Mje350g datasheet pdf ( pinout ) - plastic medium-power pnp silicon transistor

Транзистор MJE350 TO-126

Характеристики транзистора MJE350 TO-126 включают максимальное значение коллекторного тока до 0.5A, максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер до 300V, максимальное значение мощности до 3W и коэффициент усиления в диапазоне от 20 до 70.

Применение транзистора MJE350 TO-126 обширно и разнообразно. Он часто используется в аудиоусилителях, телевизионных и видеоустройствах, источниках питания и других электронных устройствах, где требуется надежная работа и высокое качество сигнала. Благодаря своим характеристикам, транзистор MJE350 TO-126 является популярным выбором среди разработчиков и любителей электроники.

Для более подробной информации о характеристиках и применении транзистора MJE350 TO-126 рекомендуется обратиться к его техническому описанию и документации производителя.

Характеристики	Значения
Тип	NPN
Максимальное значение коллекторного тока (Ic)	0.5A
Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (Vce)	300V
Максимальное значение мощности (P)	3W
Коэффициент усиления (hfe)	20-70

Технические характеристики

В первую очередь приведём максимальные параметры. Их превышение при эксплуатации устройства недопустимо ни при каких обстоятельствах, потому что в этом случае он выйдет из строя. Ещё не рекомендуется постоянная работа при параметрах близких к предельным, так как это может сказаться на долговечности транзистора.

Максимальные характеристики 13005:

напряжение К-Б V_CBO= 700 В;
напряжение К-Э V_CЕO= 400 В;
напряжение Э-Б V_EBO = 9 В;
ток проходящий через коллектор длительное время I_C = 4 А;
ток проходящий через коллектор в импульсном режиме I_CМ = 8 А;
ток протекающий через базу в течении длительного времени I_В = 0,75 А;
ток протекающих через базу в импульсном режиме I_В = 2 А;
мощность Р_С = 75 Вт;
термическое сопротивление переход-корпус R_θJC = 1,67 °С/Вт;
термическое сопротивление переход -воздух R_θJА = 62,5 °С/Вт;
предельная т-ра кристала Tj = 150ОС.
рабочие т-ры Tstg = от -65 до 150ОС.

После анализа максимальных значений, перейдём к детальному знакомству с электрическими характеристиками. От них в значительной мере зависят функциональные возможности устройства, определяющие его возможности. Измерения также проводятся при стандартной температуре +25°C. Дополнительные параметры и режимы измерения можно найти в специальной колонке.

Электрические характеристики транзистора MJE13005 (при Т = +25 оC)
Название параметра	Условия измерения	Обоз	мин	тип	мах	Ед. изм
Разность потенциалов (пробивная) К-Б	I_C = 1 мA, I_Е = 0В	V_(BR)CВO	700			В
Разность потенциалов (пробивная) К-Э	I_C=10 мA, I_В= 0 В	V_(BR)CEО	400			В
Разность потенциалов (пробивная) Э-Б	I_Е= 1 мА, I_C= 0 В	V_(BR)EBO	9			В
Ток (идущий в обратном направлении) между К-Б	V_CВ= 700 В, I_Е = 0	I_CВO			50	мкА
Ток (идущий в обратном направлении) между К-Э	V_CE= 400 В, I_В= 0	I_CEО			50	мкА
Ток (идущий в обратном направлении) между Э-Б	V_EB = 7 В, I_C = 0	I_EBO			50	мкА
К-т усиления тока в схеме с ОЭ	V_CE=5 В,I_C= 1 A, V_CE=5 В,I_C= 200 мA, V_CE=5 В,I_C= 10 мA, V_CE=5 В,I_C= 4 A	h_FE1 h_FE2 h_FE3 h_FE4	10 20 5 8		40 30 40
Разность потенциалов, требуемая для насыщения К-Э	I_C= 1 A, I_B = 0,2 A, I_C= 2 A, I_B = 0,4 A I_C= 4 A, I_B = 1 A	V _CE(sat)1 V _CE(sat)2 V _CE(sat)3			0,3 0,35 0,8	В В В
Разность потенциалов, требуемая для насыщения Б-Э	I_C= 2 A, I_B = 0,5 A	V _ВE(sat)			1,6	В
Предельная частота к-та усиления	V_CE=10 В, I_C= 0,5 A, f= 1 МГц	f_T	5			МГц
Время нарастания	I_C= 250 мA	t_r			0,5	мкс
Срок хранения	I_C= 250 мA	t_s	2,8		4,2	мкс
Время падения	I_C= 250 мA	t_f			0,5	мкс

