What is fr3709z?

Аналоги и замены для транзистора FR3709Z

В таблице приведены аналоги и замены для транзистора FR3709Z:

Аналоги и замены Описание
2N3904 Биполярный NPN транзистор с максимальным коллекторным током 200 мА.
BC547 Биполярный NPN транзистор с максимальным коллекторным током 100 мА и коэффициентом усиления в диапазоне 110-800.
BC548 Биполярный NPN транзистор с максимальным коллекторным током 100 мА и коэффициентом усиления в диапазоне 110-800.
2N2222 Биполярный NPN транзистор с максимальным коллекторным током 600 мА и коэффициентом усиления в диапазоне 100-300.

Данные аналоги и замены широко доступны и позволяют использовать альтернативные варианты при проектировании и сборке электронных устройств, где предусмотрено применение транзистора FR3709Z.

IRFR3709Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  international rectifier irfr3709zpbf irfu3709zpbf.pdf

PD — 95072AIRFR3709ZPbFIRFU3709ZPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Chara

 ..2. Size:265K  infineon irfr3709zpbf irfu3709zpbf.pdf

PD — 95072AIRFR3709ZPbFIRFU3709ZPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Chara

 ..3. Size:243K  inchange semiconductor irfr3709z.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR3709Z, IIRFR3709ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)6.5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Frequency Synchronous Buck Converters For ComputerProcessor PowerABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PA

 0.1. Size:300K  international rectifier irfr3709zcpbf irfu3709zcpbf.pdf

PD — 96046IRFR3709ZCPbFIRFU3709ZCPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Char

 0.2. Size:846K  cn vbsemi irfr3709ztr.pdf

IRFR3709ZTRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA

 0.3. Size:1012K  cn vbsemi irfr3709zct.pdf

IRFR3709ZCTwww.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFET

 0.4. Size:1606K  cn vbsemi irfr3709zt.pdf

IRFR3709ZTwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETAB

 0.5. Size:243K  inchange semiconductor irfr3709zc.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR3709ZC, IIRFR3709ZCFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)6.5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Frequency Synchronous Buck Converters For ComputerProcessor PowerABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

IRFR3709Z аналог IRFR3709ZPBF и IRFR3709ZPBF

The IRFR3709ZPBF is a HEXFET single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for high frequency synchronous buck converters and high frequency isolated DC-to-DC converters with synchronous rectification for telecom use. . Ultra-low gate impedance . Very low RDS (ON) at 4.5V VGS

IRFR3709Z Аналоги

образ модель Производители Название продукта Тип описание PDF сравнить IRFR3709ZTRPBF
Infineon Труба MOS Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются DPAK N-CH 30V 86A IRFR3709Z и IRFR3709ZTRPBF аналог IRFR3709ZPBF
Infineon Труба MOS Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются DPAK N-CH 30V 86A IRFR3709Z и IRFR3709ZPBF аналог IRFR3709ZTRRPBF
Infineon Труба MOS Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются DPAK N-CH 30V 86A IRFR3709Z и IRFR3709ZTRRPBF аналог IRFR3709ZTRLPBF
Infineon Труба MOS Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются DPAK N-CH 30V 86A IRFR3709Z и IRFR3709ZTRLPBF аналог IRFR3709ZCPBF

IRFR3709Z отечественный анало IRFR3709ZPBF, IRFR3709ZPBF: IRFR3709Z TO-252 N-Channel 30V 86A, IRFR3709ZPBF REEL N-Channel 30V 86A, IRFR3709ZPBF TO-252 N-Channel 30V 86A. IRFR3709Z характеристики и его российские аналоги IRFR3709ZPBF, IRFR3709ZPBF: IRFR3709Z DPAK N-CH 30V 86A, IRFR3709ZPBF DPAK N-CH 30V 86A, IRFR3709ZPBF Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3Pin(2+Tab) DPAK Tube. IRFR3709Z аналоги IRFR3709ZPBF, IRFR3709ZPBF Корпус/Пакет: IRFR3709Z DPAK N-CH 30V 86A, IRFR3709ZPBF DPAK N-CH 30V 86A, IRFR3709ZPBF Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3Pin(2+Tab) DPAK Tube.

In Stock : 82461

Please send RFQ , we will respond immediately.

