоплением Valeo 833817E.

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Самые длинные названия применяют:

американская фирма Motorola,
японская Seiko Instruments
тайваньская Pan Jit.

Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.	Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.
7E	MUN5215DW1T1	K2	MO	2Q
11	MUN5311DW1T1	L3	MO	2Q	7F	MUN5216DW1T1	K2	MO	2Q
12	MUN5312DW1T1	L3	MO	2Q	7G	MUN5230DW1T1	K2	MO	2Q
12	INA-12063	U2	HP	2Q	7H	MUN5231DW1T1	K2	MO	2Q
13	MUN5313DW1T1	L3	MO	2Q	7J	MUN5232DW1T1	K2	MO	2Q
14	MUN5314DW1T1	L3	MO	2Q	7K	MUN5233DW1T1	K2	MO	2Q
15	MUN5315DW1T1	L3	MO	2Q	7L	MUN5234DW1T1	K2	MO	2Q
16	MUN5316DW1T1	L3	MO	2Q	7M	MUN5235DW1T1	K2	MO	2Q
1С	BC847S	N5	SI	2Q	81	MGA-81563	U1	HP	2Q
1P	BC847PN	P6	SI	2Q	82	INA-82563	U1	HP	2Q
31	MUN5331DW1T1	L3	MO	2Q	86	INA-86563	U1	HP	2Q
32	MUN5332DW1T1	L3	MO	2Q	87	INA-87563	U1	HP	2Q
33	MUN5333DW1T1	L3	MO	2Q	91	IAM-91563	U1	HP	2Q
34	MUN5334DW1T1	L3	MO	2Q	A2	MBT3906DW1T1	P5	MO	2Q
35	MUN5335DW1T1	L3	MO	2Q	A3	MBT3906DW9T1	P5	MO	2Q
36	ATF-36163	A1	HP	2Q	A4	BAV70S	E4	SI	2Q
3C	BC857S	P5	SI	2Q	E6	MDC5001T1	U3	MO	2Q
3X	MUN5330DW1T1	L3	MO	2Q	H5	MBD770DWT1	F2	MO	2Q
46	MBT3946DW1T1	P6	MO	2Q	II	AT-32063	N2	HP	2Q
51	INA-51063	U2	HP	2Q	M1	CMY200	U1	SI	2R
52	INA-52063	U2	HP	2Q	M4	MBD110DWT1	F2	MO	Q
54	INA-54063	U2	HP	2Q	M6	MBF4416DW1T1	A3	MO	2Q
6A	MUN5111DW1T1	L2	MO	2Q	MA	MBT3904DW1T1	N5	MO	2Q
6B	MUN5112DW1T1	L2	MO	2Q	MB	MBT3904DW9T1	N5	MO	2Q
6C	MUN5113DW1T1	L2	MO	2Q	MC	BFS17S	N5	SI	2Q
6D	MBF5457DW1T1	A3	MO	2Q	RE	BFS480	N5	SI	2Q
6D	MUN5114DW1T1	L2	MO	2Q	RF	BFS481	N5	SI	2Q
6E	MUN5115DW1T1	L2	MO	2Q	RG	BFS482	N5	SI	2Q
6F	MUN5116DW1T1	L2	MO	2Q	RH	BFS483	N5	SI	2Q
6G	MUN5130DW1T1	L2	MO	2Q	T4	MBD330DWT1	F2	MO	2Q
6H	MUN5131DW1T1	L2	MO	2Q	W1	BCR10PN	L3	SI	2Q
6J	MUN5132DW1T1	L2	MO	2Q	WC	BCR133S	K2	SI	2Q
6K	MUN5133DW1T1	L2	MO	2Q	WF	BCR08PN	L3	SI	2Q
6L	MUN5134DW1T1	L2	MO	2Q	WK	BCR119S	K2	SI	2Q
6M	MUN5135DW1T1	L2	MO	2Q	WM	BCR183S	K2	SI	2Q
7A	MUN5211DW1T1	K2	MO	2Q	WP	BCR22PN	L3	SI	2Q
7B	MUN5212DW1T1	K2	MO	2Q	Y2	CLY2	A1	SI	2R
7C	MUN5213DW1T1	K2	MO	2Q	6s	CGY60	U1	SI	2R
7D	MUN5214DW1T1	K2	MO	2Q	Y7s	CGY62	U1	SI	2R