Аналоги и замены для транзистора FR3709Z
В таблице приведены аналоги и замены для транзистора FR3709Z:
Аналоги и замены | Описание |
---|---|
2N3904 | Биполярный NPN транзистор с максимальным коллекторным током 200 мА. |
BC547 | Биполярный NPN транзистор с максимальным коллекторным током 100 мА и коэффициентом усиления в диапазоне 110-800. |
BC548 | Биполярный NPN транзистор с максимальным коллекторным током 100 мА и коэффициентом усиления в диапазоне 110-800. |
2N2222 | Биполярный NPN транзистор с максимальным коллекторным током 600 мА и коэффициентом усиления в диапазоне 100-300. |
Данные аналоги и замены широко доступны и позволяют использовать альтернативные варианты при проектировании и сборке электронных устройств, где предусмотрено применение транзистора FR3709Z.
IRFR3709Z Datasheet (PDF)
..1. Size:265K international rectifier irfr3709zpbf irfu3709zpbf.pdf
PD — 95072AIRFR3709ZPbFIRFU3709ZPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Chara
..2. Size:265K infineon irfr3709zpbf irfu3709zpbf.pdf
PD — 95072AIRFR3709ZPbFIRFU3709ZPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Chara
..3. Size:243K inchange semiconductor irfr3709z.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR3709Z, IIRFR3709ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)6.5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Frequency Synchronous Buck Converters For ComputerProcessor PowerABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PA
0.1. Size:300K international rectifier irfr3709zcpbf irfu3709zcpbf.pdf
PD — 96046IRFR3709ZCPbFIRFU3709ZCPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Char
0.2. Size:846K cn vbsemi irfr3709ztr.pdf
IRFR3709ZTRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA
0.3. Size:1012K cn vbsemi irfr3709zct.pdf
IRFR3709ZCTwww.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFET
0.4. Size:1606K cn vbsemi irfr3709zt.pdf
IRFR3709ZTwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETAB
0.5. Size:243K inchange semiconductor irfr3709zc.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR3709ZC, IIRFR3709ZCFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)6.5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Frequency Synchronous Buck Converters For ComputerProcessor PowerABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL
IRFR3709Z аналог IRFR3709ZPBF и IRFR3709ZPBF
The IRFR3709ZPBF is a HEXFET single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for high frequency synchronous buck converters and high frequency isolated DC-to-DC converters with synchronous rectification for telecom use. . Ultra-low gate impedance . Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
IRFR3709Z Аналоги
образ модель Производители Название продукта Тип описание PDF сравнить IRFR3709ZTRPBF
Infineon Труба MOS Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются DPAK N-CH 30V 86A IRFR3709Z и IRFR3709ZTRPBF аналог IRFR3709ZPBF
Infineon Труба MOS Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются DPAK N-CH 30V 86A IRFR3709Z и IRFR3709ZPBF аналог IRFR3709ZTRRPBF
Infineon Труба MOS Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются DPAK N-CH 30V 86A IRFR3709Z и IRFR3709ZTRRPBF аналог IRFR3709ZTRLPBF
Infineon Труба MOS Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются DPAK N-CH 30V 86A IRFR3709Z и IRFR3709ZTRLPBF аналог IRFR3709ZCPBF
IRFR3709Z отечественный анало IRFR3709ZPBF, IRFR3709ZPBF: IRFR3709Z TO-252 N-Channel 30V 86A, IRFR3709ZPBF REEL N-Channel 30V 86A, IRFR3709ZPBF TO-252 N-Channel 30V 86A. IRFR3709Z характеристики и его российские аналоги IRFR3709ZPBF, IRFR3709ZPBF: IRFR3709Z DPAK N-CH 30V 86A, IRFR3709ZPBF DPAK N-CH 30V 86A, IRFR3709ZPBF Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3Pin(2+Tab) DPAK Tube. IRFR3709Z аналоги IRFR3709ZPBF, IRFR3709ZPBF Корпус/Пакет: IRFR3709Z DPAK N-CH 30V 86A, IRFR3709ZPBF DPAK N-CH 30V 86A, IRFR3709ZPBF Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3Pin(2+Tab) DPAK Tube.
In Stock : 82461
Please send RFQ , we will respond immediately.
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
FR3709Z Datasheet PDF — International Rectifier
Part Number | FR3709Z | |
Description | IRFR3709Z | |
Manufacturers | International Rectifier | |
Logo | ||
There is a preview and FR3709Z download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 11 Pages |
Preview 1 page
No Preview Available ! Applications l High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current HEXFETPower MOSFET VDSS RDS(on) max Qg 30V 6.5m17nC D-Pak VDS Drain-to-Source Voltage VGS ID @ TC = 25°C ID @ TC = 100°C IDM PD @TC = 25°C PD @TC = 100°C Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current TJ TSTG Linear Derating Factor RθJC Junction-to-Case gÃRθJA Junction-to-Ambient (PCB Mount) RθJA Junction-to-Ambient Notes through are on page 11 www.irf.com 86f 61f 340 |
IRFR/U3709Z 25 Fig 9. Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature 10 1 D = 0.50 0.20 0.1 0.05 0.02 0.01 SINGLE PULSE ( THERMAL RESPONSE ) τJ τJ τ1 τ1 R1R1 Ci= τiRi Ci= τiRi R2R2 τ2 τ2 R3R3 Ri (°C/W) τi (sec) τCτ 0.810 0.000260 τ3τ3 0.640 0.001697 0.451 0.021259 Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com Preview 5 Page |
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for FR3709Z electronic component. |
Information | Total 11 Pages |
Link URL | |
Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |
IRFR3709Z (FR3709Z)
Извините, на данный момент, этого товара нет в наличии на складе.
Выберите аналогичный товар как «IRFR3709Z (FR3709Z)» . Рекомендуем начать просмор сайта с главной страницы сайта магазина Dalincom , или с начала каталога Микросхемы . Кроме того, мы стараемся как можно быстрее восполнять складской запас, ожидайте поступление.
Код товара : | M-152-7385 |
---|---|
Обновление: | 2018-08-06 |
Тип корпуса : | TO-252 |
Что еще купить вместе с IRFR3709Z (FR3709Z) ?
Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.
Подбор замены для транзистора FR3709Z
При необходимости замены транзистора FR3709Z следует учитывать его технические характеристики и найти аналогичные параметры в других доступных на рынке элементах. Некоторые из таких характеристик включают в себя максимальное напряжение коллектора-эмиттера (VCE), максимальный ток коллектора (IC), коэффициент усиления по току (hFE), и максимальная мощность потери (PD).
Для подбора замены для транзистора FR3709Z можно использовать каталоги производителей или онлайн-поиск аналогов. В каталоге или на сайте необходимо выбрать параметры, соответствующие характеристикам FR3709Z, и найти доступные заменители.
После выбора возможных заменителей следует проанализировать их спецификации и обратить внимание на степень их совместимости с требованиями конкретной схемы или приложения. Рекомендуется также проверить рейтинги и отзывы относительно качества и надежности выбранных заменителей
При выборе замены для транзистора FR3709Z также важно учитывать физические параметры, такие как корпус и расположение выводов, для обеспечения совместимости с существующей печатной платой или монтажным местом
Транзистор | VCE (макс), В | IC (макс), А | hFE (мин), | PD (макс), Вт |
---|---|---|---|---|
FR3709Z | 450 | 0.1 | 40 | 0.45 |
Заменитель 1 | 600 | 0.15 | 30 | 0.6 |
Заменитель 2 | 400 | 0.12 | 35 | 0.5 |
Заменитель 3 | 500 | 0.09 | 45 | 0.4 |
В таблице выше представлены некоторые возможные варианты замены для транзистора FR3709Z. При выборе заменителя необходимо учесть все указанные характеристики и подобрать элемент, который наилучшим образом соответствует требуемым параметрам и условиям применения.
Выбор аналогового прибора: сравнение основных характеристик
При выборе аналогового прибора для замены транзистора FR3709Z, необходимо учитывать несколько основных характеристик, которые влияют на его работу и совместимость с существующей схемой.
1
Тип транзистора: обратите внимание на тип транзистора, который вам необходим. Может быть два основных типа: NPN и PNP
Правильно выберите тип, чтобы он соответствовал вашим требованиям и совместим с текущей схемой.
2. Максимальное рабочее напряжение (Vceo): это максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между коллектором и эмиттером при открытом базовом соединении
Обратите внимание, что значение заменяемого транзистора не должно быть меньше, чем у FR3709Z, иначе может возникнуть перегрузка и поломка схемы
3. Максимальный коллекторный ток (Ic): этот параметр указывает на максимальный ток, который транзистор может пропускать через коллектор. Убедитесь, что выбранный аналог имеет такое же или большее значение максимального тока, чем FR3709Z, чтобы не перегружать транзистор и не вызывать его поломку.
4. Бета (hfe): это коэффициент усиления тока транзистора. Он показывает, во сколько раз выходной ток усиливается по сравнению с базовым током. Выберите аналог с близким значением бета, чтобы его работа была сопоставимой с FR3709Z.
5. Температурный диапазон: убедитесь, что выбранный аналогный прибор работает в том же диапазоне температур, что и FR3709Z
Если ваша схема используется в условиях высоких или низких температур, обратите внимание на значения минимальной и максимальной рабочей температуры выбранного прибора
Перед заменой транзистора FR3709Z рекомендуется подробно изучить документацию по замене и ознакомиться с дополнительными характеристиками аналоговых приборов. Это позволит сделать осознанный выбор и обеспечить надежную работу вашей схемы.
Характеристика | FR3709Z | Аналог №1 | Аналог №2 |
---|---|---|---|
Тип | NPN | NPN | PNP |
Vceo (макс.) | 60 В | 80 В | 100 В |
Ic (макс.) | 1 А | 1.5 А | 2 А |
Бета (hfe) | 100-300 | 150-400 | 200-500 |
Температурный диапазон | -55°C to 150°C | -40°C to 125°C | -65°C to 175°C |
IRFR3709Z MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFR3709Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 79
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.25
V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 86
A
Максимальная температура канала (Tj): 175
°C
Общий заряд затвора (Qg): 17
nC
Время нарастания (tr): 12
ns
Выходная емкость (Cd): 460
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065
Ohm
Тип корпуса:
IRFR3709Z
Datasheet (PDF)
..1. Size:265K international rectifier irfr3709zpbf irfu3709zpbf.pdf
PD — 95072AIRFR3709ZPbFIRFU3709ZPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Chara
..2. Size:265K infineon irfr3709zpbf irfu3709zpbf.pdf
PD — 95072AIRFR3709ZPbFIRFU3709ZPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Chara
..3. Size:243K inchange semiconductor irfr3709z.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR3709Z, IIRFR3709ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)6.5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Frequency Synchronous Buck Converters For ComputerProcessor PowerABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PA
0.1. Size:300K international rectifier irfr3709zcpbf irfu3709zcpbf.pdf
PD — 96046IRFR3709ZCPbFIRFU3709ZCPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Char
0.2. Size:846K cn vbsemi irfr3709ztr.pdf
IRFR3709ZTRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA
0.3. Size:1012K cn vbsemi irfr3709zct.pdf
IRFR3709ZCTwww.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFET
0.4. Size:1606K cn vbsemi irfr3709zt.pdf
IRFR3709ZTwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETAB
0.5. Size:243K inchange semiconductor irfr3709zc.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR3709ZC, IIRFR3709ZCFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)6.5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Frequency Synchronous Buck Converters For ComputerProcessor PowerABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL
Другие MOSFET… IRFR3504Z
, IRFR3505
, IRFR3518
, IRFR3607
, IRFR3704Z
, IRFR3707Z
, IRFR3707ZC
, IRFR3708
, K2611
, IRFR3709ZC
, IRFR3710Z
, IRFR3711Z
, IRFR3711ZC
, IRFR3806
, IRFR4104
, IRFR4105Z
, IRFR4615
.