Irf3710 mosfet datasheet, pinout, features & applications

Irf3710 mosfet datasheet, pinout, features & applications - the engineering projects

Основные параметры

Для определения возможности использования транзистора irf 3205 в своем проекте необходимо изучить его технические характеристики. Они указываются в техническом описании (даташит) от производителя. Основные параметры изготовители представляют в двух таблицах, с наименование: абсолютные максимальные рейтинги и электрические характеристики.

Абсолютные максимальные рейтинги

Абсолютные максимальные рейтинги определяют предельные значения напряжений, тока, рассеиваемой мощности и рабочей температуры, которые способен выдержать полупроводниковый прибор в различных условиях эксплуатации. Надо знать, что эти величины устройство способно выдержать, но это не значит, что возможна его эксплуатация при таких значениях. Использование устройства на максимальных параметрах однозначно приведет к выходу его из строя. У irf3205 следующие максимальные параметры:

Необходимо внимательней отнестись к этим значениям. Иногда производители хитрят и указывают не применимые на практике величины. Так, максимальный заявленный ток стока (ID) у irf3205, указанный в первой строке таблицы, равен 110 A. Однако можно сказать, что это значение не более чем рекламный ход изготовителя, способствующий возможным продажам. Кристалл рассматриваемого прибора действительно может выдержать такой ID, но не корпус ТО-220 в который он заключен, ограниченный током 75 А. Об этих ограничениях в применении производитель указывает только в конце таблицы.

Электрические характеристики

В таблица электрических характеристик все параметры проверены производителем с учетом условий измерений, указных в столбце с соответствующим названием. Они проверяются при температуре окружающей среды менее 25 градусов. У данного устройства они следующие при TJ = 25 °C:

Тепловые параметры

Рассмотрим тепловые параметры irf3205. Они представлены в виде тепловых сопротивлений корпус-кристалл (RθJC=0.75°C /Вт)и кристалл-окружающая среда (RθJA=62°C /Вт).  Для большинства современных полевых МОП-транзисторов RθJA определяется в первую очередь размещением элементов на печатной плате, а не самим полевым МОП-транзистором. Поэтому RθJA имеет меньшее значение для оценки тепловых характеристик, чем RθJC.

Маркировка

Первые символы маркировки указывают на изготовителя — International Rectifier (IR). Однако, так как транзистор выпускается очень давно (примерно с 2000 г.), выпуск его копии наладили и другие компании. Обновленные, безсвинцовые версии, размещенные в другом корпусе, содержат в конце маркировки символ “Z”: irf3205z (TO-220AB), irf3205zs (D2Pak), irf3205zl (TO262). Встречающиеся иногда символы «PbF» в конце , так же указывают на наличие безсвинцовой технологии изготовления.

Замена и аналоги

Аналог irf3205 можно подобрать из: BUK7508-55 (Philips), BUZ111S (Infineon), HRF3205 (Fairchild), HUF75343P3 (Fairchild, Intersil), 2SK2985 (Toshiba), MTP75N05 (ON Semiconductor), 2SK2985 (Toshiba), STP80NE06 (STMicroelectronics), SUB75N06, IRFD120 (Vishay). Полным отечественным аналогом является КП783A.

Схема подключения транзистора IRF3710

Схема подключения транзистора IRF3710 представляет собой основные элементы, необходимые для его работы. Она включает в себя следующие компоненты и соединения:

  1. Транзистор IRF3710, который является центральным элементом схемы. Он должен быть подключен с помощью трех основных выводов: исток (S), сток (D) и затвор (G).
  2. Источник питания, который обеспечивает напряжение необходимое для работы транзистора IRF3710. Обычно это переменное или постоянное напряжение, которое подключается к выводам истока и стока.
  3. Нагрузка, к которой подключается транзистор для передачи сигнала или управления. Это может быть различные устройства, такие как лампы, моторы или другие электронные компоненты.
  4. Резисторы и емкости, которые используются для установки определенных параметров работы транзистора. Например, для создания полярности затвора и для стабилизации тока через транзистор.
  5. Провода и соединения, которые обеспечивают электрическую связь между всеми компонентами схемы.

