Mpsa42 transistor datasheet & its applications

Модификации и группы транзисторов TIP42C

Модель	P_C, T_C=25°C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Корпус
TIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
TO-220AB
TO-220C
TIP42C	25	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220IS
TIP42CG/L	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
300	15…75	TO-263
TIP42CG/L	22	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220F
TIP42CG/L	20	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-252
STTIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
HTIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
TIP42E	65	180	140	5	6	150	3	300	15…75	TO-220C
TIP42F	65	200	160	5	6	150	3	300	15…75	TO-220C
TIP42P	100	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-3P

Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.

Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента h_FE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону h_FE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:

— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:

TIP42C R – диапазон h_FE от 15 до 28;
TIP42C O – диапазон h_FE от 24 до 44;
TIP42C Y – диапазон h_FE от 42 до 75.

— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по h_FE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:

TIP42CG(L) – A — диапазон h_FE от 15 до 30;
TIP42CG(L) – B — диапазон h_FE от 28 до 48;
TIP42CG(L) – C — диапазон h_FE от 45 до 75.

Описание транзистора MPSA42. Справочные данные.

Транзистор MPSA42 — высокочастотный (30 МГц > F_ГР < 300 МГц), проводимость типа NPN, биполярный, кремниевый (Si), средней мощности (300 мВт > P_К,МАКС < 1500 мВт). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора — транзисторы: NTE287, SK3433, PMBTA42, SMBTA42, S920TS, TMPTA42.

Транзистор
U_КЭ0 /U_{КБ0 ПРОБ}В
I_{К, МАКС}мА
P_{К, МАКС}мВт
h_21Э
f_грМГц
Изготовитель

мин.
макс.
I_КмА
U_КЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)

MPSA42
300/300
500
625
40

30
10
50

Allegro Microsystems Inc
AlegroMicro

American Microsemiconductor Inc
AmerMicroSC
Central Semiconductor Corp
CentralSemi
Continental Device India Ltd
Contin Dev
Crimson Semiconductor Inc
CrimsonSimi
Diodes Inc
Diodes Inc
Fairchild Semiconductor Corp
FairchildSC
Micro Electronics Ltd
Micro Еlecs
Mistral SPA
Mistral SpA
Motorola Semiconductor Products Inc
Motorola
NAS Etektronische Halbleiter Gmbh
NAS Elekt
National Semiconductor Corp
Natl Semi
Phitips International BV/Philips Components
PhilipsComp
Semelab Plc
Semelab
Semiconductors Inc
Semi Inc
Semiconductor Technology Inc
SemiconTech
Intex Со Inc/Semitronics Corp
Semitronics
Siemens Aktiengeselischaft
Siemens Akt
Solid State Inc
Solid Stinc
Swampscott Electronics Со Inc
Swampscott
Toshiba America Electronic Components Inc
ToshibaAmer
Taiwan Liton Electronic Со Ltd
TwLitonEIec

Цоколёвка

Тип
Номера выводов

1
2
3

3 вывода
C
B
E

U_{КЭ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — напряжение пробоя коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный коллекторный ток биполярного транзистора.

I_К — постоянный коллекторный ток биполярного транзистора при измерении коэффициента усиления h_21Э.

h_21Э — схема с общим эмиттером — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

f_ГР — максимальная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — постоянная максимально допустимая мощность рассеиваемая коллектором биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

При замене оригинального транзистора аналогом необходимо сравнить технические данные транзисторов и типы корпусов. Решение о замене транзистора аналогом должно приниматься с учётом конкретной схемы в которой он работает.

MPSA42 Features

All Features of this NPN transistor are mentioned as per the datahseet. Unlike other transistors, it offers a high collector to emitter voltage. But you can drive a dc load with a maximum output current of 500mA.

Type: NPN bipolar transistor.
Dc current Gain: 40.
Collector- emitter voltage: 300V
Collector -base voltage: 300V
Emitter- base voltage: 6V
Transition frequency: 50MHz
Maximum operating junction temperature: +150C
Collector base capacitance: 3pF
Minimum forward current transfer ratio: 25
Continuous collector current : 500mA
Maximum collector power dissipation : 0.625W
Junction to ambient thermal resistance: 200C/W
Collector cut off current: 0.1μA

In Stock: 866

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Where and How to Use MPSA42

MPSA42 transistor is specifically designed for high voltage switching and amplifications. But mostly it is used for that load which has high voltage at the output side. When it is used as a switch then it works in two regions such as cut off and saturation region. In cut off region, it acts as an open switch no current flows from collector to emitter. Similarly in the saturation region, it acts as a close switch then current flows from collector to emitter. One thing that should be kept in mind by using this transistor its collector current is only 500mA so don’t connect the load which has greater current

Example

In this example, we will design a motor control circuit where the NPN transistor is used as a switch. MPSA42 transistor is commonly used for high voltage switching therefore here we will explain how it is used for turning on and off the high voltage dc motor(48V). This NPN transistor is connected to the motor according to the below diagram

5V dc voltages are applied at the base pin through a 1KΩ resistor. The value of this resistor is calculated by the formula, RB= VBE / IB. where we know when VBE is 5V and IB is 500mA then RB would be 1KΩ. when 5Votls are applied at base pin then current flows and transistor connect to the ground then the motor turns on. Similarly when zero volts are applied at base pin then no current flows then transistor does not connect to ground and the motor does not turn on.

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления h_FE от коллекторной нагрузки I_C при различных температурах п/п структуры и величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 2 В.

Рис. 2. Характеристики области насыщения транзистора: зависимости коллекторного напряжения U_CE от управляющего тока базы I_B при различных нагрузках I_C.

Характеристики сняты при температуре п/п структуры T_j = 25°C.

Рис. 3. Характеристики включенного состояния транзистора:

зависимость напряжения насыщения U_CE(sat) коллектор-эмиттер от тока нагрузки I_C;
зависимость напряжения насыщения U_BE(sat)от тока нагрузки I_C (Обе характеристики сняты при соотношении тока коллектора к току базы как 10:1);
зависимость управляющего напряжения U_BE база-эмиттер от тока нагрузки I_C при коллекторном напряжении U_CE = 4 В.

Рис. 4. Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки I_C:

Ɵ_UC – для коллекторного напряжения насыщения U_CE(sat);
Ɵ_UB – напряжения базы U_BE.

Каждая характеристика снята для двух диапазонов температур и коэффициента усиления по току I_C/I_B не превышающем ¼ от значения h_FE по постоянному току.

Рис. 5. Характеристики области выключения транзистора:

зависимости сняты при различных значениях температуры п/п структуры и значении коллекторного напряжения U_CE = 30 В;
область разделена осью U_BE = 0 на две половины – отрицательных напряжений базы (помечено на графике REVERSE) и область положительных напряжений базы (помечено на графике FORWARD). По этой оси отсчитываются значения тока выключения коллектора I_CES.

Рис. 6. Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры. Зависимость снята для двух шкал по мощности:

шкала (помечена на графике T_A) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры среды;
шкала (помечена на графике T_C) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры контакта коллектора и охладителя.

Рис. 7. Характеристики включения транзистора.

Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания t_r импульса, передаваемого транзистором, от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при величине напряжения питания U_CC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) T_C = 25°C и отношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 10.

Рис. 8. Характеристики выключения транзистора.

Зависимость времени рассасывания заряда t_s в п/п структуре и времени спадания t_f импульса от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при величине напряжения питания U_CC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) T_C = 25°C, отношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 10 и равенстве токов I_B₁ = I_B₂.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора. Ограничена несколькими основными линиями.

Производитель выделяет три причины выхода транзистора из строя (выделены отдельными надписями на поле характеристик):

сплошная ограничивающая линия -повреждение в результате вторичного пробоя п/п структуры при превышении предельного напряжения U_CEO коллектор-эмиттер (напряжения отмечены на горизонтальной оси для нескольких типов транзисторов);
штрихпунктирная ограничивающая линия –
U_CE повреждение в результате расплавления внутренних контактных соединений в конструкции транзистора;
пунктирная ограничивающая линия – повреждение в результате перегрева п/п структуры выше предельной температуры T_j = 150 °C.

Характеристики сняты для нагружения транзистора одиночными импульсами коллекторного тока длительностью 0,5 мс, 1,0 мс, 5 мс и при постоянном токе (при температуре контакта коллектора с охладителем корпуса T_C = 25°C).

MPSA42 Pinout Explanation

MPSA42 consists of three basic segments emitter-base and collector. Because it is an NPN transistor, therefore, current flows from collector to emitter. It works at dc operating voltage range 30 to 300votls. Its pinout configuration is shown in figure 1

The figure below Pinout configuration diagram of MPSA42 NPN Transistor

Pins	Explanation
Emitter -Pin1	This pin is for basing the emitter-base junction
Base – -Pin2	This pin is for controlling the current that flow from emitter to collector.
Collector – -Pin3	This pin is for providing the junction current to output load.