Mpsa18 pdf даташит

Общее описание

За основу взята схема Эрика Уоллина. В качестве стабильного источника
опорного напряжения (ИОН) для электретного микрофона использован прецизионный
источник напряжения LM385 на 2,5 вольта. Он обладает высокой стабильностью
выходного напряжения при изменении окружающих условий (изменение напряжения
питания, температуры, влажности) и не дает помех как,например, стабилитрон.
Большинство конденсаторных микрофонов (например, WM60 и MCE2000) имеют рабочее
напряжение от 1,5 до 10 В, с номинальным значением в диапазоне Uмик=2÷4
В. При этом их
максимальный потребляемый ток равен 0,5 мА. Поскольку усилитель должен быть
работоспособным при снижении напряжения до 5÷6В (разряд батареи),

то с учетом падения напряжения на выходных транзисторах ОУ (DA1.1) и
сопротивлениях R4,R5 было выбрано Uмик=2 В.
В цепи обратной связи самого усилителя (DA1.2) установлен переменный резистор.
С помощью него можно изменять коэффициент усиления от 2 до 20 раз. Резистор R11
корректирует верхний предел усиления. Конденсатор C10 совместно с параллельными
ему резисторами образует ФВЧ, препятствующий самовозбуждению ОУ и
ограничивающий полосу пропускания усилителя. С номиналами, приведенными на
схеме, полоса пропускания по уровню -3dB: 1Гц — 115кГц; по уровню -0,5dB: 5Гц —
50кГц.
Усилитель с подключенным к нему микрофоном потребляет ток равный 5,95 мА
(Uбат=9 В). При разряде батарее до 4,3 В напряжение на микрофоне начинает
снижаться. Если применить так называемый Rail-to-Rail операционный усилитель
(например, AD823), то батарею можно использовать при снижении ее напряжения до
3,4…3,5 В.
В случае недоступности LM385 и ее аналогов в качестве ИОН можно использовать
несколько p-n переходов :

Рис. ИОН с
p-n переходами.

У разных диодов прямое напряжение Uпр на переходе имеет среднее значение
0,55÷0,65
В и незначительно
зависит от протекающего прямого тока, что и является главным требованием ИОН.
Если учесть, что каждый диод имеет Uпр=0,6 В, то напряжение ИОН, состоящего из
трех p-n переходов, будет равно 1,8 В. в этой конструкции желательно
использовать так называемые Rail-to-Rail операционные усилители, чтобы размах
неискаженного выходного напряжения усилителя был максимально возможным — приближался
к напряжению питания. Таким образом, батарею питания можно будет использовать
дольше — при ее разряде до 3,3÷3,5В.

Применение в измерениях

Одно из применений этих схем – измерение сигналов датчиков и преобразователей. Инструментальные усилители превосходно извлекают очень слабые сигналы из шумной среды; поэтому они часто используются в схемах, в которых используются датчики, измеряющие физические параметры. Для измерения давления тензодатчики часто используются с инструментальными усилителями, поскольку тензодатчики обычно «висят в воздухе», то есть они не имеют прямого соединения с землей. А инструментальный усилитель может усиливать сигналы без привязки к земле, потому что он усиливает только разницу между двумя входами. Тензодатчики часто используются в схеме моста Уитстона, который является очень распространенным примером формирования дифференциального сигнала без привязки к земле; данная схема изображена ниже, где R2 – изменяющийся элемент, создающий дифференциальное напряжение между узлами C и B.

Рисунок 3 – Мост Уитстона

Со схемой инструментального усилителя можно работать практически с любым датчиком; термопары, фотодиоды, термисторы, даже обычный кремниевый диод можно использовать в качестве простого датчика температуры, поместив его в схему моста, создающую входной сигнал для инструментального усилителя. Когда диод нагревается, прямое напряжение падает, создавая дифференциальный сигнал, который можно усилить. Причина, по которой схема моста так важна для датчиков и приборов, – это синфазный шум; схема с обычным операционным усилителем и датчиком на его входах будет работать как усилитель, но будет очень шумной. По этой причине инструментальные усилители так часто используются перед входами АЦП. Любой PIC-контроллер или Arduino имеет входы, которые можно настроить как аналоговые входы, но это несимметричные входы, которые не могут ослаблять синфазные сигналы. Инструментальный усилитель может извлекать и усиливать слабые сигналы датчиков из зашумленной среды и подавать чистый несимметричный выходной сигнал на АЦП

