Mmbt5551 smd транзистор характеристики

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся

Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

Код	Сопротивление
101	100 Ом
471	470 Ом
102	1 кОм
122	1.2 кОм
103	10 кОм
123	12 кОм
104	100 кОм
124	120 кОм
474	470 кОм

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Технические характеристики SMD транзистора MMBT5551

Вот основные технические характеристики транзистора MMBT5551:

Тип транзистора: NPN
Максимальное напряжение коллектора: 180 В
Максимальный ток коллектора: 600 мА
Мощность полупроводника: 350 мВт
Ток базы: 100 мА
Ток коллектора: 600 мА
Напряжение эмиттера: 6 В
Температурный диапазон: -55°С до +150°С
Внутреннее сопротивление коллектора: 3 Ом
Время задержки переключения: 15 нс

Основными особенностями транзистора MMBT5551 являются его низкая стоимость, надежность и широкий температурный диапазон работы. Он также отличается хорошей линейностью и малыми габаритами.

MMBT5551 может быть использован во многих схемах, таких как усилители, стабилизаторы, переключатели и других электронных устройствах. Он обеспечивает надежную и стабильную работу системы в широком диапазоне работы.

Какие бывают стандарты маркировки

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

Тип	Наименование ЭРЭ	Зарубежное название
A1	Полевой N-канальный транзистор	Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel
A2	Двухзатворный N-канальный полевой транзистор	Tetrode, Dual-Gate
A3	Набор N-канальных полевых транзисторов	Double MOSFET Transistor Array
B1	Полевой Р-канальный транзистор	MOS, GaAs FET, P-Channel
D1	Один диод широкого применения	General Purpose, Switching, PIN-Diode
D2	Два диода широкого применения	Dual Diodes
D3	Три диода широкого применения	Triple Diodes
D4	Четыре диода широкого применения	Bridge, Quad Diodes
E1	Один импульсный диод	Rectifier Diode
E2	Два импульсных диода	Dual
E3	Три импульсных диода	Triple
E4	Четыре импульсных диода	Quad
F1	Один диод Шоттки	AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode
F2	Два диода Шоттки	Dual
F3	Три диода Шоттки	Tripple
F4	Четыре диода Шоттки	Quad
K1	“Цифровой” транзистор NPN	Digital Transistor NPN
K2	Набор “цифровых” транзисторов NPN	Double Digital NPN Transistor Array
L1	“Цифровой” транзистор PNP	Digital Transistor PNP
L2	Набор “цифровых” транзисторов PNP	Double Digital PNP Transistor Array
L3	Набор “цифровых” транзисторов \| PNP, NPN	Double Digital PNP-NPN Transistor Array
N1	Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц)	AF-Transistor NPN
N2	Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц)	RF-Transistor NPN
N3	Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В)	High-Voltage Transistor NPN
N4	“Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000)	Darlington Transistor NPN
N5	Набор транзисторов NPN	Double Transistor Array NPN
N6	Малошумящий транзистор NPN	Low-Noise Transistor NPN
01	Операционный усилитель	Single Operational Amplifier
02	Компаратор	Single Differential Comparator
P1	Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц)	AF-Transistor PNP
P2	Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц)	RF-Transistor PNP
P3	Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В)	High-Voltage Transisnor PNP
P4	“Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000)	Darlington Transistor PNP
P5	Набор транзисторов PNP	Double Transistor Array PNP
P6	Набор транзисторов PNP, NPN	Double Transistor Array PNP-NPN
S1	Один сапрессор	Transient Voltage Suppressor (TVS)
S2	Два сапрессора	Dual
T1	Источник опорного напряжения	“Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference
T2	Стабилизатор напряжения	Voltage Regulator
T3	Детектор напряжения	Voltage Detector
U1	Усилитель на полевых транзисторах	GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)
U2	Усилитель биполярный NPN	Si-MMIC NPN, Amplifier
U3	Усилитель биполярный PNP	Si-MMIC PNP, Amplifier
V1	Один варикап (варактор)	Tuning Diode, Varactor
V2	Два варикапа (варактора)	Dual
Z1	Один стабилитрон	Zener Diode

Модификации (версии) транзистора

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	h_FE	f_T	C_ob	NF	h_fe	Корпус	Примечание
2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	20-250	100-300	6	8	50-200	TO-92
2N5551C	0,625	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	TO-92
2N5551CN	0,4	180	160	6	0,6	150	30-250	150	3	—	—	TO-92N
2N5551CSM	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	LCC1 ٭
2N5551DCSM	0,35	—	160	—	0,6	—	80	100	—	—	—	LCC2 ٭	Тот же MO-041BB
2N5551G	0,625	180	160	6	0,6	150	80-400	100-300	6	8	—	TO-92	Группы по h_FE: A/B/C
2N5551G	0,5	180	160	6	0,6	150	80-400	100-300	6	8	—	SOT-89	Группы по h_FE: A/B/C
2N5551HR	0,36	180	160	6	0,6	200	20-250	—	6	—	1-50	TO-18
2N5551HR	0,58	180	160	6	0,5	200	20-250	—	6	—	1-50	LCC3, UB ٭
2N5551K	0,625	180	160	6	0,6	150	50-300	100-300	6	—	—	TO-92	Группы по h_FE: A/B/C
2N5551N	0,4	180	160	6	0,6	150	30-250	150	3	—	—	TO-92N
2N5551S	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	SOT-23	Маркировка: ZF
2N5551SC	0,35	180	160	6	0,6	150	150-250	100-300	—	—	—	SOT-23(1)	Маркировка: ZFC
BTN5551K3	0,9	180	160	6	0,6	150	≥ 50	≥ 100	6	—	—	TO-92L
H2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	50-400	100-300	6	—	—	TO-92	Группы по h_FE: A/N/C
H5551	0,625	180	160	6	0,6	150	30-280	100-300	—	—	—	TO-92
2N5551SQ	0,5	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	—	—	SOT-89	Маркировка: BG1
MMBT5551	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	SOT-23	Маркировка: 3S

٭ — корпуса SMD типа LCC 1/2/3 и UB – для тяжелых условий эксплуатации, требующих высокой степени надежности.

Примечание: параметр h_FE – статический (по постоянному току) коэффициент усиления. h_fe – коэффициент усиления по переменному току в режиме усиления малого сигнала (на определенной частоте).

MMBT5551 Datasheet PDF — Diodes Incorporated

Part Number	MMBT5551
Description	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Manufacturers	Diodes Incorporated
Logo
There is a preview and MMBT5551 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 4 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

Features

• Epitaxial Planar Die Construction

• Complementary PNP Type Available (MMBT5401)

• Ideal for Low Power Amplification and Switching

• Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant

• «Green» Device (Notes 2 and 3)

MMBT5551
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Mechanical Data

• Case: SOT-23

• Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification

Rating 94V-0

• Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D

• Terminal Connections: See Diagram

• Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

• Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42

leadframe).

• Marking Information: See Page 3

• Ordering Information: See Page 3

• Weight: 0.008 grams (approximate)

C
Top View

Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified

Characteristic
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current — Continuous (Note 1)
BE
Device Schematic
Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Value
180
160
6.0
600
Unit
V
V
V
mA
Thermal Characteristics
Characteristic
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol

RθJA

TJ, TSTG

Value
300
417
-55 to +150
Unit
mW

°C/W

°C

Notes:
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which
can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
2. No purposefully added lead. Halogen and Antimony Free.
3. Product manufactured with Data Code V9 (week 33, 2008) and newer are built with Green Molding Compound. Product manufactured prior to Date

Code V9 are built with Non-Green Molding Compound and may contain Halogens or Sb2O3 Fire Retardants.

MMBT5551
Document number: DS30061 Rev. 11 — 2
1 of 4
www.diodes.com
August 2008
Diodes Incorporated

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for MMBT5551 electronic component.

Information	Total 4 Pages
Link URL
Product Image and Detail view	1. PDF — 160V, NPN Transistor
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Особенности использования SMD транзистора MMBT5551

Вот несколько особенностей использования SMD транзистора MMBT5551:

Маленький размер: Благодаря своему SMD-исполнению, транзистор MMBT5551 имеет компактные габариты, что позволяет уменьшить размеры и вес электронных устройств

Это особенно важно для приложений, где пространство ограничено, например, в смартфонах или планшетах.

Высокая надежность: SMD транзистор MMBT5551 изготавливается из высококачественных материалов и обладает хорошими рабочими характеристиками. Он обеспечивает стабильную и надежную работу в широком диапазоне рабочих температур и условий эксплуатации.

Низкое потребление энергии: Транзистор MMBT5551 работает на низком напряжении и потребляет мало энергии

Это делает его идеальным выбором для применений, где требуется экономия энергии, таких как портативные устройства на батарейках.

Быстрый коммутационный процесс: SMD транзистор MMBT5551 обладает высокой коммутационной скоростью, что позволяет использовать его в высокочастотных приложениях, включая передачу данных и радиосвязь.

Широкий диапазон рабочих частот: Транзистор MMBT5551 способен работать в широком диапазоне частот, что делает его универсальным средством для усиления и управления сигналами различных частотных диапазонов.

В заключение, SMD транзистор MMBT5551 является многофункциональным компонентом, который обладает множеством преимуществ и может быть использован во множестве различных приложений. Благодаря своей компактности, высокой надежности, низкому потреблению энергии, быстрому коммутационному процессу и широкому диапазону рабочих частот, он является идеальным выбором для разработки электронных устройств.

Преимущества и недостатки SMD транзистора MMBT5551

Преимущества:

1. Компактный размер. SMD транзистор MMBT5551 имеет маленький размер, что позволяет эффективно использовать пространство на плате.

2. Высокая надежность. MMBT5551 обладает высоким качеством и надежностью из-за применяемого технологического процесса и материалов.

3. Широкий диапазон рабочих температур. MMBT5551 способен работать при широком диапазоне температур от -55°C до +150°C, что позволяет использовать его в различных условиях.

4. Низкое потребление энергии. SMD транзистор MMBT5551 имеет низкое потребление энергии и может использоваться в низкопотребляющих электронных устройствах.

Недостатки:

1. Ограниченная мощность. В сравнении с некоторыми другими транзисторами, MMBT5551 имеет ограниченную мощность, что делает его менее подходящим для использования в схемах с высокой мощностью.

2. Ограниченный ток коллектора. MMBT5551 обладает ограниченным током коллектора, что ограничивает его применение в определенных схемах.

3. Низкое напряжение пробоя коллектор-эмиттер. SMD транзистор MMBT5551 имеет низкое напряжение пробоя коллектор-эмиттер, что может ограничивать его использование в некоторых приложениях с высокими напряжениями.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.

10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32

Ремонт Блоков Питания Транзисторы Детали

Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП. Михаил.KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp – 10A, Pd – 50W 2SC4242 – Vceo – 450v, Ic – 7A. Pd – 40W BU508A – Vceo – 700V, Ic – 8A, Icp – 15A, Pd – 50W ST13003 – Vceo-400v, Ic- 1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W MJE13003 – Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W 2SC3457 – Vceo – 800v, Ic – 3A. P – 50w MJE13005 – Vceo – 400v, Ic – 4A, Icp – 8A, Pd – 75w MJE13006 – Vceo – 300v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w MJE13007 – Vceo – 400v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w 2SC2625 – Vceo – 450v, Ic – 10A, Pd – 80w 2SC3306 – Vceo – 500v, Ic -10A, Pd – 100w KSE13006 – Vceo – 300V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13007 – Vceo – 400V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13009 – Vceo – 400v, Ic – 12A, Icp – 24A, Pd – 130w KSP2222A – Vceo- 40v, Ic – 0.6A, Pd – 0.63w 2SC945 – Vcev – 60v, Ic – 0,1A, Pd – 0.25w 2SA733 – p-n-p Vce – 60v, Ic – 0.1A, Pd – 0.25w 2SA1015 p-n-p Vce – 50v, Ic – 0.15A, Pd – 0.4w 2SA1273 p-n-p Vce – 30v, Ic – 2A, Pd – 1.0w 2SB1116A p-n-p Vce – 80v, Ic – 1.0A, Pd – 0.75w KSC2335F – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 40w. 2SC2553 – Vceo-500v, Ic – 5A, Pd – 40w. 2SC2979 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC3039 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC3447 – Vceo-800v, Ic – 5A, Pd – 50w. 2SC3451 – Vceo-800v, Ic -15A, Pd – 100w. 2SC3460 – Vceo-1100v, Ic – 6A, Pd – 100w. 2SC3461 – Vceo-1100v, Ic – 8A, Pd – 120w. 2SC3866 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC4106 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC4706 – Vceo-600v, Ic -14A, Pd – 130w. 2SC4744 – Vceo-1500v, Ic – 6A, Pd – 50w. KSC1008 – Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd – 0.8w. 2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic – 1A, Pd – 0.25w. ZTX457 – Vceo-300V Ic – 0.5A, Pd – 1,0W

Структура и тип SMD транзистора MMBT5551

Транзистор MMBT5551 относится к категории SMD (поверхностно-монтажных устройств) транзисторов. Он представляет собой малогабаритный полупроводниковый прибор, который имеет два перехода между полупроводниковыми слоями.

Структура транзистора MMBT5551 включает три области: базу (B), коллектор (C) и эмиттер (E). База является тонким слоем, размещенным между коллектором и эмиттером. Транзисторы MMBT5551 могут быть изготовлены с NPN (негативно-положительным-негативным) или PNP (положительно-негативно-положительным) типами подключения.

Схематическое обозначение SMD транзистора MMBT5551:

NPN-тип: MMBT5551 или T2N5551

PNP-тип: MMBT5401 или T2N5401

Свойства SMD транзистора MMBT5551:

Максимальное напряжение коллектора (V_CBO): 160 В
Максимальное напряжение эмиттера (V_EBO): 6 В
Максимальное постоянное коллекторное напряжение (V_CEO): 180 В
Максимальный постоянный коллекторный ток (I_C): 600 мА
Максимальная постоянная мощность (P_C): 350 мВт
Коэффициент усиления по току транзистора (h_FE): 100-300
Тип корпуса: SOT-23

Транзистор MMBT5551 широко используется в радиоэлектронике и схемотехнике, поскольку обеспечивает высокую производительность и надежность. Благодаря своим компактным размерам и удобной установке на поверхность платы, MMBT5551 позволяет снизить размеры устройств и повысить плотность компонентов на печатной плате.

Описание и назначение SMD транзистора MMBT5551

MMBT5551 имеет три вывода (коллектор, база и эмиттер) и предназначен для работы с напряжением до 180 В и током до 600 мА. Он обладает высоким коэффициентом усиления тока (hFE) в диапазоне от 200 до 300, что позволяет использовать его для усиления слабых сигналов.

С помощью MMBT5551 можно реализовать различные электронные схемы, включая усилители малой мощности, переключатели, модуляторы и драйверы. Он может быть использован как ключевой элемент в устройствах, работающих с аналоговыми и цифровыми сигналами.

Благодаря своим компактным размерам и низкому энергопотреблению MMBT5551 широко применяется в мобильных устройствах, компьютерных системах, промышленных устройствах, радиоэлектронных и аудиоустройствах, а также во многих других областях электроники.

Электрические параметры SMD транзистора MMBT5551

Таблица ниже представляет основные электрические параметры SMD транзистора MMBT5551:

Параметр	Значение
Тип	PNP
Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (V_CEO)	160 В
Максимальное напряжение коллектора-база (V_CBO)	160 В
Максимальное напряжение эмиттера-база (V_EBO)	6 В
Максимальный коллекторный ток (I_C)	600 мА
Максимальный ток базы (I_B)	100 мА
Максимальная мощность (P_D)	200 мВт
Коэффициент усиления тока (h_FE)	мин. 100, макс. 300
Частота перехода (f_T)	300 МГц

Эти параметры являются основными характеристиками, которые необходимо учитывать при использовании транзистора MMBT5551 в электронных схемах.

Общая информация о SMD транзисторе MMBT5551

Транзистор MMBT5551 обладает следующими характеристиками:

Тип корпуса: SOT-23
Тип полупроводникового материала: кремний (Si)
Тип монтажа: поверхностный
Тип структуры: NPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 180 В
Максимальный ток коллектора (Ic): 600 мА
Максимальная мощность (Pd): 350 мВт
Коэффициент усиления по току (hfe): от 100 до 600
Пропускная способность (fT): 300 МГц

Транзистор MMBT5551 обладает низким уровнем шума, высоким коэффициентом усиления и низкими потерями на включение. Он характеризуется стабильностью работы в широком диапазоне температур и обладает низкими паразитными емкостями.

Благодаря своим характеристикам, транзистор MMBT5551 может быть использован в различных электронных схемах и приложениях, требующих высокой производительности и надежности.