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

FR3709Z Datasheet PDF — International Rectifier

Part Number FR3709Z
Description IRFR3709Z
Manufacturers International Rectifier 
Logo  

There is a preview and FR3709Z download ( pdf file ) link at the bottom of this page.

Total 11 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

Applications

l High Frequency Synchronous Buck

Converters for Computer Processor Power

l High Frequency Isolated DC-DC

Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
Benefits

l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS

l Ultra-Low Gate Impedance

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current
PD — 94712
IRFR3709Z
IRFU3709Z

HEXFETPower MOSFET

VDSS RDS(on) max Qg

30V 6.5m17nC

D-Pak
IRFR3709Z
I-Pak
IRFU3709Z
Absolute Maximum Ratings
Parameter

VDS Drain-to-Source Voltage

VGS

ID @ TC = 25°C

ID @ TC = 100°C

IDM

PD @TC = 25°C

PD @TC = 100°C

Gate-to-Source Voltage

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation

TJ

TSTG

Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Thermal Resistance
Parameter

RθJC

Junction-to-Case

gÃRθJA Junction-to-Ambient (PCB Mount)

RθJA Junction-to-Ambient

Notes through are on page 11

www.irf.com
Max.
30
± 20

86f

61f

340
79
39
0.53
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.9
50
110
Units
V
A
W
W/°C
°C
Units
°C/W
1
06/23/03

IRFR/U3709Z
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10

25
Limited By Package
50 75 100 125 150
TC , Case Temperature (°C)
175

Fig 9. Maximum Drain Current vs.

Case Temperature
2.5
2.0
1.5
ID = 250µA
1.0
0.5
0.0
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )

Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature

10

1 D = 0.50

0.20
0.10

0.1 0.05

0.02
0.01

0.01 SINGLE PULSE

( THERMAL RESPONSE )
0.001
1E-006
1E-005
0.0001

τJ τJ

τ1 τ1

R1R1

Ci= τiRi

Ci= τiRi

R2R2

τ2 τ2

R3R3 Ri (°C/W) τi (sec)

τCτ 0.810 0.000260

τ3τ3 0.640 0.001697

0.451 0.021259
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.001
0.01
0.1
1
10
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.irf.com
5


Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for FR3709Z electronic component.

Information Total 11 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics Allied Electronics DigiKey Electronics Arrow Electronics
Mouser Electronics Adafruit Newark Chip One Stop

IRFR3709Z (FR3709Z)

Извините, на данный момент, этого товара нет в наличии на складе.

Выберите аналогичный товар как «IRFR3709Z (FR3709Z)» . Рекомендуем начать просмор сайта с главной страницы сайта магазина Dalincom , или с начала каталога Микросхемы . Кроме того, мы стараемся как можно быстрее восполнять складской запас, ожидайте поступление.

Код товара : M-152-7385
Обновление: 2018-08-06
Тип корпуса : TO-252

Что еще купить вместе с IRFR3709Z (FR3709Z) ?

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

Подбор замены для транзистора FR3709Z

При необходимости замены транзистора FR3709Z следует учитывать его технические характеристики и найти аналогичные параметры в других доступных на рынке элементах. Некоторые из таких характеристик включают в себя максимальное напряжение коллектора-эмиттера (VCE), максимальный ток коллектора (IC), коэффициент усиления по току (hFE), и максимальная мощность потери (PD).

Для подбора замены для транзистора FR3709Z можно использовать каталоги производителей или онлайн-поиск аналогов. В каталоге или на сайте необходимо выбрать параметры, соответствующие характеристикам FR3709Z, и найти доступные заменители.

После выбора возможных заменителей следует проанализировать их спецификации и обратить внимание на степень их совместимости с требованиями конкретной схемы или приложения. Рекомендуется также проверить рейтинги и отзывы относительно качества и надежности выбранных заменителей

При выборе замены для транзистора FR3709Z также важно учитывать физические параметры, такие как корпус и расположение выводов, для обеспечения совместимости с существующей печатной платой или монтажным местом

Транзистор VCE (макс), В IC (макс), А hFE (мин), PD (макс), Вт
FR3709Z 450 0.1 40 0.45
Заменитель 1 600 0.15 30 0.6
Заменитель 2 400 0.12 35 0.5
Заменитель 3 500 0.09 45 0.4

В таблице выше представлены некоторые возможные варианты замены для транзистора FR3709Z. При выборе заменителя необходимо учесть все указанные характеристики и подобрать элемент, который наилучшим образом соответствует требуемым параметрам и условиям применения.

