Другие разделы справочника:
Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск транзистора по маркировке.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Типоразмеры корпусов транзисторов.Магазины электронных компонентов.
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.
Высокочастотные эффекты
Производительность транзисторного усилителя относительно постоянна вплоть до некоторой точки, как показано на графике зависимости коэффициента усиления по току от частоты для усилителя малых сигналов с общим эмиттером (рисунок ниже). За этой точкой по мере увеличения частоты производительность транзистора ухудшается.
Граничная частота (частота отсечки коэффициента бета), fгр, fT – это частота, при которой коэффициент усиления по току (hfe) усилителя малых сигналов с общим эмиттером падает ниже единицы (рисунок ниже). Реальный усилитель должен иметь коэффициент усиления > 1. Таким образом, на частоте fгр транзистор использоваться не может. Максимальная частота, приемлемая для использования транзистора, равна 0,1fгр.
Зависимость коэффициента усиления по току (hfe) от частоты для усилителя малых сигналов с общим эмиттером
Некоторые радиочастотные биполярные транзисторы могут использоваться в качестве усилителей на частотах до нескольких ГГц. Кремниево-германиевые устройства расширяют диапазон до 10 ГГц.
Предельная частота (частота отсечки коэффициента альфа), fпр, falpha – это частота, при которой коэффициент α снижается до 0,707 от коэффициента α на низких частотах, α=0,707α. Предельная частота и граничная частота примерно равны: fпр≅fгр. В качестве высокочастотного показателя предпочтительнее использовать граничную частоту fгр.
fmax – самая высокая частота колебаний, возможная при наиболее благоприятных условиях смещения и согласования импеданса. Это частота, при которой коэффициент усиления по мощности равен единице. Весь выходной сигнал подается назад на вход для поддержания колебаний. fmax является верхним пределом частоты работы транзистора в качестве активного устройства. Хотя реальный усилитель не используется на fmax.
Эффект Миллера: верхний предел частоты для транзистора, связанный с емкостями переходов. Например, PN2222A имеет входную емкость Cibo=25пФ и выходную емкость Cobo=9пФ между К-Б и К-Э соответственно. Хотя емкость К-Э 25 пФ кажется большой, она меньше, чем емкость К-Б (9 пФ). Из-за эффекта Миллера в усилителе с общим эмиттером емкость К-Б оказывает влияние на базу в β раз. Почему это так? Усилитель с общим эмиттером инвертирует сигнал, проходящий от базы к эмиттеру. Инвертированный сигнал коллектора, подаваемый назад на базу, противодействует входному сигналу. Сигнал на коллекторе в β раз больше входного сигнала. Для PN2222A β=50–300. Таким образом, емкость К-Б 9 пФ выглядит так: от 9 · 50 = 450 пФ до 9 · 300 = 2700 пФ.
Решение проблемы с емкостью перехода для широкополосных приложений заключается в выборе высокочастотного транзистора – RF (радиочастотного) или СВЧ транзистора. Полоса пропускания может быть дополнительно расширена за счет использования схемы с общей базой, вместо схемы с общим эмиттером. Заземленная база защищает входной эмиттер от емкостной обратной связи с коллектора. Каскодная схема из двух транзисторов будет обеспечивать такую же полосу пропускания, как и схема с общей базой, но уже с более высоким входным импедансом схемы с общим эмиттером.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора MMBT3904LT1 (1AM)(1АМ)
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора MMBT3904LT1 (1AM)(1АМ) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремнийСтруктура полупроводникового перехода: npn
| Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
| 200 | 60 | 40 | 6 | 200 | 150 | 250000000 | 100/300 |
Производитель: AVICTEK (Avic Technology)Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MMBT3904LT1 (1AM)(1АМ):
MMBT3904LT1=1AM Маркировка: 1АМ.Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Пайка
Паять такие транзисторы не трудно, особенно ускоряет и делает более легким, процесс пайки различных SMD деталек – микроскоп, пинцет (просто незаменимые вещи) различные флюсы и паяльные жиры с BGA-пастой. Сначала лудим контактные площадки нашего транзистора и платы (не перегрейте).
Затем позиционируем наш транзистор, я делаю это пинцетом.
Припаиваем любую из ножек. Отпускаем пинцет, и позиционируем нашу детальку как можно ровнее, для отличного вида, так сказать
Припаиваем оставшиеся “ножки” радиоэлемента.
И вот наш транзистор крепко и хорошо припаян к плате. В следующих статьях, буду писать об этом всём подробнее (флюсы, пинцеты, пайка и т.д). А по поводу обозначений и цоколёвок разных типов транзисторов – на форуме есть несколько очень полезных ссылок. Статью написал BIOS.
Цоколёвка и маркировка КТ815
Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.
Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.
На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.
Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.
Недостатки
Какие недостатки есть у импульсных реле? Некоторые модели
отдельных производителей чувствительны к перепадам напряжения.
Чем это чревато? А тем, что свет на некоторых лампах у вас будет включаться и выключаться самопроизвольно при нестабильном напряжении.
Еще многих раздражает постоянное клацанье и щелчки при работе реле. Особенно этим грешат эл.механические разновидности. Они состоят из рычажной и контактной системы, катушки, плюс пружины.
Отличить их можно по рычагу с лицевой стороны. С его
помощью реле вручную переводится из одного положения в другое.
В электронные встроена плата с микроконтроллером. В них
клацать особо нечему, и они менее шумны.
Чтобы было меньше проблем, выбирайте реле от известных и давно зарекомендовавших себя брендов. Таких как — ABB (E-290), Schneider Electric (Acti 9iTL), F&F (Biss) или отечественный Меандр (РИО-1 и РИО-2).
У ABB очень большой выбор по добавлению к основной модели E290 всяких накладок и дополнительных «плюшек».
У Меандр РИО-2 есть полезная функция для работы с обычными одноклавишными выключателями.
Для этого данную релюшку нужно перевести в режим №2 и к каждому из входов Y, Y1 и Y2 подключить свой выключатель света (всего 3шт).
В итоге вы получите режим работы перекрестных выключателей на основе обычных одноклавишников. При нажатии любого из них (вкл или выкл), будет изменяться выход и переключаться контакты на самом реле, зажигая или гася лампочку.
Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог
|
|
|
|
.
Поиск транзистора для замены на сайте alltransistors.com
Для поиска эквивалентных замен транзисторов по параметрам можно воспользоваться формами на сайте alltransistors.com:
- Bipolar Transistor Cross-Reference Search (для биполярных транзисторов);
- MOSFET Cross-Reference Search (для полевых транзисторов).
Ниже приведен пример поиска замены для транзистора NTE53.
Информация по транзистору была найдена на сайте www.weisd.com, там указано что 458-056 NTE Equivalent NTE53 — это высоковольтный быстродействующий кремниевый транзистор NPN-структуры в корпусе TO3 (NTE Electronics Inc). Используется в переключающих устройствах, где нужно высокое быстродействие.
Даташит: 458-056 NTE Equivalent NTE53.
Максимальные параметры транзистора из даташита:
- Напряжение Коллектор-Эмиттер: 400В (максимум 800В);
- Напряжение Эмиттер-База: 9В;
- Продолжительный ток Коллектора: 15А;
- Пиковый ток Коллектора: 30А;
- Рассеиваемая транзистором мощность: 175Ватт.
Исходя из приведенных параметров и используя страничку поиска «Bipolar Transistor Cross-Reference Search» можно поискать похожие по параметрам транзисторы, вот пример заполнения формы, исходя из параметров полученных из даташита на NTE53:
После отправки формы было получено 15 результатов:
| Type | Struct | Uce | Ueb | Ic | Ft | Hfe | Caps |
| 2SC3224 | NPN | 30 | 120 | TO3 | |||
| 2SD1287 | NPN | 30 | 300 | TO3 | |||
| 2SD434 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD435 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD436 | NPN | 10 | 20 | 60 | TO3 | ||
| 2SD815 | NPN | 30 | 300 | TO3A1 | |||
| 2T7067A | NPN | 20 | TO3 | ||||
| 2T7067B | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET10015 | NPN | 50 | TO3 | ||||
| ET10016 | NPN | 50 | TO3 | ||||
| ET10020 | NPN | 60 | TO3 | ||||
| ET10021 | NPN | 60 | TO3 | ||||
| ET6060 | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET6061 | NPN | 20 | TO3 | ||||
| ET6062 | NPN | 20 | TO3 |
В зависимости о того в каком устройстве используется транзистор NTE53, нужно пересмотреть даташиты на все найденные транзисторы для замены и выбрать подходящий по быстродействию (если это параметр критичен там где будет использоваться транзистор).
Подготовлено редакцией сайта RadioStorage.net .
Основные параметры биполярного высокочастотного npn транзистора MMBT3904LT1 (1AM)(1АМ)
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора MMBT3904LT1 (1AM)(1АМ) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn
| Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
| 200 | 60 | 40 | 6 | 200 | 150 | 250000000 | 100/300 |
Производитель: AVICTEK (Avic Technology)Сфера применения: Популярность: 41717Дополнительные параметры транзистора MMBT3904LT1 (1AM)(1АМ): MMBT3904LT1=1AM Маркировка: 1АМ.Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Цены:
| Цена за 1 шт: | 11,00 р. |
| Спец 1 (от 10 шт): | 2,40 р. |
| Спец 2 (от 100 шт): | 1,30 р. |
Коллективный разум. Дополнения для транзистора MMBT3904LT1 (1AM)(1АМ).
Вы знаете больше о транзисторе MMBT3904LT1 (1AM)(1АМ), чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.Дополнить данные о параметрах транзистора MMBT3904LT1 (1AM)(1АМ).Добавить рисунок транзистора MMBT3904LT1 (1AM)(1АМ).Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора MMBT3904LT1 (1AM)(1АМ).
Аналоги
Транзистор MMBT3904LT1 можно заменить на
2SD602A
,
BCW66
,
FMMT2222A
,
FMMT2222AR
,
FMMT3904
,
FMMT455
,
FMMT491
,
FMMT491Q
,
FMMT624
,
FMMT625
,
FMMTA05
,
FMMTA06
,
FMMTA42
,
KN2222AS
,
KN3904S
,
KST05
,
KST06
,
KST2222A
,
KST3904
,
KST42
,
KST43
,
KST4401
,
KTN2222AS
,
MMBT100
,
MMBT2222A
,
MMBT3904
,
MMBT3904L
,
MMBT3904LT1G
,
MMBT3904LT3
,
MMBT3904LT3G
,
MMBT4401
,
MMBTA05
,
MMBTA06
,
MMBTA42
,
PBHV8115T
,
PBHV8540T
,
PMBT2222A
,
PMBT3904
,
PMBT4401
,
PMBTA06
,
PMST2222A
,
Замена импортных транзисторов отечественными
| Аналоги и возможные замены | |||
| Тип | Аналог | Возможная замена | Примечания |
| MJEF34 | КТ816 | Любой мощный рпр-транзистор с максимальным током коллектора большим 3 А | |
| TIP42 | КТ816 | ||
| 2SK58 | КПС315А, Б | ||
| 2N5911 | Обычные ПТ | ||
| U441 | КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12; КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е | ||
| U444 | КП303Д, Е; КП307Г, Д;КП312; КП323,КП329; КП341;КП364Д, Е | ||
| MPF102 | КП303Д, Е | В этой схеме можно применить любой высокочастотный полевой транзистор с каналом ri-типа и изоляцией рп-переходом. При наладке схемы может понадобиться подобрать резисторы в цепях затворов и/или истоков. Предпочтение следует отдавать транзисторам с наибольшим и начальными токами стока, малым пороговым напряжением и уровнем шума на ВЧ | |
| MPS3866 | КТ368 | В этой схеме можно применить любой высокочастотный биполярный прп-транзистор. Предпочтение следует отдавать транзисторам с малым уровнем шума на ВЧ | |
| 25139 | КП327А,В | КП346А-9; КП382А | |
| 1N754 | КС162 | ||
| 1N757A | КС182 | ||
| 2N3563 | КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| 2N3565 | КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| 2N3569 | КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| BFR90 | КТ3198А | КТ371А, КТ3190А | |
| MPS3866 | КТ939А | ||
| MRF557 | КТ948; КТ996Б-2;КТ9141; КТ9143;КТ919; КТ938 | ||
| MRF837 | КТ634; КТ640; КТ657Б-2 | ||
| MV2101 | KB102; KB107А,В | ||
| 2N4401 | КТ6103 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| ВС547В | КТ3102 | ||
| ВС549С | КТ3102 | ||
| ВС557В | KТ3107 | ||
| BD139 | КТ815 | ||
| BD140 | КТ814 | ||
| 2N5771 | КТ363АМ | ||
| ВС548 | КТ3102 | ||
| ВС557 | КТ3107 | ||
| TIP111 | КТ716 | ||
| TIP116 | КТ852 | ||
| TIP33B | КТ865 | ||
| TIP34B | КТ864 | ||
| 2SC2092 | КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120 | ||
| MRF475 | КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120 | ||
| 40673 | КП350, КП306,КП327, КП347,КП382 | ||
| 2N4124 | КТ3102Д | ||
| J309 | КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12, КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е | ||
| MPS2907 | КТ313 | ||
| 2N3414 | КТ645 | ||
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| 3055Т | КТ8150А | ||
| ВС517 | КТ972 | ||
| IRF9Z30 | КП944 | ||
| TIP125 | КТ853, КТ8115 | ||
| BS250P | КП944 | ||
| 2N3391A | КТ3102 | Любые маломощные с большим h2fe | |
| BC184L | КТ3102 | Любые маломощные с большим h2fe | |
| ВС547В | КТ3102 | ||
| BUZ11 | КП150 | ||
| IRFL9110 | КП944 | ||
| 2N4401 | КТ6103, КТ6117 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| ВС109С | КТ342 | ||
| ВС237 | КТ3102 | ||
| ВС547 | КТЗ102, КТ645А | ||
| 2N4401 | КТ6103, КТ6117 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| MPS А18 | КТ342Б, Д | ||
| 2N3704 | КТ685 | ||
| 2N4393 | КП302ГМ | ||
| 2N5401 | КТ6116А | ||
| ВС487 | КТ342Б, Д; КТ630Е | ||
| IRFZ44 | КП723А | ||
| MPS2907 | КТ313 | КТ3107 | |
| MPSА14 | КТ685 | ||
| MPSA64 | КТ973 | ||
| 2N2222 | КТ3117Б | КТ315 | |
| 2N3904 | КТ6137А | КТ815 | |
| 2N3906 | КТ6136А | ||
| ECG-187 | ГТ906А | ||
| FPT-100 | фототранзистор | ||
| HRF-511 | КП904 | ||
| TIL 414 | фототранзистор |
Нужно заменить диод или стабилитрон? — аналоги и замены диодов и полупроводников.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Нормализованная зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от коллекторной нагрузки IC при различных значениях температуры коллекторного p-n перехода Tj.
Рис. 2. Области насыщения транзистора. Зависимость изменения напряжения коллектор-эмиттер UCE от управляющего тока базы IB при различных коллекторных нагрузках IC.
Рис. 3. Изменение напряжений насыщения база-эмиттер UBE(sat)и коллектор-эмиттер UCE(sat) в зависимости от коллекторной нагрузки IC.
Рис. 4. Зависимость коэффициентов температурных изменений напряжений насыщения UBE(sat) и UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Рис. 5. h-параметр «Коэффициент усиления по току» в зависимости от коллекторной нагрузки IC.
Рис. 6. h-параметр «Входной импеданс» в зависимости от коллекторной нагрузки IC.
Рис. 7. h-параметр «Обратная связь по напряжению коллектора» в зависимости от коллекторной нагрузки IC.
Рис. 8. h-параметр «Выходная проводимость» в зависимости от коллекторной нагрузки IC.
Рис. 9. Зависимость входной емкости Cibo и выходной емкости Cobo от величин обратного смещения p-n переходов транзистора UR.
Рис. 10. Зависимости коэффициента шума NF транзистора от частоты работы f при различных значениях коллекторного тока IC. Кривые сняты для значений сопротивления источника сигнала (source resistance) 200 Ом, 500 Ом и 1,0 кОм.
Рис. 11. Зависимость коэффициента шума NF транзистора от сопротивления источника сигнала RS при различных значениях коллекторной нагрузки IC.
Рис. 12. Зависимости времени задержки td и времени нарастания tr от коллекторной нагрузки IC при различных напряжениях питания UCC и соотношении токов коллектора и базы как 10:1.
Рис. 13. Зависимость времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC при разных температурах:
сплошная линия – Tj = 25°C;
прерывистая линия — Tj = 125°C.
Рис. 14. Зависимость времени рассасывания ts неосновных носителей зарядов в p-n структуре от величины коллекторного тока IC.
Сплошные линии — Tj = 25°C.
Прерывистые линии — Tj = 125°C.
Рис. 15. Зависимости времени спада tf импульса от коллекторной нагрузки IC при разных отношениях тока коллектора IC к току управления (базы) IB.
Сплошные линии — Tj = 25°C.
Прерывистые линии — Tj = 125°C.
Модификации транзистора 2N3904
Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (fT, Сobo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.
| Модель | Тип корпуса | PC | Другие параметры | Производитель |
|---|---|---|---|---|
| 2N3904 | TO-92 | 0,625 | Tj = от -55°C до +150°C | Motorola |
| 2N3904 S | SOT-23 | 0,35 | Tj = от -55°C до +150°C | KEC (Korea Electronics) |
| 2N3904 E | ESM | 0,1 | ||
| 2N3904 U | USM | |||
| 2N3904 V | VSM | |||
| 2N3904 S | SOT-23 | 0,225 | FS (First Silicon) | |
| 2N3904 U | SOT-323 | 0,15 | ||
| 2N3904 N | TO-92N | 0,4 | AUK Semiconductor | |
| MMBT 3904 | SOT-23 | 0,35 | Fairchild Semiconductor | |
| PZT 3904 | SOT-223 | 1 | ||
| 2N3904 – T18 | TO-18 | 0,31 | Tj = от -63°C до +200°C | SEME LAB |
Характеристики КТ815
Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815
| Наименование | U КБ , В | U КЭ , В | I K , мА | Р К , Вт | h21 э | I КБ , мА | f, МГц | U КЭ , В. |
| КТ815А | 40 | 30 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815Б | 50 | 45 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815В | 70 | 65 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815Г | 100 | 85 | 1500(3000) | 1(10) | 30-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
Обозначения из таблицы читаются следующим образом:
- U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
- U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
- I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
- Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
- h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
- I КБ — обратный ток вывода коллектора.
- f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
- U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.
Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:
- Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
- Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.
Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.
Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.
Модификации транзистора 2N3904
Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (fT, Сobo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.
| Модель | Тип корпуса | PC | Другие параметры | Производитель |
|---|---|---|---|---|
| 2N3904 | TO-92 | 0,625 | Tj = от -55°C до +150°C | Motorola |
| 2N3904 S | SOT-23 | 0,35 | Tj = от -55°C до +150°C | KEC (Korea Electronics) |
| 2N3904 E | ESM | 0,1 | ||
| 2N3904 U | USM | |||
| 2N3904 V | VSM | |||
| 2N3904 S | SOT-23 | 0,225 | FS (First Silicon) | |
| 2N3904 U | SOT-323 | 0,15 | ||
| 2N3904 N | TO-92N | 0,4 | AUK Semiconductor | |
| MMBT 3904 | SOT-23 | 0,35 | Fairchild Semiconductor | |
| PZT 3904 | SOT-223 | 1 | ||
| 2N3904 – T18 | TO-18 | 0,31 | Tj = от -63°C до +200°C | SEME LAB |
Электрические характеристики
| Обозначение | Параметр | Условия измерения | Мин. | Тип. | Макс. | Ед.изм. |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVCBO | Напряжение пробоя коллектор-база | IC= -100 µA, IE=0 | -50 | V | ||
| BVCEO | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | IC= -10mA, IB=0 | -50 | V | ||
| BVEBO | Напряжение пробоя эмиттер-база | IE= -10 µA, IC=0 | -5 | V | ||
| ICBO | Ток отсечки коллектора | VCB= -50V, IE=0 | -0.1 | µA | ||
| IEBO | Ток отсечки эмиттера | VEB= -5V, IC=0 | -0.1 | µA | ||
| hFE1 hFE2 | Коэффициент усиления по постоянному току | VCE= -6V, IC= -2mA VCE= -6V, IC= -150mA | 70 25 | 400 | ||
| VCE (sat) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC= -100mA, IB= -10mA | -0.1 | -0.3 | V | |
| VBE (sat) | Напряжение насыщения база-эмиттер | IC= -100mA, IB= -10mA | -1.1 | V | ||
| fT | Частотная эффективность | VCE= -10V, IC=-1mA | 80 | MHz | ||
| Cob | Выходное сопротивление | VCB= -10V, IE=0, f=1MHz | 4 | 7 | pF | |
| NF | Уровень шумов | VCE= -6V, IC= -0.1mA f=100Hz, RG=10kΩ | 0.5 | 6 | dB |
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре воздуха 25°C.
