Чем заменить транзистор tip31

Дешевые аналоги транзистора TIP31 для замены

Один из популярных дешевых аналогов транзистора TIP31 – это транзистор TIP41. Он имеет похожие характеристики и может использоваться в таких же цепях. TIP41 также является мощным транзистором, который способен переключать большие токи и обеспечивает стабильную работу.

Еще одним дешевым аналогом транзистора TIP31 является транзистор TIP41C. Этот транзистор имеет немного иные характеристики, но все равно может быть использован вместо TIP31. TIP41C хорошо подходит для управления нагрузкой или создания усилителя мощности.

Также, можно обратить внимание на транзисторы TIP29C и TIP29, которые являются дешевыми аналогами TIP31. Они имеют схожие характеристики и могут использоваться в подобных цепях

TIP29C и TIP29 также являются мощными транзисторами, их можно использовать для управления различными нагрузками.

Замена транзистора TIP31 дешевыми аналогами может быть удобным решением, если нужно срочно найти или использовать доступные компоненты. Однако, перед заменой следует учитывать различия в характеристиках и провести необходимые просчеты, чтобы убедиться в совместимости аналогов и обеспечить надежную работу электронного устройства.

Аналоги и альтернативы транзистора tip31

TIP31 это полевой эффектный транзистор (ПЭТ), предназначенный для усиления и коммутации сигналов в электронных схемах. Однако, в случае, если требуется заменить или найти альтернативу для TIP31, можно рассмотреть некоторые другие варианты.

TIP32 – парный транзистор к TIP31, имеющий противоположную полярность и обратные параметры. Если ТИП31 является npn транзистором, то ТИП32 — pnp транзистор.

TIP122 — это коммутационный транзистор с интегрированной базовым резистором. Его основное назначение — коммутация больших токов и усиление. TIP122 имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер в 100V и максимальный ток коллектора около 5A.

2N3055 – этот транзистор также является коммутационным, работает как npn переключатель точно так же, как TIP31. Применяется в схемах усиления и имеет высокий ток переключения и высокую мощность.

BD139 – пример альтернативы, который имеет общение параметры с TIP31 и может успешно заменить его в различных электронных схемах. BD139 представляет собой высокоскоростной низковольтный npn транзистор, часто используемый для усиления и коммутации.

2SC5200 – это большой мощный коммутационный транзистор, который может быть альтернативой TIP31 в схемах с высокой мощностью или когда требуется работа с большими токами.

Приведенные транзисторы являются лишь примерами аналогов и альтернатив транзистора TIP31, и выбор конкретного заменителя зависит от требуемых параметров и условий применения.

Рекомендации по замене транзистора tip31

Перед заменой транзистора tip31 на аналог или альтернативу, необходимо учесть требования и характеристики конкретной электронной схемы. Перед началом работ, рекомендуется обратиться к документации и консультациям специалистов.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Технология изготовления биполярных транзисторов.

Технология изготовления транзисторов ни чем не отличается от технологии изготовления диодов. Еще в начальный период развития транзисторной техники биполярные транзисторы делали только из германия методом вплавления примесей, и такие транзисторы называют сплавными.

Берется кристалл германия и в него вплавляются кусочки индия.Атомы индия диффузируют (проникают) в тело кристалла германия, образуя в нем две области p-типа – коллектор и эмиттер. Между этими областями остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника n-типа, которую именуют базой. А чтобы защитить кристалл от влияния света и механического воздействия его помещают в металлостеклянный, металлокерамический или пластмассовый корпус.

На картинке ниже показано схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора, собранного на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу диска – ее наружный проволочный вывод.

Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проводникам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Металлический колпак защищает прибор от влияния света и механических повреждений. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные германиевые транзисторы из серии МП37 — МП42.

В обозначении буква «М» говорит, что корпус транзистора холодносварной, буква «П» — это первая буква слова «плоскостной», а цифры означают порядковый заводской номер транзистора. Как правило, после заводского номера ставят буквы А, Б, В, Г и т.д., указывающие на разновидность транзистора в данной серии, например, МП42Б.

С появлением новых технологий научились обрабатывать кристаллы кремния, и уже на его основе были созданы кремниевые транзисторы, получившие наиболее широкое применение в радиотехнике и на сегодняшний день практически полностью вытеснившие германиевые приборы.

Кремниевые транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 125ºС), имеют меньшие обратные токи коллектора и эмиттера, а также более высокие пробивные напряжения.

Основным методом изготовления современных транзисторов является планарная технология, а транзисторы, выполненные по этой технологии, называют планарными. У таких транзисторов p-n переходы эмиттер-база и коллектор-база находятся в одной плоскости. Суть метода заключается в диффузии (вплавлении) в пластину исходного кремния примеси, которая может находиться в газообразной, жидкой или твердой фазе.

Как правило, коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного кремния, на поверхность которой вплавляют близко друг от друга два шарика примесных элементов. В процессе нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластину кремния.

При этом один шарик образует в пластине тонкую базовую область, а другой эмиттерную. В результате в пластине исходного кремния образуются два p-n перехода, образующие транзистор структуры p-n-p. По такой технологии изготавливают наиболее распространенные кремниевые транзисторы.

Также для изготовления транзисторных структур широко используются комбинированные методы: сплавление и диффузия или сочетание различных вариантов диффузии (двусторонняя, двойная односторонняя). Возможный пример такого транзистора: базовая область может быть диффузионная, а коллектор и эмиттер – сплавные.

Использование той или иной технологии при создании полупроводниковых приборов диктуется различными соображениями, связанными с техническими и экономическими показателями, а также их надежностью.

Распиновка

Цоколевка для всей серии КТ815 одинаковая. Транзистор широко распространен в пластиковом корпусе для дырочного монтажа — КТ-27 (зарубежный аналог ТО-126). Если смотреть на его цифро-буквенное обозначение, то первая ножка слева — этоэмиттер (Э), вторая – коллектор (К), третья –база (Б). Для крепления к теплоотводу имеется отверстие (3 мм). Масса таких изделий не превышает 1 грамма.

Данный транзистор также встречается для поверхностного монтажа КТ-89 (он же импортный DPAK). В данном решении он имеет следующую распиновку – Б.К.Э. (коллектор сверху). Сейчас это редкость, выпускается исключительно в Белоруссии на предприятиях ОАО «ИНТЕГРАЛ».

Вывод коллектора у данных электронных компонентов, в обоих типах корпусов (КТ-27 и КТ-89), имеет сзади небольшое металлическое основание для соединения с радиатором. Его можно увидеть, если посмотреть на изделие с обратной стороны.

Расширенный список дешевых аналогов TIP31

Вот некоторые альтернативы TIP31, которые могут быть использованы вместо него:

STP31: Это недорогой аналог TIP31, который обеспечивает аналогичные электрические характеристики. Он имеет высокий коэффициент усиления и способен работать с большими токами.

BD135: Этот аналог имеет похожие параметры и может выдерживать высокие токи. BD135 также имеет низкую цену, что делает его привлекательным выбором для замены TIP31.

2N3055: Хотя 2N3055 является старым типом транзистора, он по-прежнему широко доступен и может быть использован вместо TIP31. Этот аналог обладает высоким коэффициентом усиления и способен работать с высокими токами.

MJ2955: Этот аналог является комплементарным к TIP31 и может использоваться вместе с ним. MJ2955 также имеет аналогичные электрические характеристики и может выдерживать высокие токи.

Важно отметить, что при замене TIP31 на аналог необходимо учесть технические параметры и характеристики заменяемого транзистора, чтобы убедиться, что аналог соответствует требованиям и спецификациям приложения

TIP3055 Datasheet (PDF)

1.1. tip3055r.pdf Size:104K _motorola

Order this document MOTOROLA by TIP3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN TIP3055 Complementary Silicon Power PNP TIP2955 Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4.0 Adc 15 AMPERE � Collector�Emitter Saturation Voltage � VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc IIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIII POWER TRANSISTO

TIP2955 TIP3055 Complementary power transistors Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN – PNP transistors Applications � General purpose � Audio Amplifier 3 2 1 Description TO-247 The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications. Figure 1. Internal schematic diagr

TIP3055 (NPN), TIP2955 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors Designed for general-purpose switching and amplifier applications. http://onsemi.com Features � DC Current Gain – 15 AMPERE hFE = 20 – 70 @ IC POWER TRANSISTORS = 4.0 Adc COMPLEMENTARY SILICON � Collector-Emitter Saturation Voltage – 60 VOLTS, 90 WATTS VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc � Excellent Safe

1.4. tip3055.pdf Size:82K _bourns

TIP3055 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ? Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE TIP2955 Series (TOP VIEW) ? 90 W at 25�C Case Temperature B 1 ? 15 A Continuous Collector Current C 2 ? Customer-Specified Selections Available 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRAAA absolute maximum ratings at 25�C case temperature (unless otherwise noted) RAT

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company POWER TRANSISTORS TIP2955F PNP TIP3055F NPN TO- 3P Fully Isolated Plastic Package B C E Designed for General Purpose Switching and Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage VCEO 60 V Collector-Emitter Voltage VCER 70 V Collector-Bas

1.7. tip3055.pdf Size:142K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION Ў¤ With TO-3PN package Ў¤ Complement to type TIP2955 Ў¤ 90 W at 25°C case temperature Ў¤ 15 A continuous collector current APPLICATIONS Ў¤ Designed for general­purpose switching and amplifier applications. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION TIP3

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Описание

NPN 70V, 15A, 90W (Comp. TIP2955)

Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 15 А, 90 Вт

Транзистор 2N3055 – мощный биполярный транзистор n-p-n типа, который может быть использован в различных устройствах: в источниках питания, в аудио усилителях, в схемах переключения и т.д. В данной статье приведены его подробные электрические характеристики в соответствии с документацией производителя «ON Semiconductor».

Лучшие аналоги транзистора tip31

Среди лучших аналогов транзистора tip31 можно выделить:

• BUT31 — этот транзистор имеет схожие характеристики с tip31, такие как максимальная рабочая температура, максимальное напряжение коллектор-эмиттер и ток коллектора. Он также доступен в том же корпусе TO-220.
• 2N3055 — этот транзистор имеет более высокие значения максимального напряжения коллектор-эмиттер и тока коллектора, что делает его подходящим для более мощных приложений. Он также широко доступен и имеет популярный корпус TO-3.
• MJ15003 — эти транзисторы являются мощными аналогами tip31. Они имеют высокие значения максимального тока коллектора и максимального напряжения коллектор-эмиттер, что позволяет использовать их в схемах с большими мощностями.
• MJE13003 — этот транзистор имеет схожие характеристики с tip31 и, как и предыдущий аналог MJ15003, обладает высокими значениями максимального тока коллектора и максимального напряжения коллектор-эмиттер.

Выбор аналога транзистора tip31 зависит от конкретных потребностей и требований к приложению. При замене следует учитывать не только электрические характеристики, но и физические параметры, такие как тип корпуса и расположение выводов.