Характеристики транзистора mje13009

КТ315 — аналоги отечественные и зарубежные

Но так как главной темой статьи является не КТ315 — аналоги для этого транзистора, то следует уже уделить внимание и основной теме. Итак, вот список аналогов:

1. Биполярный транзистор BC847B. Относительно дорогой (3 рубля за 1 штуку) маломощный транзистор, имеющий значительный коэффициент усиления. Если сравнивать с КТ315, аналог зарубежный довольно дорогой. Но он имеет то преимущество, что при пайке и перепайке не так быстро выходит из строя (что не в последнюю очередь благодаря его увеличенной и укреплённой конструкции). Максимальная рассеиваемая мощность — 0,25. На направление «коллектор-база» может подаваться до 50 Вольт. На коллектор-эмиттер — до 45 Вольт. Максимальное напряжение для направления эмиттер-база составляет 6 Вольт. Коллекторный переход имеет ёмкость 8. Предельная температура перехода составляет 150 градусов. Статистический коэффициент передачи тока — 200.
2. Биполярный транзистор 2SC634. Этот импортный аналог КТ315 является довольно сбалансированным относительно характеристик и цены. Значение максимальной рассеиваемой мощности составляет 0,18. Максимально допустимое напряжение на коллектор-базу и коллектор-эмиттер — 40 Вольт. Эмиттер-база — всего 6 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 8. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока — 90.
3. Биполярный транзистор КТ3102. Сказать, что он для КТ315 — аналог отечественный будет неверно, ведь исторически так сложилось, что подобные детали изготавливались одного вида, который соответствует всем необходимым запросам и может выполнить возложенные на него функции. Дело в том, что просто КТ3102 не существует, обязательно вслед идёт ещё одна буква. Во избежание конфликтов значения будут указаны для всей группы. Более детальную информацию вы сможете получить, просматривая каждый транзистор. Отечественная разработка является усовершенствованным КТ315. Аналог в этом случае — слово не совсем уместное, скорее, усовершенствованный механизм. Максимальная рассеиваемая мощность КТ3102 составляет 0,25. На коллектор-базу может подаваться максимальное напряжение в 20-50 Вольт. Максимальное напряжение, которое можно подавать на коллектор-эмиттер, тоже составляет 20-50 Вольт. Максимальное напряжение на эмиттер-базу составляет 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода равняется 6. Предельная температура перехода — 150 градусов. Статический коэффициент передачи тока равняется 100.
4. Биполярный транзистор 2SC641. Максимальная рассеиваемая мощность — 0,1. Напряжение на направлении коллектор — база не должно превышать 40 Вольт. Максимальное напряжение на направлении коллектор — эмиттер не должно быть больше 15 Вольт. Для направления эмиттер — база это значение не должно превышать 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 6 единиц. Предельная температура перехода — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока равен 35.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе. Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

KSE13009 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:25K  samsung kse13009f.pdf

KSE13009F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 12 A Collector Current (Pulse) IC 24

 7.1. Size:48K  fairchild semi kse13004,13005.pdf

KSE13004/13005High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE13004 600 V : KSE13005 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE13004

 7.2. Size:48K  fairchild semi kse13006,13007.pdf

KSE13006/13007High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE13006 600 V : KSE13007 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE13006

 7.3. Size:465K  fairchild semi kse13003.pdf

March 2008KSE13003NPN Silicon TransistorHigh Voltage Switch Mode Applications High Voltage Capability High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings* TC = 25C unless otherwise noted (notes_1)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter

 7.4. Size:47K  fairchild semi kse13003t.pdf

KSE13003THigh Voltage Switch Mode Applications High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC C

 7.5. Size:70K  samsung kse13006.pdf

KSE13006/13007 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION High Speed SwitchingTO-220 Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit VCBO 600 V Collector Base Voltage : KSE13006V : KSE13007 700 VCEO 300 V Collector Emitter Voltage : KSE13006V : KSE13007 400V Emitter Base Voltage VEB

 7.6. Size:23K  samsung kse13005f.pdf

KSE13005F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 700 V Collector Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 4 A Collector Current (Pulse) IC 8

 7.7. Size:23K  samsung kse13007f.pdf

KSE13007F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 700 V Collector Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 8 A Collector Current (Pulse) IC 16

 7.8. Size:21K  samsung kse13003t.pdf

KSE13003 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-126 High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 1.5 A Collector Current (Pulse) IC 3

 7.9. Size:581K  onsemi kse13003.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 7.10. Size:163K  onsemi kse13003t.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V_CEO) 400 вольт, а порогового (V_CEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (I_C) 1.5 A, а импульсного пиковое (I_CM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I_C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Безопасность при эксплуатации

Максимальное рабочее напряжение, которое может выдержать транзистор (U_КЭ) должно быть не более 400 В, при I_К = 10 мA. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер (U_КЭВ) при запирающем напряжении в цепи база-эммитер (U_БЭ) не должно быть больше 700 В.

Соблюдайте тепловые параметры при работе устройства. Установка транзистора на радиатор является одним из необходимых условий его правильной работы. Не допускайте сильного увеличения постоянной мощности рассеивания P_tod. При превышении максимально допустимой мощности рассеивания (более 100 Вт) транзистор перегреется и выйдет из строя. Рабочая температура устройства не должна превышать максимально допустимую — 150 °C. Хранение и эксплуатация устройства должна находится в пределах от -55 до +150 °C.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.

10 Ноя 2007 — 20:13 NMD 1572 >> 68.32

Ремонт Блоков Питания Транзисторы Детали

Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП. Михаил.KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp — 10A, Pd — 50W 2SC4242 — Vceo — 450v, Ic — 7A. Pd — 40W BU508A — Vceo — 700V, Ic — 8A, Icp — 15A, Pd — 50W ST13003 — Vceo-400v, Ic- 1.5A, Icp — 3A, Pd — 40W MJE13003 — Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp — 3A, Pd — 40W 2SC3457 — Vceo — 800v, Ic — 3A. P — 50w MJE13005 — Vceo — 400v, Ic — 4A, Icp — 8A, Pd — 75w MJE13006 — Vceo — 300v, Ic — 8A, Icp — 16A, Pd — 80w MJE13007 — Vceo — 400v, Ic — 8A, Icp — 16A, Pd — 80w 2SC2625 — Vceo — 450v, Ic — 10A, Pd — 80w 2SC3306 — Vceo — 500v, Ic -10A, Pd — 100w KSE13006 — Vceo — 300V, Ic — 8A, Icp — 16A, Pd — 80W KSE13007 — Vceo — 400V, Ic — 8A, Icp — 16A, Pd — 80W KSE13009 — Vceo — 400v, Ic — 12A, Icp — 24A, Pd — 130w KSP2222A — Vceo- 40v, Ic — 0.6A, Pd — 0.63w 2SC945 — Vcev — 60v, Ic — 0,1A, Pd — 0.25w 2SA733 — p-n-p Vce — 60v, Ic — 0.1A, Pd — 0.25w 2SA1015 p-n-p Vce — 50v, Ic — 0.15A, Pd — 0.4w 2SA1273 p-n-p Vce — 30v, Ic — 2A, Pd — 1.0w 2SB1116A p-n-p Vce — 80v, Ic — 1.0A, Pd — 0.75w KSC2335F — Vceo-500v, Ic — 7A, Pd — 40w. 2SC2553 — Vceo-500v, Ic — 5A, Pd — 40w. 2SC2979 — Vceo-900v, Ic — 3A, Pd — 40w. 2SC3039 — Vceo-500v, Ic — 7A, Pd — 50w. 2SC3447 — Vceo-800v, Ic — 5A, Pd — 50w. 2SC3451 — Vceo-800v, Ic -15A, Pd — 100w. 2SC3460 — Vceo-1100v, Ic — 6A, Pd — 100w. 2SC3461 — Vceo-1100v, Ic — 8A, Pd — 120w. 2SC3866 — Vceo-900v, Ic — 3A, Pd — 40w. 2SC4106 — Vceo-500v, Ic — 7A, Pd — 50w. 2SC4706 — Vceo-600v, Ic -14A, Pd — 130w. 2SC4744 — Vceo-1500v, Ic — 6A, Pd — 50w. KSC1008 — Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd — 0.8w. 2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic — 1A, Pd — 0.25w. ZTX457 — Vceo-300V Ic — 0.5A, Pd — 1,0W

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

• биполярный транзистор;
• корпус ТО-220, ТО-3PN;
• материал корпуса – пластик;
• кристалл — кремний (Si);

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером U_{КЭ нас.} (V_BEsat):

напряжение насыщения между базой и эммитером U_{БЭ нас.} (V_BEsat):

коммутационные характеристики (при U_КЭ =120 В, I_K =8 A, I_{Б вкл}=1.6А, I_{Б выкл.}= -1.6А):

• время задержки t_зад (t_d) = 0.1 мкс (µs);
• время включения t_вкл (t_on) = 1.1 мкс (µs);
• время спада t_сп (t_f) = 0.7 мкс (µs);
• время рассасывания t_РАС (t_s) = 3 мкс (µs);

• Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу R_θJC = 1.26 °C/W (°C/Вт);
• Тепловое сопротивление корпуса к окружающей среде R_θCA= 62.5 °C/W (°C/Вт);
• Общее тепловое сопротивление R_θJA= 100 °C/W (°C/Вт);
• T_{перехода} (T_j) ≤ + 150 °C;
• T_хран.(T_str) от — 65 до + 150 °C;
• T_раб.(T_amb) от — 65 до + 150 °C;
• T_пайки (T_L) до 275 °C.

коэффициент усиления по току у транзистора 13009 находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.