Как отличить стабилизационный диод от обычного полупроводника
Очень часто люди задаются вопросом, как можно отличить стабилитрон от стандартного полупроводника, ведь, как мы выяснили раньше, оба этих элемента имеют практически идентичное обозначение на электросхеме и могут выполнять схожие функции. Самым простым способом отличить стабилизационный полупроводник от обычного является использование схемы приставки к мультиметру. С его помощью можно не только отличить оба элемента друг от друга, но и выявить напряжение стабилизации, которое характерно для данного смд (если оно, конечно, не превышает 35В). Схема приставки мультиметра является DC-DC преобразователем, в которой между входом и выходом имеется гальваническая развязка. Эта схема имеет следующий вид:
Схема приставки мультиметра
В ней генератор с широтно-импульсной модуляцией выполняется на специальной микросхеме МС34063, а для создания гальванической развязки между измерительной частью схемы и источником питания контрольное напряжение следует снимать с первичной обмотки трансформатора. Для этой цели имеется выпрямитель на VD2. При этом величина для выходного напряжения или тока стабилизации устанавливается путем подбора резистора R3. На конденсаторе С4 происходит выделение напряжения примерно в 40В. При этом проверяемый смд VDX и стабилизатор для тока А2 будут формировать параметрический стабилизатор. Мультиметр, который подключили к выводам Х1 и Х2, будет измерять на данном стабилитроне напряжение. При подключении катода к «-«, а анода к «+» диода, а также к несимметричному смд мультиметра, последний покажет незначительное напряжение. Если подключать в обратной полярности (как на схеме), то в ситуации с обычным полупроводником прибор будет регистрировать напряжение около 40В.
Здесь трансформатор Т1 будет намотан на торообразном ферритовом сердечнике с внешним диаметром в 23 мм. Такая обмотка 1 будет содержать 20 витков, а вторая обмотка — 35 витков провода ПЭВ 0,43
При этом важно при намотке укладывать виток к витку. Следует помнить, что первичная обмотка идет на одной части кольца, а вторая – на другой. Проводя настройку прибора, подключите резистор вместо smd VDX
Этот резистор должен иметь номинал 10 кОм. А сопротивление R3 нужно подбирать для того, чтобы добиться напряжения в 40В на конденсаторе С4 Вот так можно выяснить, стабилитрон у вас или обычный диод
Проводя настройку прибора, подключите резистор вместо smd VDX. Этот резистор должен иметь номинал 10 кОм. А сопротивление R3 нужно подбирать для того, чтобы добиться напряжения в 40В на конденсаторе С4 Вот так можно выяснить, стабилитрон у вас или обычный диод.
Технические характеристики
Приведем технические характеристики на транзистор TIP122. Основными для данного устройства считаются:
- Предельное напряжение между коллектором и эмиттером — 100 В;
- Максимальное напряжение между коллектором и базой — 100 В;
- Допустимое напряжение между эмиттером и базой — 5 В;
- Рассеиваемая мощность до 65 Вт;
- Коэффициент усиления по току (hfe) от 1000;
- Максимальный ток коллектора — 8 А;
- Диапазон рабочих температур -65…+160 0 С, у кристалла до 150 0 С.
Электрические
При проектировании схем с транзистором TIP122 нужно учитывать, что прибор не должен работать в условиях, превышающих рекомендуемые производителем. Длительное воздействие напряжений, выше этих значений, может отрицательно сказаться на работоспособности устройства. Ниже, в таблице, приведены его электрические параметры для температуры 25 0 С.
Обязательно обращайте внимание на температурные показатели
Встречное, параллельное, последовательное соединение стабилитронов
Для повышения напряжения стабилизации можно последовательно соединять два и более стабилитрона. Например на нагрузке нужно получить 17 В, тогда, в случае отсутствия нужного номинала, применяют опорные диоды на 5,1 В и на 12 В.
Параллельное соединение применяется с целью повышения тока и мощности.
Также стабилитроны находят применение для стабилизации переменного напряжения. В этом случае они соединяются последовательно и встречно.
В один полупериод переменного напряжения работает один стабилитрон, а второй работает как обычный диод. Во второй полупериод полупроводниковые элементы выполняют противоположные функции. Однако в таком случае форма выходного напряжения будет отличается от входного и выглядит как трапеция. За счет того, что опорный диод будет отсекать напряжение, превышающее уровень стабилизации, верхушки синусоиды будут срезаться.
Аналоги
Для замены могут подойти кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные транзисторы предназначенные для работы в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, переключающих устройствах, преобразователях постоянного напряжения и других схемах аппаратуры общего назначения.
Отечественное производство
| Тип | PC Ta=25°C//Tc=25°C | UCB | UCE | UEB | IC/ICM | TJ | hFE | fT | Cob | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус | Примечания |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 13009 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,4/7,0/0,4 | TO220 | |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6/8 | 150 | 10…60 | ≥ 8 | — | ≤ 0,6 | 0,2/3,5/0,6 | КТ-9 | (ТО3) |
| КТ840Б | 750 | 350 | ≥ 10 | — | |||||||||
| КТ840В | 800 | 375 | 10…100 | ||||||||||
| КТ841А, В | 50 | 600 | 350 | 5 | 10/15 | 150 | ≥ 20 | ≥ 10 | 300 | ≤ 1,6 | 0,08/1,0/0,5 | — | — |
| КТ854А | 60 | 600 | 500 | 5 | 10/15 | 150 | ≥ 20 | ≥ 10 | 102 | ≤ 2,0 | — | КТ-28-2 | (ТО220АВ) |
| КТ856А | 50 | 800 | 800 | 5 | 10/12 | 150 | 10…60 | ≥ 10 | ≤ 100 | ≤ 1,5 | — | КТ-9 | (ТО3) |
| КТ856Б | 600 | 600 | — | ||||||||||
| 2Т856А | 125 | 950 | 950 | 5 | 10/12 | — | ≤ 60 | — | — | ≤ 1,5 | -/-/0,5 | КТ-9 | (ТО3) |
| 2Т856Б | 750 | 750 | — | — | — | ||||||||
| 2Т856В | 550 | 550 | — | — | — | ||||||||
| 2Т856Г | 850 | 850 | — | — | — | ||||||||
| КТ868А | 70 | 900 | 400 | 5 | 6/8 | 150 | 10…60 | ≥ 8 | ≤100 | ≤ 1,5 | — | КТ-9 | (ТО3) |
| КТ868Б | 750 | 375 | 10…100 | — | |||||||||
| КТ8107А | 100 | 1500 | — | 5 | 8/15 | — | ≥ 2,25 | ≥ 7 | — | ≤ 1,0 | -/3,5/0,5 | КТ-9 | (ТО3) |
| КТ8107Б | 125 | 1500 | — | 5 | 5/7,5 | — | ≥ 2,25 | — | ≤ 3,0 | ||||
| КТ8107В | 50 | 1500 | — | 5 | 5/8 | — | 8…12 | — | ≤ 1,0 | ||||
| КТ8107Г | 100 | 1500 | — | 6 | 10 | — | — | — | ≤ 3,0 | ||||
| КТ8107Д | 100 | 1200 | — | 6 | 10 | — | — | — | ≤ 1,0 | ||||
| КТ8107Е | 100 | 1000 | — | 6 | 10 | — | — | — | ≤ 1,0 | ||||
| КТ8118А | 50 | 900 | 800 | — | 3/10 | — | 10…40 | ≥ 15 | — | ≤ 2,0 | — | КТ-28 | (ТО220) |
| КТ8121А | 75 | 700 | 400 | — | 4/8 | — | 8…60 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | — | КТ-28 | (ТО220) |
| КТ8121Б | 600 | 300 | — | — | — | — | |||||||
| КТ8126А1 | 80 | 700 | 400 | 9 | 8/16 | — | 5…40 | — | 120 | ≤ 3,0 | 1,6/3,0/0,7 | КТ-28 | (ТО220) |
| КТ8126Б1 | 600 | 300 | — | — | |||||||||
| КТ8145В | 100 | 500 | 500 | 8 | 15/- | 150 | ≥ 10 | 10 | — | — | — | КТ-27 | (SOT32) |
| КТ8164А | 75 | 700 | 400 | 9 | 4/8 | 150 | 10…60 | ≥ 4 | ≤110 | ≤ 1,0 | 0,8/4,0/0,9 | КТ-28 | (ТО220) |
| КТ8164Б | 600 | 300 | 8…40 | — |
Зарубежное производство
| Тип | PC Ta=25°C/Tc=25°C | UCB | UCE | UEB | IC/ICM | TJ | hFE | fT | Cob | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 13009 | 2/100 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 8…40 | ≥ 4 | — | ≤ 0,8 | 0,4/7,0/0,4 | TO220 |
| 2SC2335 | 1,5/40 | 500 | 400 | 7 | 7/15 | 150 | 10…80 | — | — | ≤ 1,0 | 1,0/2,5/1,0 | TO220AB |
| 2SC2898 | -/50 | 500 | 400 | 7 | 8/16 | 150 | ≥ 7 | — | — | ≤ 1,0 | 0,8/2,0/0,8 | TO220C |
| 2SC5057 | -/100 | 900 | — | — | 20/- | 150 | 38 | — | — | — | — | TO3PL |
| 2SD2625Z9 | 2/120 | 700 | 400 | 9 | 12/- | 150 | 10…40 | ≥ 5 | — | ≤ 1,2 | -/12,0/0,5 | TO3P |
| 3DD209L | -/120 | 700 | 400 | 9 | 12/24 | 150 | 5…40 | ≥ 4 | — | ≤ 1,8 | -/3,0/0,7 | TO3PN(B) |
| 3DD3320AN | 3/120 | 700 | 400 | 9 | 15/30 | 150 | 15…30 | ≥ 4 | — | ≤ 1,0 | 0,6/3,0/0,35 | TO3P(N) |
| 3DD13012A8 | 2/100 | 750 | 400 | 9 | 15/30 | 150 | 20…35 | ≥ 5 | — | ≤ 1,0 | 1,0/5,0/0,5 | TO220AB |
| BUL743 | -/100 | 1200 | 500 | — | 12/24 | 150 | 24…80 | — | — | ≤ 1,5 | -/3,8/0,5 | TO220 |
| BU941 | -/150 | 500 | 400 | 5 | 15/30 | 175 | ≥ 300 | — | — | ≤ 1,8 | -/15,0/0,5 | TO220AB |
| D4515 | -/120 | 700 | 400 | 9 | 15-/ | 150 | 8…50 | ≥ 4 | — | ≤ 1,5 | -/3,0/0,7 | TO3PN |
| ECG379 | -/100 | 700 | 400 | — | 12/- | 175 | 20 | ≥ 4 | — | — | — | TO220 |
| MJE13007/A | -/80 | 700 | 400 | 9 | 8/- | 150 | 5…45 | — | — | ≤ 3,0 | — | TO220 |
| MJE340 | -/20,8 | 300 | 300 | 3 | 0,5/- | 150 | 50…240 | — | — | — | — | SOT32* |
| P1488 | 3/150 | 750 | 450 | 9 | 15/- | 150 | 8…40 | ≥ 5 | — | ≤ 0,8 | 0,6/5,0/0,4 | TO3PB |
* — (TO126)
Примечание: данные в таблицах взяты и даташип компаний-производителей.
Биполярный транзистор TIP135 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TIP135
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора:
TIP135
Datasheet (PDF)
..1. Size:38K st tip130 tip131 tip132 tip135 tip136 tip137.pdf
TIP130/131/132TIP135/136/137COMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORSn TIP131, TIP132, TIP135 AND TIP137 ARESGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe TIP130, TIP131 and TIP132 are siliconepitaxial-base NPN power transistors inmonolithic Darlington configuration, mounted inJedec TO-220 plastic package. They are intentedfor use in power linear and switching appl
..2. Size:39K st tip131 tip132 tip135 tip137.pdf
TIP131/TIP132TIP135/TIP137 COMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS TIP131, TIP132, TIP135 AND TIP137 ARESGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESAPPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT321DESCRIPTIONThe TIP131 and TIP132 are silicon epitaxial-base TO-220NPN power transistors in monolithic Darlingtonconfiguration, mounted in Jedec TO-220 plasticp
..3. Size:212K inchange semiconductor tip135.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP135DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -2.0V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type TIP130Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICAT
0.1. Size:150K mospec tip130-32 tip135-37.pdf
AAA
9.1. Size:327K cdil tip130-137.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPLASTIC POWER TRANSISTORS TIP130 TIP135TIP131 TIP136TIP132 TIP137NPN PNPTO-220Plastic PackageIntended for use in Linear and Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL TIP130/135 TIP131/136 TIP132/137 UNITVCEO Collector Emitter Voltage 60 80 100 VCol
9.2. Size:212K inchange semiconductor tip137.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP137DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -2.0V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type TIP132Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICA
9.3. Size:212K inchange semiconductor tip130.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP130DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 4ACE(sat) CComplement to Type TIP135Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS
9.4. Size:133K inchange semiconductor tip132.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP132 DESCRIPTION High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= 4A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 100V(Min) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = 2.0V(Max)@ IC= 4A Complement to Type TIP137 APPLICATIONS Designed for general-purpose
9.5. Size:212K inchange semiconductor tip136.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP136DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -80V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -2.0V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type TIP131Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICAT
9.6. Size:212K inchange semiconductor tip131.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP131DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 80V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 4ACE(sat) CComplement to Type TIP136Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS
Другие транзисторы… TIP121
, TIP122
, TIP125
, TIP126
, TIP127
, TIP130
, TIP131
, TIP132
, TIP3055
, TIP136
, TIP137
, TIP140
, TIP140F
, TIP140T
, TIP141
, TIP141F
, TIP141T
.
Проверка КТ815
Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.
Во-первых
, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром , так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.
Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.
Затем нужно проверить обратное падение напряжение
. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.
Т ранзисторы П213
— германиевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p. Корпус металло-стекляный. Маркировка буквенно — цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже — цоколевка П213.
Применение термодатчиков LM135, LM235, LM335 (A, AZ, M, H, AH). Схемы
Типовые схемы
Описанное выше свойство позволяет строить схемы, основанные на том, что напряжение пропорционально температуре. Вот примеры таких схем:
(А) — Стандартное включение. Резистор R1 — в этой и последующих схемах — 6.8 кОм.
(Б) — Определение минимальной температуры. Применяется, например, для включения отопления при угрозе замерзания в одном из мест установки датчиков (под полом, в санузле, в гараже).
(В) — Определение средневзвешенной температуры. Веса определяются резисторами R2, R3, R4. Сопротивления этих резисторов лучше выбирать более 50 кОм.
(Г) — Термодатчики допускают подстройку. Для этого у них есть специальный вывод (подстройка). Схема включения с подстройкой.
(Д) — Определение максимальной температуры. Диоды — маломощные, например, детекторные. Резистор R2 — 100 кОм.
Термодатчики LM135, LM235, LM335 к схеме можно подключать довольно длинным экранированным проводом. Я подключал 10-метровым. Все работало отлично.
Используя эти датчики, натолкнулся на такой эффект. На них наблюдается высокочастотный шум. Возможно, это внешние помехи, но датчик их не гасит. Так что ставлю параллельно датчикам конденсаторы 0.1 — 1 мкФ, можно электролитические.
Принципиальная схема
Основой любого не импульсного блока питания является низкочастотный силовой трансформатор. В данном случае это тороидальный довольно тяжелый трансформатор типа TST250W/24V. Его номинальное выходное переменное напряжение 24V при токе 10А и входном напряжении 230V.
Рис. 1. Принципиальная схема мощного стабилизатора напряжения +19В.
У данного трансформатора нет никаких колодок для подключения или клемм, — просто «колесо» с четырьмя проводами для подключения.
Конечно, можно применить любой другой трансформатор с вторичным напряжением 20-25V. В магазинах промышленного электрооборудования можно приобрести другой трансформатор соответствующей мощности на 24V, например, на Ш-образ-ном сердечнике.
Переменное напряжение с вторичной обмотки силового трансформатора Т1 поступает на выпрямительный мост VD1 и конденсатор С1, сглаживающий пульсации.
В принципе, соглашусь, что емкости 2200 мкФ при токе 10А не слишком достаточно. Но, это же не УНЧ питаем. На задней стенке ноутбука вообще стоит значок пульсирующего напряжения. Так что для данного случая, этого вполне достаточно.
Стабилизатор напряжения сделан на основе микросхемы 7812. Но её выходное напряжение равно 12V, а нам нужно 19V, плюс максимальный ток 1А, а нужно, как было решено, 10А.
Выходная мощность была увеличена за счет транзистора VТ1 типа КТ819, на котором сделан эмиттерный повторитель выходного напряжения стабилизатора А1.
Напряжение стабилизации было поднято за счет стабилитрона VD2, это Д814А, его напряжение стабилизации 8V. Так что 12+8=20. Однако, около одного вольта падает на транзисторе VТ1, так что выходит как раз как и надо.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока от 15 и выше.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 60 в, импульсное — 160 в — у КТ805А, КТ805АМ. 135 в — у КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ — не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ — 5 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ — не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ — 5 в.
Максимальный ток коллектора. — 5 А.
Обратный импульсный ток коллектора при сопротивлении база-эмиттер 10Ом и температуре окружающей среды от +25 до +100 по Цельсию, у транзисторов КТ805А, КТ805АМ — — не более 60 мА, при напряжении колектор-эмиттер 160в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ — — не более 70 мА, при напряжении колектор-эмиттер 135в.
Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более — 100 мА.
Рассеиваемая мощность коллектора(с теплоотводом). — 30 Вт.
Граничная частота передачи тока — 20 МГц.
Транзисторы КТ805 и качер Бровина.
Качер Бровина — черезвычайно популярное устройство, представляющее из себя фактически, настольный трансформатор Тесла — источник высокого напряжения. Схема самого генератора предельно проста — он очень напоминает обычный блокинг-генератор на одном транзисторе, хотя как утверждают многие, им вовсе не является.
В качере(как в общем-то и в блокинг-генераторе) теоретически, можно использовать любые транзисторы и радиолампы. Однако, практически очень неплохо себя зарекомендовали именно транзисторы КТ805, в частости — КТ805АМ.
В самостоятельной сборке качера самый серьезный момент — намотка вторичной обмотки(L2). Как правило она содержит в себе от 800 до 1200 витков. Намотка производится виток, к витку проводом диаметром 0,1 — 0,25 мм на диэлектрическое основание, например — пластиковую трубку. Соответствено, габариты полученного трансформатора (длина) напрямую зависят от толщины используемого провода. Диаметр каркаса при этом некритичен — может быть от 15мм, но при его увеличении эффективность качера должна возрастать (как и ток потребления).
После намотки витки покрываются лаком(ЦАПОН). К неподключенному концу катушки можно подсоединить иглу — это даст возможность наблюдать «стример» — коронообразное свечение, которое возникнет на ее кончике, во время работы устройства. Можно обойтись и без иглы — стример точно так же будет появляться на конце намоточного провода, без затей отогнутого к верху.
Вторичная обмотка представляет из себя бескаркасный четырехвитковой соленоид намотаный проводом диаметром(не сечением!) от 1,5 до 3 мм. Длина этой катушки может составлять от 7-8 до 25-30 см, а диаметр зависит от расстояния между ее витками и поверхностью катушки L2. Оно должно составлять 1 — 2 см. Направление витков обеих катушек должно совпадать обязательно.
Резисторы R1 и R2 можно взять любого типа с мощностью рассеивания не менее 0,5 Вт. Конденсатор C1 так же любого типа от 0,1 до 0,5 мФ на напряжение от 160 в. При работе от нестабилизированного источника питания необходимо подсоединить параллельно C1 еще один, сглаживающий конденсатор 1000 — 2000 мФ на 50 в. Транзистор обязательно устанавливается на радиатор — чем больше, тем лучше.
Источник питания для качера должен быть рассчитан на работу при токе до 3 А (с запасом), с напряжением от 12 вольт, а желательно — выше. Будет гораздо удобнее, если он будет регулируемым по напряжению. Например, в собранном мной образце качера, при диаметре вторичной катушки 3 см (длина — 22см), а первичной — 6см (длина — 10 см) стример возникал при напряжении питания 11 в, а наиболее красочно проявлялся при 30 в. Причем, обычные эффекты, вроде зажигания светодиодных и газоразрядных ламп на расстоянии, возникали уже с начиная с уровня напряжения — 8 в.
В качестве источника питания был использован обычный ЛАТР + диодный мост + сглаживающий электролитический конденсатор 2000 мФ на 50 в. Больше 30 вольт я не давал, ток при этом не превышал значения в 1 А, что более чем приемлимо для таких транзисторов как КТ805, при наличии приличного радиатора.
При попытке заменить(из чистого интереса) КТ805 на более брутальный КТ8102, обнаружилось что режимы работы устройства значительно поменялись. Заметно упал рабочий ток. Он составил всего — от 100 до 250 мА. Но стример стал загораться только при достижения предела напряжения 24 в, при напряжении 60 в выглядя гораздо менее эффектно, нежели с КТ805 при 30.
Проверка КТ815
Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.
Во-первых, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром, так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.
Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.
Затем нужно проверить обратное падение напряжение. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.
Подключение IRF3205
Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:
Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.
Подключение к микроконтроллеру
Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:
- Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
- Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
- Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF