Транзистор tip41c

TIP41C Аналоги

образ

модель

Производители

Название продукта

Тип

описание

PDF

сравнить

TIP41CG

TO-220 NPN 100V 6A 2000mW

ON Semiconductor

Двухполюсный плоскостной транзистор

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

TO-220AB NPN 100V 6A

TIP41C и TIP41CG аналог

TIP41C

TO-220 NPN 100V 6A 65000mW

ST Microelectronics

Двухполюсный плоскостной транзистор

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

Trans GP BJT NPN 100V 6A 65000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube

TIP41C и TIP41C аналог

TIP147T

TO-218 PNP 100V 10A 90000mW

ST Microelectronics

Двухполюсный плоскостной транзистор

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

Trans Darlington PNP 100V 10A 90000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube

TIP41C и TIP147T аналог

TIP36C

TO-218 PNP -100V -25A 125000mW

ST Microelectronics

Двухполюсный плоскостной транзистор

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

Trans GP BJT PNP 100V 25A 125000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

TIP41C и TIP36C аналог

TIP107

TO-220 PNP 100V 8A 2000mW

ST Microelectronics

Двухполюсный плоскостной транзистор

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

Trans Darlington PNP 100V 8A 2000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube

TIP41C и TIP107 аналог

BD242B

TO220AB 2000mW

ST Microelectronics

Двухполюсный плоскостной транзистор

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

Trans GP BJT PNP 80V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220

TIP41C и BD242B аналог

TIP125

TO-220 PNP 65W

Multicomp

Двухполюсный плоскостной транзистор

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

MULTICOMP TIP125 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, -60V, 65W, -5A, 1000

TIP41C и TIP125 аналог

TIP127

NTE Electronics

Дискретное устройство

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

t-Pnp Si- Po Darlington

TIP41C и TIP127 аналог

BD678

SIP

Continental Device

транзистор характеристики

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

40W Darlington PNP Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 4A Ic, 750 hFE. Complementary BD677

TIP41C и BD678 аналог

BD680

Continental Device

Аналогичная функция

Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными

40W Darlington PNP Plastic Leaded Transistor. 80V Vceo, 4A Ic, 750 hFE. Complementary BD679

TIP41C и BD680 аналог

Характеристики

Транзистор TIP41c характеризуются следующими предельно допустимыми значениями, при температуре корпуса  (T_C) не более 25 оC:

• Напряжение между коллектором базой (V_CBO) не должно быть больше – 100 В.
• Напряжение между коллектором и эмиттером (V_CEO) должно быть менее – 100 В.
• Максимально возможное напряжение между эмиттером и базой (V_EBO) – 5 В.
• Постоянный (DC) предельный ток коллектора (I_C) – 6 А.
• Кратковременный (импульсный) допустимый ток коллектора (I_CP) – 10 A.
• Минимальная граничная частота (F_T) до 3 МГц.
• Ток базы (I_B) – 2 А.
• Максимальная мощность рассеиваемая на коллекторе (P_C) – 65 Вт, или 2 Вт (при T_окр.ср. =25 оC).
• Максимальная температура перехода (T_J) – 150 о
• Диапазон рабочих температур (T_STG) от -65 до +150 о

В спецификациях различных производителей его параметры обычно приводятся вместе с братьями-близнецами TIP41A и TIP41B. Они отличаются от рассматриваемого, только более низкими предельно допустимыми значениями пропускаемых напряжений. В остальном являются его полной копией.

Электрические

За превышение вышеприведенных предельных значений придется расплачивается покупкой нового устройства. Обобщенные электрические характеристики TIP41C, представлены в следующей таблице. Они так же приведены с учетом T_C не превышающей 25 оC:

Главные характеристики irfz44n

Полный список параметров транзистора не приведен в даташит, поскольку он может потребоваться лишь специалистам по разработке. Большинству даже опытных пользователей нужно знать лишь часть характеристик для включения irfz44n устройства в различные электронные схемы.

При температуре не более 25 градусов транзистор имеет следующие ключевые параметры:

1. Наибольшее напряжение стока-истока — 55 Вольт.
2. Наибольший ток стока — 49 Ампер.
3. Сопротивление проводного канала стока-истока — 5 микроОм.
4. Рассеивающаяся мощность — 94 Ватт.

В ряде технических описаний наименование mosfet irfz44n транзистора с изоляцией затвора начинается с аббревиатуры МДП, что обозначает:

1. Металл.
2. Диэлектрик.
3. Полупроводник.

У этих устройств может быть 2 вида каналов:

• встроенный;
• индуцированный.

Эти полупроводниковые приборы обладают затвором, разделенным с кремниевой подложкой тончайшей прослойкой диэлектрического материала. Его толщина около 0,1 мкм.

Технические характеристики

Рассмотрим предельно допустимые характеристики TIP41C, которые производители размещают в начале своей технической документации. Они важны, так как от них зависит, при каких рабочих параметрах будет работать транзистор, а при их превышении он может выйти из строя. Для рассматриваемого устройства, при температуре 25°С, они равны:

• напряжение К-Б не больше – 100 В;
• напряжение К-Э не больше – 100 В;
• напряжение Э-Б не больше – 5 В;
• ток коллектора не больше – 6 А;
• импульсный ток коллектора не больше – 10 a
• ток базы не больше – 2 А;
• мощность, рассеиваемая на коллекторе с теплоотводом– 65 Вт;
• мощность, рассеиваемая на коллекторе без теплоотвода– 2 Вт;
• температура кристалла не более – 150°C;
• Диапазон рабочих температур: -65°C … +150°C.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических параметров TIP41C. От них зависит, для чего можно использовать транзистор. При их измерении важную роль играют условия тестирования, поэтому они были вынесены в отдельную колонку таблицы. Температура, при которых производились измерения, стандартная +25°С.

При проектировании мощных устройств, которые выделяют большое количество тепла, нужно знать тепловые характеристики транзистора. Они характеризуют способность рассеивать энергию в окружающую среду. Чем быстрее они её выделяют тем меньше будет греться TIP41C и тем в более мощных схемах его можно будет устанавливать.