Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | Cob | hFE | UCE(sat) | Корпус | Группы по величине hFE. Маркировка. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD882 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 80 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126/C, TO251/252, TO92/NL | Гр. R/Q/P/E |
| 2SD882R/O/Y/GR | 1,25/- | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/O/Y/GR |
| 2SD882U-P | 1,25/36 | 120 | 100 | 6 | 4/7 | 150 | ≥ 3 | — | 15…260 | ≤ 0,8 | TO126 | — |
| BTD882D3 | 1/10 | 50 | 50 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 100…820 | ≤ 0,5 | TO126ML | Гр. R/S/T |
| BTD882ST3 | 1/10 | 60 | 30 | 6 | 3/7 | 150 | 270 | 16 | 150…390 | ≤ 0,5 | TO126 | — |
| BTD882T3 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 150…560 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. P/E |
| CSD882 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/Q/P/E |
| D882P | 1,25/15 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 10…400 | ≤ 0,8 | TO126D | — |
| FTD882 | 1,25/- | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | 90 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/O/Y/GR |
| HSD882 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…500 | ≤ 0,5 | TO126ML | Гр. Q/P/E |
| KSD882 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/O/Y/G |
| KTD882 | 1,5/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. O/Y/GR |
| ST2SD882HT | 1/10 | 60 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/Q/P/E |
| ST2SD882T | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/Q/P/E |
| ST2SD882U-P | 1,25/36 | 120 | 100 | 6 | 3/7 | 150 | ≥ 3 | — | 15…260 | ≤ 0,8 | TO126 | — |
| TSD882CK | 1/10 | 60 | 30 | 6 | 3/7 | 150 | 270 | 16 | 150…390 | ≤ 0,5 | TO126 | — |
| 2SD882I (BR3DA882L) | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO251 | Гр. R/Q/P/E |
| BTD882I3 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 150…560 | ≤ 0,5 | TO251 | Гр. P/E |
| D882PC | 1,1/10 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 10…400 | ≤ 0,8 | TO251 | — |
| 2SD882D (BR3DA882D) | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. R/Q/P/E |
| BTD882J3 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 13 | 150…560 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. P/E |
| D882M | 1,25/- | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO252-2L | Гр. R/O/Y/GR |
| FTD882D | -/10 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | 90 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. R/O/Y/GR |
| GSTD882 | 1,25/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. R/O/Y/GR |
| STD882D | -/15 | 40 | 15 | 7 | 5/10 | 150 | 150 | ≤ 50 | 100…320 | ≤ 0,4 | TO252 | — |
| WTD882 | 1,25/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. R/O/Y/GR |
| 2SD882B (B3DA882BR) | 2/25 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO220 | Гр. R/Q/P/E |
| 2SD882L | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 80 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO92L | Гр.Q/P/E |
| BTD882SA3 | 0,75/- | 60 | 50 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 13 | 150…560 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр.P/E |
| HD882S | 0,75/- | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 80 | 55 | 100…490 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр.P/E |
| HSD882 | 0,75/- | 40 | 30 | 6 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 300…500 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр.Q/P/E |
| D882S | 0,625/- | 40 | 30 | 6 | 3/7 | 150 | ≥ 50 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр. R/O/Y/GR |
| GSTS882 | 0,625/- | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр. R/O/Y/GR |
| 2SD882A | 0,5/- | 70 | 60 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/Q/P/E Марк. 882AR, 882AQ, 882AP, 882AE. |
| 2SD882GP | 1,5/- | 40 | 30 | 5 | 3/3 | 150 | 100 | 55 | 30…500 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. Q/P/E Марк. Q82, P82, E82. |
| 2SD882S | 0,5/- | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 80 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89, SOT223 | Гр. Q/P/E |
| 2SD882T (BR3DA882T)0,5 | 0,5 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/Q/P/E Марк. H82R, H82Q, H82P, H82E. |
| BD882R/O/Y/GR | 0,5 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/O/Y/GR Марк. D882 |
| BTD882AM3 | 0,6 | 80 | 50 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 100…820 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/S/T Марк. CF |
| D882H | 0,5 | 70 | 70 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/O/Y/GR Марк. D882H |
| DXTD882 | 1,5/- | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…500 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. Q/P/E |
| FTD882F | 0,5 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/O/Y/GR |
| GSTM882 | 0,5 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | 50 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/O/Y/GR Марк. D882 |
| KXC1502 | 0,5 | 40 | 20 | 5 | 1,5/- | 150 | ≥100 | ≤ 20 | 40…320 | ≤ 0,5 | SOT89 | Марк. D882 |
| L2SD882Q/P | 0,5 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…320 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. Q/P/E Марк. 82Q, 82P |
| ST23D882U | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/Q/P/E |
| TSD882S | 0,75/- | 60 | 50 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 100…500 | ≤ 0,5 | SOT89, TO92 | — |
| ZX5T150 | 0,5/- | 70 | 60 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…300 | ≤ 0,5 | SOT89 | Марк. D882 |
| 2SD882N (BR3DA882N) | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT223 | Гр. R/Q/P/E Марк. D882BN |
| 2SD882ZGP | 1,5/- | 40 | 30 | 5 | 3/3 | 150 | 100 | 55 | 30…500 | ≤ 0,5 | SOT223 | Гр. Q/P/E Марк. Q82, P82, E82. |
| D882SS | 0,35/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 80 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT23 | Гр. Q/P/E Марк. D82 L/G |
Маркировка irfz44n
Приставка irf свидетельствует о том, что устройства производят на предприятиях, относящихся к компании International Rectifier (США). 14 лет назад году ее сотрудники продали технологии изготовления Vishay Intertechnology, а еще через 8 лет IR присоединилась к Infineon Technologies. Сегодня детали с такой же приставкой в названии выпускает ряд ещё нескольких независимых предприятий.
Некоторые технические описания устройства содержат в конце маркировки символы PbF, что в расшифровке означает plumbum free — бессвинцовый метод производства транзисторов. Он становится популярен во многих странах, так как многие химические соединения, вредные для экологии и для здоровья людей, на сегодняшний день запрещены к применению.
В даташит оригинала упоминается фирменная HEXFET-технология производства, созданная International Rectifier Corporation. Благодаря ей серьезно уменьшается сопротивление электронных деталей и температура нагрева во время их работы. Она же делает необязательным использование радиатора-охладителя.
IRFZ44N от производителя IR, имеющие структуру HEXFET, обладают самым низким сопротивлением стока-истока в 17,5 мОм. В техническом описании к этим устройствам есть отметка Power MOSFET. Она означает, что данные транзисторы — это мощные полупроводниковые приборы.
Биполярный транзистор KTB688 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTB688
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора:
KTB688
Datasheet (PDF)
..1. Size:42K kec ktb688.pdf
SEMICONDUCTOR KTB688TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.A Q BKFEATURES Complementary to KTD718. Recommended for 45 50W Audio Frequency DIM MILLIMETERSAmplifier Output Stage.A 15.9 MAXB 4.8 MAX_C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0MAXIMUM RATING (Ta=25 )G 3.3 MAXdH 9.0CHARACTERISTIC SYMBOL RATI
..2. Size:223K inchange semiconductor ktb688.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor KTB688DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type KTD718Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifier applicationsRecommend for 45-50W audio frequency amplifieroutput stage applicat
0.1. Size:443K kec ktb688b.pdf
SEMICONDUCTOR KTB688BTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED PNP TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.AQ BNFEATURES O KRecommended for 45 50W Audio Frequency Amplifier Output Stage.DIM MILLIMETERSComplementary to KTD718B. _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20_C 19.90 + 0.20_D 2.00 0.20+_d +1.00 0.20_E +3.00 0.20_F 3.80 + 0.20D_G 3.50 + 0.20E_
Другие транзисторы… KTB1367
, KTB1368
, KTB1369
, KTB1370
, KTB1423
, KTB1424
, KTB2955
, KTB595
, 2N3904
, KTB778
, KTB817
, KTB988
, KTB989
, KTC1001
, KTC1003
, KTC1006
, KTC1008
.
Транзистор B688: как проверить его мультиметром?
Для начала важно убедиться, что мультиметр настроен на режим измерения транзисторов. Обычно на приборе есть специальный селектор, позволяющий выбирать данный режим
Кроме того, необходимо учесть, что транзисторы имеют пин-пиновую конфигурацию, поэтому важно знать, как правильно подключить его к мультиметру.
При проверке транзистора B688 с мультиметром обычно используется три вывода: база (B), коллектор (C) и эмиттер (E). Выводы транзистора могут быть обозначены буквами на корпусе самого транзистора или указаны в документации. Заменительно, вы можете использовать схему поиска производителя (datasheet), чтобы найти правильные выводы.
Чтобы проверить транзистор B688 с помощью мультиметра, следуйте этим простым шагам:
- Установіте мультиметр в соответствующем режиме, указанном для измерения транзисторов.
- Подключите соответствующие выводы транзистора к мультиметру. Обычно подключение производится следующим образом: база к базе, коллектор к коллектору и эмиттер к эмиттеру.
- Преобразуйте мультиметр в режиме «диодного теста» (diode test mode) или «переходов» (transistor test mode).
- Проверьте результат на дисплее мультиметра. Если транзистор работает должным образом, на дисплее появится вольтаж или другое значение, которое указывает на его работоспособность.
Помните, что результаты проверки могут различаться в зависимости от типа мультиметра и состояния самого B688. Если результаты измерений указывают на неисправность транзистора (например, низкий вольтаж или нулевая проводимость), вам может потребоваться заменить его на новый. Возможны и другие причины неисправности, поэтому рекомендуется обратиться к специалисту в случае возникновения проблем.
Способы проверки irfz44n
Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.
Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.
Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.
Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.
У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.
По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.
Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.
irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.
Что такое транзистор B688?
Транзистор B688 обладает высоким коэффициентом усиления и низким уровнем шума. Он может использоваться в различных типах устройств, таких как устройства звукоснимателей в аудиоусилителях, стабилизаторы напряжения, источники питания и другие.
Он характеризуется следующими ключевыми параметрами:
- Корпус: TO-126
- Пределы тока коллектора: 4 А
- Напряжение коллектора-эмиттер: 140 В
- Мощность коллектора: 100 Вт
- Усиление транзистора: от 45 до 80
Транзистор B688 может использоваться в различных схемах и проектах, но в случае его недоступности или необходимости замены, есть аналоги, которые могут использоваться вместо него.
Обратите внимание, что при замене транзистора B688 на аналоги, необходимо учитывать их параметры и подобрать наиболее подходящий аналог для конкретного проекта или схемы
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE.
Характеристика снята при нескольких значениях тока базы (управления) IB.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при коллекторном напряжении UCE = 2 В.
Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики получены для соотношения токов IC/IB = 10.
Рис. 4. Изменение граничной частоты усиления (частоты среза) fT при изменении нагрузки IC.
При снятии характеристики напряжение коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 5. Зависимость емкости коллекторного перехода транзистора Cob от приложенного обратного напряжения коллектор-база UCB.
Характеристика снята при частоте процесса f = 1 МГц и при отсутствии тока эмиттера IE = 0.
Рис. 6. Снижение токовой нагрузки транзистора (в процентах) от максимальной при возрастании температуры среды Ta.
S/b LIMITED – снижение по условию предотвращения вторичного пробоя.
DISSIPATION LIMITED – снижение по условию общего перегрева п/п структуры.
Рис. 7. Снижение предельной мощности рассеивания PC при нарастании температуры среды Ta.
Рис. 6. Область безопасной работы транзистора.
Характеристика получена в режиме подачи одиночного неповторяющегося импульса тока IC MAX (PULSED) разных длительностей: 100 мкс, 1 мс, 10 мс; при постоянном токе IC MAX (CONTINUOUS) и при его снижении (DC OPERATION).
Температура корпуса транзистора во всех режимах ограничивалась на уровне Tc = 25°C.
При увеличении температуры следует линейно снижать значения ограничивающих токов и напряжений (надпись на поле рисунка).