Тепловые характеристики транзистора Irf634
Наиболее важными тепловыми характеристиками транзистора Irf634 являются:
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Максимальная температура перегрева (Tj) | 175 °C |
| Тепловое сопротивление корпуса до окружающей среды (RθJA) | 60 °C/W |
| Тепловое сопротивление перехода корпус-распределитель (RθJC) | 4 °C/W |
Максимальная температура перегрева (Tj) указывает на границу, за которой работа транзистора может быть небезопасной. При превышении этой температуры возможны повреждения или снижение производительности транзистора
Поэтому важно следить за температурным режимом при эксплуатации
Тепловое сопротивление корпуса до окружающей среды (RθJA) указывает на способность транзистора отводить тепло от корпуса к окружающей среде. Чем ниже это значение, тем эффективнее транзистор отводит тепло, что помогает предотвратить его перегрев. Тепловое сопротивление перехода корпус-распределитель (RθJC) указывает на способность транзистора передавать тепло от корпуса к распределительной площадке.
Знание тепловых характеристик транзистора Irf634 позволяет правильно рассчитывать проект электронного устройства, учитывая тепловые нагрузки и обеспечивая надежную работу транзистора.
транзистор%20irf630 техническое описание и примечания по применению
Модель ECAD
Производитель
Описание
Загрузить техпаспорт
Купить Часть
BD6047AGUL
РОМ Полупроводник
Тип защиты от отрицательного напряжения ИС защиты от заряда со встроенным полевым транзистором
БМ2П016-З
РОМ Полупроводник
ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ, включая переключающий МОП-транзистор
БМ2П0361К-З
РОМ Полупроводник
ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ со встроенным переключающим полевым МОП-транзистором
BD9B305QUZ
РОМ Полупроводник
Входное напряжение от 2,7 В до 5,5 В, 3,0 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный
БД9Д300МУВ
РОМ Полупроводник
Вход от 4,0 В до 17 В, 3 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный
БМ2П104ЭФ
РОМ Полупроводник
Встроенный полевой МОП-транзистор 730 В, 100 кГц, ШИМ-преобразователь постоянного тока ИС
Подключение IRF3205
Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:
Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.
Подключение к микроконтроллеру
Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:
- Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
- Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
- Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF
Применение и использование
Транзистор Irf634b широко используется в различных электронных устройствах и схемах. Его высокая мощность и низкое сопротивление позволяют его применять в системах с высоким током и напряжением. Вот некоторые области применения данного транзистора:
- Источники питания: благодаря своей высокой мощности, транзистор Irf634b может использоваться в источниках питания для обеспечения стабильного питания электронных устройств.
- Инверторы: данный транзистор может быть использован в различных инверторах для преобразования постоянного тока в переменный ток.
- Усилители мощности: благодаря своей высокой частоте коммутации и низкому сопротивлению, транзистор Irf634b может использоваться в усилителях мощности для усиления сигналов.
- Электронные регуляторы: данный транзистор может быть использован в электронных регуляторах для управления электромоторами и другими электрическими устройствами.
Важно отметить, что использование данного транзистора требует соответствия номинальным значениям напряжения и тока, указанным в его спецификациях
Также следует принимать во внимание тепловые параметры и обеспечивать надлежащее охлаждение, чтобы избежать перегрева и повреждения транзистора
В целом, транзистор Irf634b представляет собой надежный и мощный компонент, который может быть использован в различных электронных схемах и устройствах. Его характеристики и спецификации позволяют достичь высокой производительности и надежности при работе со схемами высокой мощности.
IRF634 electrical specification explanation & application note
Here we explain the electrical specifications of IRF634 MOSFET, this explanation is really useful for a better understanding
Voltage specs
The voltage specifications of IRF634 MOSFET are a drain-to-source voltage is 250V, a gate-to-source voltage is 20V, and gate threshold voltage is 2V and 4V.
The terminal and switching voltage specs of IRF634 MOSFET indicate that it is a higher voltage device that had multiple power-related applications.
Current specs
The current value of IRF634 MOSFET is 8.1A and the pulsed drain current value is 32A, the current specifications of this device show, it is a higher ability to withstand higher loads.
Dissipation specs
The dissipation ability of IRF634 MOSFET is 74W, it is the product of voltage and current transferring at the device.
The power dissipation of this device is mainly depended on the device package.
Junction temperature/storage temperature
The junction temperature/storage of the IRF634 MOSFET is –55 to +150℃, it is the total temperature capacity of the device.
Input capacitance
The input capacitance of IRF634 MOSFET is 770pF, the input capacitance value of the device is very important for circuit application.
Описание и назначение
Irf634b способен справляться с большими токами и высокими напряжениями благодаря своей конструкции и использованию современных технологий. Он обладает низким внутренним сопротивлением и высокой мощностью, что позволяет использовать его в различных электронных схемах, требующих высоких токов и напряжений.
Используя транзистор Irf634b, можно получить высокую частоту коммутации, стабильность работы и надежность. Он обеспечивает быстрое переключение между включением и выключением, что позволяет избежать значительных потерь мощности и сократить время реакции системы.
