Цветомузыкальная приставка на П213.
Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.
Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.
Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC815
. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Производитель: NEC Сфера применения: Medium Power, High Voltage Популярность: 13955 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Зарубежная маркировка SMD
В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.
Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.
Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.
Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.
Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.
Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.
Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.
Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.
Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.
Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.
Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.
Самые длинные названия применяют:
- американская фирма Motorola,
- японская Seiko Instruments
- тайваньская Pan Jit.
| Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. | Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. |
| 7E | MUN5215DW1T1 | K2 | MO | 2Q | |||||
| 11 | MUN5311DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7F | MUN5216DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 12 | MUN5312DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7G | MUN5230DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 12 | INA-12063 | U2 | HP | 2Q | 7H | MUN5231DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 13 | MUN5313DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7J | MUN5232DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 14 | MUN5314DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7K | MUN5233DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 15 | MUN5315DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7L | MUN5234DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 16 | MUN5316DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7M | MUN5235DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 1С | BC847S | N5 | SI | 2Q | 81 | MGA-81563 | U1 | HP | 2Q |
| 1P | BC847PN | P6 | SI | 2Q | 82 | INA-82563 | U1 | HP | 2Q |
| 31 | MUN5331DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 86 | INA-86563 | U1 | HP | 2Q |
| 32 | MUN5332DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 87 | INA-87563 | U1 | HP | 2Q |
| 33 | MUN5333DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 91 | IAM-91563 | U1 | HP | 2Q |
| 34 | MUN5334DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A2 | MBT3906DW1T1 | P5 | MO | 2Q |
| 35 | MUN5335DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A3 | MBT3906DW9T1 | P5 | MO | 2Q |
| 36 | ATF-36163 | A1 | HP | 2Q | A4 | BAV70S | E4 | SI | 2Q |
| 3C | BC857S | P5 | SI | 2Q | E6 | MDC5001T1 | U3 | MO | 2Q |
| 3X | MUN5330DW1T1 | L3 | MO | 2Q | H5 | MBD770DWT1 | F2 | MO | 2Q |
| 46 | MBT3946DW1T1 | P6 | MO | 2Q | II | AT-32063 | N2 | HP | 2Q |
| 51 | INA-51063 | U2 | HP | 2Q | M1 | CMY200 | U1 | SI | 2R |
| 52 | INA-52063 | U2 | HP | 2Q | M4 | MBD110DWT1 | F2 | MO | Q |
| 54 | INA-54063 | U2 | HP | 2Q | M6 | MBF4416DW1T1 | A3 | MO | 2Q |
| 6A | MUN5111DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MA | MBT3904DW1T1 | N5 | MO | 2Q |
| 6B | MUN5112DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MB | MBT3904DW9T1 | N5 | MO | 2Q |
| 6C | MUN5113DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MC | BFS17S | N5 | SI | 2Q |
| 6D | MBF5457DW1T1 | A3 | MO | 2Q | RE | BFS480 | N5 | SI | 2Q |
| 6D | MUN5114DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RF | BFS481 | N5 | SI | 2Q |
| 6E | MUN5115DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RG | BFS482 | N5 | SI | 2Q |
| 6F | MUN5116DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RH | BFS483 | N5 | SI | 2Q |
| 6G | MUN5130DW1T1 | L2 | MO | 2Q | T4 | MBD330DWT1 | F2 | MO | 2Q |
| 6H | MUN5131DW1T1 | L2 | MO | 2Q | W1 | BCR10PN | L3 | SI | 2Q |
| 6J | MUN5132DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WC | BCR133S | K2 | SI | 2Q |
| 6K | MUN5133DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WF | BCR08PN | L3 | SI | 2Q |
| 6L | MUN5134DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WK | BCR119S | K2 | SI | 2Q |
| 6M | MUN5135DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WM | BCR183S | K2 | SI | 2Q |
| 7A | MUN5211DW1T1 | K2 | MO | 2Q | WP | BCR22PN | L3 | SI | 2Q |
| 7B | MUN5212DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y2 | CLY2 | A1 | SI | 2R |
| 7C | MUN5213DW1T1 | K2 | MO | 2Q | 6s | CGY60 | U1 | SI | 2R |
| 7D | MUN5214DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y7s | CGY62 | U1 | SI | 2R |
Схема регулятора с обратной связью
Обратная связь необходима для стабилизации оборотов электродвигателя, которые могут изменяться под воздействием нагрузки. Сделать это можно двумя способами:
- Установить таходатчик, измеряющий число оборотов. Такой вариант позволяет производить точную регулировку, но при этом увеличивается стоимость реализации решения.