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13009 транзистором 2SC2335;

транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257; транзистором BUL74A; транзистором BUW72; транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257;

Datasheet

Существует достаточно много компаний, которые выпускают транзистор MJE13005, среди них:

KEC(Korea Electroncs);
First Silcon;
Micro Commercal Components;
Shenzhen SI Semconductors;
Fairchild Semconductor;
Motorola;
Mospec Semconductor;
Dc Components;
Savantc;
Wing Shng Computer Components.

В отечественных магазинах продают продукцию следующих зарубежных фирм:

Unsonic Technologes;
Inchange Semconductor Company Limted;
ON Semconductor;
Central Semconductor Corp;
Contnental Device India Limted.

Скачать Datasheet на 13005 от каждого производителя можно кликнув на название компании в списке выше.

Биполярный транзистор MJE350 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: MJE350

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

MJE350
Datasheet (PDF)

..1. Size:594K st mje340 mje350.pdf

MJE340MJE350Complementary silicon power transistorsFeatures STMicroelectronics preferred salestypes Complementary NPN — PNP devicesApplications Linear and switching industrial equipment321DescriptionSOT-32The MJE340 is a silicon planar NPN transistor intended for use in medium power linear and switching applications. It is mounted in SOT-32.The complemen

..2. Size:36K fairchild semi mje350.pdf

MJE350High Voltage General Purpose Applications High Collector-Emitter Breakdown Voltage Suitable for Transformer Complement to MJE340TO-12611. Emitter 2.Collector 3.Base..PNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage — 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage — 300 V

..3. Size:155K onsemi mje350.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

..4. Size:204K cdil mje350.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR MJE350TO126 Plastic PackageECBDesigned for use in Line-Operated Applications sush as Low Power, Line- Operated SeriesPass and Switching Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 300 VCollec

..5. Size:212K inchange semiconductor mje350.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor MJE350DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V =CEO(SUS) -300 V(Min)DC Current Gain-: h = -100(Min) @ I = -50mAFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max.)@ I = -50mACE(sat) CComplement to the NPN MJE340Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDes

0.1. Size:124K motorola mje350re.pdf

Order this documentMOTOROLAby MJE350/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJE350Plastic Medium Power PNP0.5 AMPERESilicon TransistorPOWER TRANSISTORPNP SILICON. . . designed for use in li

0.2. Size:66K st mje340-mje350.pdf

MJE340MJE350COMPLEMETARY SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICESAPPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENTDESCRIPTIONThe MJE340 is a silicon epitaxial planar NPN12transistor intended for use in medium power3linear and switching applications.It is mounted inSOT-32.The complementary PNP type is MJE350. S

0.3. Size:139K onsemi mje350g.pdf

MJE350GPlastic Medium-PowerPNP Silicon TransistorThis device is designed for use in line-operated applications such aslow power, line-operated series pass and switching regulatorsrequiring PNP capability.www.onsemi.comFeatures High Collector-Emitter Sustaining Voltage0.5 AMPERE Excellent DC Current GainPOWER TRANSISTOR Complement to MJE340PNP SILICON Thes

Другие транзисторы… MJE3439
, MJE344
, MJE3440
, MJE344K
, MJE345
, MJE34A
, MJE34B
, MJE34C
, A1941
, MJE3520
, MJE3521
, MJE370
, MJE370K
, MJE371
, MJE371K
, MJE3738
, MJE3739
.