В целом, транзистор Irf634b представляет собой надежное и производительное решение для различных приложений, где требуются высокие токи и напряжения. Его характеристики и спецификации делают его идеальным выбором для использования в системах управления моторами, источниках питания и других подобных устройствах.
IRF634 vs IRF644 vs IRF034
| Characteristics | IRF634 | IRF644 | IRF034 |
|---|---|---|---|
| Drain to source voltage (VDS)) | 250V | 250V | 60V |
| Gate to source voltage (Vgs) | 20V | 20V | 20V |
| Gate threshold voltage (Vg(th)) | 2 to 4V | 2 to 4V | 2 to 4V |
| Drain current (ID) | 8.1A | 14A | 25A |
| Pulsed drain current | 32A | 56A | 100A |
| Total gate charge (Qg) | 41nC | 60nC | 21 to 47nC |
| Power dissipation (PD) | 74W | 125W | 75W |
| Junction temperature (TJ) | -55 to +150°C | -55 to +150°C | -55 to +150°C |
| Drain to source on-state resistance (RDS) | 0.45Ω | 0.28Ω | 0.050 to 0.058Ω |
| Rise time (tr) | 21ns | 24ns | 110ns |
| Reverse recovery time (trr) | 220 to 440ns | 250 to 500ns | 220ns |
| Input capacitance | 770pf | 1300pf | 1300pf |
| Output capacitance | 190pf | 330pf | 650pf |
| Package | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
IRFS630A Datasheet (PDF)
1.1. irfs630a.pdf Size:508K _samsung
Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 ? Rugged Gate Ox >4.1. irfs634b.pdf Size:858K _upd
November 2001 IRF634B/IRFS634B 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 29 nC) planar, DMOS technology. • Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been especially tailored to �
4.2. irf634b irfs634b.pdf Size:859K _fairchild_semi
November 2001 IRF634B/IRFS634B 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect � 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild�s proprietary, � Low gate charge ( typical 29 nC) planar, DMOS technology. � Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been especially tailored to � Fast switchi
4.3. irfs634a.pdf Size:505K _samsung
Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.45 ? Rugged Gate Ox >
Транзистор полевой КП630 — DataSheet
Перейти к содержимому
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КП630А | IRF630 | |||
| Структура | — | nМОП | |||
| Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП630А | — | 74* | мВт, (Вт*) |
| Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП630А | — | 2…4* | В |
| Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП630А | — | 200 | В |
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). |
UЗИ max | КП630А | — | ±20 | В |
| Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП630А | — | 9(36*) | А |
| Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП630А | 200 В | ≤25* | мкА |
| Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП630А | 50 В; 3.4 А | ≥3800 | мА/В |
| Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП630А | — | 950; 76* | пФ |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзисторапри заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ |
КП630А | — | ≤0.4 | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
| Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП630А | — | — | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
| Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП630А | — | tсп=25 | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
IRF634 specification
- IRF634 is an N-channel POWER MOSFET
- Drain to source voltage (VDS) is 250V
- Gate to source voltage (VGS) is +/- 20V
- Gate to the threshold voltage (VGS (th)) is 2V to 4V
- Drain current (ID) is 1A
- Pulsed drain current (IDM) is 32A
- Power dissipation (PD) is 74W
- Total gate charge (Qg) is 41nC
- Drain to source on-state resistance (RDS (ON)) 045Ω
- Rise time (tr) is 21ns
- Peak diode recovery dv/dt is 8V/ns
- Thermal resistance junction to case (Rth j-C) is 7℃/W
- Junction temperature (TJ) is between -55 to 150℃
- Body diode reverse recovery (trr) 220 to 440ns
- Input capacitance is 770pf
- Output capacitance is 190pf
- Dynamic dv/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirement
Рекомендации по использованию
При использовании транзистора Irf634b рекомендуется обратить внимание на следующие моменты:
1. Требуется соблюдать ограничения по напряжению и току, указанным в техническом описании. При превышении допустимых значений, транзистор может выйти из строя.
2. Рекомендуется использовать реальные тепловые расчеты для определения требуемой системы охлаждения. Превышение допустимой температуры может привести к снижению производительности и повреждению транзистора.
3
При монтаже транзистора важно соблюдать правильную полярность. Неправильное подключение может привести к поломке устройства и возникновению короткого замыкания
4. Для минимизации магнитных помех рекомендуется применять устойчивые к высоким частотам дроссели и конденсаторы. Такие элементы помогут уменьшить влияние электромагнитных помех на работу транзистора.
5. Рекомендуется использовать транзистор в соответствии с рекомендациями производителя в конкретном приложении. Производитель может предоставить дополнительную информацию по оптимальной работе транзистора в различных ситуациях.
6
При работе с транзистором рекомендуется соблюдать все меры предосторожности, указанные в техническом описании и в инструкциях по безопасности
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 700 В |
| Максимальный ток коллектора | 9 А |
| Максимальная мощность потерь | 125 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер | Варьируется в зависимости от условий работы |