- Отслеживать изменения напряжения на электромоторе и, в зависимости от этого, увеличивать или уменьшать «открытый» режим полупроводникового ключа.
Последний вариант значительно проще в реализации, но требует небольшой настройки под мощность используемой электромашины. Ниже приведена схема такого устройства.
Регулятор мощности с обратной связью
Обозначения:
- Резисторы: R1 – 18 кОм (2 Вт); R2 — 330 кОм; R3 – 180 Ом; R4 и R5– 3,3 кОм; R6 – необходимо подбирать, как это делается будет описано ниже; R7 – 7,5 кОм; R8 – 220 кОм; R9 – 47 кОм; R10 — 100 кОм; R11 – 180 кОм; R12 – 100 кОм; R13 – 22 кОм.
- Конденсаторы: С1 — 22 мкФ х 50 В; С2 — 15 нФ; С3 – 4,7 мкФ х 50 В; С4 – 150 нФ; С5 — 100 нФ; С6 – 1 мкФ х 50 В..
- Диоды D1 – 1N4007; D2 – любой индикаторный светодиод на 20 мА.
- Симистор Т1 – BTA24-800.
- Микросхема – U2010B.
Данная схема обеспечивает плавный запуск электрической установки и обеспечивает ее защиту от перегрузки. Допускается три режима работы (выставляются переключателем S1):
- А – При перегрузке включается светодиод D2, сигнализирующий о перегрузке, после чего двигатель снижает обороты до минимальных. Для выхода из режима необходимо отключить и включить прибор.
- В — При перегрузке включается светодиод D2, мотор переводится на работу с минимальными оборотами. Для выхода из режима необходимо снять нагрузку с электродвигателя.
- С – Режим индикации перегрузки.
Настройка схемы сводится к подбору сопротивления R6, оно вычисляется, в зависимости от мощности, электромотора по следующей формуле: . Например, если нам необходимо управлять двигателем мощностью 1500 Вт, то расчет будет следующим: 0,25/ (1500 / 240) = 0,04 Ом.
Для изготовления данного сопротивления лучше всего использовать нихромовую проволоку диаметром 0,80 или1,0 мм. Ниже представлена таблица, позволяющая подобрать сопротивление R6 и R11, в зависимости от мощности двигателя.
Таблица для подбора номиналов сопротивлений в зависимости от мощности двигателя
Приведенное устройство может эксплуатироваться в качестве регулятора оборотов двигателей электроинструментов, пылесосов и другого бытового оборудования.
Маркировка транзисторов
Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.
Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.
Характеристики биполярного транзистора.
Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач.
И первая на очереди – входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:
I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const
В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):
Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.
Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора – выходной! Выходная характеристика – это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:
Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения – изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .
Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:
Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.
Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано
Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно – при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta, несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:
I_к = \beta I_б
Двигаемся дальше!
На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.
В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу – навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.
Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора!
И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.
Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:
Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды! Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.
Справочный листок по транзисторам КТ201А…Д, 2Т201А…Д, КТ201АМ…ДМ:
Электрические
параметры:
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при UКБ = 1 В, IК = 5 мА: |
||
| при Т = +25 С | 2Т201А, КТ201А, КТ201АМ | 20…60 |
| 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д, КТ201Б, КТ201В, КТ201Д, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ДМ |
30…90 | |
| 2Т201Г, КТ201Г, КТ201ГМ | 70…210 | |
| при Т = -60 С | 2Т201А | 10…60 |
| 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д | 15…90 | |
| 2Т201Г | 35…210 | |
| при Т = +125 С | 2Т201А | 20…120 |
| 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Д | 30…180 | |
| 2Т201Г | 70…400 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ при UКБ = 5 В, IЭ = 10 мА, не менее: |
||
| КТ201(А…Д), КТ201(АМ…ДМ) | 10 МГц | |
| 2Т201(А…Д) (типовое значение) | 40 МГц | |
| Коэффициент шума при UКБ = 1 В, IЭ = 0,2 мА, f = 1 кГц: |
||
| 2Т201Д, не более | 15 дБ | |
| типовое значение | 6 дБ | |
| КТ201Д, КТ201ДМ, не более | 15 дБ | |
| Обратный ток коллектора, не более: |
||
| при UКБ = 20 В и Т = +25 С | 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
0,5 мкА |
| при UКБ = 20 В и Т = +125 С | 2Т201А, 2Т201Б | 10 мкА |
| при UКБ = 10 В и Т = +25 С | 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
0,5 мкА |
| при UКБ = 10 В и Т = +125 С | 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д | 10 мкА |
| Обратный ток эмиттера при Т = +25 С, не более |
||
| при UЭБ = 20 В | 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
3 мкА |
| при UЭБ = 10 В | 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
3 мкА |
| Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала, при холостом ходе, при при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, f = 1 кГц, не более: |
||
| 2 мкСм | ||
| типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д |
0,5 мкСм | |
| Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала в схеме ОБ, при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, f = 1 кГц, не более: |
||
| 3*10-3 | ||
| типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д |
3*10-4 | |
| Емкость коллекторного перехода при UКБ = 5 В, не более: |
||
| 20 пФ | ||
| типовое значение для 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д |
9 пФ | |
| Индуктивность выводов эмиттера и базы при L =3мм |
||
| 6 нГн |
Предельные
эксплуатационные данные:
| Постоянное напряжение коллектор — база: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
20 В | |
| 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
10 В | |
| Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при RБЭ <= 2 кОм: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
20 В | |
| 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
10 В | |
| Постоянное напряжение эмиттер — база: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, КТ201А, КТ201Б, КТ201АМ, КТ201БМ |
20 В | |
| 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
20 В | |
| Постоянный ток коллектора: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д | 20 мА | |
| КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
30 мА | |
| Импульсный ток коллектора при Q => 10: |
||
| при tимп. <= 10 мс. | 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д | 100 мА |
| при tимп. <= 100 мкс. | КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д, КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
100 мА |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: |
||
| при Т = -60С…+75С, P => 6650 Па | 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д * При изменении температуры окр. среды от +75 до +125С, Pк,макс. уменьшается линейно. |
150 мВт |
| при Т = -60С…+75С, P => 665 Па | 100 мВт | |
| при Т = +125С | 60 мВт | |
| при Т = -60С…+90С | КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д * При изменении температуры окр. среды от +90 до +125С, Pк,макс. уменьшается линейно. |
150 мВт |
| при Т = +125С | 60 мВт | |
| при Т = -45С…+85С | КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
150 мВт |
| Тепловое сопротивление переход-среда |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д | 556С/Вт | |
| Температура p-n перехода |
||
| КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д | +150С | |
| Температура окружающей среды: |
||
| 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д |
-60С…+125С | |
| КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ |
-45С…+85С |
Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru
Рекомендации по использованию
Транзистор КТ 201 обладает широким спектром применений и может использоваться в различных электронных устройствах. Вот несколько рекомендаций, которые помогут вам правильно использовать этот транзистор:
Рекомендация
Описание
1.
Перед началом работы с транзистором КТ 201, убедитесь, что он подключен правильно к соответствующим входным и выходным контактам вашего устройства.
2.
Не превышайте максимально допустимых значений напряжения и тока, указанных в технических характеристиках транзистора
Это поможет избежать его повреждения и улучшит его долговечность.
3.
Обратите внимание на рекомендации по охлаждению транзистора. Во время работы он может нагреться, поэтому при использовании требуется соответствующее охлаждение.
4.
При необходимости, используйте комплементарные транзисторы для сбалансированного усиления сигнала
Для этого выберите пару транзисторов с противоположной полярностью и близкими параметрами.
5.
Не храните транзисторы КТ 201 в условиях высокой влажности, а также избегайте их попадания пыли и грязи. Это может снизить их эффективность и способность функционировать правильно.
Следуя этим рекомендациям, вы сможете максимально эффективно использовать транзистор КТ 201 и достичь высоких результатов в ваших проектах.
КТ201 , 2Т201 (кремниевый транзистор, n-p-n)
Транзисторы кремниевые
эпитаксиально-планарные структуры
n-p-n усилительные с ненормированным
(2Т201А, КТ201А, 2Т201Б, КТ201Б, 2Т201В, КТ201В,
2Т201Г, КТ201Г) и нормированным (2Т201Д,
КТ201Д) коэффициентом шума на
частоте 1 кГц..
Предназначены для применения в
усилителях низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном
(2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201А,
КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д)
и пластмассовом (КТ201АМ, КТ201БМ,
КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ) корпусах с
гибкими выводами.
Тип прибора в металлическом
корпусе указывается на боковой
поверхности корпуса,
а в пластмассовом корпусе — на
боковой поверхности корпуса
указывается сокращенное
обозначение:
КТ201АМ — «201А», КТ201БМ — «201Б»,
КТ201ВМ — «201В», КТ201ГМ — «201Г»,
КТ201ДМ — «201Д».
Масса прибора не более 0,6 г.
Краткая
справочная таблица:
| Прибор | Предельные параметры |
Параметры при T = 25°C |
RТ п-с, °C/Вт | ||||||||||||||||
| при T = 25°C | |||||||||||||||||||
| IК, max мА | IК и. max мА | UКЭR max, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, мВт | T, °C | Tп max, °C | Tmax, °C | h21Э | UКБ, В | IК, мА | UКЭ нас, В | IКБ0, мкА | fгр, МГц | CК, пФ | CЭ, пФ | tрас, мкс | ||
| КТ201 А | 30 | 100 | 20 | 20 | 20 | 150 | 90 | 150 | 125 | 20…60 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 | 556 | |||
| КТ201 Б | 30 | 100 | 20 | 20 | 20 | 150 | 90 | 150 | 125 | 30…90 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 | 556 | |||
| КТ201 В | 30 | 100 | 10 | 10 | 10 | 150 | 90 | 150 | 125 | 30…90 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 | 556 | |||
| КТ201 Г | 30 | 100 | 10 | 10 | 10 | 150 | 90 | 150 | 125 | 70…210 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 | 556 | |||
| КТ201 Д | 30 | 100 | 10 | 10 | 10 | 150 | 90 | 150 | 125 | 30…90 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 | 556 | |||
| 2Т201 А | 20 | 100 | 20 | 20 | 20 | 150 | 105 | 150 | 125 | 20…60 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 | 556 | |||
| 2Т201 Б | 20 | 100 | 20 | 20 | 20 | 150 | 105 | 150 | 125 | 30…90 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 | 556 | |||
| 2Т201 В | 20 | 100 | 10 | 10 | 10 | 150 | 105 | 150 | 125 | 30…90 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 | 556 | |||
| 2Т201 Г | 20 | 100 | 10 | 10 | 10 | 150 | 105 | 150 | 125 | 70…210 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 | 556 | |||
| 2Т201 Д | 20 | 100 | 10 | 10 | 10 | 150 | 105 | 150 | 125 | 30…90 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 | 556 | |||
| КТ201 АМ | 30 | 100 | 20 | 20 | 20 | 150 | 90 | 150 | 125 | 20…60 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 | ||||
| КТ201 БМ | 30 | 100 | 20 | 20 | 20 | 150 | 90 | 150 | 125 | 30…90 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 | ||||
| КТ201 ВМ | 30 | 100 | 10 | 10 | 10 | 150 | 90 | 150 | 125 | 30…90 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 | ||||
| КТ201 ГМ | 30 | 100 | 10 | 10 | 10 | 150 | 90 | 150 | 125 | 70…210 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 | ||||
| КТ201 ДМ | 30 | 100 | 10 | 10 | 10 | 150 | 90 | 150 | 125 | 30…90 | 1 | 5 | 0,5 | 10 | 20 |
Особенности цоколевки
Цоколевка – это способ подключения транзистора к электрическим схемам. У транзистора КТ 201 используется металлический корпус TO-92 с тремя выводами: эмиттер (E), база (B) и коллектор (C).
Выводы маркированы специальными обозначениями, чтобы обеспечить правильное подключение транзистора. Выводы могут иметь различные формы и расположение внутри корпуса.
Эмиттер – это вывод, через который течет основной ток. Этот вывод обычно помечается буквой «E» или «+».
База – это входной или управляющий вывод, через который транзистор коммутируется или усиливает сигнал. Он обычно помечается буквой «B».
Коллектор – это вывод, через который выходит усиленный или коммутированный сигнал. Он обычно помечается буквой «C».
КТ 201 имеет типовую распиновку, которая облегчает его использование в различных устройствах. Это позволяет легко подключать транзистор к схемам без необходимости особых адаптаций и коммутации выводов.
Транзисторы КТ 201 широко применяются в различных электронных устройствах, таких как радиоприемники, усилители звука, блоки питания и др. Они отличаются надежностью, стабильностью работы и относительной дешевизной.