Выбор аналогового прибора: сравнение основных характеристик

При выборе аналогового прибора для замены транзистора FR3709Z, необходимо учитывать несколько основных характеристик, которые влияют на его работу и совместимость с существующей схемой.

1

Тип транзистора: обратите внимание на тип транзистора, который вам необходим. Может быть два основных типа: NPN и PNP

Правильно выберите тип, чтобы он соответствовал вашим требованиям и совместим с текущей схемой.

2. Максимальное рабочее напряжение (Vceo): это максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между коллектором и эмиттером при открытом базовом соединении

Обратите внимание, что значение заменяемого транзистора не должно быть меньше, чем у FR3709Z, иначе может возникнуть перегрузка и поломка схемы

3. Максимальный коллекторный ток (Ic): этот параметр указывает на максимальный ток, который транзистор может пропускать через коллектор. Убедитесь, что выбранный аналог имеет такое же или большее значение максимального тока, чем FR3709Z, чтобы не перегружать транзистор и не вызывать его поломку.

4. Бета (hfe): это коэффициент усиления тока транзистора. Он показывает, во сколько раз выходной ток усиливается по сравнению с базовым током. Выберите аналог с близким значением бета, чтобы его работа была сопоставимой с FR3709Z.

5. Температурный диапазон: убедитесь, что выбранный аналогный прибор работает в том же диапазоне температур, что и FR3709Z

Если ваша схема используется в условиях высоких или низких температур, обратите внимание на значения минимальной и максимальной рабочей температуры выбранного прибора

Перед заменой транзистора FR3709Z рекомендуется подробно изучить документацию по замене и ознакомиться с дополнительными характеристиками аналоговых приборов. Это позволит сделать осознанный выбор и обеспечить надежную работу вашей схемы.

Характеристика FR3709Z Аналог №1 Аналог №2
Тип NPN NPN PNP
Vceo (макс.) 60 В 80 В 100 В
Ic (макс.) 1 А 1.5 А 2 А
Бета (hfe) 100-300 150-400 200-500
Температурный диапазон -55°C to 150°C -40°C to 125°C -65°C to 175°C

IRFR3709Z MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFR3709Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 79
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.25
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 86
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 17
nC

Время нарастания (tr): 12
ns

Выходная емкость (Cd): 460
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065
Ohm

Тип корпуса:

IRFR3709Z
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  international rectifier irfr3709zpbf irfu3709zpbf.pdf

PD — 95072AIRFR3709ZPbFIRFU3709ZPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Chara

 ..2. Size:265K  infineon irfr3709zpbf irfu3709zpbf.pdf

PD — 95072AIRFR3709ZPbFIRFU3709ZPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Chara

 ..3. Size:243K  inchange semiconductor irfr3709z.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR3709Z, IIRFR3709ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)6.5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Frequency Synchronous Buck Converters For ComputerProcessor PowerABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PA

 0.1. Size:300K  international rectifier irfr3709zcpbf irfu3709zcpbf.pdf

PD — 96046IRFR3709ZCPbFIRFU3709ZCPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl High Frequency Isolated DC-DC30V 6.5m 17nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Usel Lead-FreeBenefitsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Char

 0.2. Size:846K  cn vbsemi irfr3709ztr.pdf

IRFR3709ZTRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA

 0.3. Size:1012K  cn vbsemi irfr3709zct.pdf

IRFR3709ZCTwww.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFET

 0.4. Size:1606K  cn vbsemi irfr3709zt.pdf

IRFR3709ZTwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETAB

 0.5. Size:243K  inchange semiconductor irfr3709zc.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR3709ZC, IIRFR3709ZCFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)6.5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Frequency Synchronous Buck Converters For ComputerProcessor PowerABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

Другие MOSFET… IRFR3504Z
, IRFR3505
, IRFR3518
, IRFR3607
, IRFR3704Z
, IRFR3707Z
, IRFR3707ZC
, IRFR3708
, K2611
, IRFR3709ZC
, IRFR3710Z
, IRFR3711Z
, IRFR3711ZC
, IRFR3806
, IRFR4104
, IRFR4105Z
, IRFR4615
.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: