![[guide] s9013 npn transistors: datasheet, pinout and equivalents](http://pafosklub.ru/wp-content/uploads/1/4/9/1490f92464c4f3234c1a9104fbe8eb9f.gif)
Датшит S9013 транзистор
Описание:
Транзистор S9013 представляет собой PNP-транзистор в виде чашечки с 3 выводами. Он обладает высоким коэффициентом усиления, низким сопротивлением коллектор-эмиттер и низким значением напряжения переключения. S9013 часто используется в усилительных цепях, коммутационных схемах и других электронных устройствах.
Характеристики:
Технические параметры:
- Тип: PNP;
- Максимальное постоянное коллекторное напряжение (Vce): -25 В;
- Максимальный постоянный коллекторный ток (Ic): -500 мА;
- Максимальный постоянный эмиттерный ток (Ie): -500 мА;
- Максимальная мощность коллектора (Pc): 625 мВт;
- Тип корпуса: TO-92;
Электрические параметры:
- Коэффициент усиления по порогам: 40-270;
- Коэффициент усиления тока постоянного тока (hfe): 40-120;
- Сопротивление коллектор-эмиттер в закрытом состоянии (Rce): 5 Ом;
- Напряжение переключения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): 0.3 В;
Применение:
Транзистор S9013 часто используется в различных устройствах для усиления сигналов, коммутации электрических цепей, а также в низкочастотных усилителях.
Преимущества:
- Высокий коэффициент усиления;
- Низкое сопротивление коллектор-эмиттер;
- Низкое напряжение переключения;
- Простой и удобный в использовании корпус TO-92.
Недостатки:
- Не подходит для использования в высокочастотных устройствах;
- Не подходит для работы с большими токами и напряжениями.
Технические данные
- Тип: S9013
- Тип корпуса: TO-92
- Максимальное прямое напряжение (Vceo): 40 В
- Максимальный постоянный коллекторный ток (Ic): 0,5 А
- Максимальный пороговый ток базы (Ib): 0,2 А
- Максимальная мощность (P): 0,625 Вт
- Минимальное усиление тока при коллекторно-эмиттерном напряжении 10 В и токе коллектора 100 мА (hfe): 60-150
- Минимальное сопротивление коллектор-эмиттер в открытом состоянии при напряжении базы 10 мВ (Rceo): 10 Ом
- Минимальное сопротивление коллектор-эмиттер в открытом состоянии при напряжении базы 1 В и токе коллектора 10 мА (Rceo): 20 Ом
- Максимальное сопротивление канала эмиттер-база (Reb): 10 МОм
- Максимальная рабочая температура (Tj): 150 °C
- Производитель: Shenzhen Shunyi Electronic Co.
S9012 характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги
По своим техническим характеристикам биполярный кремниевый транзистор S9012 (он же SS9012, C9012, 2sc9012), выделяется хорошей линейностью коэффициента передачи тока Hfe, высокой частотой и может выдерживать значительный коллекторный ток. Изготавливается по эпитаксальной технологии и имеет структуру p-n-p. Наиболее часто используется в предварительных каскадах усилителей. Его можно также встретить в выходных каскадах УНЧ небольшой мощности.
Роспиновка
Производители выпускают цоколевку s9012 в двух корпусах SOT-23 (SMD) и в классическом пластиковом ТО-92. Маркируются транзисторы в корпусе для SMD монтажа обозначением 2T1. Ниже приведена схема рассматриваемого изделия этих типах упаковки. Здесь цифрой 1 обозначен эмиттер, 2 – база, 3 – коллектор.
Технические характеристики
При проектировании нового электронного устройства в первую очередь следует обратить внимание на предельно допустимые характеристики используемых транзисторов. Если один или несколько значений превысят их, то прибор выйдет из строя
Поэтому надо чтобы рабочие значения параметров при эксплуатации были на 20 % меньше максимальных. Для S9012, согласно технической документации от разных производителей, они имеют такие величины:
- наибольшее возможное напряжение между коллектором и базой VCBO (Uкб max) = -40 В;
- предельно допустимое напряжение между коллектором и эмиттером VCEO (Uкэ max) = -25 В;
- максимально возможное напряжение между эмиттером и базой VEBO (Uэб max) = -5 В;
- предельно возможный постоянный ток коллектора IC (Iк max) = -500 мА;
- максимально допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе РС (Рк max) = 625 мВт;
- наибольшая возможная температура на кристалле TС до +150ОС;
- диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150ОС;
Выше приведены данные для изделий, выполненных в корпусе ТО-92. Устройства в SOT-23 имеют меньшую допустимую мощность рассеивания 300 мВт. Некоторые фирмы-производители в своей документации пишут разные значения для максимального напряжения коллектор-эмиттер VCEO (Uкэ max). Например у компании Nanjing International Group оно равно 30 В, а у фирмы Tiger Electronic – 20 В.
Электрические параметры
Рассмотрим электрические параметры S9012. Они не менее важны для инженера, занимающегося разработкой устройств на данном транзисторе. Их значения также тестировались в лаборатории при температуре +25ОС:
Классификация по hfe
Транзистор S9012 делится на несколько классов, в зависимости от коэффициента передачи тока hfe1 измеренного, при VCE (Uкэ) = 1В и IC (Iк) =50 мА. Большинство компаний подразделяют свои изделия на три класса: L с коэффициентом передачи тока от 120 до 200, H от 200 до 350 и J от 300 до 400. Однако некоторые, например Jiangsu High diode Semiconductor (для своей продукции в корпусе ТО-92) и Weitron Technology делят свои изделия на шесть категорий:
| Категория | D | E | F | G | H | I |
|---|---|---|---|---|---|---|
| hfe1 | 64-91 | 78-112 | 96-135 | 112-166 | 144-202 | 190-300 |
Комплементарная пара
У рассматриваемого устройства существует комплементарная пара, рекомендуемая всеми фирмами-производителями — S9013.
Аналоги
В качестве аналогов для транзистора S9012 можно использовать такие зарубежные устройства: 2S A708, BC 527, KSA 708, KSP 55, MPS 6652G, MPSA 92, MPSA 93, MPSW 51, MPSW 51A, MPSW 51AG, MPSW 51G, MPSW 55, MPSW 55G, MPSW 56, MPSW 56G, MPSW 92, MPSW 92G, PN 4354, ZTX 554, ZTX 555, ZTX 556, ZTX 557. В качестве альтернативы для замены также можно рассмотреть 2SA562, но у него другая цоколевка — ЭКБ. Имеются и отечественная замена: КТ681А, КТ6109А, КТ6109Б, КТ6109В, КТ6109Г, КТ6109Д.
Производители
DataSheet от транзистора S9012 можно скачать от фирм которые занимаются их производством: SeCoS Halbleitertechnologie, Galaxy Semi-Conductor Holdings, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Jiangsu High diode Semiconductor, KEC Semiconductor, Weitron Technology, Nanjing International Group, Tiger Electronic, SHENZHEN SLS TECHNOLOGY, Diode Semiconductor Korea, Daya Electric Group, SHIKE Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor.
На отечественном рынке данные изделия представлены несколькими конторами: Weitron Technology, KEC Semiconductor.
Роль транзистора в электронике
Одной из ключевых особенностей транзистора является его способность изменять сопротивление и усиливать ток. Это позволяет использовать его в различных устройствах, начиная от простых радиоприемников и заканчивая сложными компьютерными системами.
Транзисторы делятся на несколько типов, каждый из которых имеет свои уникальные характеристики и область применения. Например, биполярные транзисторы, такие как транзистор ss9013, имеют два pn-перехода и обладают высоким коэффициентом усиления тока. Они широко используются в усилителях звука, радиоприемниках, телевизорах и других устройствах, где требуется усиление сигнала.
Транзисторы также нашли применение в цифровой электронике. В полевых транзисторах основной принцип работы основан на управлении электрическим полем и позволяет создавать логические элементы, такие как И, ИЛИ, НЕ и т.д. Это позволяет использовать транзисторы для создания цифровых схем, таких как микроконтроллеры, компьютеры и другие электронные устройства.
| Тип транзистора | Описание | Область применения |
|---|---|---|
| Биполярный транзистор | Имеет два pn-перехода и высокий коэффициент усиления тока | Усилители звука, радиоприемники, телевизоры |
| Полевой транзистор | Основан на управлении электрическим полем | Цифровая электроника, микроконтроллеры, компьютеры |
Применение и преимущества
Основное применение S9013 заключается в усилении сигналов в различных радиоприемниках, радиостанциях и устройствах связи. Транзистор может использоваться как ключ в радиочастотных усилителях и источниках сигнала.
BLBLBL
Преимущества транзистора S9013 включают его высокую рабочую частоту до 100 МГц, низкий уровень шума и малый уровень искажений. Также, благодаря его небольшому размеру и простому монтажу, он легко встраивается в различные электронные устройства.
Кроме того, S9013 обладает высокой надежностью и длительным сроком службы, что делает его привлекательным выбором для инженеров и разработчиков электроники.
В целом, транзистор S9013 является важным компонентом в электронные схемы, предназначенные для работы с высокими частотами, и приносит значительное улучшение качества сигнала и эффективности работы устройств.
Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.
Т ранзисторы BC556 – BC560 – кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры – p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно – цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц;
Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.
Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.
Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.
Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A – от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B – от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C – от 420 до 800.
Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА – 0,9в.
Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 – BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.
BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.
Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.
В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.
Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +
В корзину
PNP транзистор общего применения
ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE
Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800
Общие ∙ Производитель Semtech
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 0,450 Вт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 190 МГц;
Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – 45в.
Максимальное напряжение коллектор – база – 50в.
Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.
Коэффициент передачи тока : У транзисторов SS9015(S9015) с буквой A – от 60 до 150. У транзисторов SS9015(S9015) с буквой B – от 100 до 300. У транзисторов SS9015(S9015) с буквой C – от 200 до 600.
Максимальный постоянный ток коллектора – 100мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА – не выше 0,7в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5 мА – не выше 1,2в.
Обратный ток коллектор – база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 50в. не более 50 мКА.
Обратный ток эмиттера – база при напряжении эмиттер-база 5в не более – 50 мКА.
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.
S9013 Transistor: Applications
The S9013 transistor is a versatile component that finds applications in various electronic circuits. Some of the most common applications of S9013 transistor are:
Amplification circuits: The S9013 transistor is commonly used in amplification circuits to increase the amplitude of the signal. Its high DC current gain and low power consumption make it suitable for low-voltage amplification applications.
Switching circuits: The S9013 transistor can be used as a switch in electronic circuits. When the base current is applied, it allows the current to flow from the collector to the emitter, making it useful in digital circuits, power control circuits, and other electronic circuits where a switch is required.
Voltage regulators: The S9013 transistor can be used in voltage regulator circuits to maintain a stable output voltage. By adjusting the base current, the output voltage can be regulated according to the input voltage.
Oscillators: The S9013 transistor can be used in oscillator circuits to generate a periodic signal. By using the transistor in a feedback loop, it can generate a stable oscillation frequency.
In Stock: 5876
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
Технические характеристики
Датшит S9013 транзистора содержит следующие технические характеристики:
1. Tип: PNP
2. Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (VCEO): 40 В
3. Максимальное коллекторное напряжение (VCBO): 40 В
4. Максимальное эмиттерное напряжение (VEBO): 5 В
5. Максимальный коллекторный ток (IC): 500 мА
6. Максимальный допустимый коллекторный ток в режиме коллекторного тока (ICM): 1 А
7. Максимальная мощность разукрупненного значения (PC): 625 мВт
8. Максимальная температура перехода (Tj): 150°C
9. Максимальная температура хранения (Tstg): -55°C до +150°C
10. Коэффициент усиления по току транзистора в режиме активного режима (hFE): 60-120
11. Граничные значения параметра тока Ресурсам замыкания (IB): 5 мА.
Технические характеристики S9013 транзистора являются важными параметрами для разработчиков и электронных инженеров, позволяющими оценить возможности данного компонента при проектировании электронных схем.
Особенности и преимущества
Транзистор S9013 отличается рядом особенностей, которые придают ему преимущество перед аналогичными устройствами:
- Высокая надежность: S9013 обладает стабильной работой на протяжении длительного времени, что делает его предпочтительным вариантом для применения в различных электронных устройствах.
- Низкое энергопотребление: благодаря своим характеристикам, S9013 способен работать с минимальным энергопотреблением, что делает его отличным выбором для портативных устройств и устройств с ограниченным питанием.
- Широкий рабочий диапазон: S9013 может работать в широком диапазоне напряжений и частот, что позволяет использовать его в различных приложениях.
- Маленький размер: с компактными габаритами, S9013 легко вписывается в ограниченное пространство на плате или в корпусе устройства.
- Простота использования: S9013 имеет удобные выводы и ясные обозначения, что облегчает его установку и подключение.
Все эти особенности делают транзистор S9013 привлекательным решением для различных проектов и устройств, требующих надежности, низкого энергопотребления и удобства использования.
Маркировка и параметры
| Тип | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Tj | Cc | Ic | hfe | ft | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CS9013 | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 1 A | 64 | 200 MHz | TO-92 |
| CS9013D | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 64 | 200 MHz | TO-92 |
| CS9013E | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 78 | 200 MHz | TO-92 |
| CS9013F | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 96 | 200 MHz | TO-92 |
| CS9013G | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 118 | 200 MHz | TO-92 |
| CS9013H | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 144 | 200 MHz | TO-92 |
| CS9013I | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 180 | 200 MHz | TO-92 |
| FCS9013 | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 64 | 200 MHz | TO-92 |
| FCS9013D | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 64 | 200 MHz | TO-92 |
| FCS9013E | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 78 | 200 MHz | TO-92 |
| FCS9013F | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 96 | 200 MHz | TO-92 |
| FCS9013G | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 118 | 200 MHz | TO-92 |
| FCS9013H | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 144 | 200 MHz | TO-92 |
| FCS9013I | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 180 | 200 MHz | TO-92 |
| GS9013 | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 1 A | 64 | 200 MHz | TO-92 |
| GS9013D | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 64 | 200 MHz | TO-92 |
| GS9013E | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 78 | 200 MHz | TO-92 |
| GS9013F | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 96 | 200 MHz | TO-92 |
| GS9013G | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 118 | 200 MHz | TO-92 |
| GS9013H | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 144 | 200 MHz | TO-92 |
| GS9013I | 0.6 W | 25 V | 25 V | 3 V | 150 °C | 20 pf | 0.1 A | 180 | 200 MHz | TO-92 |
| MMS9013-H | 0.3 W | 40 V | 25 V | 5 V | 150 °C | 0.5 A | 200 | 150 MHz | SOT23 | |
| MMS9013-L | 0.3 W | 40 V | 25 V | 5 V | 150 °C | 0.5 A | 120 | 150 MHz | SOT23 | |
| S9013 | 0.3 W | 40 V | 25 V | 5 V | 150 °C | 0.5 A | 120 | 150 MHz | SOT23 | |
| S9013G | 0.625 W | 40 V | 25 V | 5 V | 150 °C | 0.5 A | 112 | 150 MHz | TO-92 | |
| S9013H | 0.625 W | 40 V | 25 V | 5 V | 150 °C | 0.5 A | 144 | 150 MHz | TO-92 | |
| S9013I | 0.625 W | 40 V | 25 V | 5 V | 150 °C | 0.5 A | 190 | 150 MHz | TO-92 | |
| S9013LT1 | 0.225 W | 40 V | 20 V | 5 V | 150 °C | 0.5 A | 100 | SOT23 | ||
| S9013T | 0.625 W | 40 V | 25 V | 5 V | 150 °C | 0.5 A | 64 | 150 MHz | TO-92 | |
| S9013W | 0.2 W | 40 V | 25 V | 5 V | 150 °C | 8 pf | 0.5 A | 120 | 150 MHz | SOT323 |
| SS9013 | 0.625 W | 40 V | 20 V | 150 °C | 0.5 A | 64 | TO-92 | |||
| STS9013 | 0.625 W | 40 V | 30 V | 5 V | 150 °C | 7 pf | 0.5 A | 96 | 140 MHz | TO-92 |
Структура транзистора SS9013
Эмиттер является самым тонким слоем и обычно имеет высокую концентрацию примесей, что обеспечивает его хорошую проводимость. Он обеспечивает эмиссию или истечение электронов в базу. База — это тонкий слой, который контролирует эмиссию электронов из эмиттера в коллектор. Она обеспечивает контроль над усилением сигнала. Коллектор является самым толстым слоем и обычно имеет низкую концентрацию примесей, что обеспечивает его плохую проводимость. Он собирает электроны, переходящие от базы.
Структура транзистора SS9013 позволяет ему выполнять различные функции в электронных схемах, такие как усиление сигнала, коммутация и стабилизация напряжения. Кроме того, его небольшой размер и низкое потребление энергии делают его идеальным для использования в портативных устройствах, таких как мобильные телефоны и MP3-плееры.
Максимальные рабочие параметры
1. Максимальное обратное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 40 В
2. Максимальное допустимое напряжение коллектор-база (VCBO): 50 В
3. Максимальное допустимое напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
4. Максимальный постоянный коллекторный ток (IC): 500 мА
5. Максимальный пиковый коллекторный ток (ICP): 1 А
6. Максимальная мощность потерь (PD): 625 мВт
7. Максимальное значение допустимой температуры перегрева (Tj): 150°C
8. Максимальное значение допустимой температуры хранения (Tstg): -55°C до 150°C
Учтите, что превышение этих максимальных значений может привести к повреждению транзистора и его ненадлежащему функционированию.
Особенности транзистора SS9013
Транзистор SS9013 относится к семейству биполярных PNP-транзисторов и широко используется в различных устройствах электроники, включая радиоприемники, усилители, источники питания и другие.
Основные особенности транзистора SS9013:
- Низкое внутреннее сопротивление, что обеспечивает низкую энергетическую потерю и повышает эффективность.
- Высокая скорость коммутации, что позволяет использовать транзистор в быстродействующих устройствах.
- Стабильная работа при высоких температурах, благодаря хорошей теплорассеивающей способности.
- Надежность и длительный срок службы за счет применения качественных материалов и технологий производства.
- Малые габариты и вес, что упрощает монтаж и интеграцию транзистора в различные устройства.
Транзистор SS9013 также отличает высокая рабочая частота и хорошие электрические характеристики, такие как высокий коэффициент усиления, низкий уровень шума и малый уровень потребляемой мощности. Это позволяет использовать его в широком спектре приложений, требующих надежной и эффективной работы.
В заключение, транзистор SS9013 является универсальным и надежным элементом электроники, обладающим хорошими электрическими и тепловыми характеристиками. Он находит широкое применение в различных устройствах и обеспечивает стабильную и эффективную работу.
S9013 Transistor: Advantages and Disadvantages
Advantages of S9013 transistor
Low power consumption: The S9013 transistor is designed to operate with low power consumption, making it ideal for low-voltage applications where power consumption is a concern.
High DC current gain: The S9013 transistor has a high DC current gain, which means that a small base current can control a larger collector current. This feature makes it useful in amplification circuits.
Low collector-emitter saturation voltage: The S9013 transistor has a low collector-emitter saturation voltage, which means that it can be driven with a low voltage input signal, making it ideal for low-power applications.
Small and compact: The S9013 transistor is a small and compact device, which makes it easy to integrate into electronic circuits where space is limited.
Cost-effective: The S9013 transistor is widely available and cost-effective, making it a popular choice for hobbyists and professionals alike.
Disadvantages of S9013 transistor
× Limited power handling capability: The S9013 transistor has a maximum power dissipation of 625mW, which limits its use in high-power applications.
× Limited voltage handling capability: The S9013 transistor has a maximum collector-emitter voltage of 40V, which limits its use in circuits with high voltage levels.
× Limited frequency response: The S9013 transistor has a limited frequency response, which makes it less suitable for high-frequency applications.
× Polarization: The S9013 transistor is a polarized device, meaning that the base, emitter, and collector must be connected in the correct polarity for it to operate correctly.
S9013 Pinout
The S9013 transistor has three pins or terminals, each with a specific function. Here is the pinout diagram of S9013:
The pinout of S9013 is as follows:
Base (B): This is the control terminal of the transistor and is denoted by the letter «B» on the package. It is the input terminal of the transistor and is used to control the flow of current between the collector and emitter.
Collector (C): This is the output terminal of the transistor and is denoted by the letter «C» on the package. It is responsible for collecting the current flowing through the transistor and delivering it to the load.
Emitter (E): This is the ground terminal of the transistor and is denoted by the letter «E» on the package. It is the reference point of the transistor and is responsible for emitting the current flowing through the transistor.
Характеристики (предельные значения)
| Параметр | Обозначение | Максимальное значение |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор-база | VCBO | 40В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | VCEO | 20В |
| Напряжение эмиттер-база | VEBO | 5В |
| Ток коллектор | IC | 0,5А |
| Постоянная рассеиваемая мощность | PС | 0,63Вт |
| Температурный диапазон | Tmin-max | от −55 до 150 град. Цельсия |
| Напряжение пробоя коллектор-база | BVCBO | 40В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | BVCEO | 20В |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | BVEBO | 5В |
| Обратный ток коллектора | ICBO | 100нА |
| Обратный ток эмиттера | IEBO | 100нА |
| Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =50мА) | hFE1 | от 64 до 202, тип. 120 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =500мА) | hFE2 | 120 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE (нас) | 0,6В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | VBE (нас) | 1,2В |
| Напряжение база-эмиттер | VBE (on) | 0,7В |
Final Thoughts
In conclusion, the S9013 transistor plays an important role in the electronics industry due to its versatility, ease of use, and low cost. It is a widely used general-purpose BJT that is suitable for low-power, low-voltage applications, making it a popular choice for hobbyists, students, and professionals alike.
Despite its limitations in power handling and frequency response, the S9013 transistor remains a staple component in electronic design and is likely to continue to be used for many years to come. Whether you are building a simple audio amplifier or a more complex electronic circuit, the S9013 transistor is a reliable and affordable option that should not be overlooked.
Мультиметр DT9205 пробит транзистор S9013
сегодня в спешке делал замеры U в телевизоре в строчной а после прозвонки резисторов не переключил на —U короче в режиме прозвонки с пищалкой на дисплее теперь цифры 546 когда щупы смыкаю 000 и писк на кОма 1.57 при смыкании 000 на мОмах вообще ничего разобрал, первое что при проверке заподозрил транзистор Q1 (S9013) переход эмиттер-база звонится в обе стороны 501-894, а база-коллектор по схеме закорочена. выпаяв и ещё раз проверил переход б-э так же звонится в обе стороны, а пробор без этого транзистора работает, все режимы не проверял, а Омы, кОмы, мОмы, постоянное и переменное U и режим проверки емкости конденсаторов все работают в пределах нормы как и раньше с небольшой погрешностью для этого недорогого прибора, остальные режимы не проверял, у меня вопрос, чем можно заменить этот транзистор и какую роль он выполняет. спасибо.
![[guide] s9013 npn transistors: datasheet, pinout and equivalents - technical news - veswin electronics](https://pafosklub.ru/wp-content/uploads/0/a/e/0ae89f2134e79e3fd0b105507dd51fc9.png)