Это важно при работе с микроконтроллерами, так как любой дополнительный шум вызовет неустойчивое преобразование в дополнение к потере ценных битов АЦП

Модификации (версии) транзистора

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	UCE(sat)	Корпус	Примечание
C1815	0,625	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3	—	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130…400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	SOT-23	Группы по hFE: L/HМаркировка: HF
2SC1815	0,2	60	50	5	0,15	125	130…400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	SOT-23	Группа L по hFE: маркировка: HFL.Группа H маркировка: HF
2SC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3,5	1…10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815(L)	0,4	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 6	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815LT1	0,225	60	50	5	0,15	150	70…700	—	—	—	≤ 0,3	SOT-23	Маркировка: L6
2SC1815M (BR3DG1815M)	0,3	60	50	5	0,15	150	25…700	≥ 80	≤ 3,5	1…10	≤ 0,25	SOT-23	Группы по hFE: O/Y/GR/BL Маркировка: HHFO, HHFY, HHFG, HHFB
2SC1815 M	0,3	45	40	5	0,1	125	70…700	≥ 80	≤ 3,5	—	≤ 0,4	TO-92B	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
C1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130…400	≥ 80	—	—	≤ 0,25	SOT-23	Группы по hFE: L/HМаркировка: HF
C1815T	0,4	60	50	5	0,15	125	70…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR
CSC1815	0,625	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
FTC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	70…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/BL
KSC1815	0,4	60	50	5	0,15	125	25…700	≥ 80	≤ 3	1	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: O/Y/GR/L
KTC1815	0,625	60	50	5	0,15	150	25…700	≥ 80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	TO-92	Группы по hFE: Y/GR

In Stock: 13708

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со струкрурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для применения в схемах усилителей низкой частоты, дифференциальных и операционных усилителей.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	UCE(sat)	Корпус
C1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130	80	3,5	—	≤ 0,25	SOT-23
КТ3102А	0,25	50	50	5	0,1	—	100…200	150	≤ 6	10	—	ТО-92, ТО-18
КТ3102Б	0,25	50	50	5	0,1	—	200…500	150	≤ 6	10	—	ТО-92, ТО-18
КТ602А/Б	0,85	120	100	5	0,075	150	20…80	150	≤ 4	—	≤ 3,0	ТО-126
КТ602В/Г	0,85	80	70	5	0,075	150	15…80	150	≤ 4	—	≤ 3,0	ТО-126
КТ611А/Б	0,8	200	180	4	0,1	150	10…120	≥ 60	≤ 5	—	≤ 0,8	ТО-126
КТ611В/Г	0,8	180	180	4	0,1	150	10…120	≥ 60	≤ 5	—	≤ 0,8	ТО-126
КТ660А	0,5	50	45	5	0,8	150	110…220	≥ 200	≤ 10	—	≤ 0,5	ТО-92

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	UCE(sat)	Корпус	Маркировка
2SC1815	0,4	60	50	5	0,15	150	70…700	80	≤ 3,5	1…10	0,25	TO-92	—
CSC3114/R	0,4	—	50	—	0,15	—	100	100	≤ 3,5	≤ 100	≤ 0,25	TO-92	—
CSC3114S	0,4	—	50	—	0,15	—	140	100	—	—	—	TO-92	—
CSC3114V	0,4	—	50	—	0,15	—	280	100	—	—	—	TO-92	—
CSC3199	0,4	—	50	—	0,15	—	70…700	80	—	—	—	TO-92	—
CSC3331/R/S/T	0,5	—	50	—	0,2	—	70	200	—	—	—	TO-92	—
CSC3331TU/U/V	0,5	—	50	—	0,2	—	70	200	—	—	—	TO-92	—
C1815	0,2	60	50	5	0,15	150	130	80	—	—	0,25	SOT-23	HF
2N5551SC	0,35	180	160	6	0,6	150	150	100	≤ 6	≤ 8	≤ 0,5	SOT-23	ZFC
2PD601BRL	0,25	60	50	6	0,2	150	210	100	≤ 3	—	≤ 0,25	SOT-23	ML٭
2PD601BSL	0,25	60	50	6	0,2	150	290	100	≤ 3	—	≤ 0,25	SOT-23	MM٭
2PD602ASL	0,25	60	50	5	0,5	150	170	180	≤ 15	—	≤ 0,6	SOT-23	SF
2SC2412-R	0,2	60	50	7	0,15	150	180	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	BR
2SC2412-S	0,2	60	50	7	0,15	150	270	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	BS
2SC945LT1	0,23	60	50	5	0,15	150	200	150	≤ 3,5	—	≤ 0,3	SOT-23	L6
2STR1160	0,5	60	50	5	1	150	250	150	≤ 3,5	—	≤ 0,43	SOT-23	160
BCV47	0,36	80	60	10	0,5	150	10000	170	≤ 3,5	—	≤ 1,0	SOT-23	DK, FG, FGp, FGs, FGt, W
BTC2412N3	0,225	60	50	7	0,2	150	180	80	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	C4
BTD2150N3	0,225	80	50	6	4	150	270	175	14	—	≤ 0,32	SOT-23	CF
BTN6427N3	0,225	100	60	12	0,5	150	10000		≤ 7	—	≤ 1,5	SOT-23	1N
CMPT3820	0,35	80	60	5	1	150	200	150	≤ 10	—	≤ 0,28	SOT-23	38C
CMPT491E	0,35	80	60	5	1	150	200	150	≤ 10	—	≤ 0,4	SOT-23	C49
INC5001AC1	0,2	80	60	5	1	150	130	240	≤ 10	—	≤ 0,25	SOT-23	XY
INC5006AC1	0,2	100	50	7	3	150	400	250	13	—	≤ 0,2	SOT-23	CER
KMMT619	0,35	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 20	—	≤ 0,5	SOT-23	619, 619H
KST6428	0,35	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	—	SOT-23	1K
L2SC1623RLT1G	0,225	60	50	7	0,15	150	180	250	≤ 3	—	≤ 0,3	SOT-23	L6
L2SC1623SLT1G	0,225	60	50	7	0,15	150	270	250	≤ 3	—	≤ 0,3	SOT-23	L7
L2SC2412KRLT1G	0,2	60	50	7	0,15	150	180	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	BR
L2SC2412KSLT1G	0,2	60	50	7	0,15	150	270	180	≤ 3,5	—	≤ 0,4	SOT-23	G1F
L2SC5343RLT1G	0,2	60	50	5	0,15	150	180	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	7R
L2SC5343SLT1G	0,2	60	50	5	0,15	150	270	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	7S
LMBT6428LT1G	0,225	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3		≤ 0,5	SOT-23	1KM
MMBT5343-G/L	0,2	60	50	5	0,15	150	200	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	5343
MMBT6428	0,3	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	≤ 0,6	SOT-23	1K, 1KM
MMBT6428L/LT1/LT1G	0,225	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	≤ 0,6	SOT-23	1KM
MMBT945-H/L	0,2	60	50	5	0,15	150	200/130	150	≤ 3	—	≤ 0,3	SOT-23	CR
MMBTA28	0,35	80	80	12	0,8	150	10000	125	≤ 8	—	≤ 1,5	SOT-23	3SS K6R
NXP3875G	0,2	60	50	5	0,15	150	200	80	≤ 3,5	≤ 10	≤ 0,25	SOT-23	٭JF
PBSS4041NT	0,3	60	60	5	3,8	150	300	175	17	—	≤ 0,3	SOT-23	٭BK
PBSS4160T	0,3	80	60	5	1	150	250	150	≤ 10	—	≤ 0,25	SOT-23	٭U5
PBSS8110T	0,3	120	100	5	1	150	150	100	≤ 7,5	—	≤ 0,2	SOT-23	٭U8
SSTA28	0,2	80	80	12	0,3	150	10000	200	≤ 8	—	≤ 1,5	SOT-23 SST3	RAT
TMPS1654N7	0,225	80	160	5	0,15	150	150	100	≤ 8	—	≤ 1,5	SOT-23	N7
TMPT6428	0,225	60	50	6	0,2	150	250	100	≤ 3	—	≤ 0,2	SOT-23	1K

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Где и как мы можем использовать ?

Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения U_кэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока h_FE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 U_кэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.

Биполярный транзистор 2SC1162 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC1162

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора:

2SC1162
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:29K  hitachi 2sc1162.pdf

2SC1162Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency power amplifier complementary pair with 2SA715OutlineTO-126 MOD1. Emitter2. Collector3. Base123Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 35 VCollector to emitter voltage VCEO 35 VEmitter to base voltage VEBO 5VCollector current IC 2.5 ACollector peak current

 ..2. Size:392K  secos 2sc1162.pdf

2SC1162 2.5A , 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-126 Low frequency power amplifier EmitterCollectorBase CLASSIFICATION OF hFE (1) Product-Rank 2SC1162-B 2SC1162-C 2SC1162-DABERange 60~120 100~200 160~320FCNHLMK DJG

 ..3. Size:267K  jiangsu 2sc1162.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors2SC1162 TRANSISTOR (NPN)TO-126 FEATURES 1. EMITTERLow Frequency Power Amplifier 2. COLLECOTR3. BASE Equivalent Circuit C1162=Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device C1162 XXXX=Code ORDERING INFORMATION Part Number Package

 ..4. Size:172K  jmnic 2sc1162.pdf

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1162 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA715 APPLICATIONS For low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base

 ..5. Size:180K  lge 2sc1162.pdf

2SC1162(NPN) TO-126 Transistor TO-1261. EMITTER 2. COLLECOTR 3. BASE 3 21 Features2.5007.400 Low frequency power amplifier 2.9001.1007.8001.5003.9003.0004.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.20010.600Symbol Parameter Value Units0.00011.0000.300VCBO Collector-Emitter Voltage 35 VVCEO Collector-Emitter Voltage 35 V2.100

 ..6. Size:214K  inchange semiconductor 2sc1162.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1162DESCRIPTIONHigh Collector Current I = 2.5ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 35V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Collector Saturation VoltageComplement to Type 2SA715Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier a

 8.1. Size:63K  toshiba 2sc1169.pdf

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.2. Size:49K  no 2sc1166.pdf

 8.3. Size:181K  inchange semiconductor 2sc1161.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1161DESCRIPTIONWith TO-66 PackageLow collector saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for low frequency high voltage power amplifierTV vertical deflection output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

 8.4. Size:182K  inchange semiconductor 2sc1163.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1163DESCRIPTIONHigh Collector Current I = 0.1ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier appl

Другие транзисторы… 2SC1156
, 2SC1157
, 2SC1158
, 2SC1159
, 2SC116
, 2SC1160
, 2SC1161
, 2SC1161A
, 2N3904
, 2SC1162B
, 2SC1162C
, 2SC1162D
, 2SC1162WT
, 2SC1163
, 2SC1164
, 2SC1165
, 2SC1166
.

Изготовления платы ЛУТом.

Говоря, что лучше всего платы получаются при печати на страницах плейбоя. Раньше я так и делал, но в последнее время перешел на глянцевую с одной стороны бумагу. Жалко переводить интересные статьи на непонятно что….

В целом технология ЛУТ итак всем известна, и в ролике она показана, поэтому остановлюсь только на двух моментах.

• Прожарку утюгом я делаю в течении минуты, а после закидываю плату в ближайшую книжку и встаю на книжку всем весом на 1-2 минуты.
• Широкие места и дефекты переноса или печати я всегда промазывал перманентным маркером. В этот раз вместо перманентного маркера я воспользовался акриловым. При этом я ждал высыхания минут 10-15. Тем не менее он отлично справился и под ним ничего не травилось.

MPSA18 vs 2N5088 vs KSP05

In the table below, we try to list the electrical specifications of MPSA18, 2N5088 and KSP05 transistors.

This electrical specification listing will be helpful in the replacement process of the MPSA18 transistor.

Characteristics	MPSA18	2N5088	KSP05
Collector to base voltage (VCB)	45V	35V	60V
Collector to emitter voltage (VCE)	45V	30V	60V
Emitter to base voltage (VEB)	6.5V	3V	4V
Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT))	0.2 to 0.3V	0.5V	0.25V
Collector current (IC)	100mA	50mA	500mA
Power dissipation	625mW	625mW	625mW
Junction temperature (TJ)	-55 to +150°C	-55 to +150°C	-55 to +150°C
Thermal resistance	200℃/W	200℃/W	—
Transition frequency (FT)	100MHz	50MHZ	100MHz
Noise figure	1.5dB	3dB	—
Gain (hFE)	400 to 1500hFE	300 to 1200hFE	50hFE
Package	TO-92	TO-92	TO-92

The MPSA18 and 2N5088 are similar types of transistor devices, the main specialty of MPSA18 transistors is they are amplifier circuit components with low noise properties.

The electrical specification wishes 2N5088 transistor had almost similar with MPSA18 transistor, so we can use them as the replacement.

The KSP05 is a little bit different transistor compared to MPSA18, they had high voltage and current specs, and then the DC current gain value is less.

MPSA18 transistor electrical specification description

In this explanation, we try to descript the electrical specifications of the MPSA18 transistor.

The electrical specifications description of the MPSA18 transistor is really helpful for a better understanding and use for the replacement process.

Voltage specs

The voltage specs of the MPSA18 transistor are collector to emitter voltage is 45V, collector to base voltage is 45V and emitter to base voltage is 6.5V.

The collector to emitter saturation voltage is 0.2 to 0.3V, it is the voltage specs lesser than the base voltage and it is the region switching voltage of this transistor device.

The voltage specifications of the MPSA18 transistor show that it is a general-purpose device mainly used for small circuits.

Current specs

The collector current value of the MPSA18 transistor is 100mA, the current value shows that the MPSA18 transistor had a load capacity under 100mA.

Dissipation specs

The power dissipation at the MPSA18 transistor is 625mW, the device dissipation mainly depends on the transistor package and overall capacity.

It is the power dissipation value for general-purpose transistor devices.

DC current gain specs

The current gain value of MPSA18 is 400 to 1500hFE, the DC current value shows that it is capable of amplifier and regulator applications.

The MPSA18 transistor has multiple amplifier applications.

mpsa18 datasheet (49)

Part	ECAD Model	Manufacturer	Description		Type	PDF
MPSA18		Central Semiconductor	Leaded Small Signal Transistor General Purpose		Original	PDF
MPSA18		Fairchild Semiconductor	NPN General Purpose Amplifier		Original	PDF
MPSA18		Fairchild Semiconductor	NPN General Purpose Amplifier		Original	PDF
MPSA18		Motorola	LOW NOISE TRANSISTOR		Original	PDF
MPSA18		On Semiconductor	Low Noise Transistor		Original	PDF
MPSA18		On Semiconductor	MPSA18 — TRANSISTOR 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal		Original	PDF
MPSA18		Sinyork	Mini size of Discrete semiconductor elements		Original	PDF
MPSA18		Crimson Semiconductor	Transistor Selection Guide		Scan	PDF
MPSA18		Fairchild Semiconductor	NPN General Purpose Amplifier		Scan	PDF
MPSA18		Fairchild Semiconductor	NPN small signal low noise low level amplifier.		Scan	PDF
MPSA18		Micro Electronics	Semiconductor Device Data Book		Scan	PDF
MPSA18		Motorola	The European Selection Data Book 1976		Scan	PDF
MPSA18		Motorola	European Master Selection Guide 1986		Scan	PDF
MPSA18		Motorola	Low Level and General Purpose Amplifiers		Scan	PDF
MPSA18		Motorola	Low Noise Transistor NPN Silicon		Scan	PDF
MPS-A18		Motorola	Semiconductor Data Library Volume 3 1974		Scan	PDF
MPSA18		Unknown	Historical semiconductor price guide (US$ — 1998). From our catalog scanning project.		Scan	PDF
MPSA18		Unknown	Semiconductor Master Cross Reference Guide		Scan	PDF
MPSA18		Unknown	Shortform Transistor Datasheet Guide		Scan	PDF
MPSA18		Unknown	Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets)		Scan	PDF