MJE350G Datasheet PDF — ON Semiconductor

Part Number	MJE350G
Description	Plastic Medium-Power PNP Silicon Transistor
Manufacturers	ON Semiconductor
Logo
There is a preview and MJE350G download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 3 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

MJE350G
Plastic Medium-Power
PNP Silicon Transistor
This device is designed for use in line−operated applications such as
low power, line−operated series pass and switching regulators
requiring PNP capability.
Features

• High Collector−Emitter Sustaining Voltage

• Excellent DC Current Gain

• Plastic Thermopadt Package

• Complement to MJE340

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*

MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector−Emitter Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current − Continuous
Total Power Dissipation

@ TC = 25_C

Derate above 25_C

VCEO

VEB

300 Vdc
3.0 Vdc
500 mAdc
20 W

0.16 mW/_C

Operating and Storage Junction
Temperature Range

TJ, Tstg –65 to +150 _C

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be
assumed, damage may occur and reliability may be affected.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Symbol

RqJC

Max
6.25
Unit

_C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic
Symbol Min Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage

(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)

VCEO(sus)

300
−
Vdc
Collector Cutoff Current

(VCB = 300 Vdc, IE = 0)

ICBO

mAdc

− 100
Emitter Cutoff Current

(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)

IEBO

mAdc

− 100
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain

(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc)

hFE −

30 240
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for
the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not
be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different
conditions.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2013

December, 2013 − Rev. 17
1
http://onsemi.com
0.5 AMPERE
POWER TRANSISTOR
PNP SILICON
300 VOLTS, 20 WATTS
COLLECTOR
2, 4
3
BASE
1
EMITTER
TO−225
CASE 77−09
STYLE 1
123
MARKING DIAGRAM
YWW
JE350G
Y
WW
JE350
G
= Year
= Work Week
= Device Code
= Pb−Free Package
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
MJE350G
TO−225
(Pb−Free)
500 Units/Box
Publication Order Number:
MJE350/D
Free Datasheet http://www.0PDF.com

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for MJE350G electronic component.

Information	Total 3 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

E13005-250 Datasheet (PDF)

1.1. e13005-250.pdf Size:163K _upd

E13005-250

Pb E13005-250 Pb Free Plating Product MJE Power Transistor Product specification MJE13005 series Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Silicon NPN, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in high-speed power switching circuits. 1. B 2. C 3. E Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25℃ ) Parameter Value Unit l Collector-Base Voltage VCBO 70

2.1. e13005-225.pdf Size:162K _upd

E13005-225

Pb E13005-225 Pb Free Plating Product MJE Power Transistor Product specification MJE13005 series Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Silicon NPN, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in high-speed power switching circuits. 1. B 2. C 3. E Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25℃ ) Parameter Value Unit l Collector-Base Voltage VCBO 70

3.1. mje13005-k.pdf Size:393K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13005-K NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS ? DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE. ? FEATURES * VCEO(SUS)= 400 V * Reverse bias SOA with inductive loads @ TC = 100°С * Indu

Характеристики

Транзистор MJE350 TO-126 обладает следующими характеристиками:

Параметр	Значение
Тип	NPN
Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO)	300 В
Максимальное постоянное напряжение коллектор-база (V_CBO)	500 В
Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база (V_EBO)	5 В
Максимальный коллекторный ток постоянный (I_C)	500 мА
Максимальная мощность (P_D)	625 мВт
Коэффициент усиления по току (h_FE)	от 35 до 320
Максимальная рабочая температура (T_j)	150 °C

Транзистор MJE350 TO-126 имеет высокую надежность и хорошую устойчивость к высоким температурам. Он широко используется в различных электронных устройствах, включая усилители, источники питания и схемы управления.

Применение

Транзистор MJE350 TO-126 широко используется в различных электронных устройствах и схемах. Его основные области применения включают:

Усилительные схемы: благодаря высокой усиливающей способности, транзистор MJE350 TO-126 может быть использован в усилительных схемах для усиления сигнала.
Коммутационные схемы: данный транзистор может использоваться в коммутационных схемах для переключения высоких токов и напряжений.
Источники питания: благодаря своей низкой насыщающей напряженности, транзистор MJE350 TO-126 может быть использован в схемах стабилизации источников питания.
Обратные преобразователи: данный транзистор может быть использован в обратных преобразователях, таких как импульсные источники питания.
Импульсные схемы: благодаря своей высокой частотной переключаемости, транзистор MJE350 TO-126 может быть использован в импульсных схемах.

Транзистор MJE350 TO-126 обладает высокой надежностью, стабильностью и эффективностью работы в различных схемах, что делает его популярным компонентом для множества приложений.

Технические характеристики

Рассмотрим основные технические параметры транзистора 13002. Они приведены в datasheet в разделах максимальных значений и электрических характеристик. Превышение предельно допустимых величин приводит к выходу устройства из строя.

Максимальные значения параметров для транзистора 13002:

напряжение К-Э: (VCEO (SUS)) до 300 В;
напряжение Э-Б: (VEBO) до 9 В;
ток коллектора: (IC) до 1.5 А; (ICM) до 3 А (пиковый);
ток базы: (IВ) = 0.75 А; (IВМ) до 1.5 А (пиковый);
рассеиваемая мощность (РD): до 1.4 Вт (без радиатора); до 40 Вт (с теплоотводом);
диапазон рабочих температур (TJ,Tstg) от -65 до +150ОС.

Электрические параметры

Электрические характеристики представляют собой перечень номинальных значений параметров, при которых гарантируется стабильная работа полупроводникового устройства. Для транзистора 13002 представлены в таблице ниже. Обычно производитель указывает их с учётом температуры кристалла не более +25ОС. В столбце «режимы измерений» приведены условия тестирования.

Аналоги

Наиболее подходящей заменой для рассматриваемого полупроводникового триода можно назвать более мощный транзистор 13003. Он встречается с символами в начале маркировке: MJE, ST, PHE, KSE, указывающими на производителя. По расположению выводов полностью идентичен. Имеет лучшие технические параметры, но перед его использованием внимательно ознакомьтесь с datasheet.

Наиболее близкими российскими аналогами является: КТ8170Б1, КТ872.

Аналоги

Для замены могут подойти кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные транзисторы предназначенные для работы в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, переключающих устройствах, преобразователях постоянного напряжения и других схемах аппаратуры общего назначения.

Отечественное производство

Тип	P_C Ta=25°C//T_c=25°C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C/I_CM	T_J	h_FE	f_T	C_ob	U_CE(sat)	t_on/ t_s/ t_f	Корпус	Примечания
13009	2/100	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO220
КТ840А	60	900	400	5	6/8	150	10…60	≥ 8	—	≤ 0,6	0,2/3,5/0,6	КТ-9	(ТО3)
КТ840Б	750	350	≥ 10	—
КТ840В	800	375	10…100
КТ841А, В	50	600	350	5	10/15	150	≥ 20	≥ 10	300	≤ 1,6	0,08/1,0/0,5	—	—
КТ854А	60	600	500	5	10/15	150	≥ 20	≥ 10	102	≤ 2,0	—	КТ-28-2	(ТО220АВ)
КТ856А	50	800	800	5	10/12	150	10…60	≥ 10	≤ 100	≤ 1,5	—	КТ-9	(ТО3)
КТ856Б	600	600	—
2Т856А	125	950	950	5	10/12	—	≤ 60	—	—	≤ 1,5	-/-/0,5	КТ-9	(ТО3)
2Т856Б	750	750	—	—	—
2Т856В	550	550	—	—	—
2Т856Г	850	850	—	—	—
КТ868А	70	900	400	5	6/8	150	10…60	≥ 8	≤100	≤ 1,5	—	КТ-9	(ТО3)
КТ868Б	750	375	10…100	—
КТ8107А	100	1500	—	5	8/15	—	≥ 2,25	≥ 7	—	≤ 1,0	-/3,5/0,5	КТ-9	(ТО3)
КТ8107Б	125	1500	—	5	5/7,5	—	≥ 2,25	—	≤ 3,0
КТ8107В	50	1500	—	5	5/8	—	8…12	—	≤ 1,0
КТ8107Г	100	1500	—	6	10	—	—	—	≤ 3,0
КТ8107Д	100	1200	—	6	10	—	—	—	≤ 1,0
КТ8107Е	100	1000	—	6	10	—	—	—	≤ 1,0
КТ8118А	50	900	800	—	3/10	—	10…40	≥ 15	—	≤ 2,0	—	КТ-28	(ТО220)
КТ8121А	75	700	400	—	4/8	—	8…60	≥ 4	—	≤ 1,0	—	КТ-28	(ТО220)
КТ8121Б	600	300	—	—	—	—
КТ8126А1	80	700	400	9	8/16	—	5…40	—	120	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	КТ-28	(ТО220)
КТ8126Б1	600	300	—	—
КТ8145В	100	500	500	8	15/-	150	≥ 10	10	—	—	—	КТ-27	(SOT32)
КТ8164А	75	700	400	9	4/8	150	10…60	≥ 4	≤110	≤ 1,0	0,8/4,0/0,9	КТ-28	(ТО220)
КТ8164Б	600	300	8…40	—

Зарубежное производство

Тип	P_C Ta=25°C/T_c=25°C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C/I_CM	T_J	h_FE	f_T	C_ob	U_CE(sat)	t_on/ t_s/ t_f	Корпус
13009	2/100	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	—	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO220
2SC2335	1,5/40	500	400	7	7/15	150	10…80	—	—	≤ 1,0	1,0/2,5/1,0	TO220AB
2SC2898	-/50	500	400	7	8/16	150	≥ 7	—	—	≤ 1,0	0,8/2,0/0,8	TO220C
2SC5057	-/100	900	—	—	20/-	150	38	—	—	—	—	TO3PL
2SD2625Z9	2/120	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	—	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO3P
3DD209L	-/120	700	400	9	12/24	150	5…40	≥ 4	—	≤ 1,8	-/3,0/0,7	TO3PN(B)
3DD3320AN	3/120	700	400	9	15/30	150	15…30	≥ 4	—	≤ 1,0	0,6/3,0/0,35	TO3P(N)
3DD13012A8	2/100	750	400	9	15/30	150	20…35	≥ 5	—	≤ 1,0	1,0/5,0/0,5	TO220AB
BUL743	-/100	1200	500	—	12/24	150	24…80	—	—	≤ 1,5	-/3,8/0,5	TO220
BU941	-/150	500	400	5	15/30	175	≥ 300	—	—	≤ 1,8	-/15,0/0,5	TO220AB
D4515	-/120	700	400	9	15-/	150	8…50	≥ 4	—	≤ 1,5	-/3,0/0,7	TO3PN
ECG379	-/100	700	400	—	12/-	175	20	≥ 4	—	—	—	TO220
MJE13007/A	-/80	700	400	9	8/-	150	5…45	—	—	≤ 3,0	—	TO220
MJE340	-/20,8	300	300	3	0,5/-	150	50…240	—	—	—	—	SOT32*
P1488	3/150	750	450	9	15/-	150	8…40	≥ 5	—	≤ 0,8	0,6/5,0/0,4	TO3PB

* — (TO126)

Примечание: данные в таблицах взяты и даташип компаний-производителей.

Параметры

Основные технические параметры 13001 (при температуре окружающей среды +25 °C) следующие:

физические:

принцип действия – биполярный;
корпус ТО-92 или SOT-23;
материал корпуса – пластик;
материал – монокристаллический кремний;

электрические (для устройства в корпусе ТО-92):

проводимость – n-p-n (обратная);
IK макс. (Ic max) не более 200 мА (mA);
UКЭ макс. (VCEmax) не более 400 В (V);
UКБ макс. (VCBmax) не более 500 В (V);
UЭБ макс. (VЕВ max) не более 9 В (V);
UКЭ нас. (VCEsat) не более 0.5 В (V), при IK (Ic)=50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
UКЭ нас. (VCEsat) не более 1.2 В (V), при IK (Ic)=50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
fгр (ft) от 8 МГц (MHz), при U КЭ = 20 В (V), IK = 20 мА (mA);
UКБ макс. (VCB max ) = 500 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0;
IКЭО (ICEO) не более 200 мкА (µA), при U КЭ макс. (VCEmax ) =400 В (V) и IБ (IB)=0;
IЭБО (IEBO) не более 100 мкА (µA), при U EБ макc. (VEB max ) = 9 В (V) и IК (IС)=0;
PK макс. (PC) 0,75 Вт (W);
Tраб. (Tj) не более + 150 °C;
Tхран. (Tstr) от — 55 до + 150 °C.;
Hfe при UКЭ = 20 В (V) и IK = 20 мА (mA) от 10 до 40 , при UКЭ = 10 В (V) и IK = 0,25 мА (mA) — 8;

электрические (для устройств в корпусе SOT-23):

проводимость – n-p-n;
IK (Ic max) 200 мА (mA);
UКЭО (VCEO) ≤ 500 В (V);
UКБО (VCBO) ≤ 800 В (V);
UЭБО (VЕВO) ≤ 9 В (V);
UКЭ нас. (VCEsat) ≤ 0.5 В (V), при IK (Ic) = 50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
UКЭ нас. (VCEsat) ≤1.2 В (V), при IK (Ic) = 50 мА (mA) и IБ (Ic)= 10 мА (mA);
fгр (ft) 8 МГц (MHz), при U КЭ = 20 В (V), IK = 20 мА (mA);
IКБО (ICBO) ≤1 мкА (µA) при U КБ (VCBО) = 600 В (V);
IКЭО (ICEO) ≤10 мкА (µA), при U КЭ (VCEО ) = 400 В (V) и IБ (IB)=0;
IЭБО (IEBO) ≤1 мкА (µA), при U EБ (VEBО ) = 9 В (V) и IК (IС)=0;
PK (PC) = 0,5 Вт (W);
Tраб. (Tj) ≤ + 150 °C.;
Tхран. (Tstr) от — 55 до + 150 °C.;
Hfe при UКЭ = 20 В (V) и IK = 20 мА (mA) 8 Hfe, при UКЭ = 5 В (V) и IK = 1 мА (mA) от 10 до 30 Hfe.

Search Stock


STMicroelectronics MJE350
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Arrow Electronics (2)	MJE350		22,312	14 Weeks	1	1 $0.6766 10 $0.5903 100 $0.4145 1000 $0.2977 10000 $0.2338	Buy Now
	MJE350		482	14 Weeks	1	1 $0.6777 10 $0.59 100 $0.4128 1000 $0.2957 10000 $0.2319	Buy Now
Verical (2)	MJE350		22,311		37	1 — 10 — 100 $0.381 1000 $0.2736 10000 $0.2149	Buy Now
	MJE350		482		24	1 — 10 — 100 $0.4128 1000 $0.2957 10000 $0.2319	Buy Now
Quest Components	MJE350		19,613			1 $0.75 10 $0.75 100 $0.75 1000 $0.75 10000 $0.2625	Buy Now
onsemi MJE350G
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Arrow Electronics	MJE350G			14 Weeks	500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
Avnet Asia	MJE350G			14 Weeks	3,500	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.20987	Buy Now
New Advantage Corporation (2)	MJE350G		2,500		1	1 — 10 — 100 — 1000 $0.3217 10000 $0.2994	Buy Now
	MJE350G		1,000		1	1 — 10 — 100 — 1000 $0.2931 10000 $0.2931	Buy Now
Motorola Semiconductor Products MJE350
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Quest Components (5)	MJE350		270			1 $0.75 10 $0.75 100 $0.5 1000 $0.35 10000 $0.35	Buy Now
	MJE350		89			1 $1 10 $0.5 100 $0.3 1000 $0.3 10000 $0.3	Buy Now
	MJE350		43			1 $1.232 10 $0.9856 100 $0.616 1000 $0.616 10000 $0.616	Buy Now
	MJE350		68			1 $1.25 10 $1 100 $0.75 1000 $0.75 10000 $0.75	Buy Now
	MJE350		248			1 $1.25 10 $1.25 100 $0.625 1000 $0.625 10000 $0.625	Buy Now
onsemi MJE350
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Quest Components (2)	MJE350		257			1 $0.75 10 $0.75 100 $0.5 1000 $0.35 10000 $0.35	Buy Now
	MJE350		42			1 $1.25 10 $1 100 $0.75 1000 $0.75 10000 $0.75	Buy Now
Fairchild Semiconductor Corporation MJE350
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Quest Components	MJE350		8			1 $1 10 $0.5 100 $0.5 1000 $0.5 10000 $0.5	Buy Now

mje350 datasheet (37)

Part	Manufacturer	Description	Type	PDF
MJE350	Continental Device India	PNP Plastic Power Transistors	Original	PDF
MJE350	Fairchild Semiconductor	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR — Pol=PNP / Pkg=TO126 / Vceo=300 / Ic=0.5 / Hfe=30-240 / fT(Hz)=- / Pwr(W)=20	Original	PDF
MJE350	Fairchild Semiconductor	PNP Epitaxial Silicon Transistor — Pol=PNP / Pkg=TO126 / Vceo=300 / Ic=0.5 / Hfe=30-240 / fT(Hz)=- / Pwr(W)=20	Original	PDF
MJE350	Motorola	Plastic medium power PNP Transistor	Original	PDF
MJE350	On Semiconductor	Bipolar Power C77 PNP 0.5A 300V; Package: TO-225; No of Pins: 3; Container: Bulk; Qty per Container: 500	Original	PDF
MJE350	On Semiconductor	Plastic Medium Power PNP Silicon Transistor — Pol=PNP / Pkg=TO126 / Vceo=300 / Ic=0.5 / Hfe=30-240 / fT(Hz)=- / Pwr(W)=20	Original	PDF
MJE350	On Semiconductor	Plastic Medium Power PNP Silicon Transistor	Original	PDF
MJE350	STMicroelectronics	Transistors (BJT) — Single, Discrete Semiconductor Products, TRANSISTOR PNP 300V 0.5A SOT-32	Original	PDF
MJE350	STMicroelectronics	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS — Pol=PNP / Pkg=TO126 / Vceo=300 / Ic=0.5 / Hfe=30-240 / fT(Hz)=- / Pwr(W)=20	Original	PDF
MJE350	STMicroelectronics	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS — Pol=PNP / Pkg=TO126 / Vceo=300 / Ic=0.5 / Hfe=30-240 / fT(Hz)=- / Pwr(W)=20	Original	PDF
MJE350	Transys Electronics	PNP EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR	Original	PDF
MJE350	Various Russian Datasheets	Transistor	Original	PDF
MJE350	Advanced Semiconductor	RANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,500V V(BR)CEO,50A I(C),TO-204AE	Scan	PDF
MJE350	Central Semiconductor	Silicon Plastic Power Transistors, TO-126	Scan	PDF

MJE350	Continental Device India	Semiconductor Device Data Book 1996	Scan	PDF
MJE350	Fairchild Semiconductor	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	Scan	PDF
MJE350	Motorola	Motorola Semiconductor Data & Cross Reference Book	Scan	PDF
MJE350	Motorola	European Master Selection Guide 1986	Scan	PDF
MJE350	Motorola	Semiconductor Data Library Volume 3 1974	Scan	PDF
MJE350	Motorola	The European Selection Data Book 1976	Scan	PDF