Схема подключения транзистора IRF3710 может быть различной в зависимости от конкретного применения или задачи, для которых он используется

Важно следовать рекомендациям производителя и правильно расположить компоненты, чтобы обеспечить надлежащую работу транзистора. При необходимости рекомендуется обратиться к документации и схемам, предоставленным производителем или специалистами в области электроники

Цоколевка транзистора IRF3710: подключение и монтаж

Транзистор IRF3710 имеет стандартную цоколевку в соответствии с типом TO-220AB. Это означает, что транзистор может быть легко подключен и монтирован на печатную плату без необходимости специальных инструментов или навыков.

Цоколевка транзистора IRF3710 состоит из трех выводов: двух входных выводов и одного выходного вывода. Номера выводов обычно указываются на корпусе транзистора или в его технической документации.

Для правильного подключения транзистора IRF3710 необходимо подключить входные выводы к источнику управляющего сигнала. Обычно входные выводы обозначаются символами «G» и «S», где «G» обозначает гейт (Gate), а «S» – исток (Source). Выходной вывод, обозначаемый символом «D» (Drain), необходимо подключить к нагрузке или другому устройству, с которым транзистор должен взаимодействовать.

При монтаже транзистора на печатную плату необходимо обратить внимание на тепловое сопротивление корпуса транзистора. Чтобы обеспечить надежное отвод тепла, рекомендуется использовать тепловые радиаторы или специальные термопрокладки, которые помогут предотвратить перегрев транзистора

При монтаже транзистора на печатную плату необходимо следовать стандартным инструкциям по монтажу электронных компонентов. При монтаже необходимо убедиться, что выводы транзистора правильно выровнены с отверстиями на печатной плате и что они хорошо припаяны. Также рекомендуется использовать дополнительные элементы крепления, такие как винты или стойки, для обеспечения надежной фиксации транзистора.

Важно помнить, что монтаж и подключение транзистора IRF3710 требуют соблюдения правил безопасности. Необходимо использовать защитные средства, такие как перчатки и очки, чтобы предотвратить возможные травмы при работе с электронными компонентами

Также рекомендуется проводить проверку правильности подключения перед подачей питания на монтаж.

Преимущества и недостатки транзистора IRF3710

Преимущества:

  • Высокая мощность: IRF3710 способен работать с высокими токами и напряжениями, что позволяет использовать его в мощных устройствах.
  • Низкое внутреннее сопротивление: транзистор имеет низкое Rds(on) – сопротивление канала при замкнутом состоянии, что обеспечивает низкую потерю напряжения на транзисторе и хорошую эффективность.
  • Высокая скорость коммутации: IRF3710 обладает высокой скоростью открытия и закрытия, что позволяет использовать его в схемах с высокими частотами.
  • Низкий уровень переключающих потерь: транзистор хорошо справляется с нагрузкой и имеет высокий КПД благодаря низким потерям во время переключения.
  • Высокая надежность: IRF3710 прошел обширные испытания и отвечает требованиям стандартов качества, что гарантирует его долгий и надежный срок службы.

Недостатки:

  • Высокая стоимость: по сравнению с некоторыми другими транзисторами, IRF3710 может быть более дорогим в приобретении.
  • Относительно большие габариты: из-за высокой мощности, транзистор может иметь более крупные размеры, что может быть неудобно в некоторых случаях.
  • Требует рассеивание тепла: из-за высокой мощности, IRF3710 может генерировать большое количество тепла, поэтому необходимо обеспечить эффективное охлаждение.

В целом, транзистор IRF3710 обладает рядом преимуществ, которые делают его популярным в различных схемах, но также имеет некоторые недостатки, которые следует учитывать при использовании.

In Stock: 315890

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

IRF3710 Datasheet PDF — International Rectifier

Part Number IRF3710
Description Power MOSFET ( Transistor )
Manufacturers International Rectifier 
Logo  

There is a preview and IRF3710 download ( pdf file ) link at the bottom of this page.

Total 8 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

PD — 91309C

l Advanced Process Technology

l Ultra Low On-Resistance

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

l Fully Avalanche Rated

IRF3710

HEXFETPower MOSFET

D VDSS = 100V

RDS(on) = 23mΩ

G

ID = 57A

S
Description

Advanced HEXFETPower MOSFETs from International Rectifier utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance
per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known
for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for
use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial
applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low
thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide
acceptance throughout the industry.
TO-220AB
Absolute Maximum Ratings

ID @ TC = 25°C

ID @ TC = 100°C

IDM

PD @TC = 25°C

VGS

IAR

EAR

dv/dt

TJ

TSTG

Parameter

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
Thermal Resistance

RθJC

RθCS

RθJA

Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
www.irf.com
Max.
57
40
230
200
1.3
± 20
28
20
5.8
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf•in (1.1N•m)
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
0.75
–––
62
Units
A
W
W/°C
V
A
mJ
V/ns
°C
Units
°C/W
1
09/15/09

IRF3710
60
50
40
30
20
10

25 50 75 100 125 150 175

TC , Case Temperature

( °C)

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

Case Temperature
1

VDS

VGS

RG

RD

D.U.T.

VGS

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

+-VDD

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

VDS

90%
10%

VGS

td(on) tr

td(off) tf

Fig 10b. Switching Time Waveforms

D = 0.50
0.20
0.1 0.10
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
0.0001
0.001
0.01

t1, Rectangular Pulse Duration (sec)

P DM

t1

t2

Notes:
1. Duty factor D =

t1/ t 2

2. Peak T J = P DM x Z thJC

+TC

0.1

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.irf.com
1
5


Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRF3710 electronic component.

Information Total 8 Pages
Link URL
Product Image and Detail view 1. Vdss=100V, Power MOSFET — IRF
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics Allied Electronics DigiKey Electronics Arrow Electronics
Mouser Electronics Adafruit Newark Chip One Stop

Технические характеристики транзистора Irf3710

Мощность: Irf3710 может работать при максимальной мощности до 54 Вт.

Ток: Максимальный постоянный ток, который может протекать через транзистор, составляет 57 А.

Напряжение: Максимальное рабочее напряжение для Irf3710 составляет 100 В.

Сопротивление канала: значение сопротивления канала указывает, насколько хорошо ток проходит через транзистор, и оно равно 23 мОм.

Температурный диапазон: Irf3710 может работать при температуре от -55°C до +175°C, что позволяет использовать его в широком спектре приложений.

Управляющее напряжение: Для управления транзистором требуется низкое напряжение в диапазоне от 4,5 до 5,5 В.

Эти характеристики делают транзистор Irf3710 привлекательным для широкого спектра применений, включая силовую электронику, автомобильную промышленность и промышленную автоматизацию.

Преимущества транзистора Irf3710

1. Высокая производительность: Транзистор Irf3710 характеризуется высокими показателями электрической мощности и тока, что позволяет использовать его в широком спектре приложений. Он способен выдерживать значительные нагрузки без потери производительности.

2. Низкое сопротивление: Транзистор Irf3710 обладает низким внутренним сопротивлением, что приводит к малым потерям энергии и эффективной передаче тока в системе. Это позволяет снизить нагрев транзистора и повысить его долговечность.

3. Предельные рабочие параметры: Транзистор Irf3710 имеет широкий диапазон рабочих параметров, что позволяет использовать его в различных условиях эксплуатации. Он способен выдерживать высокие напряжения и токи, что делает его идеальным решением для требовательных приложений.

4. Устойчивость к перегрузкам: Благодаря своей конструкции и качественным материалам, транзистор Irf3710 обладает высокой степенью устойчивости к перегрузкам и предотвращает возможные повреждения или выход из строя при длительной работе под значительной нагрузкой.

5. Хорошая коммутационная способность: Транзистор Irf3710 обладает высокой коммутационной способностью, что означает его способность переключаться между включенным и выключенным состоянием быстро и эффективно. Это позволяет использовать его в приложениях, где требуется точное управление электрическим током.

6. Широкое применение: Транзистор Irf3710 широко используется в различных областях, таких как индустрия, электроника, автомобильная промышленность и т.д. Благодаря своим преимуществам, он является надежным и эффективным компонентом системы управления и мощности.

Все эти преимущества делают транзистор Irf3710 популярным и востребованным компонентом в различных сферах применения, где требуется надежность, высокая производительность и долговечность.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: